JPS61160185A - 電池内蔵ｉｃカ−ド - Google Patents
電池内蔵ｉｃカ−ドInfo
- Publication number
- JPS61160185A JPS61160185A JP60000405A JP40585A JPS61160185A JP S61160185 A JPS61160185 A JP S61160185A JP 60000405 A JP60000405 A JP 60000405A JP 40585 A JP40585 A JP 40585A JP S61160185 A JPS61160185 A JP S61160185A
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- output voltage
- secondary battery
- battery
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、相補形ＭＯＳスタティックＲＡＭ（以下、
０ＭＯ８ＳＲＡＭとい５）等の揮発性メモリを内蔵する
ＩＣカ−ドに、メモリバックアップ用として１次電池と
２次電池を内蔵させ、半永久的な不揮発性メ七りとして
の機能をＩＣカードに付与させた亀池内嵐ＩＣカードに
関するものである。
０ＭＯ８ＳＲＡＭとい５）等の揮発性メモリを内蔵する
ＩＣカ−ドに、メモリバックアップ用として１次電池と
２次電池を内蔵させ、半永久的な不揮発性メ七りとして
の機能をＩＣカードに付与させた亀池内嵐ＩＣカードに
関するものである。
第６図は従来のＸＣ７：Ｉ−ドの構成を示す平向図で、
ＸＣｊＪ−ド１の内部には情報格納用の不揮発性メモリ
ＩＣ２（ＥＰＲＯＭまＬはＥＥＰＲＯＭ）。
ＸＣｊＪ−ド１の内部には情報格納用の不揮発性メモリ
ＩＣ２（ＥＰＲＯＭまＬはＥＥＰＲＯＭ）。
およびデバイスと情報の送受を行いながら不揮発Ｃ
性メモリ２に対（、てデータの書込み・読取りを行うＣ
ＰＵ３が内蔵されており、不揮発性メモリＩＣ２，ＣＰ
Ｕ３へのパワーと信号は外部端子４を経て供給されてい
た。
ＰＵ３が内蔵されており、不揮発性メモリＩＣ２，ＣＰ
Ｕ３へのパワーと信号は外部端子４を経て供給されてい
た。
第７図はこの植のカードの回路の一しリχ示し２図であ
る。この図において、ＣＰＵ３は外Ｓ端子揮発性メモリ
である０ＭＯ８ＳＲＡＭ６と情報の送受を行う。０ＭＯ
８ＳＲＡＭ６へはＩＣ′ｊＪ−ド１の使用時において外
部端子４より電圧ｖｃｃが供給され、情報の書込み、読
取り、消去に必要な電圧ＶＤＩＩか供給される。として
、非便用時には１次竜池Ｔよりバンクアップ用の出力電
圧Ｖｌｌｌか供給される。通常、Ｖｃｃ）ＶＢＩである
ため、スイッチング回路８により、上述の電圧ＶＤＤの
供給がなされる。したがって１次電池Ｔが切れると情報
が揮光する。
る。この図において、ＣＰＵ３は外Ｓ端子揮発性メモリ
である０ＭＯ８ＳＲＡＭ６と情報の送受を行う。０ＭＯ
８ＳＲＡＭ６へはＩＣ′ｊＪ−ド１の使用時において外
部端子４より電圧ｖｃｃが供給され、情報の書込み、読
取り、消去に必要な電圧ＶＤＩＩか供給される。として
、非便用時には１次竜池Ｔよりバンクアップ用の出力電
圧Ｖｌｌｌか供給される。通常、Ｖｃｃ）ＶＢＩである
ため、スイッチング回路８により、上述の電圧ＶＤＤの
供給がなされる。したがって１次電池Ｔが切れると情報
が揮光する。
ところで、ｌＰＲＯＭの不揮父性メモリＩＣ２を用いに
ＩＣカード１においては、ＥＰＲＯＭがＩＣカード１内
に埋設されているので紫外縁照射ができず、格納情報の
書替え・消去ができなかった。また、ＥＥ Ｆ ＲＯＭ
の不揮発性メモ！ＪＩＣ２を用いたＩＣカード１におい
ては、電気的書替え・消去か可能であるが、情報の書込
み・消去速夏が遅く、メモリの大容量化が困難である等
の問題点があった。また、０ＭＯ８ＳＲＡＭ ６’Ｙ内
蔵したカードに、バックアップ用の１次電池？’に内蔵
した例もカード式電卓等においてみられるが、この場合
、１次篭池Ｔか切れると情報が揮健するため、多量のバ
ックアップ用電力を必要とする大容量および周辺ＣＭＯ
８ＳＲＡＭ ６が使用できない問題点があった。
ＩＣカード１においては、ＥＰＲＯＭがＩＣカード１内
に埋設されているので紫外縁照射ができず、格納情報の
書替え・消去ができなかった。また、ＥＥ Ｆ ＲＯＭ
の不揮発性メモ！ＪＩＣ２を用いたＩＣカード１におい
ては、電気的書替え・消去か可能であるが、情報の書込
み・消去速夏が遅く、メモリの大容量化が困難である等
の問題点があった。また、０ＭＯ８ＳＲＡＭ ６’Ｙ内
蔵したカードに、バックアップ用の１次電池？’に内蔵
した例もカード式電卓等においてみられるが、この場合
、１次篭池Ｔか切れると情報が揮健するため、多量のバ
ックアップ用電力を必要とする大容量および周辺ＣＭＯ
８ＳＲＡＭ ６が使用できない問題点があった。
この発明は、上記問題点を解決するためになされたもの
で、情報の書込み・消去＋ａ速で行い、かつ、メモリ容
量の大きい半永久的な′電池内蔵ＩＣカードを得ること
ｔ目的とする。
で、情報の書込み・消去＋ａ速で行い、かつ、メモリ容
