JPH0250534A - Ａｐｄバイアス電圧制御回路 - Google Patents
Ａｐｄバイアス電圧制御回路Info
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- JPH0250534A JPH0250534A JP63198804A JP19880488A JPH0250534A JP H0250534 A JPH0250534 A JP H0250534A JP 63198804 A JP63198804 A JP 63198804A JP 19880488 A JP19880488 A JP 19880488A JP H0250534 A JPH0250534 A JP H0250534A
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- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 4
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000000098 azimuthal photoelectron diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信方式に係シ、特にアバランシェ７オトダ
イオード（以下、ＡＰＤと呼称する）バイアス電圧制御
回路に関するものである。
イオード（以下、ＡＰＤと呼称する）バイアス電圧制御
回路に関するものである。
光ファイバによる高速ディジタル通信システムでは、受
光素子としてＡＰＤがよく用いられている０ とのＡＰＤは光電流を増倍する作用をもっておシ、増倍
率がＡＰＤのバイアス電圧に依存することから、受光信
号レベルが変動してもＡＰＤの増倍率（ＡＰＤバイアス
電圧）を操作し、得られる電気信号振幅が一定となるよ
う帰還をかける方法が従来よ）用いられている。そして
、一般に用いられているＡＰＤ制御方式の構成を示した
図である第２図に示すように、等価増幅回路１１とピー
ク検出回路１２およびＡＰＤバイアス電圧制御回路１３
で構成されている。
光素子としてＡＰＤがよく用いられている０ とのＡＰＤは光電流を増倍する作用をもっておシ、増倍
率がＡＰＤのバイアス電圧に依存することから、受光信
号レベルが変動してもＡＰＤの増倍率（ＡＰＤバイアス
電圧）を操作し、得られる電気信号振幅が一定となるよ
う帰還をかける方法が従来よ）用いられている。そして
、一般に用いられているＡＰＤ制御方式の構成を示した
図である第２図に示すように、等価増幅回路１１とピー
ク検出回路１２およびＡＰＤバイアス電圧制御回路１３
で構成されている。
仁の第２図において、１４はＡＰＤ、１５は光フアイバ
伝送路である。そして、Ｓは信号電圧出力で、この信号
電圧出力Ｓはピーク検出回路１２へ導入されるとともに
識別回路１６へ送出されるように構成されている。
伝送路である。そして、Ｓは信号電圧出力で、この信号
電圧出力Ｓはピーク検出回路１２へ導入されるとともに
識別回路１６へ送出されるように構成されている。
第３図は従来のＡＰＤバイアス電圧制御回路の一例を示
す構成図であり、発振回路２１と発振電圧制御端子２２
および昇圧トランス２３ならびに整流・平滑回路２４に
よって構成されている。
す構成図であり、発振回路２１と発振電圧制御端子２２
および昇圧トランス２３ならびに整流・平滑回路２４に
よって構成されている。
この第３図において、２５はＡＰＤ ｓ ２ Ｂは光フ
アイバ伝送路、２Ｔは等化増幅回路で、この等化増幅回
路２１は第２図における等化増幅回路１１に相当する。
アイバ伝送路、２Ｔは等化増幅回路で、この等化増幅回
路２１は第２図における等化増幅回路１１に相当する。
このように構成されたＡＰＤバイアス電圧制御回路にお
いて、発振回路２１で得られた交流電圧は昇圧トランス
２３で昇圧され、整流・平滑回路２４でリップル除去さ
れ死後、ＡＰＩ）２５のバイアス電圧となるが、第２図
におけるピーク検出回路１２の出力電圧（電気信号振幅
に比例した電圧）を第３図の発振電圧制御端子２２に印
加することで、これに比例して昇圧トランス２３に入力
される交流電圧振幅を制御しておシ、電気信号振幅が一
定となるようＡＰＤ２５のバイアス電圧が制御される。
いて、発振回路２１で得られた交流電圧は昇圧トランス
２３で昇圧され、整流・平滑回路２４でリップル除去さ
れ死後、ＡＰＩ）２５のバイアス電圧となるが、第２図
におけるピーク検出回路１２の出力電圧（電気信号振幅
に比例した電圧）を第３図の発振電圧制御端子２２に印
加することで、これに比例して昇圧トランス２３に入力
される交流電圧振幅を制御しておシ、電気信号振幅が一
定となるようＡＰＤ２５のバイアス電圧が制御される。
上述した従来のＡＰＤバイアス電圧制御回路では、ＡＰ
Ｄバイアス電圧を制御する際、整流・平滑回路の出力電
圧を直接用いるよう構成されているため、ＡＰＤバイア
ス電圧の応答は、平滑回路の時定数によシ制限を受けて
いる０そして、通常、その時定数は数秒となるため、光
フアイバ伝送路に機械的外乱が加わる等でＡＰＤの受光
レベルが急激に変化した際、ＡＰＤのバイアス電圧が追
従できず信号電圧振幅が変化し、識別回路で正しく再生
されず、誤シが発生するという課題があった。
Ｄバイアス電圧を制御する際、整流・平滑回路の出力電
圧を直接用いるよう構成されているため、ＡＰＤバイア
ス電圧の応答は、平滑回路の時定数によシ制限を受けて
