JPH0250534A - Apdバイアス電圧制御回路 - Google Patents
Apdバイアス電圧制御回路Info
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- JPH0250534A JPH0250534A JP63198804A JP19880488A JPH0250534A JP H0250534 A JPH0250534 A JP H0250534A JP 63198804 A JP63198804 A JP 63198804A JP 19880488 A JP19880488 A JP 19880488A JP H0250534 A JPH0250534 A JP H0250534A
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000000098 azimuthal photoelectron diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信方式に係シ、特にアバランシェ7オトダ
イオード(以下、APDと呼称する)バイアス電圧制御
回路に関するものである。
イオード(以下、APDと呼称する)バイアス電圧制御
回路に関するものである。
光ファイバによる高速ディジタル通信システムでは、受
光素子としてAPDがよく用いられている0 とのAPDは光電流を増倍する作用をもっておシ、増倍
率がAPDのバイアス電圧に依存することから、受光信
号レベルが変動してもAPDの増倍率(APDバイアス
電圧)を操作し、得られる電気信号振幅が一定となるよ
う帰還をかける方法が従来よ)用いられている。そして
、一般に用いられているAPD制御方式の構成を示した
図である第2図に示すように、等価増幅回路11とピー
ク検出回路12およびAPDバイアス電圧制御回路13
で構成されている。
光素子としてAPDがよく用いられている0 とのAPDは光電流を増倍する作用をもっておシ、増倍
率がAPDのバイアス電圧に依存することから、受光信
号レベルが変動してもAPDの増倍率(APDバイアス
電圧)を操作し、得られる電気信号振幅が一定となるよ
う帰還をかける方法が従来よ)用いられている。そして
、一般に用いられているAPD制御方式の構成を示した
図である第2図に示すように、等価増幅回路11とピー
ク検出回路12およびAPDバイアス電圧制御回路13
で構成されている。
仁の第2図において、14はAPD、15は光フアイバ
伝送路である。そして、Sは信号電圧出力で、この信号
電圧出力Sはピーク検出回路12へ導入されるとともに
識別回路16へ送出されるように構成されている。
伝送路である。そして、Sは信号電圧出力で、この信号
電圧出力Sはピーク検出回路12へ導入されるとともに
識別回路16へ送出されるように構成されている。
第3図は従来のAPDバイアス電圧制御回路の一例を示
す構成図であり、発振回路21と発振電圧制御端子22
および昇圧トランス23ならびに整流・平滑回路24に
よって構成されている。
す構成図であり、発振回路21と発振電圧制御端子22
および昇圧トランス23ならびに整流・平滑回路24に
よって構成されている。
この第3図において、25はAPD s 2 Bは光フ
アイバ伝送路、2Tは等化増幅回路で、この等化増幅回
路21は第2図における等化増幅回路11に相当する。
アイバ伝送路、2Tは等化増幅回路で、この等化増幅回
路21は第2図における等化増幅回路11に相当する。
このように構成されたAPDバイアス電圧制御回路にお
いて、発振回路21で得られた交流電圧は昇圧トランス
23で昇圧され、整流・平滑回路24でリップル除去さ
れ死後、API)25のバイアス電圧となるが、第2図
におけるピーク検出回路12の出力電圧(電気信号振幅
に比例した電圧)を第3図の発振電圧制御端子22に印
加することで、これに比例して昇圧トランス23に入力
される交流電圧振幅を制御しておシ、電気信号振幅が一
定となるようAPD25のバイアス電圧が制御される。
いて、発振回路21で得られた交流電圧は昇圧トランス
23で昇圧され、整流・平滑回路24でリップル除去さ
れ死後、API)25のバイアス電圧となるが、第2図
におけるピーク検出回路12の出力電圧(電気信号振幅
に比例した電圧)を第3図の発振電圧制御端子22に印
加することで、これに比例して昇圧トランス23に入力
される交流電圧振幅を制御しておシ、電気信号振幅が一
定となるようAPD25のバイアス電圧が制御される。
上述した従来のAPDバイアス電圧制御回路では、AP
Dバイアス電圧を制御する際、整流・平滑回路の出力電
圧を直接用いるよう構成されているため、APDバイア
ス電圧の応答は、平滑回路の時定数によシ制限を受けて
いる0そして、通常、その時定数は数秒となるため、光
フアイバ伝送路に機械的外乱が加わる等でAPDの受光
レベルが急激に変化した際、APDのバイアス電圧が追
従できず信号電圧振幅が変化し、識別回路で正しく再生
されず、誤シが発生するという課題があった。
Dバイアス電圧を制御する際、整流・平滑回路の出力電
圧を直接用いるよう構成されているため、APDバイア
ス電圧の応答は、平滑回路の時定数によシ制限を受けて
いる0そして、通常、その時定数は数秒となるため、光
フアイバ伝送路に機械的外乱が加わる等でAPDの受光
レベルが急激に変化した際、APDのバイアス電圧が追
