CN2260369Y - 自保持高抗干扰高速随机存贮器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种由在线重写存贮器与具有高速在线比较器，延时电路，中断信号发生器和后备电源的控制电路组成的新型存贮器。该存贮器具有自保持、高抗干扰、高速随机读写等特点。可广泛应用于计算机，工业自动控制，商业数据，数字通讯，仪器仪表，电子测量等领域内的数据保持。
Description
本实用新型涉及计算机和电子技术领域，具体涉及一种半导体存贮器。
常用的半导体存贮器有PROM，EPROM，E2PROM，DRAM和SRAM五大类。其中PROM、E2PROM不能在线重写，而DRAM须动态刷新，不能静态随机操作，E2PROM、SRAM可在线重写。E2PROM断电后能保持数据，SRAM加上后备电池也能断电后保持数据。但是它们在断电和上电时均会在不同程度上丢失和随机改写原有的数据。原因是控制总线在断电，上电过程中不可避免地出现“冒险竞争”(因争相导通产生的一些无规则脉冲)把同样原因引出的数据总线上的随机数写进地址总线上的随机地址的存贮单元。所以它们都不能同时满足存线带电重写，掉电保持，上下电抗干扰且高速静态操作。
本实用新型的目的在于提供一种由包括高速在线比较器、延时器、中断信号发生器构成的控制电路和可在线重写的存贮器组成的新型随机存贮器，以克服上述存贮器之不足。
本实用新型的方案，在一外壳体内部固定有可在线重写的存贮器和电路板。电路板上设有由高速在线比较器，延时电路，中断信号发生器和后备电源组成的控制电路。外部电源Vcc通过二极管D1加到存贮器的Vdd端，后备电源通过二极管D2加到存贮器的E端与控制电路中的高速在线比较器输出端相连。后备电源由二极管D1、D2，电池B1和电容C3组成；高速在线比较器由三极管N1、N2、N3，电阻R1～R8和二极管D3组成；延时电路由电阻R14和电容C1组成；中断信号发生器由二极管D4～D7，三极管N4～N6，电阻R9～R13和电容C2组成。
该产品具有高抗干扰，高速自保持性不怕掉电，检错容错等特点。
图1本实用新型存贮器的结构图
图2存贮器电路图
本实施例中存贮器IC采用随机静态存贮器SRAM，或可擦除存贮器E2PROM，具体为6116型存贮器，它固定在外壳(1)上，外壳(1)上还固定有电路板(2)，电路板(2)设控制电路。如图1。控制电路由后备电源，高速在线比较器，延时电路和中断信号发生器组成。如图2后备电源由二极管D1、D2，电池B1和电容C3组成；高速比较器由三极管N1、N2、N3，二极管D3和电阻R1～R8组成，存贮器6116的E端与三极管N3的集电极相连；延时电路由电阻R14和电容C1组成；中断信号发生器由二极管D4～D7，三极管N4～N6，电阻R9～R13和电容C2组成。二极管D4的阴极与三极管N3的集电极相连，输出片选线CS连接电阻R10、R12，电容C2、三极管N4的发射极，三极管N7发射极接二极管D7阳极，二极管D7阴极接输出中断TNT，三极管N6的集电极与外电源Vcc连接，电阻R9、R11接电阻R14。
如图2，输入正电源Vcc连接到电阻R1、R13、R14，二极管D1和三极管N6的集电极。二极管D1的阴极接电阻R8，电池B1，电容C3，存贮器的正电源Vdd。输入接地线GND接电容C1、C3下端，二极管D2阳极，存贮器IC的Vss端。电池B1负极接二极管D2的阴极。图中C点上接电阻R14，下接电阻R3、R4、R6、R9、R11及电容C1上端。A点连接电阻R1、R2，二极管D3阴极。二极管D3阳极连接电阻R3下端，三极管N1基极。三极管N3的集电极接电阻R4，其发射极接电阻R5、三极管N2的基极。N2的集电极接电阻R6，其发射极接电阻R7，三极管N3的基极。N3的集电极接电阻R8、二极管D4的阴极、存贮器IC的18脚即E端。输入片选线CS连接电阻R2、R5、R7、R10、R12，电容C2，三极管N3及N4的发射极。电阻R9接二极管D4、D5的阳极。二极管D5阴极接电阻R10，电容C2上端，三极管N4基极。三极管N5集电极接二极管D6阴极。二极管D6的阳极接电阻R8，三极管N6基极。三极管N6发射极接二极管D7阳极。二极管D7阴极接输出中断TNT。