量の大きい半永久的な′電池内蔵ＩＣカードを得ること
ｔ目的とする。
この発明にかかる電池内蔵ＩＣカードは、４４発性メモ
リＩＣに格納された情報を保持するためのメモリバック
アンプ用の１次電池と２次電池とを設け、これらの２個
の電池のうちの最適な一方？機能させるためのスイッチ
ング回路と、ＩＣカード使用時に２次電池へ電流を供給
するための外部端子とｔ設けたものである。
リＩＣに格納された情報を保持するためのメモリバック
アンプ用の１次電池と２次電池とを設け、これらの２個
の電池のうちの最適な一方？機能させるためのスイッチ
ング回路と、ＩＣカード使用時に２次電池へ電流を供給
するための外部端子とｔ設けたものである。
この発明においては、ｔ＊＊性メセメモリ給電を通常は
２次電池に上り行い、２次電池の出力電圧が低下したと
きのみ１次電池により給’１［？行う。
２次電池に上り行い、２次電池の出力電圧が低下したと
きのみ１次電池により給’１［？行う。
ｉ１図はこの発明の一実施例を示す回路図である。この
図において、第６図、第７図と同一符号は同一部分を示
し、９は２次屯池、１０はタイオードを用いたスイッチ
ング回路である。
図において、第６図、第７図と同一符号は同一部分を示
し、９は２次屯池、１０はタイオードを用いたスイッチ
ング回路である。
上記のように構成されｒ−電池内蔵ＩＣ７：！−ドにお
いては、ＩＣカードの使用時は、ＣＭＯ８ＳＲＡＭ６に
外部潮干４から電圧■ｃｃ（通常５Ｖ）が供給される。
いては、ＩＣカードの使用時は、ＣＭＯ８ＳＲＡＭ６に
外部潮干４から電圧■ｃｃ（通常５Ｖ）が供給される。
ＩＣカードの非使用時においては。
１次電池Ｔまたは２次電池９からバックアップ用の出力
電圧ｖ１１が供給される。このときのバックアップ用の
出力電圧ＶＢは、１次電池Ｔの出力電圧■Ｉ１１と２次
電池９の出力電圧ｖＩ２のうち、高い方の電圧となるよ
うにスイッチング回路１０で調整される。
電圧ｖ１１が供給される。このときのバックアップ用の
出力電圧ＶＢは、１次電池Ｔの出力電圧■Ｉ１１と２次
電池９の出力電圧ｖＩ２のうち、高い方の電圧となるよ
うにスイッチング回路１０で調整される。
ここで、１次電池７の出力電圧ｖ１１は、第２図に示す
ように時間が経過しても変化せず、２次電池９の出力電
圧ｖ１２は第３図に示すように時間とともに減少する。
ように時間が経過しても変化せず、２次電池９の出力電
圧ｖ１２は第３図に示すように時間とともに減少する。
したがって、２次電池９の出力電圧ｖＩ１１の初期値を
１次電池Ｔの出力電圧ｖ１より大きく設定しておけは（
例えは各出力電圧Ｖ□。
１次電池Ｔの出力電圧ｖ１より大きく設定しておけは（
例えは各出力電圧Ｖ□。
ｖＩの初期値Ｖａｔ −２，５Ｖ 、 ＶＢｚ ＝ ３
Ｖ ）、２次電池９に充電直後ｉｃ２次電池９がら給
電され。
Ｖ ）、２次電池９に充電直後ｉｃ２次電池９がら給
電され。
Ｖｌｌｔ≦ｖｊ１１のときは１次篭池Ｔから給電される
。
。
ここで、ＩＣカードの使用時に外部端子４より２次電池
９に充電されるように回Ｉ！８を設けておけば。
９に充電されるように回Ｉ！８を設けておけば。
２次電池９の出力電圧ｖＩは初期（［忙戻るため、再び
２次電池９より０ＭＯ８ＳＲＡＭ６に給電されるように
なる。
２次電池９より０ＭＯ８ＳＲＡＭ６に給電されるように
なる。
このように、この発明のＩＣカードにおいては。
０ＭＯ８ＳＲＡＭ６への給電は通常２次電池９により行
い、２次電池９の出力電圧■Ｉが低下（−たときのみ、
予備の１次亀池Ｔより給電する方式７式％ 第４図は外部端子４より２次電池８に急減な給電を行う
と２次電池９が破損するのを防ぐための回路の一例を示
す図である。この図において、外部端子４より急激な給
１！Ｌｔ行うと、コンデンサ１１に電荷が蓄わえもれる
。ここで、ＩＣカードの使用か終了しても、２次電池９
にはコンデンサ１１より充電がなされる。しかも、抵抗
器１２の働きで給電はゆるやかになるため、２次電池９
は破損することがない。また、コンデンサ１１０谷量が
大ぎければ、コンデンサ１１ｔ２次屯池９の代りとして
使用することもできる。
い、２次電池９の出力電圧■Ｉが低下（−たときのみ、
予備の１次亀池Ｔより給電する方式７式％ 第４図は外部端子４より２次電池８に急減な給電を行う
と２次電池９が破損するのを防ぐための回路の一例を示
す図である。この図において、外部端子４より急激な給
１！Ｌｔ行うと、コンデンサ１１に電荷が蓄わえもれる
。ここで、ＩＣカードの使用か終了しても、２次電池９
にはコンデンサ１１より充電がなされる。しかも、抵抗
器１２の働きで給電はゆるやかになるため、２次電池９
は破損することがない。また、コンデンサ１１０谷量が
大ぎければ、コンデンサ１１ｔ２次屯池９の代りとして
使用することもできる。
第５図は１次電池７の出力電圧■Ｂ１の値と２次電池９
の出力電圧７口の初期値の関係が不適当なときの調整回
路の例を示した図である。例えは、各出力電圧ＶＢ、
、 Ｖ、、の初期値が３ｖで等しいとすると、１次電池
Ｔのみが消費されるため、半永久的メモリとしての機能
