JPS60151280A - 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム焼結体の製造方法Info
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- JPS60151280A JPS60151280A JP59007485A JP748584A JPS60151280A JP S60151280 A JPS60151280 A JP S60151280A JP 59007485 A JP59007485 A JP 59007485A JP 748584 A JP748584 A JP 748584A JP S60151280 A JPS60151280 A JP S60151280A
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- aluminum
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- nitride sintered
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/581—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
(産業上の利用分野)
本発明は窒化アルミニウム焼結棒の製造方法に関する。
(従来技術)
近年、半ノ、す俸工業の急速な技術、!!I′1′新に
より、IC1L S Iをはじめとする太規模集1百[
1川路は晶集+44j化、高出力化が行われ、これに伴
うソリコン素子の中位面積当りの発熱もYが大幅に増加
してきた。そこでソリコン素子の通電動作による発熱の
ためノリコン素子の正常f、; !iiυ作を妨ける問
題が生じ始めている。それζこ伴って熱伝導性の良いホ
(5縁性基板材料が要求されている。 従来、絶り性〃り板材料さしては一般にアルミナ灯O古
1杢が11σも多くイ史月1されている。しかしながら
、最近ではアルミナ基板は熱放散に関しては満足してい
るとh−、t zえす、さらに熱放散性(熱伝導性)の
優れた(4/H縁性基板材料の開発が要2くさイ]るよ
う?こなってきた。このような絶縁基板材料としては熱
伝導性が良い(熱伝導率が大きい)、東気絶縁性である
、熱膨張率がソリコン単結晶の値に近い、機械的強度が
太きい等の特性が徴求される。 ところで良好な熱伝導性をイイするこaが知られている
窒化アルミニウムは熱1膨張率が約43x1cr’、z
℃(″−白品から4(10℃の]乙均イ直)でアルミナ
0′L結1杢の約7Xl(1,/’Cに比べて小さく、
シリコン素子の熱1i□膨張率35〜4 (l Xl(
1′//’Cに近い。またに械的強I用も曲り・団さで
Fフ5tl h 7間2450):iを治″し、アルミ
ナハ゛8.“j俸のfj+’42(1〜、′1OKq/
Tll ζこ比べ高師度であ6+1〔夕(牙i!!、h
k i牛に1費れたイオ料である。 従来、イ・?化アルミニウム(A、 A N )ハε、
”;jHKは窒化アルミニウム・の粉末を成形、焼結し
て’l<)られるのであるが、窒化アルミニウムはり准
悦結性物質で3;〕6ため、鰭り3冶ハ1文、i丘、r
++ろ2侶るCとが困判「では・、ろ。 そして世、在までに9)゛1;紀H+11J1′111
呑−(l[1え、常圧焼結ρ、やホットプレス法により
敵智1L糖化アルミニウムj充糸11イ奎をイI) 7
’、 j・(みが4丁されている。’!’5’ !:;
fl 111イ54−100410には11:′2化カ
ルシウム((、!a(フ)、rf2化バリウム(I3a
O)、酸化スト[〕ンチウム(8rO)等ヲワム結助剤
としてl1llえる9化アルミニウムわ゛ム′l111
1俸の製j′1旬方法が示されている。Cの方法による
と、一部ζこ、熱伝導率力50〜6i1 W/Ink
(ui J#A ) 0.) 室(e T ルミニウム
jyL結捧かイqられでいる。 しかしながら、近41−1の集信回路技術の介l・:夕
に伴い、さらC・こ冒熱□伝導性を有する熟成11ケ用
基板利料がめられている。 (発明の目的) 本発明の[」的は高熱伝導性を有し、さらζこイ゛L々
の有用な性質をイ1するら;1化アルミニウムバL結俸
の製r”・方j去そlモ宕j(することにある。 (イへ、1月の(7^1;2 ) 本発明はQ7化アルミニウム粉末に冷加剤としてOa、
Sr、If、Na、Iぐ、 +(、b、Os 、 Co
、Ag、 へ4g、Ocl、 Hg、 Zn、 Al、
(、:eのγセチ’l ト化6物0) 少くとも−t
(1以上を加え、混合1.成形の後シ[゛酸化付所囲包
5て焼成することを特tiXとす4)窒化アルミニウム
粉1.1sr1+の・ル゛J浩方法である。 (惜成の詳rYlltな説り」ン 以下本発明について具体的にi’tR,1,ljl−g
−る。 まず、A′;イヒアルミニウムj申料は、鈍1t(、と
して高純度のもの、4flえ(−1: 98寮以上のも
のがIよfしいスフ)、S)5〜98%程rlyのもの
も1更月(財)J +ii:である。)1′j勺(立?
