JPH04265004A - Ａｐｄバイアス電圧制御回路 - Google Patents
Ａｐｄバイアス電圧制御回路Info
- Publication number
- JPH04265004A JPH04265004A JP3025842A JP2584291A JPH04265004A JP H04265004 A JPH04265004 A JP H04265004A JP 3025842 A JP3025842 A JP 3025842A JP 2584291 A JP2584291 A JP 2584291A JP H04265004 A JPH04265004 A JP H04265004A
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- JP
- Japan
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- transistor
- apd
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Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000098 azimuthal photoelectron diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディジタル受信機に
使用されるＡＰＤバイアス電圧制御回路に関する。
使用されるＡＰＤバイアス電圧制御回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、光ファイバを用いたディジタル受
信機では、受光素子としてＡＰＤ（アバランシェ・フォ
ト・ダイオード）が広く用いられている。ＡＰＤは、バ
イアス電圧を増加させると、光入力電力を電流に変換す
る際の電流増倍率が増大する特性を有している。また、
バイアス電圧が高すぎたり、あるいは低すぎると、光波
形応答特性が急激に劣化する特性を有している。
信機では、受光素子としてＡＰＤ（アバランシェ・フォ
ト・ダイオード）が広く用いられている。ＡＰＤは、バ
イアス電圧を増加させると、光入力電力を電流に変換す
る際の電流増倍率が増大する特性を有している。また、
バイアス電圧が高すぎたり、あるいは低すぎると、光波
形応答特性が急激に劣化する特性を有している。
【０００３】ＡＰＤを用いた光受信機における従来のＡ
ＰＤバイアス電圧制御回路は、図２に示すように、高電
圧発生回路１の出力電圧を抵抗５を介してトランジスタ
６のコレクタに接続し、トランジスタ６のベース電圧を
制御して得られるエミッタ出力電圧を、ＡＰＤバイアス
電圧とする構成を有し、更にＡＧＣ回路よりの出力電圧
と、ＡＰＤバイアス電圧を抵抗で分圧した電圧を反転増
幅回路１０で増幅した電圧とのうち、高い方の電圧をレ
ベル変換回路７に与えレベル変換して、これをトランジ
スタ６のベース電圧とするようにダイオード１１，１２
を接続した構成をもつ。
ＰＤバイアス電圧制御回路は、図２に示すように、高電
圧発生回路１の出力電圧を抵抗５を介してトランジスタ
６のコレクタに接続し、トランジスタ６のベース電圧を
制御して得られるエミッタ出力電圧を、ＡＰＤバイアス
電圧とする構成を有し、更にＡＧＣ回路よりの出力電圧
と、ＡＰＤバイアス電圧を抵抗で分圧した電圧を反転増
幅回路１０で増幅した電圧とのうち、高い方の電圧をレ
ベル変換回路７に与えレベル変換して、これをトランジ
スタ６のベース電圧とするようにダイオード１１，１２
を接続した構成をもつ。
【０００４】光ファイバ伝送路１３からＡＰＤ８への受
光レベルが小さくなると、ＡＧＣ回路出力電圧が上昇し
、これに応じてＡＰＤ８のバイアス電圧が上昇してＡＰ
Ｄ８の増倍率が大きくなり、等下増幅器出力信号が一定
となるよう制御されるが、ＡＰＤ８の受光レベルが断と
なったときに、ＡＰＤ８のバイアス電圧がＡＰＤ８の光
波形応答特性を劣化させるほどまで上昇しないよう、Ａ
ＰＤ８の暗電流増倍特性によって流れるＡＰＤ電流を制
限するための、抵抗５を直列接続にある。
光レベルが小さくなると、ＡＧＣ回路出力電圧が上昇し
、これに応じてＡＰＤ８のバイアス電圧が上昇してＡＰ
Ｄ８の増倍率が大きくなり、等下増幅器出力信号が一定
となるよう制御されるが、ＡＰＤ８の受光レベルが断と
なったときに、ＡＰＤ８のバイアス電圧がＡＰＤ８の光
波形応答特性を劣化させるほどまで上昇しないよう、Ａ
ＰＤ８の暗電流増倍特性によって流れるＡＰＤ電流を制
限するための、抵抗５を直列接続にある。
【０００５】更に受光レベルが大きくなると、ＡＧＣ回
路出力電圧が低下し、これに応じてＡＰＤ８のバイアス
電圧が下がるが、光波形応答特性が劣化するほどまで低
下しないよう、反転増幅回路１０の出力電圧がダイオー
ド１１を通してレベル変換回路７に与えられるようにし
ている。
路出力電圧が低下し、これに応じてＡＰＤ８のバイアス
電圧が下がるが、光波形応答特性が劣化するほどまで低
下しないよう、反転増幅回路１０の出力電圧がダイオー
ド１１を通してレベル変換回路７に与えられるようにし
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来のＡＰＤバイ
アス電圧制御回路は、ＡＰＤバイアス電圧が最小値の状
態から受光レベルを大きくしていった場合、ＡＰＤ電流
