JPH0250895A - Ｉｃメモリカード - Google Patents
ＩｃメモリカードInfo
- Publication number
- JPH0250895A JPH0250895A JP63201072A JP20107288A JPH0250895A JP H0250895 A JPH0250895 A JP H0250895A JP 63201072 A JP63201072 A JP 63201072A JP 20107288 A JP20107288 A JP 20107288A JP H0250895 A JPH0250895 A JP H0250895A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- battery
- bat2
- solar
- memory card
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 11
- 101001068634 Homo sapiens Protein PRRC2A Proteins 0.000 abstract description 12
- 102100033954 Protein PRRC2A Human genes 0.000 abstract description 12
- 101000908580 Homo sapiens Spliceosome RNA helicase DDX39B Proteins 0.000 abstract description 3
- 102100024690 Spliceosome RNA helicase DDX39B Human genes 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101100325756 Arabidopsis thaliana BAM5 gene Proteins 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150046378 RAM1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100476489 Rattus norvegicus Slc20a2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Credit Cards Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＩＣメモリカード、特に電池を搭載しバッテ
リ・バック アップ機能を有するＩＣメモリカードに関
する。
リ・バック アップ機能を有するＩＣメモリカードに関
する。
［従来の技術］
従来、この種のＩＣメモリカードは、ＣＭＯ８型Ｏ８Ａ
Ｍ、特にＦｕｌｌ−ＣＭＯ３型Ｏ３ＡＭの半導体メモリ
を使用して電池の消費を少なくし、書き込んだ情報を電
池の寿命まで（例えは３年位）記憶できるよう設計され
ている。
Ｍ、特にＦｕｌｌ−ＣＭＯ３型Ｏ３ＡＭの半導体メモリ
を使用して電池の消費を少なくし、書き込んだ情報を電
池の寿命まで（例えは３年位）記憶できるよう設計され
ている。
第３図に、この種の従来のＩＣメモリカードの回路例示
す。
す。
第３図において、Ｄｌは、ダイオード、Ｒ１は抵抗器、
ＢＡＴ、１は、ＬＣメモリカードの内部電池（例えば、
電圧３ボルトのリチウム電池）、ＲＡＭＩ〜Ｒ、Ａ 、
Ｍ ｍは、半導体メモリ（例えば、ＣＭＯＳスタティッ
クＲＡＭ）、Ａｏ〜Ａｎは、上記半導体メモリＲ，，Ａ
Ｍ１〜ＲＡＭｍのアドレス端子、ＶＣＣは、その電源端
子、ＷＥは、そのライト・イネーブル端子、Ｃ８は、そ
のチップ セレクト端子である。
ＢＡＴ、１は、ＬＣメモリカードの内部電池（例えば、
電圧３ボルトのリチウム電池）、ＲＡＭＩ〜Ｒ、Ａ 、
Ｍ ｍは、半導体メモリ（例えば、ＣＭＯＳスタティッ
クＲＡＭ）、Ａｏ〜Ａｎは、上記半導体メモリＲ，，Ａ
Ｍ１〜ＲＡＭｍのアドレス端子、ＶＣＣは、その電源端
子、ＷＥは、そのライト・イネーブル端子、Ｃ８は、そ
のチップ セレクト端子である。
第３図に図示したような回路構成にしておけば、外部か
ら上記Ｖ、ＣＣ端子に電圧を供給しなくなっても上記Ｂ
ＡＴＩの電圧て、電池の寿命の尽きるまで書き込んだ情
報を保持できる。また、その間自由に記憶の書き換えが
できる。
ら上記Ｖ、ＣＣ端子に電圧を供給しなくなっても上記Ｂ
ＡＴＩの電圧て、電池の寿命の尽きるまで書き込んだ情
報を保持できる。また、その間自由に記憶の書き換えが
できる。
［発明が解決しようとする問題点］
上述した従来のＩＣメモリカードには、上記ＢＡＴＬの
電力が消尽しかけた際に、上記ＩＣメモリカード内に記
憶されている情報を消さず新しい電池の交換する場合、
上記ＩＣメモリカード内に記憶されている情報を一旦別
の記憶装置に記憶させておいてから、電池を交換し、交
換後、上記別の記憶装置に記憶させた情報を書き込まな
けれはならないという煩わしさがある。
電力が消尽しかけた際に、上記ＩＣメモリカード内に記
憶されている情報を消さず新しい電池の交換する場合、
上記ＩＣメモリカード内に記憶されている情報を一旦別
の記憶装置に記憶させておいてから、電池を交換し、交
換後、上記別の記憶装置に記憶させた情報を書き込まな
けれはならないという煩わしさがある。
本発明は、電池交換の際、上記の作業を行わなくても電
池交換前の情報を消さずに済むＩＣメモリカードを提供
することを目的としている。
池交換前の情報を消さずに済むＩＣメモリカードを提供
することを目的としている。
［問題点を解決するための手段］
本発明のＩＣメモリカードは、１個又は複数個の電源遮
断によってその情報が消失する半導体メモリと、内部電
池とが搭載されたＩＣメモリカードにおいて、半導体メ
モリの電源端子と接地端子間に太陽電池が接続されてい
ることを特徴とするＩＣメモリカードである。ここで使
用される太陽電池は、通常の執務環境の明るさの中て、
前記半導体メモリの記憶か消失しない電圧を供給しうる
ものとする。即ち、通常、室内の照明は、２００１ｕｘ
〜２０００１ ｕｘの照度か得られるように設定される
