JPH0250534A - Apdバイアス電圧制御回路 - Google Patents

Apdバイアス電圧制御回路

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JPH0250534A
JPH0250534A JP63198804A JP19880488A JPH0250534A JP H0250534 A JPH0250534 A JP H0250534A JP 63198804 A JP63198804 A JP 63198804A JP 19880488 A JP19880488 A JP 19880488A JP H0250534 A JPH0250534 A JP H0250534A
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apd
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bias voltage
collector
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Shiyouya Fukushima
福島 唱也
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光通信方式に係シ、特にアバランシェ7オトダ
イオード(以下、APDと呼称する)バイアス電圧制御
回路に関するものである。
〔従来の技術〕
光ファイバによる高速ディジタル通信システムでは、受
光素子としてAPDがよく用いられている0 とのAPDは光電流を増倍する作用をもっておシ、増倍
率がAPDのバイアス電圧に依存することから、受光信
号レベルが変動してもAPDの増倍率(APDバイアス
電圧)を操作し、得られる電気信号振幅が一定となるよ
う帰還をかける方法が従来よ)用いられている。そして
、一般に用いられているAPD制御方式の構成を示した
図である第2図に示すように、等価増幅回路11とピー
ク検出回路12およびAPDバイアス電圧制御回路13
で構成されている。
仁の第2図において、14はAPD、15は光フアイバ
伝送路である。そして、Sは信号電圧出力で、この信号
電圧出力Sはピーク検出回路12へ導入されるとともに
識別回路16へ送出されるように構成されている。
第3図は従来のAPDバイアス電圧制御回路の一例を示
す構成図であり、発振回路21と発振電圧制御端子22
および昇圧トランス23ならびに整流・平滑回路24に
よって構成されている。
この第3図において、25はAPD s 2 Bは光フ
アイバ伝送路、2Tは等化増幅回路で、この等化増幅回
路21は第2図における等化増幅回路11に相当する。
このように構成されたAPDバイアス電圧制御回路にお
いて、発振回路21で得られた交流電圧は昇圧トランス
23で昇圧され、整流・平滑回路24でリップル除去さ
れ死後、API)25のバイアス電圧となるが、第2図
におけるピーク検出回路12の出力電圧(電気信号振幅
に比例した電圧)を第3図の発振電圧制御端子22に印
加することで、これに比例して昇圧トランス23に入力
される交流電圧振幅を制御しておシ、電気信号振幅が一
定となるようAPD25のバイアス電圧が制御される。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のAPDバイアス電圧制御回路では、AP
Dバイアス電圧を制御する際、整流・平滑回路の出力電
圧を直接用いるよう構成されているため、APDバイア
ス電圧の応答は、平滑回路の時定数によシ制限を受けて
いる0そして、通常、その時定数は数秒となるため、光
フアイバ伝送路に機械的外乱が加わる等でAPDの受光
レベルが急激に変化した際、APDのバイアス電圧が追
従できず信号電圧振幅が変化し、識別回路で正しく再生
されず、誤シが発生するという課題があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のAPDバイアス電圧制御回路は、高電圧発生回
路の出力端子に抵抗を介してトランシタのコレクタを接
続し、このトランジスタのエミッタを接地し、上記トラ
ンジスタのコレクタをAPDに接続するよう構成し、上
記トランジスタのベース電圧で上記^PDのバイアス電
圧を制御するようにしたものである。
〔作 用〕
本発明においては、トランジスタのベース′亀圧を制御
することでAPDのバイアス電圧を制御する0 〔実施例〕 以下、図面に基づき本発E11め実施例をii+細に説
明する。
第1図は本発明によるAPDバイアス電圧制御回路の一
実施例を示す構成図である0 図において、1は制御端子、2は反転増幅回路、3は高
電圧発生回路、4は抵抗(抵抗値R)、5はトランジス
タ、6はAPD、  7は光フアイバ伝送路、8は等化
増幅回路で、この等化増幅回路8は第2図における等化
増幅回路11に相当する。
そして、高電圧発生回路3の出力端子に抵抗4を介して
トランジスタ5のコレクタを接続し、このトランジスタ
5のエミッタを接地し、トランジスタ5のコレクタをA
PD 6に接続するよう構成シ、ソのトランジスタ50
ベース電圧でAPD6のバイアス電圧を制御するように
構成されている0つぎにこの第1図に示す実施例の動作
を第2図を参照して説明する。
制御端子1に印加された第2図に示すピーク検出回路1
2の出力電圧は、反転増幅回路2で反転増幅され、トラ
ンジスタ5のベースに印加される。
このとき、トランジスタ5のVB−IC%性で定まるコ
レクタ電流により、高電圧発生回路3の出力電圧をIC
XR(V)電圧降下させAPD6  のバイアス電圧と
することで、APD6の充電流増倍率を制御している。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、高電圧発生回路の出力端
子に抵抗を介してトランジスタのコレクタ電流続し、こ
のトランジスタのエミッタを接地し、そのトランジスタ
のコレクタをAPDに接続するよう構成し、トランジス
タのベース電圧を制御することでAPDのバイアス電圧
を制御することによF)、APDのバイアス電圧応答速
度が改善され、受光レベルの急変に対しても信号電圧振
幅を一定に保つことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるAPDバイアス電圧制御回路の一
実施例を示す構成図、第2図は一般に用いられるAPD
制御方式を示すブロック図、第3図は従来のAPDバイ
アス電圧制御回路の一例を示す構成図である。 1・・・・制御端子、2・・・・反転増幅回路、3・・
・・高電圧発生回路、4・・・・抵抗、5トランジスタ
、   APD (アバ ランシェフォトダイオード)0

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高電圧発生回路の出力端子に抵抗を介してトランジスタ
    のコレクタを接続し、このトランジスタのエミッタを接
    地し、前記トランジスタのコレクタをアバランシエフオ
    トダイオードに接続するよう構成し、前記トランジスタ
    のベース電圧で前記アバランシエフオトダイオードのバ
    イアス電圧を制御せしめるようにしたことを特徴とする
    APDバイアス電圧制御回路。
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