JP2001006381A5 - チャージポンプ回路およびそれを用いた不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はチャージポンプ回路およびそれを用いた不揮発性半導体記憶装置に関し、特に、クロック信号に同期して入力ノードの正電荷または負電荷を出力ノードに転送させるチャージポンプ回路と、それを用いた不揮発性半導体記憶装置に関する。
それゆえに、この発明の主たる目的は、電荷を効率よく転送できるチャージポンプ回路と、それを用いた不揮発性半導体記憶装置を提供することである。
請求項９に係る発明の不揮発性半導体記憶装置は、請求項１から８のいずれかに記載のチャージポンプ回路と、チャージポンプ回路からデータ書込用電圧またはデータ消去用電圧を受けるメモリセルを備える。
請求項９に係る発明の不揮発性半導体記憶装置は、請求項１から８のいずれかに記載のチャージポンプ回路と、チャージポンプ回路からデータ書込用電圧またはデータ消去用電圧を受けるメモリセルを備える。この場合は、不揮発性半導体記憶装置の電源電圧の低減化が進められた場合でも、データ書込またはデータ消去用の高電圧を容易に生成できる。

Claims (1)

  1. 請求項１から請求項８のいずれかに記載のチャージポンプ回路、および
    前記チャージポンプ回路からデータ書込用電圧またはデータ消去用電圧を受けるメモリセルを備える、不揮発性半導体記憶装置。
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