値もこれに応じて増加していくが、抵抗５でＡＰＤ８の
最大電流値の制限を受けるので、最大受光レベルも制限
されてしまうという問題点がある。
アス電圧制御回路は、ＡＰＤバイアス電圧が最小値の状
態から受光レベルを大きくしていった場合、ＡＰＤ電流
値もこれに応じて増加していくが、抵抗５でＡＰＤ８の
最大電流値の制限を受けるので、最大受光レベルも制限
されてしまうという問題点がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のＡＰＤバイアス
電圧制御回路は、高電圧発生回路の出力電圧を抵抗を介
し第１のトランジスタのコレクタに接続しこれのベース
電圧を制御して得られたエミッタ出力電圧をＡＰＤバイ
アス電圧とする制御回路と、前記高電圧発生回路の出力
電圧を第２のトランジスタのコレクタに接続しこれらの
ベースに前記高電圧発生回路の出力電圧の分圧電圧を与
えて得られたエミッタ出力電圧をＡＰＤバイアス電圧と
するエミッタホロワ回路とを、並列接続した構成をもつ
。
電圧制御回路は、高電圧発生回路の出力電圧を抵抗を介
し第１のトランジスタのコレクタに接続しこれのベース
電圧を制御して得られたエミッタ出力電圧をＡＰＤバイ
アス電圧とする制御回路と、前記高電圧発生回路の出力
電圧を第２のトランジスタのコレクタに接続しこれらの
ベースに前記高電圧発生回路の出力電圧の分圧電圧を与
えて得られたエミッタ出力電圧をＡＰＤバイアス電圧と
するエミッタホロワ回路とを、並列接続した構成をもつ
。
【０００８】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の一実施例の回路図である。
高電圧発生回路１の出力電圧をトランジスタ２のコレク
タに接続し、トランジスタ２のベースは、高電圧発生回
路１の出力電圧を抵抗３，４で分圧した回路に接続され
ている。また高電圧発生回路１の出力電圧を抵抗５を介
してトランジスタ６のコレクタに接続し、トランジスタ
６のベースはレベル変換回路７の出力端に接続してある
。トランジスタ２，６の各エミッタを相互接続し、これ
をＡＰＤ８に接続してある。
タに接続し、トランジスタ２のベースは、高電圧発生回
路１の出力電圧を抵抗３，４で分圧した回路に接続され
ている。また高電圧発生回路１の出力電圧を抵抗５を介
してトランジスタ６のコレクタに接続し、トランジスタ
６のベースはレベル変換回路７の出力端に接続してある
。トランジスタ２，６の各エミッタを相互接続し、これ
をＡＰＤ８に接続してある。
【００１０】光ファイバ伝送路１３からのＡＰＤ８の受
光レベルが小さい場合、ＡＧＣ回路よりの出力電圧が上
昇し、これをレベル変換回路７でレベル変換して得られ
るトランジスタ６のベース電圧がトランジスタ２のベー
ス電圧よりも高くなると、トランジスタ２の方がカット
オフ状態になり、ＡＰＤ８のバイアス電圧は、トランジ
スタ６によって制御される。
光レベルが小さい場合、ＡＧＣ回路よりの出力電圧が上
昇し、これをレベル変換回路７でレベル変換して得られ
るトランジスタ６のベース電圧がトランジスタ２のベー
ス電圧よりも高くなると、トランジスタ２の方がカット
オフ状態になり、ＡＰＤ８のバイアス電圧は、トランジ
スタ６によって制御される。
【００１１】さらに、光入力が断となると、抵抗５によ
ってＡＰＤ８に自己バイアスがかかり、ＡＰＤ８のバイ
アス電圧最大値が決まる。
ってＡＰＤ８に自己バイアスがかかり、ＡＰＤ８のバイ
アス電圧最大値が決まる。
【００１２】逆に、ＡＰＤ８の受光レベルが大きくなる
と、ＡＧＣ回路出力電圧が低下し、これをレベル変換し
たトランジスタ６のベース電圧がトランジスタ２のベー
ス電圧よりも下がると、トランジスタ６の方がカットオ
フ状態になり、ＡＰＤ８のバイアス電圧は、トランジス
タ２によって制御される。トランジスタ２のベース電圧
は一定であるから、ＡＰＤ８のバイアス電圧は、ＡＰＤ
８に流れる電流とは無関係に一定値に制御される。
と、ＡＧＣ回路出力電圧が低下し、これをレベル変換し
たトランジスタ６のベース電圧がトランジスタ２のベー
ス電圧よりも下がると、トランジスタ６の方がカットオ
フ状態になり、ＡＰＤ８のバイアス電圧は、トランジス
タ２によって制御される。トランジスタ２のベース電圧
は一定であるから、ＡＰＤ８のバイアス電圧は、ＡＰＤ
８に流れる電流とは無関係に一定値に制御される。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
電圧発生回路出力を抵抗を介して第１のトランジスタの
コレクタに接続し、そのベース電圧を制御して得られた
エミッタ出力電圧をＡＰＤのバイアス電圧とする回路に
、高電圧発生回路出力を第２のトランジスタのコレクタ
に接続し、高電圧発生回路出力電圧を分圧してそのベー
ス電圧とするエミッタホロワ回路を並列に接続すること
により、光入力レベルが大きくなりＡＰＤ電流が増大し
ても、ＡＰＤに必要な電流が供給でき、ＡＰＤでの最大
受光レベルの制限を除くことができる。
電圧発生回路出力を抵抗を介して第１のトランジスタの
コレクタに接続し、そのベース電圧を制御して得られた
エミッタ出力電圧をＡＰＤのバイアス電圧とする回路に
、高電圧発生回路出力を第２のトランジスタのコレクタ
に接続し、高電圧発生回路出力電圧を分圧してそのベー
ス電圧とするエミッタホロワ回路を並列に接続すること
により、光入力レベルが大きくなりＡＰＤ電流が増大し