争(4[10μn1以ト、好ましくは2μIll以下の
ものが良い。 本発明の添加剤であるO a、 S r、Ila、IN
a、1く、旧)、(:5S011. A g、へ4g、
Cd、 l−1g、 Zn、 、AA’。 Oeのアセチリド化合!J?+1の含イN ’tt、
fま上記アセチリド化合物の少(とも−441+以−ヒ
を窒化了Jレミニウム粉末に71シて含ませることによ
り熱伝導率を著しく jl4太させることができる、特
に添加量を0.(12〜1(回r111%に1−ること
により熱伝導率が6°w /m k(室温)以上と従来
の窒化アルシ焼結中ム焼結俸より太きU値がイ4jられ
る。アセチリド化合物は、酸素、水分等と活発に1!一
応しやすいものがあり、中には爆発性のものがあるため
混合(まアルコールの非水溶媒を用い、加熱乾燥は窒素
カス等の非酸化性雰囲気で行ζYい、またあ1つ高温G
こ保持しない等、粉木処.)ill iT: i+“・
−において注廟が必捉である。 次に、焼結は非酸化性雰囲気中で高温焼結することが必
要である。酸化性電囲気中で焼結すると窒化アルミニウ
ムが酸化してしまい緻密な睨結俸が得らイ1瓜い。非酸
化性雰囲気としては窒素ガス、ヘリウムカス、アルコン
カス、−酸化炭素ガス、水垢ガス、真空雰囲気などが使
用できるが、中でも窒素カス、アルゴンガス、ヘリウム
ガス、真空雰囲気が伸(1)で好ましい。焼蝉″はl
5 0 (1〜2 00 (1℃で行われ、<l’!i
tこ1600=1900℃ブ)ベイ〒りjlであるが、
!)“4fcrこわらの11月1[範囲に151)定さ
717るものでは炉い。 また焼結は常圧焼結法でも白いし、加圧す、尭結法によ
っても自い。加I±+3’j i!r汐二としてはホ,
ドブし・スγノモ(−11ζ11)J11圧フ習,結法
)とJI I l’法(熱間静水1上加圧焼結法)のど
ちらでも可能であ63、特にホットプレス法により焼結
した場合ζこil’,’i pJl伝導イ1−窒化アル
ミニウムtri結イネがイ1られる。 次ζこ実AI+例によって本発明を具体的にi<4明す
る。 (すμhてζ例1) 平均〕−で1径が2μmの鳩゛・イしアルミニウム粉末
1・こ第1表に示す’,’+ii.々の一セ千リド化合
り71を合計で2屯(11・%添加iJI′.恰した。 次いでこの混合粉末を室温で2 0 0 0KV/cr
Aの圧力を加えて成形体とした。この成形体を焼結炉ζ
こおいて窒素カス雰囲気下1800℃で2時間焼紀7し
て窒化アルミニウム焼結杯をイ(↑た。 この窒化アルミニウム焼結俸l′/)室温での熱体zF
?,率を同じく第1夫に示す。アセチリド化合物を添加
することGこより室温での熱伝導率が8()〜・/1η
に以上の高熱体277性窒化アルミニウム焼結俸が得ら
れた。 第 1 表 試料μmは比較例である。 (実施例2) 平均粒径が2μmの窒化アルミニウム粉末に第2表に示
すアセチリド化合物を添加量を変え混合した。次いでこ
の混合粉末を室温で2000に!I/cmの圧力を加え
て成形体とした。この成形体を焼結炉lこおいて窒素カ
ス所出1気下で第2表に示T条件で焼結した。この窒化
アルミニウム焼結杯の室温″ での熱伝導率ヲ第2表
より、IC1L S Iをはじめとする太規模集1百[
1川路は晶集+44j化、高出力化が行われ、これに伴
うソリコン素子の中位面積当りの発熱もYが大幅に増加
