JPH0254353B2 - - Google Patents
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- JPH0254353B2 JPH0254353B2 JP18078682A JP18078682A JPH0254353B2 JP H0254353 B2 JPH0254353 B2 JP H0254353B2 JP 18078682 A JP18078682 A JP 18078682A JP 18078682 A JP18078682 A JP 18078682A JP H0254353 B2 JPH0254353 B2 JP H0254353B2
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Description
本発明は新規な有機化合物に係り、更に詳しく
はTN型液晶表示装置やネガ表示タイプのゲス
ト・ホスト型液晶表示装置用に適したネマチツク
液晶組成物を構成する一成分として有用な有機化
合物を提供するものである。 TN型液晶表示装置は消費電力が極めて少な
く、かつ受光型表示であるため見易く疲れない
等、他の表示装置にないすぐれた特徴を有してい
る。それ故腕時計や携帯用電卓などの製品にさか
んに応用されている。これらはいずれも小型電源
を用いているので、出来るだけ駆動電圧を低下す
ることが望まれている。 一方、正の誘電異方性を有するネマチツク液晶
にカイラル物質を添加してカイラルネマチツク液
晶とし、これに色素を添加して電圧を印加するこ
とによりカイラルネマチツク液晶(コレステリツ
ク液晶)からネマチツク液晶に相転移させること
によりカラー表示を行なうゲスト・ホスト型液晶
表示装置は、偏光板を使用せずにあざやかなカラ
ー表示が可能であることから最近注目をあびてい
る。しかしカイラル物質を添加するために電圧が
高くなり実用上の大きな障害となつている。 従来p−シアノフエニル−p′−アルキルベンゾ
エート,5−シアノ−2−(4−アルキルフエニ
ル)−ピリミジンなどの様な誘電異方性の大きな
液晶材料やそれ自体は液晶ではないが、しきい値
電圧を低下させる物質として、2−シアノ−4−
(4′−n−アルキルフエニル)フラン,2−シア
ノ−5−(4−n−アルキルフエニル)チオフエ
ンなどのシアノ化合物をネマチツク液晶材料に添
加することによつて、しきい電圧を低下すること
が可能なことは知られていた。 しかしこれらの物質を用いただけで所望のしき
い値電圧を有するネマチツク材料を構成すること
は、低温での結晶の析出の問題および粘度の増大
に伴う応答性能の低下等に問題が残されている。 この様な情況にかんがみて発明者らは正の誘電
異方性を有するネマチツク液晶材料を用いる表示
装置におけるしきい値電圧を低くする様な液晶及
びそれを構成する化合物を探求し本発明に到達し
た。 即ち本発明者は一般式 (上式中RはH又は炭素数1〜8のアルキル基
を示す) で表わされる5−(トランス−4−アルキルシク
ロヘキシル)−1,3−ジオキサ−2−オン及び
それを含有するネマチツク液晶組成物である。 本発明の化合物は非液晶物質で、この化合物単
独では表示素子用としての実用性はない。しかし
他の液晶物質例えばアゾキシ系,安息香酸フエニ
ルエステル系,シクロヘキサンカルボン酸フエニ
ルエステル系,フエニルシクロヘキサン系,フエ
ニルピリミジン系,フエニルメタジオキサン系な
どの液晶の一種類あるいは数種の系の混合物と混
合させることによりその液晶組成物のしきい電圧
を小さくする事ができ、従つてそれを使用してよ
り少ない消費電力で作動できる液晶表示装置を作
ることができる。 次に本発明の()式の化合物の製法をまず化
学式で示すと 即ち、先づ公知の方法により製造される4−ア
ルキルシクロヘキサノンとシアン酢酸エステルを
酢酸アンモニウム,ピペリジン−酢酸等の触媒を
用い縮合反応させ、反応中に生成する水をベンゼ
ン,トルエン,キシレン等の不活性有機溶媒との
共沸混合物として除去し4−アルキルシクロヘキ
シリデンシアン酢酸エステル(A)を得る。次に
化合物(A)をJ.A.Marshall,R.D.Carroll,J.
