JPH04265004A - Apdバイアス電圧制御回路 - Google Patents
Apdバイアス電圧制御回路Info
- Publication number
- JPH04265004A JPH04265004A JP3025842A JP2584291A JPH04265004A JP H04265004 A JPH04265004 A JP H04265004A JP 3025842 A JP3025842 A JP 3025842A JP 2584291 A JP2584291 A JP 2584291A JP H04265004 A JPH04265004 A JP H04265004A
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- JP
- Japan
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- transistor
- apd
- circuit
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- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000098 azimuthal photoelectron diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディジタル受信機に
使用されるAPDバイアス電圧制御回路に関する。
使用されるAPDバイアス電圧制御回路に関する。
【0002】
【従来の技術】通常、光ファイバを用いたディジタル受
信機では、受光素子としてAPD(アバランシェ・フォ
ト・ダイオード)が広く用いられている。APDは、バ
イアス電圧を増加させると、光入力電力を電流に変換す
る際の電流増倍率が増大する特性を有している。また、
バイアス電圧が高すぎたり、あるいは低すぎると、光波
形応答特性が急激に劣化する特性を有している。
信機では、受光素子としてAPD(アバランシェ・フォ
ト・ダイオード)が広く用いられている。APDは、バ
イアス電圧を増加させると、光入力電力を電流に変換す
る際の電流増倍率が増大する特性を有している。また、
バイアス電圧が高すぎたり、あるいは低すぎると、光波
形応答特性が急激に劣化する特性を有している。
【0003】APDを用いた光受信機における従来のA
PDバイアス電圧制御回路は、図2に示すように、高電
圧発生回路1の出力電圧を抵抗5を介してトランジスタ
6のコレクタに接続し、トランジスタ6のベース電圧を
制御して得られるエミッタ出力電圧を、APDバイアス
電圧とする構成を有し、更にAGC回路よりの出力電圧
と、APDバイアス電圧を抵抗で分圧した電圧を反転増
幅回路10で増幅した電圧とのうち、高い方の電圧をレ
ベル変換回路7に与えレベル変換して、これをトランジ
スタ6のベース電圧とするようにダイオード11,12
を接続した構成をもつ。
PDバイアス電圧制御回路は、図2に示すように、高電
圧発生回路1の出力電圧を抵抗5を介してトランジスタ
6のコレクタに接続し、トランジスタ6のベース電圧を
制御して得られるエミッタ出力電圧を、APDバイアス
電圧とする構成を有し、更にAGC回路よりの出力電圧
と、APDバイアス電圧を抵抗で分圧した電圧を反転増
幅回路10で増幅した電圧とのうち、高い方の電圧をレ
ベル変換回路7に与えレベル変換して、これをトランジ
スタ6のベース電圧とするようにダイオード11,12
を接続した構成をもつ。
【0004】光ファイバ伝送路13からAPD8への受
光レベルが小さくなると、AGC回路出力電圧が上昇し
、これに応じてAPD8のバイアス電圧が上昇してAP
D8の増倍率が大きくなり、等下増幅器出力信号が一定
となるよう制御されるが、APD8の受光レベルが断と
なったときに、APD8のバイアス電圧がAPD8の光
波形応答特性を劣化させるほどまで上昇しないよう、A
PD8の暗電流増倍特性によって流れるAPD電流を制
限するための、抵抗5を直列接続にある。
光レベルが小さくなると、AGC回路出力電圧が上昇し
、これに応じてAPD8のバイアス電圧が上昇してAP
D8の増倍率が大きくなり、等下増幅器出力信号が一定
となるよう制御されるが、APD8の受光レベルが断と
なったときに、APD8のバイアス電圧がAPD8の光
波形応答特性を劣化させるほどまで上昇しないよう、A
PD8の暗電流増倍特性によって流れるAPD電流を制
限するための、抵抗5を直列接続にある。
【0005】更に受光レベルが大きくなると、AGC回
路出力電圧が低下し、これに応じてAPD8のバイアス
電圧が下がるが、光波形応答特性が劣化するほどまで低
下しないよう、反転増幅回路10の出力電圧がダイオー