してきた。そこでソリコン素子の通電動作による発熱の
ためノリコン素子の正常f、; !iiυ作を妨ける問
題が生じ始めている。それζこ伴って熱伝導性の良いホ
(5縁性基板材料が要求されている。 従来、絶り性〃り板材料さしては一般にアルミナ灯O古
1杢が11σも多くイ史月1されている。しかしながら
、最近ではアルミナ基板は熱放散に関しては満足してい
るとh−、t zえす、さらに熱放散性(熱伝導性)の
優れた(4/H縁性基板材料の開発が要2くさイ]るよ
う?こなってきた。このような絶縁基板材料としては熱
伝導性が良い(熱伝導率が大きい)、東気絶縁性である
、熱膨張率がソリコン単結晶の値に近い、機械的強度が
太きい等の特性が徴求される。 ところで良好な熱伝導性をイイするこaが知られている
窒化アルミニウムは熱1膨張率が約43x1cr’、z
℃(″−白品から4(10℃の]乙均イ直)でアルミナ
0′L結1杢の約7Xl(1,/’Cに比べて小さく、
シリコン素子の熱1i□膨張率35〜4 (l Xl(
1′//’Cに近い。またに械的強I用も曲り・団さで
Fフ5tl h 7間2450):iを治″し、アルミ
ナハ゛8.“j俸のfj+’42(1〜、′1OKq/
Tll ζこ比べ高師度であ6+1〔夕(牙i!!、h
k i牛に1費れたイオ料である。 従来、イ・?化アルミニウム(A、 A N )ハε、
”;jHKは窒化アルミニウム・の粉末を成形、焼結し
て’l<)られるのであるが、窒化アルミニウムはり准
悦結性物質で3;〕6ため、鰭り3冶ハ1文、i丘、r
++ろ2侶るCとが困判「では・、ろ。 そして世、在までに9)゛1;紀H+11J1′111
呑−(l[1え、常圧焼結ρ、やホットプレス法により
敵智1L糖化アルミニウムj充糸11イ奎をイI) 7
’、 j・(みが4丁されている。’!’5’ !:;
fl 111イ54−100410には11:′2化カ
ルシウム((、!a(フ)、rf2化バリウム(I3a
O)、酸化スト[〕ンチウム(8rO)等ヲワム結助剤
としてl1llえる9化アルミニウムわ゛ム′l111
1俸の製j′1旬方法が示されている。Cの方法による
と、一部ζこ、熱伝導率力50〜6i1 W/Ink
(ui J#A ) 0.) 室(e T ルミニウム
jyL結捧かイqられでいる。 しかしながら、近41−1の集信回路技術の介l・:夕
に伴い、さらC・こ冒熱□伝導性を有する熟成11ケ用
基板利料がめられている。 (発明の目的) 本発明の[」的は高熱伝導性を有し、さらζこイ゛L々
の有用な性質をイ1するら;1化アルミニウムバL結俸
の製r”・方j去そlモ宕j(することにある。 (イへ、1月の(7^1;2 ) 本発明はQ7化アルミニウム粉末に冷加剤としてOa、
Sr、If、Na、Iぐ、 +(、b、Os 、 Co
、Ag、 へ4g、Ocl、 Hg、 Zn、 Al、
(、:eのγセチ’l ト化6物0) 少くとも−t
(1以上を加え、混合1.成形の後シ[゛酸化付所囲包
5て焼成することを特tiXとす4)窒化アルミニウム
粉1.1sr1+の・ル゛J浩方法である。 (惜成の詳rYlltな説り」ン 以下本発明について具体的にi’tR,1,ljl−g
−る。 まず、A′;イヒアルミニウムj申料は、鈍1t(、と
して高純度のもの、4flえ(−1: 98寮以上のも
のがIよfしいスフ)、S)5〜98%程rlyのもの
も1更月(財)J +ii:である。)1′j勺(立?