Org.Chem.,30,2748(1965)らの方法により還
元しシクロヘキシルシアン酢酸エステル(B)を
得る。続いて、アルカリ加水分解によりマロン酸
誘導体(C)を得る。得られた化合物(C)は、
シス体とトランス体の混合物であり、これはエチ
ルアルコールその他の周知の溶剤から再結晶する
だけで分離できる。本発明において、目的化合物
はトランス体である。次いで得られたトランス−
4−アルキルシクロヘキシルマロン酸をジエチル
エーテルあるいはテトラヒドロフラン中の水素化
リチウムアルミニウムを用い還元反応を行い2−
置換−1,3−プロパンジオール(D)を得る。
このジオールと炭酸ジエチルを触媒量のナトリウ
ムエトキシド又は金属ナトリウムとともに加熱し
て生成するエタノール及び過剰の炭酸ジエチルを
留去してのち、アルカリ存在下に減圧蒸留するこ
とによつて目的の化合物()が得られる。 以下実施例および使用例により本発明を更に詳
細に説明する。 実施例1 〔5−(トランス−4−ペンチルシク
ロヘキシル)−1,3−ジオキサ−2−オン
(()式においてRがC5H11のもの)の製造方
法〕 ステツプ1 4−ペンチルシクロヘキサノン84.1g(0.5モ
ル)とシアン酢酸エチルエステル56.5g(0.5モ
ル)および酢酸アンモニウム1.5g(0.02モル)
を混合し、ベンゼンを溶媒として反応によつて生
成する水が留出しなくなるまで還流下にて反応さ
せた。反応終了後、室温まで放冷しベンゼン溶液
から酢酸アンモニウムを別し、ベンゼンを留去
し、残渣を減圧にて蒸留し、4−ペンチルシクロ
ヘキシリデンシアン酢酸エチルエステル(A)を
得た。収量110.7g(84.1%)、沸点170〜173℃/
2.5mmHg。 ステツプ2 ステツプ1で得られた化合物(A)83.2g
(0.3モル)を200mlのエチルアルコールに溶解し、
これに水素化ホウ素ナトリウム7.6g(0.2モル)
をエタノール200mlに溶解した溶液を0℃にて滴
下した。滴下終了後更に室温にて撹拌し、反応終
了後、反応物を氷水1000ml,濃塩酸200mlの混合
物中に加え、激しく撹拌した。析出した油状物を
100mlのトルエンにて抽出した。トルエン抽出液
を5%炭酸水素ナトリウム溶液、次いで水にて洗
浄し、その後溶媒を留去した。残渣を減圧にて蒸
留し、4−ペンチルシクロヘキシルシアン酢酸エ
チルエステル(B)を得た。収量70.8g(89%),
沸点171〜174℃/mmHg。 ステツプ3 ステツプ2で得られた化合物(B)52.6g
(0.2モル)及び水酸化カリウム44.9g(0.8モル)
を水50ml,エチルアルコール200mlに溶解し、還
流下にて10時間反応した。反応終了後、反応液を
冷却し、水1000mlを加え、次いで濃塩酸70mlを
徐々に加えた。析出した結晶を過し、これをガ
スクロ分析にて単一ピークを示すまで、エタノー
ルから再結晶をくり返しトランス−4−ペンチル
シクロヘキシルマロン酸(C)を得た。収量13.2
g,mp124.2℃。 ステツプ4 ステツプ3で得られた化合物(C)10g
(0.039モル)を乾燥したジエチルエーテル50mlに
溶解し、これを水素化リチウムアルミニウム1.5
g(0.04モル)をジエチルエーテル10mlに溶解し
た溶液に20℃にて徐々に滴下した。滴下終了後、
この混合物をゆるやかな還流下に2時間加熱し
た。加熱終了後氷浴で反応混合物を冷却し、過剰
の水素化リチウムアルミニウムを分解するために
酢酸エチル1mlを添加した。次いで20%硫酸40ml
を加え、無機物が溶解するまで激しく撹拌した。
生成物をジエルエーテル50mlにて抽出し、抽出液
を5%炭酸水素ナトリウム水溶液で2回洗浄し更
に水洗後無水硫酸ナトリウム上で乾燥した。次い
でそのエーテルを留去し残渣を20mlのn−ヘキサ
ンから再結晶して2−(トランス−4−ペンチル
シクロヘキシル)−1,3−プロパンジオール
(D)を得た。収得量7.6g(86%),mp59.5〜
59.9℃。 ステツプ5 ステツプ4で得られた化合物(D)4.5g