いる０そして、通常、その時定数は数秒となるため、光
フアイバ伝送路に機械的外乱が加わる等でＡＰＤの受光
レベルが急激に変化した際、ＡＰＤのバイアス電圧が追
従できず信号電圧振幅が変化し、識別回路で正しく再生
されず、誤シが発生するという課題があった。
本発明のＡＰＤバイアス電圧制御回路は、高電圧発生回
路の出力端子に抵抗を介してトランシタのコレクタを接
続し、このトランジスタのエミッタを接地し、上記トラ
ンジスタのコレクタをＡＰＤに接続するよう構成し、上
記トランジスタのベース電圧で上記＾ＰＤのバイアス電
圧を制御するようにしたものである。
路の出力端子に抵抗を介してトランシタのコレクタを接
続し、このトランジスタのエミッタを接地し、上記トラ
ンジスタのコレクタをＡＰＤに接続するよう構成し、上
記トランジスタのベース電圧で上記＾ＰＤのバイアス電
圧を制御するようにしたものである。
本発明においては、トランジスタのベース′亀圧を制御
することでＡＰＤのバイアス電圧を制御する０ 〔実施例〕 以下、図面に基づき本発Ｅ１１め実施例をｉｉ＋細に説
明する。
することでＡＰＤのバイアス電圧を制御する０ 〔実施例〕 以下、図面に基づき本発Ｅ１１め実施例をｉｉ＋細に説
明する。
第１図は本発明によるＡＰＤバイアス電圧制御回路の一
実施例を示す構成図である０ 図において、１は制御端子、２は反転増幅回路、３は高
電圧発生回路、４は抵抗（抵抗値Ｒ）、５はトランジス
タ、６はＡＰＤ、 ７は光フアイバ伝送路、８は等化
増幅回路で、この等化増幅回路８は第２図における等化
増幅回路１１に相当する。
実施例を示す構成図である０ 図において、１は制御端子、２は反転増幅回路、３は高
電圧発生回路、４は抵抗（抵抗値Ｒ）、５はトランジス
タ、６はＡＰＤ、 ７は光フアイバ伝送路、８は等化
増幅回路で、この等化増幅回路８は第２図における等化
増幅回路１１に相当する。
そして、高電圧発生回路３の出力端子に抵抗４を介して
トランジスタ５のコレクタを接続し、このトランジスタ
５のエミッタを接地し、トランジスタ５のコレクタをＡ
ＰＤ ６に接続するよう構成シ、ソのトランジスタ５０
ベース電圧でＡＰＤ６のバイアス電圧を制御するように
構成されている０つぎにこの第１図に示す実施例の動作
を第２図を参照して説明する。
トランジスタ５のコレクタを接続し、このトランジスタ
５のエミッタを接地し、トランジスタ５のコレクタをＡ
ＰＤ ６に接続するよう構成シ、ソのトランジスタ５０
ベース電圧でＡＰＤ６のバイアス電圧を制御するように
構成されている０つぎにこの第１図に示す実施例の動作
を第２図を参照して説明する。
制御端子１に印加された第２図に示すピーク検出回路１
２の出力電圧は、反転増幅回路２で反転増幅され、トラ
ンジスタ５のベースに印加される。
２の出力電圧は、反転増幅回路２で反転増幅され、トラ
ンジスタ５のベースに印加される。
このとき、トランジスタ５のＶＢ−ＩＣ％性で定まるコ
レクタ電流により、高電圧発生回路３の出力電圧をＩＣ
ＸＲ（Ｖ）電圧降下させＡＰＤ６ のバイアス電圧と
することで、ＡＰＤ６の充電流増倍率を制御している。
レクタ電流により、高電圧発生回路３の出力電圧をＩＣ
ＸＲ（Ｖ）電圧降下させＡＰＤ６ のバイアス電圧と
することで、ＡＰＤ６の充電流増倍率を制御している。
以上説明したように本発明は、高電圧発生回路の出力端
子に抵抗を介してトランジスタのコレクタ電流続し、こ
のトランジスタのエミッタを接地し、そのトランジスタ
のコレクタをＡＰＤに接続するよう構成し、トランジス
タのベース電圧を制御することでＡＰＤのバイアス電圧
を制御することによＦ）、ＡＰＤのバイアス電圧応答速
度が改善され、受光レベルの急変に対しても信号電圧振
幅を一定に保つことができる効果がある。
子に抵抗を介してトランジスタのコレクタ電流続し、こ
のトランジスタのエミッタを接地し、そのトランジスタ
のコレクタをＡＰＤに接続するよう構成し、トランジス
タのベース電圧を制御することでＡＰＤのバイアス電圧
を制御することによＦ）、ＡＰＤのバイアス電圧応答速
度が改善され、受光レベルの急変に対しても信号電圧振
幅を一定に保つことができる効果がある。
第１図は本発明によるＡＰＤバイアス電圧制御回路の一
実施例を示す構成図、第２図は一般に用いられるＡＰＤ
制御方式を示すブロック図、第３図は従来のＡＰＤバイ
アス電圧制御回路の一例を示す構成図である。 １・・・・制御端子、２・・・・反転増幅回路、３・・
・・高電圧発生回路、４・・・・抵抗、５トランジスタ
、 ＡＰＤ （アバ ランシェフォトダイオード）０
実施例を示す構成図、第２図は一般に用いられるＡＰＤ
制御方式を示すブロック図、第３図は従来のＡＰＤバイ
アス電圧制御回路の一例を示す構成図である。 １・・・・制御端子、２・・・・反転増幅回路、３・・
・・高電圧発生回路、４・・・・抵抗、５トランジスタ
、 ＡＰＤ （アバ ランシェフォトダイオード）０
Claims (1)
- 高電圧発生回路の出力端子に抵抗を介してトランジスタ
のコレクタを接続し、このトランジスタのエミッタを接
地し、前記トランジスタのコレクタをアバランシエフオ
トダイオードに接続するよう構成し、前記トランジスタ
のベース電圧で前記アバランシエフオトダイオードのバ
イアス電圧を制御せしめるようにしたことを特徴とする