争(4[10μn1以ト、好ましくは2μIll以下の
ものが良い。 本発明の添加剤であるO a、 S r、Ila、IN
a、1く、旧)、(:5S011. A g、へ4g、
Cd、 l−1g、 Zn、 、AA’。 Oeのアセチリド化合!J?+1の含イN ’tt、
fま上記アセチリド化合物の少(とも−441+以−ヒ
を窒化了Jレミニウム粉末に71シて含ませることによ
り熱伝導率を著しく jl4太させることができる、特
に添加量を0.(12〜1(回r111%に1−ること
により熱伝導率が6°w /m k(室温)以上と従来
の窒化アルシ焼結中ム焼結俸より太きU値がイ4jられ
る。アセチリド化合物は、酸素、水分等と活発に1!一
応しやすいものがあり、中には爆発性のものがあるため
混合(まアルコールの非水溶媒を用い、加熱乾燥は窒素
カス等の非酸化性雰囲気で行ζYい、またあ1つ高温G
こ保持しない等、粉木処.)ill iT: i+“・
−において注廟が必捉である。 次に、焼結は非酸化性雰囲気中で高温焼結することが必
要である。酸化性電囲気中で焼結すると窒化アルミニウ
ムが酸化してしまい緻密な睨結俸が得らイ1瓜い。非酸
化性雰囲気としては窒素ガス、ヘリウムカス、アルコン
カス、−酸化炭素ガス、水垢ガス、真空雰囲気などが使
用できるが、中でも窒素カス、アルゴンガス、ヘリウム
ガス、真空雰囲気が伸(1)で好ましい。焼蝉″はl
5 0 (1〜2 00 (1℃で行われ、<l’!i
tこ1600=1900℃ブ)ベイ〒りjlであるが、
!)“4fcrこわらの11月1[範囲に151)定さ
717るものでは炉い。 また焼結は常圧焼結法でも白いし、加圧す、尭結法によ
っても自い。加I±+3’j i!r汐二としてはホ,
ドブし・スγノモ(−11ζ11)J11圧フ習,結法
)とJI I l’法(熱間静水1上加圧焼結法)のど
ちらでも可能であ63、特にホットプレス法により焼結
した場合ζこil’,’i pJl伝導イ1−窒化アル
ミニウムtri結イネがイ1られる。 次ζこ実AI+例によって本発明を具体的にi<4明す
る。 (すμhてζ例1) 平均〕−で1径が2μmの鳩゛・イしアルミニウム粉末
1・こ第1表に示す’,’+ii.々の一セ千リド化合
り71を合計で2屯(11・%添加iJI′.恰した。 次いでこの混合粉末を室温で2 0 0 0KV/cr
Aの圧力を加えて成形体とした。この成形体を焼結炉ζ
こおいて窒素カス雰囲気下1800℃で2時間焼紀7し
て窒化アルミニウム焼結杯をイ(↑た。 この窒化アルミニウム焼結俸l′/)室温での熱体zF
?,率を同じく第1夫に示す。アセチリド化合物を添加
することGこより室温での熱伝導率が8()〜・/1η
に以上の高熱体277性窒化アルミニウム焼結俸が得ら
れた。 第 1 表 試料μmは比較例である。 (実施例2) 平均粒径が2μmの窒化アルミニウム粉末に第2表に示
すアセチリド化合物を添加量を変え混合した。次いでこ
の混合粉末を室温で2000に!I/cmの圧力を加え
て成形体とした。この成形体を焼結炉lこおいて窒素カ
ス所出1気下で第2表に示T条件で焼結した。この窒化
アルミニウム焼結杯の室温″ での熱伝導率ヲ第2表
【
こ示】−。アセチリド化合物を添加することζこより室
温での熱伝4李が(i(1w/mk以上の高熱伝導性窒
化アルミニウム焼結体がイ、B4られた。 (実施例3) 平均粒径がlttmの窒化アルミニウム粉末に炭化カル
シウム(CaC2)を0.02〜10屯斌%添加し混合
粉末を得た。次いでこの混合粉末を室温で2000にり
/ cA の圧力を加え成形体とした。このノ戎形体を
焼結炉において窒素ガス雰囲気下で1800℃2時1a
1焼結して窒化アルミニウム焼結体を得た。 この謔化アルミニウム焼結俸の室温での熱伝導率を第1
図に示す。 炭化カルシウムを0.02〜101F量%添加したとき
熱体4率か70w/mk以上の窒化アルミニウム焼結体
か得られた。 (実施例4) 実施例3と同じ条件で炭化ストロンチウム(Sr(!2
)を0.02〜10屯量%添加混合後、焼結して窒化ア
ルミニウム焼結体を得た。この窒化アルミニウム焼結体
の室温での熱伝導率を第2図に示J−0炭化ストロンヂ
ウムを0.02〜10東tjt%添加したとき熱伝導率
が60w/mk以上の窒化アルミニウム焼結体が得られ
た。 (実施例5) 実施例3と同じ条件で炭化バリウム(13a02.)を
002〜1f)i、i弓j1−%添加混合後、焼結して
窒化アルミニラz4え釘言杢をイ()た。この窒化アル
ミニウム焼結体の室温での熱伝導率を第3図に示す。 炭化バリr’)ムを0.(12〜川屯bt%添加した乏
き熱体f#率が6tl w/m k以−Fの窒化アルミ
ニウl、焼結体が得られた。 (夫Jj11.1うい6) 実施例3の當即焼結法で得られ1こ窒化アルミニウム焼
、結体V17(10℃、1o o ohり/c〃;、1
時間のtl I P法(〜・1間静水圧加圧)により加
圧・〜;結した。 この紀1甲、薗ri〜11の熱伝導率が] 50 w/
汀1にの窒化アルミニウドが待られた。 (実施例17) 平均粒伜か1μm、純度98%の窒化アルミニウム粉末
こ示】−。アセチリド化合物を添加することζこより室
温での熱伝4李が(i(1w/mk以上の高熱伝導性窒
化アルミニウム焼結体がイ、B4られた。 (実施例3) 平均粒径がlttmの窒化アルミニウム粉末に炭化カル
シウム(CaC2)を0.02〜10屯斌%添加し混合
粉末を得た。次いでこの混合粉末を室温で2000にり
/ cA の圧力を加え成形体とした。このノ戎形体を
焼結炉において窒素ガス雰囲気下で1800℃2時1a
1焼結して窒化アルミニウム焼結体を得た。 この謔化アルミニウム焼結俸の室温での熱伝導率を第1
図に示す。 炭化カルシウムを0.02〜101F量%添加したとき