(0.02モル),炭酸ジエチル9.5g(0.04モル),金
属ナトリウム0.1gを蒸留フラスコに入れて加熱
し生成するエタノールを留去しつつ液温が150℃
になるまで加熱した。残留物にトルエン20mlを加
え、水洗浄して中性としてからトルエンを留去し
3mmHgの減圧下に180℃までの留分を除去した。
(これは主として原料の1,3−プロパンジオー
ルである。)残留物は粘調であつてオリゴマーな
いしポリマーである。これにナトリウムエトキシ
ドを加えてアルカリ性にて解重合しつつ減圧蒸留
することにより目的物を得る。沸点140〜145℃/
0.3mmHg,得られた油状物2.7gをn−ヘキサン3
mlから再結晶することにより目的とする5−(ト
ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−1,3
−ジオキサ−2−オンの精製物1.8g(収率35.7
%)を得た。mp30.1℃。そのNMR及びIR−スペ
クトルは5−(トランス−4−ペンチルシクロヘ
キシル)−1,3−ジオキサ−2−オンの構造式
と矛循しなかつた。また元素分析値は下記の如く
理論値と一致した。 理論値(C25H26O3として) 分析値 C 70.82% 70.6% H 10.30% 10.7% 実施例2 実施例1と同様にして5−シクロヘキシル−
1,3−ジオキサ−2−オン(mp62.8℃)を得
た。 その他の()式の化合物も同様にして得られ
る。 実施例3 (使用例) からなるN−I点が63℃のネマチツク液晶組成物
及びその95部に本発明の()式の化合物を5部
添加して得られる液晶組成物を使用してTN型素
子を作製し透過光量の電圧依存性を調べた。透過
光量がその飽和値の10%に達する時の電圧をもつ
てしきい電圧V10とし、またその飽和値の90%に
達する時の電圧を飽和電圧V90と定めた。その測
定結果を第1表に示す。
はTN型液晶表示装置やネガ表示タイプのゲス
ト・ホスト型液晶表示装置用に適したネマチツク
液晶組成物を構成する一成分として有用な有機化
合物を提供するものである。 TN型液晶表示装置は消費電力が極めて少な
く、かつ受光型表示であるため見易く疲れない
等、他の表示装置にないすぐれた特徴を有してい
る。それ故腕時計や携帯用電卓などの製品にさか
んに応用されている。これらはいずれも小型電源
を用いているので、出来るだけ駆動電圧を低下す
ることが望まれている。 一方、正の誘電異方性を有するネマチツク液晶
にカイラル物質を添加してカイラルネマチツク液
晶とし、これに色素を添加して電圧を印加するこ
とによりカイラルネマチツク液晶(コレステリツ
ク液晶)からネマチツク液晶に相転移させること
によりカラー表示を行なうゲスト・ホスト型液晶
表示装置は、偏光板を使用せずにあざやかなカラ
ー表示が可能であることから最近注目をあびてい
る。しかしカイラル物質を添加するために電圧が
高くなり実用上の大きな障害となつている。 従来p−シアノフエニル−p′−アルキルベンゾ
エート,5−シアノ−2−(4−アルキルフエニ
ル)−ピリミジンなどの様な誘電異方性の大きな
液晶材料やそれ自体は液晶ではないが、しきい値
電圧を低下させる物質として、2−シアノ−4−
(4′−n−アルキルフエニル)フラン,2−シア
ノ−5−(4−n−アルキルフエニル)チオフエ
ンなどのシアノ化合物をネマチツク液晶材料に添
加することによつて、しきい電圧を低下すること
が可能なことは知られていた。 しかしこれらの物質を用いただけで所望のしき
い値電圧を有するネマチツク材料を構成すること
は、低温での結晶の析出の問題および粘度の増大
に伴う応答性能の低下等に問題が残されている。 この様な情況にかんがみて発明者らは正の誘電
異方性を有するネマチツク液晶材料を用いる表示
装置におけるしきい値電圧を低くする様な液晶及
びそれを構成する化合物を探求し本発明に到達し
た。 即ち本発明者は一般式 (上式中RはH又は炭素数1〜8のアルキル基
を示す) で表わされる5−(トランス−4−アルキルシク
ロヘキシル)−1,3−ジオキサ−2−オン及び