従できず信号電圧振幅が変化し、識別回路で正しく再生
されず、誤シが発生するという課題があった。
本発明のAPDバイアス電圧制御回路は、高電圧発生回
路の出力端子に抵抗を介してトランシタのコレクタを接
続し、このトランジスタのエミッタを接地し、上記トラ
ンジスタのコレクタをAPDに接続するよう構成し、上
記トランジスタのベース電圧で上記^PDのバイアス電
圧を制御するようにしたものである。
路の出力端子に抵抗を介してトランシタのコレクタを接
続し、このトランジスタのエミッタを接地し、上記トラ
ンジスタのコレクタをAPDに接続するよう構成し、上
記トランジスタのベース電圧で上記^PDのバイアス電
圧を制御するようにしたものである。
本発明においては、トランジスタのベース′亀圧を制御
することでAPDのバイアス電圧を制御する0 〔実施例〕 以下、図面に基づき本発E11め実施例をii+細に説
明する。
することでAPDのバイアス電圧を制御する0 〔実施例〕 以下、図面に基づき本発E11め実施例をii+細に説
明する。
第1図は本発明によるAPDバイアス電圧制御回路の一
実施例を示す構成図である0 図において、1は制御端子、2は反転増幅回路、3は高
電圧発生回路、4は抵抗(抵抗値R)、5はトランジス
タ、6はAPD、 7は光フアイバ伝送路、8は等化
増幅回路で、この等化増幅回路8は第2図における等化
増幅回路11に相当する。
実施例を示す構成図である0 図において、1は制御端子、2は反転増幅回路、3は高
電圧発生回路、4は抵抗(抵抗値R)、5はトランジス
タ、6はAPD、 7は光フアイバ伝送路、8は等化
増幅回路で、この等化増幅回路8は第2図における等化
増幅回路11に相当する。
そして、高電圧発生回路3の出力端子に抵抗4を介して
トランジスタ5のコレクタを接続し、このトランジスタ
5のエミッタを接地し、トランジスタ5のコレクタをA
PD 6に接続するよう構成シ、ソのトランジスタ50
ベース電圧でAPD6のバイアス電圧を制御するように
構成されている0つぎにこの第1図に示す実施例の動作
を第2図を参照して説明する。
トランジスタ5のコレクタを接続し、このトランジスタ
5のエミッタを接地し、トランジスタ5のコレクタをA
PD 6に接続するよう構成シ、ソのトランジスタ50
ベース電圧でAPD6のバイアス電圧を制御するように
構成されている0つぎにこの第1図に示す実施例の動作
を第2図を参照して説明する。
制御端子1に印加された第2図に示すピーク検出回路1
2の出力電圧は、反転増幅回路2で反転増幅され、トラ
ンジスタ5のベースに印加される。
2の出力電圧は、反転増幅回路2で反転増幅され、トラ
ンジスタ5のベースに印加される。
このとき、トランジスタ5のVB−IC%性で定まるコ
レクタ電流により、高電圧発生回路3の出力電圧をIC
XR(V)電圧降下させAPD6 のバイアス電圧と
することで、APD6の充電流増倍率を制御している。
レクタ電流により、高電圧発生回路3の出力電圧をIC
XR(V)電圧降下させAPD6 のバイアス電圧と
することで、APD6の充電流増倍率を制御している。
以上説明したように本発明は、高電圧発生回路の出力端
子に抵抗を介してトランジスタのコレクタ電流続し、こ
のトランジスタのエミッタを接地し、そのトランジスタ
のコレクタをAPDに接続するよう構成し、トランジス
タのベース電圧を制御することでAPDのバイアス電圧
を制御することによF)、APDのバイアス電圧応答速
度が改善され、受光レベルの急変に対しても信号電圧振
幅を一定に保つことができる効果がある。
子に抵抗を介してトランジスタのコレクタ電流続し、こ
のトランジスタのエミッタを接地し、そのトランジスタ
のコレクタをAPDに接続するよう構成し、トランジス
タのベース電圧を制御することでAPDのバイアス電圧
を制御することによF)、APDのバイアス電圧応答速
度が改善され、受光レベルの急変に対しても信号電圧振
幅を一定に保つことができる効果がある。
第1図は本発明によるAPDバイアス電圧制御回路の一
実施例を示す構成図、第2図は一般に用いられるAPD
制御方式を示すブロック図、第3図は従来のAPDバイ
アス電圧制御回路の一例を示す構成図である。 1・・・・制御端子、2・・・・反転増幅回路、3・・
・・高電圧発生回路、4・・・・抵抗、5トランジスタ
、 APD (アバ ランシェフォトダイオード)0
実施例を示す構成図、第2図は一般に用いられるAPD
制御方式を示すブロック図、第3図は従来のAPDバイ
アス電圧制御回路の一例を示す構成図である。 1・・・・制御端子、2・・・・反転増幅回路、3・・
・・高電圧発生回路、4・・・・抵抗、5トランジスタ
、 APD (アバ ランシェフォトダイオード)0
Claims (1)
- 高電圧発生回路の出力端子に抵抗を介してトランジスタ
のコレクタを接続し、このトランジスタのエミッタを接
地し、前記トランジスタのコレクタをアバランシエフオ
トダイオードに接続するよう構成し、前記トランジスタ
のベース電圧で前記アバランシエフオトダイオードのバ
イアス電圧を制御せしめるようにしたことを特徴とする