熱体4率か70w/mk以上の窒化アルミニウム焼結体
か得られた。 (実施例4) 実施例3と同じ条件で炭化ストロンチウム(Sr(!2
)を0.02〜10屯量%添加混合後、焼結して窒化ア
ルミニウム焼結体を得た。この窒化アルミニウム焼結体
の室温での熱伝導率を第2図に示J−0炭化ストロンヂ
ウムを0.02〜10東tjt%添加したとき熱伝導率
が60w/mk以上の窒化アルミニウム焼結体が得られ
た。 (実施例5) 実施例3と同じ条件で炭化バリウム(13a02.)を
002〜1f)i、i弓j1−%添加混合後、焼結して
窒化アルミニラz4え釘言杢をイ()た。この窒化アル
ミニウム焼結体の室温での熱伝導率を第3図に示す。 炭化バリr’)ムを0.(12〜川屯bt%添加した乏
き熱体f#率が6tl w/m k以−Fの窒化アルミ
ニウl、焼結体が得られた。 (夫Jj11.1うい6) 実施例3の當即焼結法で得られ1こ窒化アルミニウム焼
、結体V17(10℃、1o o ohり/c〃;、1
時間のtl I P法(〜・1間静水圧加圧)により加
圧・〜;結した。 この紀1甲、薗ri〜11の熱伝導率が] 50 w/
汀1にの窒化アルミニウドが待られた。 (実施例17) 平均粒伜か1μm、純度98%の窒化アルミニウム粉末
【こ炭化カルシウム(CaC2)を1用、坩つ添加し、
アルコール中で混合後、ろ過した粉末を乾燥室1、雰囲
気下で加熱乾燥した。次いてこの混合粉末を室/晶で2
(fool(り/ cnlの圧力を加え成形体とした。 この成形体を黒鉛製のホットプレス型に入れ、1800
℃、200 KP/ crd、♀素雰囲気下で2時間ホ
ストプレスして、窒化アルミニウム焼結体を得た。 この窒化アルミニウム焼結体(・−を室温で相対密度9
9%、熱体4 ’p ] 60 w / m k、熱膨
張率4.3 XLO″℃、比抵抗B+13Ω鋼以上、曲
は強度50 ”t / rayn 2、の特性を示しさ
らに透光性を有していた。例えは4μ11’1〜6μm
の波長の元に対する透過率は約48%であり、また約0
2〜65μ丁ηの範囲の波長で約20Φ以上の透】1′
・η率を示した。 (発明の効果) 本発明の製造方法で製造した蒙化アルミニウムIe結俸
は畠密度で熱伝導性Oこ優れ、熱的特性、1)1気的特
性、機械的特性、さらに光学的特性ζこも良好であった
ため、半導体工業等の放熱材料としての応用以外ζこル
ツボ、莢着容器、耐熱ジク高温部材等の高温材料として
の応用も+iJ能であり、ざらに透元件であるといった
光学的性質を利用した窓相等の光♀材利占しての応用も
目J能であ6f丁と、工業的に多くの利点をイ]するも
のである・
アルコール中で混合後、ろ過した粉末を乾燥室1、雰囲
気下で加熱乾燥した。次いてこの混合粉末を室/晶で2
(fool(り/ cnlの圧力を加え成形体とした。 この成形体を黒鉛製のホットプレス型に入れ、1800
℃、200 KP/ crd、♀素雰囲気下で2時間ホ
ストプレスして、窒化アルミニウム焼結体を得た。 この窒化アルミニウム焼結体(・−を室温で相対密度9
9%、熱体4 ’p ] 60 w / m k、熱膨
張率4.3 XLO″℃、比抵抗B+13Ω鋼以上、曲
は強度50 ”t / rayn 2、の特性を示しさ
らに透光性を有していた。例えは4μ11’1〜6μm
の波長の元に対する透過率は約48%であり、また約0
2〜65μ丁ηの範囲の波長で約20Φ以上の透】1′
・η率を示した。 (発明の効果) 本発明の製造方法で製造した蒙化アルミニウムIe結俸
は畠密度で熱伝導性Oこ優れ、熱的特性、1)1気的特
性、機械的特性、さらに光学的特性ζこも良好であった
ため、半導体工業等の放熱材料としての応用以外ζこル
ツボ、莢着容器、耐熱ジク高温部材等の高温材料として
の応用も+iJ能であり、ざらに透元件であるといった
光学的性質を利用した窓相等の光♀材利占しての応用も
目J能であ6f丁と、工業的に多くの利点をイ]するも
のである・
第1図、第2図、第3図はそれぞれCaC2、S r
O2,13a C2の添加t1tと金化アルミニウム焼
結悸の熱伝導率の関係を示す図である。 71 図 cac2 不加量(重量%) 72図 5rC2添加量(重量%) 7!−3図 5 10 BaC2添加量(重量%) 手続補正書(自発) 持許庁長官 殿 、事件の表示 昭和59年 特 許 願第7485号、
発明の名称 窒化アルミニウム焼結体の製造方法、補正
をする者 事件との関係 出 願 人 東京都i巷区芝五丁1−133番1 、g;−(423
) 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 1、代理人 〒108 東京都港区芝I王丁1−.137番IE(+
友三[1+ビル5 補正の対象 明1X11111の9;’it〆「請求の範囲の欄6
補正の内容 特許請求の範囲を別紙のとおり補正する。 【 代理人 弁理士 内 原 晋 特許請求の範囲 (1) 窒化アルミニウム粉末に添加剤としてCa +
S r +Ba、Na+に、Rb、Cs、Cu、As
r、MgyCd+HILZn2Al?+Ceのアセチリ
ド化合物の少なくとも一種以上を加え、混合、成形後、
非酸化性雰囲気で焼成することを特徴とする窒化アルミ
ニウム焼結体の製造方法。 (2) アセチリド化合物の添加含有量が合計で0.0
2〜10貢IAチである特許請求の範囲第1項記載の窒
化アルミニウム焼結体の製造方法。 代理人 弁ドP士 内 原 Vイ3 \、−一 手続補正書輸発) 60.4.1;: 昭和 年 月 日 1、事件の表示 昭和59年 特 許J9.(j第 7
485号2、発明の名称 窒化アルミニウム焼結体の製
造方法:3.補正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝7i、’l−目33悉1粥(423) 日