それを含有するネマチツク液晶組成物である。 本発明の化合物は非液晶物質で、この化合物単
独では表示素子用としての実用性はない。しかし
他の液晶物質例えばアゾキシ系,安息香酸フエニ
ルエステル系,シクロヘキサンカルボン酸フエニ
ルエステル系,フエニルシクロヘキサン系,フエ
ニルピリミジン系,フエニルメタジオキサン系な
どの液晶の一種類あるいは数種の系の混合物と混
合させることによりその液晶組成物のしきい電圧
を小さくする事ができ、従つてそれを使用してよ
り少ない消費電力で作動できる液晶表示装置を作
ることができる。 次に本発明の()式の化合物の製法をまず化
学式で示すと 即ち、先づ公知の方法により製造される4−ア
ルキルシクロヘキサノンとシアン酢酸エステルを
酢酸アンモニウム,ピペリジン−酢酸等の触媒を
用い縮合反応させ、反応中に生成する水をベンゼ
ン,トルエン,キシレン等の不活性有機溶媒との
共沸混合物として除去し4−アルキルシクロヘキ
シリデンシアン酢酸エステル(A)を得る。次に
化合物(A)をJ.A.Marshall,R.D.Carroll,J.
Org.Chem.,30,2748(1965)らの方法により還
元しシクロヘキシルシアン酢酸エステル(B)を
得る。続いて、アルカリ加水分解によりマロン酸
誘導体(C)を得る。得られた化合物(C)は、
シス体とトランス体の混合物であり、これはエチ
ルアルコールその他の周知の溶剤から再結晶する
だけで分離できる。本発明において、目的化合物
はトランス体である。次いで得られたトランス−
4−アルキルシクロヘキシルマロン酸をジエチル
エーテルあるいはテトラヒドロフラン中の水素化
リチウムアルミニウムを用い還元反応を行い2−
置換−1,3−プロパンジオール(D)を得る。
このジオールと炭酸ジエチルを触媒量のナトリウ
ムエトキシド又は金属ナトリウムとともに加熱し
て生成するエタノール及び過剰の炭酸ジエチルを
留去してのち、アルカリ存在下に減圧蒸留するこ
とによつて目的の化合物()が得られる。 以下実施例および使用例により本発明を更に詳
細に説明する。 実施例1 〔5−(トランス−4−ペンチルシク
ロヘキシル)−1,3−ジオキサ−2−オン
(()式においてRがC5H11のもの)の製造方
法〕 ステツプ1 4−ペンチルシクロヘキサノン84.1g(0.5モ
ル)とシアン酢酸エチルエステル56.5g(0.5モ
ル)および酢酸アンモニウム1.5g(0.02モル)
を混合し、ベンゼンを溶媒として反応によつて生
成する水が留出しなくなるまで還流下にて反応さ
せた。反応終了後、室温まで放冷しベンゼン溶液
から酢酸アンモニウムを別し、ベンゼンを留去
し、残渣を減圧にて蒸留し、4−ペンチルシクロ
ヘキシリデンシアン酢酸エチルエステル(A)を
得た。収量110.7g(84.1%)、沸点170〜173℃/
2.5mmHg。 ステツプ2 ステツプ1で得られた化合物(A)83.2g
(0.3モル)を200mlのエチルアルコールに溶解し、
これに水素化ホウ素ナトリウム7.6g(0.2モル)
をエタノール200mlに溶解した溶液を0℃にて滴
下した。滴下終了後更に室温にて撹拌し、反応終
了後、反応物を氷水1000ml,濃塩酸200mlの混合
物中に加え、激しく撹拌した。析出した油状物を
100mlのトルエンにて抽出した。トルエン抽出液
を5%炭酸水素ナトリウム溶液、次いで水にて洗
浄し、その後溶媒を留去した。残渣を減圧にて蒸
留し、4−ペンチルシクロヘキシルシアン酢酸エ
チルエステル(B)を得た。収量70.8g(89%),
沸点171〜174℃/mmHg。 ステツプ3 ステツプ2で得られた化合物(B)52.6g
(0.2モル)及び水酸化カリウム44.9g(0.8モル)
を水50ml,エチルアルコール200mlに溶解し、還
流下にて10時間反応した。反応終了後、反応液を
冷却し、水1000mlを加え、次いで濃塩酸70mlを
徐々に加えた。析出した結晶を過し、これをガ
スクロ分析にて単一ピークを示すまで、エタノー
ルから再結晶をくり返しトランス−4−ペンチル
シクロヘキシルマロン酸(C)を得た。収量13.2