APDバイアス電圧制御回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63198804A JP2751229B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | Apdバイアス電圧制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63198804A JP2751229B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | Apdバイアス電圧制御回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0250534A true JPH0250534A (ja) | 1990-02-20 |
JP2751229B2 JP2751229B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=16397190
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63198804A Expired - Lifetime JP2751229B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | Apdバイアス電圧制御回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2751229B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04359479A (ja) * | 1991-06-04 | 1992-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | フォトダイオード装置 |
FR2684506A1 (fr) * | 1991-11-29 | 1993-06-04 | Thomson Composants Militaires | Recepteur de signaux lumineux. |
US7265333B2 (en) | 2004-08-09 | 2007-09-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light-receiving circuit |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61182336A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-15 | Fujitsu Ltd | Apd保護回路 |
JPS6285013U (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-30 | ||
JPS62217739A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Fujitsu Ltd | アバランシエ・ホトダイオ−ドのバイアス電圧制御回路 |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP63198804A patent/JP2751229B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61182336A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-15 | Fujitsu Ltd | Apd保護回路 |
JPS6285013U (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-30 | ||
JPS62217739A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Fujitsu Ltd | アバランシエ・ホトダイオ−ドのバイアス電圧制御回路 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04359479A (ja) * | 1991-06-04 | 1992-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | フォトダイオード装置 |
FR2684506A1 (fr) * | 1991-11-29 | 1993-06-04 | Thomson Composants Militaires | Recepteur de signaux lumineux. |
US5304793A (en) * | 1991-11-29 | 1994-04-19 | Thomson Composants Militaires Et Spatiaux | Light signal receiver with preamplification function and dual polarization means |
US7265333B2 (en) | 2004-08-09 | 2007-09-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light-receiving circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2751229B2 (ja) | 1998-05-18 |
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