が実現できない。この場合は、１次電池７の出力端にオ
ペアンプ１３または抵抗器を接続することにより、１次
電池Ｔからの出力電圧ＶＢＩ ’％’適当な値（例えは
２．５Ｖ）Ｋ調整できる。
の出力電圧７口の初期値の関係が不適当なときの調整回
路の例を示した図である。例えは、各出力電圧ＶＢ、
、 Ｖ、、の初期値が３ｖで等しいとすると、１次電池
Ｔのみが消費されるため、半永久的メモリとしての機能
が実現できない。この場合は、１次電池７の出力端にオ
ペアンプ１３または抵抗器を接続することにより、１次
電池Ｔからの出力電圧ＶＢＩ ’％’適当な値（例えは
２．５Ｖ）Ｋ調整できる。
なお、１次電池Ｔとしては超薄型リチウム電池。
２次電池９としては薄屋のカーボンリチウム２次電池等
が使用される。また、スイッチング回路１０としては、
ダイオードに限定されるものでなく。
が使用される。また、スイッチング回路１０としては、
ダイオードに限定されるものでなく。
他の素子を用いることができる。
以上説明したようにこの発明は、不揮発性メモリＩＣに
格納された情報を保持するためのメモリバックアンプ用
の１次電池と２次電池とｔ設げ。
格納された情報を保持するためのメモリバックアンプ用
の１次電池と２次電池とｔ設げ。
これらの２個の電池のうちの最適な一方′？：機能させ
るためのスイッチング回路と、ＩＣカード使用時に２次
電池へ電流を供給するための外部端子とを設けたので、
以下の利点を有する。
るためのスイッチング回路と、ＩＣカード使用時に２次
電池へ電流を供給するための外部端子とを設けたので、
以下の利点を有する。
（１）メモリＩＣとして大容量および周辺ＣＭＯ８ＳＲ
ＡＭを使用できるため、ｐｆ１運の書込み・消去の可能
な大容量のＩＣカードが作製できる。
ＡＭを使用できるため、ｐｆ１運の書込み・消去の可能
な大容量のＩＣカードが作製できる。
（２） 通常、バックアップ用として２次電池を使用
し、２次電池の出力電圧低下時のみ１次電池を使用する
ため、１次電池の消費がきわめて遅くなり、半永久的な
メモリカード機能が実現できる。
し、２次電池の出力電圧低下時のみ１次電池を使用する
ため、１次電池の消費がきわめて遅くなり、半永久的な
メモリカード機能が実現できる。
（３）太陽電池でメモリバックアップ乞行わないため、
ＩＣカードｔポケットその他の暗い所に入れて置いても
メモリの情報が保持される。
ＩＣカードｔポケットその他の暗い所に入れて置いても
メモリの情報が保持される。
第１図はこの発明の一実施例を示す回路図、第２図、第
３図は１次電池と２次電池の放電特性を示す図９ｍ４図
は外部端子より２次゛４池を＋１１ｉ速充電するときの
保護回路の一例ン示す図、第５図は１次電池の出力電圧
をｐ４整する回路の一例を示す図、第６図はＥＦ ＲＯ
ＭまたはＥＥＰＲＯＭｖ使用した従来のＩＣカードを示
す図、第７図は０ＭＯ８ＳＲＡＭと１次電池を使用した
ＩＣカードの回路図である。 図中、３はＣＰＵ、４は外部端子、５はアドレス・デー
タバス、６は０ＭＯ８ＳＲＡＭ、 ７は１次電池、８
．１０はスイッチング回路、９は２次電池である。 第１図 ソ：２送電１℃ 第２図 第３図 一時間 第４図
３図は１次電池と２次電池の放電特性を示す図９ｍ４図
は外部端子より２次゛４池を＋１１ｉ速充電するときの
保護回路の一例ン示す図、第５図は１次電池の出力電圧
をｐ４整する回路の一例を示す図、第６図はＥＦ ＲＯ
ＭまたはＥＥＰＲＯＭｖ使用した従来のＩＣカードを示
す図、第７図は０ＭＯ８ＳＲＡＭと１次電池を使用した
ＩＣカードの回路図である。 図中、３はＣＰＵ、４は外部端子、５はアドレス・デー
タバス、６は０ＭＯ８ＳＲＡＭ、 ７は１次電池、８
．１０はスイッチング回路、９は２次電池である。 第１図 ソ：２送電１℃ 第２図 第３図 一時間 第４図
Claims (1)
- 揮発性メモリＩＣを内蔵するＩＣカードにおいて、前
記揮発性メモリＩＣに格納された情報を保持するための
メモリバツクアツプ用の１次電池と２次電池とを設け、
これらの２個の電池のうちの最適な一方を機能させるた
めのスイツチング回路と、前記ＩＣカード使用時に前記
２次電池へ電流を供給するための外部端子とを設けたこ
とを特徴とする電池内蔵ＩＣカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60000405A JPS61160185A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | 電池内蔵ｉｃカ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60000405A JPS61160185A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | 電池内蔵ｉｃカ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61160185A true JPS61160185A (ja) | 1986-07-19 |
Family
