JPH07271681A - 半導体メモリのバックアップ回路 - Google Patents

半導体メモリのバックアップ回路

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JPH07271681A
JPH07271681A JP6057600A JP5760094A JPH07271681A JP H07271681 A JPH07271681 A JP H07271681A JP 6057600 A JP6057600 A JP 6057600A JP 5760094 A JP5760094 A JP 5760094A JP H07271681 A JPH07271681 A JP H07271681A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor memory
power source
diode
voltage
supercapacitor
Prior art date
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Pending
Application number
JP6057600A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunichi Yamamoto
俊一 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH07271681A publication Critical patent/JPH07271681A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】電源投入している時間が短い場合や投入頻度が
低い使用方でも確実にバックアップできる半導体メモリ
のバックアップ回路を提供する。 【構成】電源投入をダイオード(3)のアノードに接続
し、カソードを保護抵抗6を介してスーパーキャパシタ
(7)に接続する。カソードをさらに電源切替器(2)
の一方の入力に接続する。電源切替器のもう一方の入力
には、バックアップ一次電池(5)を接続する。電源入
力の電圧が高い場合は、ダイオード(3)のカソード側
の入力が電源切替器の出力となり、電圧が低い場合は、
一次電池(5)が電源切替器の出力となる。電源切替器
の出力を半導体メモリ(1)に接続する。電源入力電圧
が下がった場合まず、ダイオードで電源入力とスーパー
キャパシタが分離されスーパーキャパシタに蓄えられた
容量で電源電圧が保持される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明の半導体メモリのバックア
ップ回路に関し、特に電源投入頻度が必ずしも高くない
場合の半導体メモリのバックアップ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体メモリのバックアップ回路
としては、バックアップ用の二次電池や、更にバックア
ップ用の一次電池を設け、電源が切られても記憶内容が
消失しないようにしていた。すなわち、電源投入時に二
次電池を充電しておき、電源が切られたときにこの二次
電池から電源を供給し、更にこの二次電池の容量がなく
なったときには一次電池により補うものである。(特開
平2−19912号公報)
【発明が解決しようとする課題】前述した従来のバック
アップ回路においては、二次電池を使用しているため、
充電するのに比較的長い時間を必要とし、電源投入時間
が短い場合は充分な充電が行なわれず、更に使用頻度が
低い場合には一次電池も比較的短い期間に使い切ってし
まうことになり、例えばスクランブルデコード等に使用
される場合は大切な契約情報が失われてしまうことがあ
った。
【0003】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、スーパ
ーキャパシタを使用し、充電時間を数十秒に短縮し、使
用頻度や使用時間が短い場合でも有効な半導体メモリの
バックアップ回路が得られる。
【0004】
【実施例】図1は本発明の第1の実施例を示す図で、半
導体メモリ1、電源切替器2、電源投入時に電源電圧を
受け切替器2の片方の入力端子2aに電圧を供給するダ
イオード3,切替器の入力端子2aの電圧を検知し、所
定電圧以下となったとき切替器2を切替え制御する電圧
検出回路4,切替器2の他方の入力端子2bに電圧を供
給するための、一次電池5及び入力端子2a側に接続さ
れた保護抵抗6とスーパーキャパシタ7との直列回路と
から構成されている。すなわち、電源入力をダイオード
3のアノードに接続し、カソード側は保護抵抗6を介し
てスーパーキャパシタ7に接続されている。カソード側
はさらに電源切替器2の一方の入力1−8に接続されて
いる。
【0005】これにより、電源電圧入力が下がった場合
まず、ダイオード3で電源回路とスーパーキャパシタ7
が分離されスーパーキャパシタ7に蓄えられた電荷で電
源電圧が保持され入力端子2aの電圧は保たれる。さら
にスパーキャパシタ7の電圧が下がった場合は、電圧検
出回路4が動作して、電源切り替え器2の出力を一次電
池5からの入力に切り替えて、半導体メモリ1の電源電
圧を保持する。
【0006】尚本実施例の変形として、スイッチ2をダ
イオードで接続する変形も考えられ、これを第2の実施
例として説明する。
【0007】図2は本発明の第2の実施例を示す図で、
第1の実施例の電源切替器2をダイオード8,9で置き
換えている。図において、電源電圧入力が下がった場合
まず、ダイオード3で電源回路とスーパーキャパシタ7
が分離されスーパーキャパシタ7に蓄えられた電荷で電
源電圧が保持されダイオード3のカソード側の電圧は保
たれる。さらにスパーキャパシタ7の電圧が下がった場
合は、ダイオード8がOFFとなり、一次電池5からの
電源が半導体メモリ1に供給され電源電圧を保持する。
【0008】本実施例は第1の実施例に比べ、回路構成
が簡単となるが、ダイオード8と9の切り替え動作中に
両方のダイオードがONとなり、この間一次電池5から
スーパーキャパシタ7に電流が流れ、一次電池5の電気
容量が消費される可能性がある。また、電源からダイオ
ード3、8を経由して半導体メモリ1に電源が供給され
るため、電圧降下が大きくなる。
【0009】
【発明の効果】本発明においては、電源がOFFされた
場合、スーパーキャパシタで半導体メモリをバックアッ
プし、スーパーキャパシタ電圧が下がった場合初めて、
電池を使用する。このためスーパーキャパシタでバック
アップしている時間だけ、一次電池の消費を削減でき
る。
【0010】また、二次電池の替わりにスーパーキャパ
シタを使用することで、電源投入している時間が短いよ
うな使用法でも充電が可能である。さらにニッケルカド
ニュウム等の二次電池よりスーパーキャパシタの方が小
型化も可能であり、爆発や液漏れ等に対する安全性も高
い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施例を示す構成図。
【図2】本発明の第二の実施例を示す構成図。
【符号の説明】
1 半導体メモリ 2 電源切替器 3,8,9 ダイオード 4 電圧検出回路 5 一次電池 6 保護抵抗 7 スーパーキャパシタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01G 9/28 9375−5E H01G 9/00 531

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電源入力をアノード側に受けるダイオー
    ドと、ダイオードのカソード側に接続される保護抵抗と
    スーパキャパシタとの直列回路と、一次電池と、ダイオ
    ードのカソード側の出力と一次電池の出力とを切替える
    切替手段とを具備し、切替手段の出力により半導体メモ
    リをバックアップする半導体メモリのバックアップ回
    路。
  2. 【請求項2】 前記切替手段が、ダイオードのカソード
    側の電圧を検出する検出回路と、検出回路の出力に応じ
    てカソード側の出力とを切替える切替器で構成される請
    求項1の半導体メモリのバックアップ回路。
  3. 【請求項3】 前記切替手段が、半導体メモリと前記ダ
    イオードのカソード側との間に挿入された第2のダイオ
    ードと、半導体メモリと一次電池との間に挿入された第
    3のダイオードで構成される請求項1の半導体メモリの
    バックアップ回路。
JP6057600A 1994-03-28 1994-03-28 半導体メモリのバックアップ回路 Pending JPH07271681A (ja)

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Effective date: 19980217