ても、ＡＰＤに必要な電流が供給でき、ＡＰＤでの最大
受光レベルの制限を除くことができる。
【図１】本発明の実施例の回路図。
【図２】従来のＡＰＤバイアス電圧制御回路の回路図。
１ 高電圧発生回路
２，６ トランジスタ
３，４，５ 抵抗
７ レベル変換回路
８ ＡＰＤ（アバランシェ・フォト・ダイオード
）９ 前置増幅回路 １０ 反転増幅回路 １１，１２ ダイオード １３ 光ファイバ伝送路
）９ 前置増幅回路 １０ 反転増幅回路 １１，１２ ダイオード １３ 光ファイバ伝送路
Claims (1)
- 【請求項１】 高電圧発生回路の出力電圧を抵抗を介
し第１のトランジスタのコレクタに接続しこれのベース
電圧を制御して得られたエミッタ出力電圧をＡＰＤバイ
アス電圧とする制御回路と、前記高電圧発生回路の出力
電圧を第２のトランジスタのコレクタに接続しこれらの
ベースに前記高電圧発生回路の出力電圧の分圧電圧を与
えて得られたエミッタ出力電圧をＡＰＤバイアス電圧と
するエミッタホロワ回路とを、並列接続した構成をもつ
ことを特徴とするＡＰＤバイアス電圧制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3025842A JPH04265004A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | Ａｐｄバイアス電圧制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3025842A JPH04265004A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | Ａｐｄバイアス電圧制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04265004A true JPH04265004A (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=12177106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3025842A Pending JPH04265004A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | Ａｐｄバイアス電圧制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04265004A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04359479A (ja) * | 1991-06-04 | 1992-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | フォトダイオード装置 |
| WO1994029950A1 (en) * | 1993-06-14 | 1994-12-22 | Apple Computer, Inc. | Optical coupler galvanic isolation device, and modem incorporating it |
| JP2006222495A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Olympus Corp | 光電流検出回路 |
| WO2008099507A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Fujitsu Limited | 光受信装置 |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP3025842A patent/JPH04265004A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04359479A (ja) * | 1991-06-04 | 1992-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | フォトダイオード装置 |
| WO1994029950A1 (en) * | 1993-06-14 | 1994-12-22 | Apple Computer, Inc. | Optical coupler galvanic isolation device, and modem incorporating it |
| FR2706701A1 (fr) * | 1993-06-14 | 1994-12-23 | Apple Computer | Dispositif d'isolation galvanique à optocoupleur, et modem l'incorporant. |
| JP2006222495A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Olympus Corp | 光電流検出回路 |
| WO2008099507A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Fujitsu Limited | 光受信装置 |
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