本電気株式会社 代表者 関本忠弘 4、代理人 〒108 東+、r都港区芝Ji’l’l 137m
8シ; 住々= iJビル5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1)明細書第7頁の第1表中に「csc2」とあるの
を「cszctJと補正する。 (2)明細書第7頁の第1表中に「cuc2」とあるの
を「Cu2C2」と補正する。 (3)明細書第7頁の第1表中にr 十CuC2(1,
5重量%)」とあるのをr+cu、 C2(1,5重量
%)Jト補IEする。 (4)明細@:第9頁の第2表中に「csc2」とある
のを「Cs、 C2Jと補正する。 ”−へ 代理人 弁理士 内 原 晋 ゝ・−ノ
O2,13a C2の添加t1tと金化アルミニウム焼
結悸の熱伝導率の関係を示す図である。 71 図 cac2 不加量(重量%) 72図 5rC2添加量(重量%) 7!−3図 5 10 BaC2添加量(重量%) 手続補正書(自発) 持許庁長官 殿 、事件の表示 昭和59年 特 許 願第7485号、
発明の名称 窒化アルミニウム焼結体の製造方法、補正
をする者 事件との関係 出 願 人 東京都i巷区芝五丁1−133番1 、g;−(423
) 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 1、代理人 〒108 東京都港区芝I王丁1−.137番IE(+
友三[1+ビル5 補正の対象 明1X11111の9;’it〆「請求の範囲の欄6
補正の内容 特許請求の範囲を別紙のとおり補正する。 【 代理人 弁理士 内 原 晋 特許請求の範囲 (1) 窒化アルミニウム粉末に添加剤としてCa +
S r +Ba、Na+に、Rb、Cs、Cu、As
r、MgyCd+HILZn2Al?+Ceのアセチリ
ド化合物の少なくとも一種以上を加え、混合、成形後、
非酸化性雰囲気で焼成することを特徴とする窒化アルミ
ニウム焼結体の製造方法。 (2) アセチリド化合物の添加含有量が合計で0.0
2〜10貢IAチである特許請求の範囲第1項記載の窒
化アルミニウム焼結体の製造方法。 代理人 弁ドP士 内 原 Vイ3 \、−一 手続補正書輸発) 60.4.1;: 昭和 年 月 日 1、事件の表示 昭和59年 特 許J9.(j第 7
485号2、発明の名称 窒化アルミニウム焼結体の製
造方法:3.補正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝7i、’l−目33悉1粥(423) 日
本電気株式会社 代表者 関本忠弘 4、代理人 〒108 東+、r都港区芝Ji’l’l 137m
8シ; 住々= iJビル5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1)明細書第7頁の第1表中に「csc2」とあるの
を「cszctJと補正する。 (2)明細書第7頁の第1表中に「cuc2」とあるの
を「Cu2C2」と補正する。 (3)明細書第7頁の第1表中にr 十CuC2(1,
5重量%)」とあるのをr+cu、 C2(1,5重量
%)Jト補IEする。 (4)明細@:第9頁の第2表中に「csc2」とある
のを「Cs、 C2Jと補正する。 ”−へ 代理人 弁理士 内 原 晋 ゝ・−ノ
Claims (2)
- (1)窒化アルミニウム粉末に添加剤として0aSSr
。 133、Na、lぐ、 H,d、(Es、Cu、Ag、
Mg、Cd、Hg、Zn、Agイ、Ijeのアセチリド
化@物の少ISくとも一種以」二を加え、混合、成形後
、非酸化性雰囲気で焼成1−ろことを特徴とする滓化ア
ルミニウム焼結11・の製造方法。 - (2) Tセチ’Jド化合%1ICl) rl+’x加
含イ4’ 、i、:’U ’jJ’合*lf 0.02
〜l(l l冒11%−’Qi)る!11;?ト誼求の
範囲第1項記載Q〕屋化アルミニウムβ′r結俸の製造
方法。
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JP59007485A JPS60151280A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
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JPS60151280A true JPS60151280A (ja) | 1985-08-09 |
JPS6353151B2 JPS6353151B2 (ja) | 1988-10-21 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4711861A (en) * | 1984-10-15 | 1987-12-08 | Tdk Corporation | Sintered aluminum nitride body and method for making |
JPS632860A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-07 | ティーディーケイ株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体 |
US5023213A (en) * | 1986-12-09 | 1991-06-11 | United States Department Of Energy | Precursors in the preparation of transition metal nitrides and transition metal carbonitrides and their reaction intermediates |