が、本発明に用いられる太陽電池は、２００１ｕｘの環
境下においても、メモリが記憶を保持し続けるに十分な
電圧を発生しうるように設計されている。
断によってその情報が消失する半導体メモリと、内部電
池とが搭載されたＩＣメモリカードにおいて、半導体メ
モリの電源端子と接地端子間に太陽電池が接続されてい
ることを特徴とするＩＣメモリカードである。ここで使
用される太陽電池は、通常の執務環境の明るさの中て、
前記半導体メモリの記憶か消失しない電圧を供給しうる
ものとする。即ち、通常、室内の照明は、２００１ｕｘ
〜２０００１ ｕｘの照度か得られるように設定される
が、本発明に用いられる太陽電池は、２００１ｕｘの環
境下においても、メモリが記憶を保持し続けるに十分な
電圧を発生しうるように設計されている。
［実施例］
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例の回路図である。
第１図において、第３図と同一のものについては、同一
の記号が付されているので、その詳細な説明は省略する
。第１図の実施例の回路は、第３図のものに対し、電源
端子■。０と接地端子間にダイオードＤ２、抵抗Ｒ２、
太陽電池ＢＡＴ２との直列接続回路が接続されている点
か相違している。
の記号が付されているので、その詳細な説明は省略する
。第１図の実施例の回路は、第３図のものに対し、電源
端子■。０と接地端子間にダイオードＤ２、抵抗Ｒ２、
太陽電池ＢＡＴ２との直列接続回路が接続されている点
か相違している。
また、第２図は、本実施例の外形図であって、第２図に
おいて、１は、ＩＣメモリカード本体、２は、外部端子
、３は、太陽光又は自然光を取り入れる小窓である。
おいて、１は、ＩＣメモリカード本体、２は、外部端子
、３は、太陽光又は自然光を取り入れる小窓である。
上記内部電池ＢＡＴＩを新しい電池と交換する際、第２
図の小窓３に太陽光又は室内光が入射するようにして交
換すれば、太陽電池ＢＡＴ２の電圧により、半導体メモ
リＲＡＭ１〜ＲＡＭｍの記憶が保持できる。すなわち、
ＢＡＴＩを新しい電池と交換するに際し、古い電池をは
ずしても、太陽電池ＢＡＴ２が、電力を供給し続けるの
で、現在、記憶している情報が消失することはない。
図の小窓３に太陽光又は室内光が入射するようにして交
換すれば、太陽電池ＢＡＴ２の電圧により、半導体メモ
リＲＡＭ１〜ＲＡＭｍの記憶が保持できる。すなわち、
ＢＡＴＩを新しい電池と交換するに際し、古い電池をは
ずしても、太陽電池ＢＡＴ２が、電力を供給し続けるの
で、現在、記憶している情報が消失することはない。
この回路において、通常の使用環境において、太陽電池
ＢＡＴ２の発生電圧が、内部電池ＢＡＴ１の電圧以上で
あるようにしておけば、内部電池の電力消費を掻く僅少
なものとすることができるから、内部電池の寿命を長期
化することができる。この場合、太陽電池ＢＡＴ２側の
電圧の方が高くなっても、逆流阻止用ダイオードＤ１の
作用によって、太陽電池ＢＡＴ２から内部電池へ電流が
流れ込むことはない。
ＢＡＴ２の発生電圧が、内部電池ＢＡＴ１の電圧以上で
あるようにしておけば、内部電池の電力消費を掻く僅少
なものとすることができるから、内部電池の寿命を長期
化することができる。この場合、太陽電池ＢＡＴ２側の
電圧の方が高くなっても、逆流阻止用ダイオードＤ１の
作用によって、太陽電池ＢＡＴ２から内部電池へ電流が
流れ込むことはない。
逆に、暗所にあっては、太陽電池は発電を停止し、内部
電池ＢＡＴＩ側の電圧の方が高くなるが、この場合にも
逆流阻止用ダイオードＤ２の作用によって、内部電池か
ら太陽電池へ電流が流入することはない。
電池ＢＡＴＩ側の電圧の方が高くなるが、この場合にも
逆流阻止用ダイオードＤ２の作用によって、内部電池か
ら太陽電池へ電流が流入することはない。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明は、ＩＣメモリカード内に
内部電池の外に太陽電池を搭載したものであるので、電
池交換の際、ＩＣメモリカード内に記憶されている情報
を消すこと無しに交換ができるため、他の記憶装置に一
旦記憶させ、電池交換後にＩＣメモリカードにもう一度
記憶させるという手間を省くことができる。また、第２
図の小窓３に太陽光又は、室内光が照射されていれば、
太陽電池からも電圧が供給され、電池電圧が内部電池の
それより高ければ、ＢＡＴＩの電池寿命も長くできる効
果がある。さらに、誤って内部電池を外してしまっても
、情報を消失してしまう事故が発生することはない。
内部電池の外に太陽電池を搭載したものであるので、電
池交換の際、ＩＣメモリカード内に記憶されている情報
を消すこと無しに交換ができるため、他の記憶装置に一
旦記憶させ、電池交換後にＩＣメモリカードにもう一度
記憶させるという手間を省くことができる。また、第２
図の小窓３に太陽光又は、室内光が照射されていれば、
太陽電池からも電圧が供給され、電池電圧が内部電池の
それより高ければ、ＢＡＴＩの電池寿命も長くできる効
果がある。さらに、誤って内部電池を外してしまっても
、情報を消失してしまう事故が発生することはない。
第１図は、本発明の一実施例の回路図、第２図は、本発
明の一実施例の外形図、第３図は、従来例の回路図であ
る。 ＤＩ、Ｄ２・・・タイオード、 Ｒ，１、Ｒ２・・抵抗
ＢＡＴＩ・内部電池、 ＢＡＴ２・・・太陽電池ＲＡＭ
１〜ＲＡＭｍ・・半導体メモリ、 １・・ＩＣメモリ
カード本体、 ２・・・外部端子、 ３・・小窓。
明の一実施例の外形図、第３図は、従来例の回路図であ
る。 ＤＩ、Ｄ２・・・タイオード、 Ｒ，１、Ｒ２・・抵抗
ＢＡＴＩ・内部電池、 ＢＡＴ２・・・太陽電池ＲＡＭ
１〜ＲＡＭｍ・・半導体メモリ、 １・・ＩＣメモリ
カード本体、 ２・・・外部端子、 ３・・小窓。
Claims (1)
- 電源端子と接地端子とを有する１個又は複数個の揮発性
半導体メモリと、該揮発性半導体メモリの電源端子と接
地端子との間に接続され、該揮発性半導体メモリを駆動
する内部電池とが搭載されたＩＣメモリカードにおいて
、前記揮発性半導体メモリの電源端子と接地端子間に太
陽電池が接続されていることを特徴とするＩＣメモリカ