ID=11472889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60000405A Pending JPS61160185A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | 電池内蔵ｉｃカ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61160185A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6321071U (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | ||
| JPS63176190A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-20 | スタンレー電気株式会社 | 識別カ−ド |
| JPS63198181A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-16 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | Ｉｃカ−ド |
| JPS6413378U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-24 | ||
| EP0437129A2 (en) * | 1989-12-13 | 1991-07-17 | Fujitsu Limited | Card type semiconductor device |
| JPH0566752U (ja) * | 1992-02-13 | 1993-09-03 | 株式会社フジソク | 携帯用電子装置のバッテリーバックアップ回路 |
| JPH07271681A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Nec Corp | 半導体メモリのバックアップ回路 |
| US6854657B2 (en) * | 2001-11-28 | 2005-02-15 | General Instrument Corporation | Dual battery configuration and method of using the same to provide a long-term power solution in a programmable smart card |
-
1985
- 1985-01-08 JP JP60000405A patent/JPS61160185A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6321071U (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | ||
| JPS63176190A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-20 | スタンレー電気株式会社 | 識別カ−ド |
| JPS63198181A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-16 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | Ｉｃカ−ド |
| JPS6413378U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-24 | ||
| EP0437129A2 (en) * | 1989-12-13 | 1991-07-17 | Fujitsu Limited | Card type semiconductor device |
| EP0437129B1 (en) * | 1989-12-13 | 1996-04-10 | Fujitsu Limited | Card type semiconductor device |
| JPH0566752U (ja) * | 1992-02-13 | 1993-09-03 | 株式会社フジソク | 携帯用電子装置のバッテリーバックアップ回路 |
| JPH07271681A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Nec Corp | 半導体メモリのバックアップ回路 |
| US6854657B2 (en) * | 2001-11-28 | 2005-02-15 | General Instrument Corporation | Dual battery configuration and method of using the same to provide a long-term power solution in a programmable smart card |
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