ＡＰＤバイアス電圧制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63198804A JP2751229B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | Ａｐｄバイアス電圧制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63198804A JP2751229B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | Ａｐｄバイアス電圧制御回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250534A true JPH0250534A (ja) | 1990-02-20 |
| JP2751229B2 JP2751229B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=16397190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63198804A Expired - Lifetime JP2751229B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | Ａｐｄバイアス電圧制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751229B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04359479A (ja) * | 1991-06-04 | 1992-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | フォトダイオード装置 |
| FR2684506A1 (fr) * | 1991-11-29 | 1993-06-04 | Thomson Composants Militaires | Recepteur de signaux lumineux. |
| US7265333B2 (en) | 2004-08-09 | 2007-09-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light-receiving circuit |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182336A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-15 | Fujitsu Ltd | Ａｐｄ保護回路 |
| JPS6285013U (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-30 | ||
| JPS62217739A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Fujitsu Ltd | アバランシエ・ホトダイオ−ドのバイアス電圧制御回路 |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP63198804A patent/JP2751229B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182336A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-15 | Fujitsu Ltd | Ａｐｄ保護回路 |
| JPS6285013U (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-30 | ||
| JPS62217739A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Fujitsu Ltd | アバランシエ・ホトダイオ−ドのバイアス電圧制御回路 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04359479A (ja) * | 1991-06-04 | 1992-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | フォトダイオード装置 |
| FR2684506A1 (fr) * | 1991-11-29 | 1993-06-04 | Thomson Composants Militaires | Recepteur de signaux lumineux. |
| US5304793A (en) * | 1991-11-29 | 1994-04-19 | Thomson Composants Militaires Et Spatiaux | Light signal receiver with preamplification function and dual polarization means |
| US7265333B2 (en) | 2004-08-09 | 2007-09-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light-receiving circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2751229B2 (ja) | 1998-05-18 |
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