g,mp124.2℃。 ステツプ4 ステツプ3で得られた化合物(C)10g
(0.039モル)を乾燥したジエチルエーテル50mlに
溶解し、これを水素化リチウムアルミニウム1.5
g(0.04モル)をジエチルエーテル10mlに溶解し
た溶液に20℃にて徐々に滴下した。滴下終了後、
この混合物をゆるやかな還流下に2時間加熱し
た。加熱終了後氷浴で反応混合物を冷却し、過剰
の水素化リチウムアルミニウムを分解するために
酢酸エチル1mlを添加した。次いで20%硫酸40ml
を加え、無機物が溶解するまで激しく撹拌した。
生成物をジエルエーテル50mlにて抽出し、抽出液
を5%炭酸水素ナトリウム水溶液で2回洗浄し更
に水洗後無水硫酸ナトリウム上で乾燥した。次い
でそのエーテルを留去し残渣を20mlのn−ヘキサ
ンから再結晶して2−(トランス−4−ペンチル
シクロヘキシル)−1,3−プロパンジオール
(D)を得た。収得量7.6g(86%),mp59.5〜
59.9℃。 ステツプ5 ステツプ4で得られた化合物(D)4.5g
(0.02モル),炭酸ジエチル9.5g(0.04モル),金
属ナトリウム0.1gを蒸留フラスコに入れて加熱
し生成するエタノールを留去しつつ液温が150℃
になるまで加熱した。残留物にトルエン20mlを加
え、水洗浄して中性としてからトルエンを留去し
3mmHgの減圧下に180℃までの留分を除去した。
(これは主として原料の1,3−プロパンジオー
ルである。)残留物は粘調であつてオリゴマーな
いしポリマーである。これにナトリウムエトキシ
ドを加えてアルカリ性にて解重合しつつ減圧蒸留
することにより目的物を得る。沸点140〜145℃/
0.3mmHg,得られた油状物2.7gをn−ヘキサン3
mlから再結晶することにより目的とする5−(ト
ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−1,3
−ジオキサ−2−オンの精製物1.8g(収率35.7
%)を得た。mp30.1℃。そのNMR及びIR−スペ
クトルは5−(トランス−4−ペンチルシクロヘ
キシル)−1,3−ジオキサ−2−オンの構造式
と矛循しなかつた。また元素分析値は下記の如く
理論値と一致した。 理論値(C25H26O3として) 分析値 C 70.82% 70.6% H 10.30% 10.7% 実施例2 実施例1と同様にして5−シクロヘキシル−
1,3−ジオキサ−2−オン(mp62.8℃)を得
た。 その他の()式の化合物も同様にして得られ
る。 実施例3 (使用例) からなるN−I点が63℃のネマチツク液晶組成物
及びその95部に本発明の()式の化合物を5部
添加して得られる液晶組成物を使用してTN型素
子を作製し透過光量の電圧依存性を調べた。透過
光量がその飽和値の10%に達する時の電圧をもつ
てしきい電圧V10とし、またその飽和値の90%に
達する時の電圧を飽和電圧V90と定めた。その測
定結果を第1表に示す。
【表】
第1表から判るように本発明の()式の化合
物をわずか5重量%添加しただけでV10を0.34V
も電圧を下げることができ、非常に有効であるこ
とがわかる。比較例として従来電圧低下剤として
使用されているものを同量使用した場合の測定値
を掲げたが、これらと比較しても遜色がない事が
わかる。またダイナミツク駆動で表示装置を動作
させる場合に問題になる透過率−電圧曲線におけ
る急唆度をV50/V10で表わすが、このV50/V10
の値も本発明の化合物を使用することにより小さ
くできることがわかる。このことはダイナミツク
駆動できるための重要な要素である。
物をわずか5重量%添加しただけでV10を0.34V
も電圧を下げることができ、非常に有効であるこ
とがわかる。比較例として従来電圧低下剤として
使用されているものを同量使用した場合の測定値
を掲げたが、これらと比較しても遜色がない事が
わかる。またダイナミツク駆動で表示装置を動作
させる場合に問題になる透過率−電圧曲線におけ
る急唆度をV50/V10で表わすが、このV50/V10
の値も本発明の化合物を使用することにより小さ