ード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201072A JPH0250895A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | Ｉｃメモリカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201072A JPH0250895A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | Ｉｃメモリカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250895A true JPH0250895A (ja) | 1990-02-20 |
Family
ID=16434927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63201072A Pending JPH0250895A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | Ｉｃメモリカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0250895A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5751442A (en) * | 1995-10-18 | 1998-05-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Communication connection apparatus for use in direct connection between facsimile modem apparatus and facsimile apparatus |
| US6307743B1 (en) | 1996-11-20 | 2001-10-23 | Sony Corporation | Electronic apparatus and apparatus for recording and/or playback on recording medium |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP63201072A patent/JPH0250895A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5751442A (en) * | 1995-10-18 | 1998-05-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Communication connection apparatus for use in direct connection between facsimile modem apparatus and facsimile apparatus |
| US6307743B1 (en) | 1996-11-20 | 2001-10-23 | Sony Corporation | Electronic apparatus and apparatus for recording and/or playback on recording medium |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59227090A (ja) | 不揮発性メモリ装置 | |
| EP1777750A3 (en) | Multi-state non-volatile integrated circuit memory systems that employ dielectric storage elements | |
| EP1168362A3 (en) | Flash memory with improved erasability and its circuitry | |
| JP2001006381A5 (ja) | チャージポンプ回路およびそれを用いた不揮発性半導体記憶装置 | |
| DE69132533D1 (de) | Halbleiterspeichergerät mit redundanter Schaltung | |
| DE69701395T2 (de) | Elektrisch lösch-und programmierbarer nichtflüchtiger speicher, geschützt gegen stromunterbrechungen | |
| JPS61168062A (ja) | メモリ保護装置 | |
| JPH0250895A (ja) | Ｉｃメモリカード | |
| JPS61160185A (ja) | 電池内蔵ｉｃカ−ド | |
| JPS6225224B2 (ja) | ||
| JPS6061988A (ja) | 半導体メモリ | |
| CN2390261Y (zh) | 带软件口令的非易失性存储模块 | |
| JPH06119510A (ja) | メモリカード | |
| CN110837220A (zh) | 一种新型时钟芯片供电电路 | |
| CN1536496B (zh) | 防止存放在个人数字助理装置的使用者数据遗失的方法及其装置 | |
| JPH0514400Y2 (ja) | ||
| CN212969153U (zh) | 单片机掉电保护电路 | |
| JPS58114B2 (ja) | メモリ装置 | |
| JPS63257088A (ja) | ポ−タブル記憶装置 | |
| JPS6215920Y2 (ja) | ||
| JPS6244537Y2 (ja) | ||
| JPH0256619A (ja) | メモリカード | |
| CN2260369Y (zh) | 自保持高抗干扰高速随机存贮器 | |
| JPH0441382Y2 (ja) | ||
| JPH04219296A (ja) | メモリカード |