US5077245A (en) * | 1987-01-30 | 1991-12-31 | Kyocera Corporation | Aluminum nitride-based sintered body and process for the production thereof |
US5154863A (en) * | 1985-10-31 | 1992-10-13 | Kyocera Corporation | Aluminum nitride-based sintered body and process for the production thereof |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6278160A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-10 | 日本特殊陶業株式会社 | 複合強化焼結体 |
US5314850A (en) * | 1985-10-31 | 1994-05-24 | Kyocera Corporation | Aluminum nitride sintered body and production thereof |
DE3608326A1 (de) * | 1986-03-13 | 1987-09-17 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Praktisch porenfreie formkoerper aus polykristallinem aluminiumnitrid und verfahren zu ihrer herstellung ohne mitverwendung von sinterhilfsmitteln |
US5061663A (en) * | 1986-09-04 | 1991-10-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | AlN and AlN-containing composites |
US4764489A (en) * | 1987-12-10 | 1988-08-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Preparation of mixed boron and aluminum nitrides |
US4920640A (en) * | 1988-01-27 | 1990-05-01 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Hot pressing dense ceramic sheets for electronic substrates and for multilayer electronic substrates |
DE3807419A1 (de) * | 1988-03-07 | 1989-09-21 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur herstellung von fuer keramische materialien geeigneten nitriden |
CN1037321A (zh) * | 1988-03-15 | 1989-11-22 | 唐化学原料公司 | 装甲材料 |
US5250478A (en) * | 1988-07-28 | 1993-10-05 | Kyocera Corporation | Aluminum nitride sintered body and process for preparation thereof |
DE68916521T2 (de) * | 1988-12-07 | 1994-10-13 | Sumitomo Chemical Co | Verfahren zur Herstellung eines Sinterkörpers aus Aluminiumnitrid. |
US4896975A (en) * | 1988-12-13 | 1990-01-30 | Allied-Signal Inc. | Ceramic air bearing shaft |
JP2899893B2 (ja) * | 1989-06-07 | 1999-06-02 | 京セラ株式会社 | 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 |
US5096860A (en) * | 1990-05-25 | 1992-03-17 | Alcan International Limited | Process for producing unagglomerated single crystals of aluminum nitride |
US5212125A (en) * | 1990-11-20 | 1993-05-18 | The Carborundum Company | Process for sintering aluminum nitride using organometallic compounds |
US5190738A (en) * | 1991-06-17 | 1993-03-02 | Alcan International Limited | Process for producing unagglomerated single crystals of aluminum nitride |
US6723274B1 (en) * | 1999-12-09 | 2004-04-20 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | High-purity low-resistivity electrostatic chucks |