其工作原理如下：外部电源Vcc通过D1，内部电池B1通过D2分别加到存贮器IC的Vdd和Vss端，提供工作电源或后备电源。正常工作时，Vcc电压高于电池B1电压，D2反偏，Vcc通过D1向IC供电。当Vcc电压下降到低于电池电压后，D1反偏，电池B1立即通过D2供电给IC，维持存贮器IC内部数据不丢失。同时，分压电阻R1、R2分得电压VAB小于三极管N1～N3的Vbe阀值之和，于是三极管N3截止，存贮器IC的E端高电平，关闭IC。此时，不论地址总线，数据总线，控制总线上的任何脉冲变化均不会入存贮器IC上。
当电源电压仅因各种原因的扰动而下降，不是断电时，系统可能继续操作企图读写IC，同理均因VAB低N3截止，存贮器IC所有数据端口处于高阻态，不理会任何操作命令，同时二极管D4反偏，D5导通，三极管N4、N5随之导通，三极管N4集电极电压下降，三极管N6截止，输出低电平中断信号TNT，以示操作错误，使系统能立即响应，进行故障现场处理。
系统在断电后，再次上电，系统电源Vcc经过R14，C1延时加到控制部分。当Vcc上升到正常工作电压前，三极管N1～N3无法工作，VAB在达到三极管N1～N3Vbe阈值之和前，N3不能导通，在此期间各种无规则的脉冲均不会引起存贮器IC操作。因此IC避开了系统上电、下电以及总线电源的各种电路干扰，仅当Vc和VAB均达到正常工作电压时，存贮器IC才可能在输入片选信号CS作用下进行操作。这样本实用新型达到高抗干扰自保持的性能。
Claims (3)
1、一种自保持高抗干扰高速随机存贮器，它包括外壳体，在外壳体内部固定有在线重写的存贮器，其特征在于在外壳体内部还设有电路板，电路板上设有由高速在线比较器，延时电路，中断信号发生器和后备电源组成的控制电路，外部电源Vcc通过二极管D1加到存贮器的Vdd和Vss两端，后备电源通过二极管D2加到存贮器的Vdd和Vss两端，存贮器的E端与控制电路中的高速在线比较器输出端相连。
2、如权利要求1所述自保持高抗干扰高速随机存贮器，其特征在于高速比较器由三极管M1、N2、N3，二极管D3和电阻R1～R8组成，存贮器E端与三极管N3的集电极相连。
3、如权利要求1所述自保持高抗干扰高速随机存贮器，其特征在于中断信号发生器由二极管D4～D7，三极管N4～N6，电阻R9～R13和电容C2组成，二极管D4的阴极与三极管N3的集电极相连，输入片选线CS连接电阻R10、R12，电容C2三极管M4的发射极，三极管N6发射极接二极管D7阳极，二极管D7阴极接输出中断TNT，三极管N6的集电极与外电源Vcc连接，电阻R9、R11接电阻R14。
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Cited By (1)
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| CN105280151A (zh) * | 2013-06-14 | 2016-01-27 | 青岛海信电器股份有限公司 | 伽玛校正缓冲电路和用于伽玛校正缓冲电路的防干扰方法 |
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1996
- 1996-08-16 CN CN 96224439 patent/CN2260369Y/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
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| CN105280151A (zh) * | 2013-06-14 | 2016-01-27 | 青岛海信电器股份有限公司 | 伽玛校正缓冲电路和用于伽玛校正缓冲电路的防干扰方法 |
| CN105280151B (zh) * | 2013-06-14 | 2019-01-29 | 青岛海信电器股份有限公司 | 伽玛校正缓冲电路和用于伽玛校正缓冲电路的防干扰方法 |
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