くできることがわかる。このことはダイナミツク
駆動できるための重要な要素である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (上式中RはH,又は炭素数1〜8のアルキル
基を示す) で表わされる5−(トランス−4−アルキルシク
ロヘキシル)−1,3−ジオキサ−2−オン。 2 一般式 (上式中RはH又は炭素数1〜8のアルキル基
を示す) で表わされる5−(トランス−4−アルキルシク
ロヘキシル)−1,3−ジオキサ−2−オンを少
くとも1種含有してなる液晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18078682A JPS5970684A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 5−置換−1,3−ジオキサ−2−オン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18078682A JPS5970684A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 5−置換−1,3−ジオキサ−2−オン |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5970684A JPS5970684A (ja) | 1984-04-21 |
JPH0254353B2 true JPH0254353B2 (ja) | 1990-11-21 |
Family
ID=16089294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18078682A Granted JPS5970684A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 5−置換−1,3−ジオキサ−2−オン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5970684A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD245896A1 (de) * | 1983-12-22 | 1987-05-20 | Dietrich Demus | Nematische fluessigkristall-gemische |
US5214142A (en) * | 1990-09-20 | 1993-05-25 | Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation | Processes for the preparation of aminoethers |
US10190050B2 (en) * | 2016-01-21 | 2019-01-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal composition, liquid crystal display device including the same, and method of manufacturing liquid crystal display device |
CN109153916A (zh) * | 2016-06-03 | 2019-01-04 | Dic株式会社 | 用于液晶组合物的自发取向助剂、适于该自发取向助剂的化合物、液晶组合物、及液晶显示元件 |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP18078682A patent/JPS5970684A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5970684A (ja) | 1984-04-21 |
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