DE102017124404A1 (de) | 2017-10-19 | 2019-04-25 | rtw RÖNTGEN-TECHNIK DR. WARRIKHOFF GmbH & Co. KG | Yttrium-beschichtetes Aluminiumnitrid-Pulver, dessen Herstellung und Verwendung |
KR20200086130A (ko) | 2019-01-08 | 2020-07-16 | 심태보 | El 시트를 구비한 입체블록 완구 키트 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5855377A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-01 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JPS597484A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-14 | Japan Steel Works Ltd:The | 高純度フエライト系ステンレスクラツド鋼の突合せ溶接方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57181356A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-08 | Hitachi Ltd | Sintered aluminum nitride body with high heat conductivity |
US4533645A (en) * | 1983-08-01 | 1985-08-06 | General Electric Company | High thermal conductivity aluminum nitride ceramic body |
US4578234A (en) * | 1984-10-01 | 1986-03-25 | General Electric Company | Process of pressureless sintering to produce dense high thermal conductivity ceramic body of deoxidized aluminum nitride |
-
1984
- 1984-01-19 JP JP59007485A patent/JPS60151280A/ja active Granted
-
1985
- 1985-01-22 US US06/693,105 patent/US4650777A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5855377A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-01 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JPS597484A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-14 | Japan Steel Works Ltd:The | 高純度フエライト系ステンレスクラツド鋼の突合せ溶接方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4711861A (en) * | 1984-10-15 | 1987-12-08 | Tdk Corporation | Sintered aluminum nitride body and method for making |
US5154863A (en) * | 1985-10-31 | 1992-10-13 | Kyocera Corporation | Aluminum nitride-based sintered body and process for the production thereof |
JPS632860A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-07 | ティーディーケイ株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体 |
US5023213A (en) * | 1986-12-09 | 1991-06-11 | United States Department Of Energy | Precursors in the preparation of transition metal nitrides and transition metal carbonitrides and their reaction intermediates |
US5077245A (en) * | 1987-01-30 | 1991-12-31 | Kyocera Corporation | Aluminum nitride-based sintered body and process for the production thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4650777A (en) | 1987-03-17 |
JPS6353151B2 (ja) | 1988-10-21 |
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