ド11を通してレベル変換回路7に与えられるようにし
ている。
路出力電圧が低下し、これに応じてAPD8のバイアス
電圧が下がるが、光波形応答特性が劣化するほどまで低
下しないよう、反転増幅回路10の出力電圧がダイオー
ド11を通してレベル変換回路7に与えられるようにし
ている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】この従来のAPDバイ
アス電圧制御回路は、APDバイアス電圧が最小値の状
態から受光レベルを大きくしていった場合、APD電流
値もこれに応じて増加していくが、抵抗5でAPD8の
最大電流値の制限を受けるので、最大受光レベルも制限
されてしまうという問題点がある。
アス電圧制御回路は、APDバイアス電圧が最小値の状
態から受光レベルを大きくしていった場合、APD電流
値もこれに応じて増加していくが、抵抗5でAPD8の
最大電流値の制限を受けるので、最大受光レベルも制限
されてしまうという問題点がある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のAPDバイアス
電圧制御回路は、高電圧発生回路の出力電圧を抵抗を介
し第1のトランジスタのコレクタに接続しこれのベース
電圧を制御して得られたエミッタ出力電圧をAPDバイ
アス電圧とする制御回路と、前記高電圧発生回路の出力
電圧を第2のトランジスタのコレクタに接続しこれらの
ベースに前記高電圧発生回路の出力電圧の分圧電圧を与
えて得られたエミッタ出力電圧をAPDバイアス電圧と
するエミッタホロワ回路とを、並列接続した構成をもつ
。
電圧制御回路は、高電圧発生回路の出力電圧を抵抗を介
し第1のトランジスタのコレクタに接続しこれのベース
電圧を制御して得られたエミッタ出力電圧をAPDバイ
アス電圧とする制御回路と、前記高電圧発生回路の出力
電圧を第2のトランジスタのコレクタに接続しこれらの
ベースに前記高電圧発生回路の出力電圧の分圧電圧を与
えて得られたエミッタ出力電圧をAPDバイアス電圧と
するエミッタホロワ回路とを、並列接続した構成をもつ
。
【0008】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0009】図1は本発明の一実施例の回路図である。
高電圧発生回路1の出力電圧をトランジスタ2のコレク
タに接続し、トランジスタ2のベースは、高電圧発生回
路1の出力電圧を抵抗3,4で分圧した回路に接続され
ている。また高電圧発生回路1の出力電圧を抵抗5を介
してトランジスタ6のコレクタに接続し、トランジスタ
6のベースはレベル変換回路7の出力端に接続してある
。トランジスタ2,6の各エミッタを相互接続し、これ
をAPD8に接続してある。
タに接続し、トランジスタ2のベースは、高電圧発生回
路1の出力電圧を抵抗3,4で分圧した回路に接続され
ている。また高電圧発生回路1の出力電圧を抵抗5を介
してトランジスタ6のコレクタに接続し、トランジスタ
6のベースはレベル変換回路7の出力端に接続してある
。トランジスタ2,6の各エミッタを相互接続し、これ
をAPD8に接続してある。
【0010】光ファイバ伝送路13からのAPD8の受
光レベルが小さい場合、AGC回路よりの出力電圧が上
昇し、これをレベル変換回路7でレベル変換して得られ
るトランジスタ6のベース電圧がトランジスタ2のベー
ス電圧よりも高くなると、トランジスタ2の方がカット
オフ状態になり、APD8のバイアス電圧は、トランジ
スタ6によって制御される。
光レベルが小さい場合、AGC回路よりの出力電圧が上
昇し、これをレベル変換回路7でレベル変換して得られ
るトランジスタ6のベース電圧がトランジスタ2のベー
ス電圧よりも高くなると、トランジスタ2の方がカット
オフ状態になり、APD8のバイアス電圧は、トランジ
スタ6によって制御される。
【0011】さらに、光入力が断となると、抵抗5によ
ってAPD8に自己バイアスがかかり、APD8のバイ
アス電圧最大値が決まる。
ってAPD8に自己バイアスがかかり、APD8のバイ
アス電圧最大値が決まる。
【0012】逆に、APD8の受光レベルが大きくなる
と、AGC回路出力電圧が低下し、これをレベル変換し
たトランジスタ6のベース電圧がトランジスタ2のベー
ス電圧よりも下がると、トランジスタ6の方がカットオ
フ状態になり、APD8のバイアス電圧は、トランジス
タ2によって制御される。トランジスタ2のベース電圧
は一定であるから、APD8のバイアス電圧は、APD
8に流れる電流とは無関係に一定値に制御される。
と、AGC回路出力電圧が低下し、これをレベル変換し
たトランジスタ6のベース電圧がトランジスタ2のベー
ス電圧よりも下がると、トランジスタ6の方がカットオ
フ状態になり、APD8のバイアス電圧は、トランジス
タ2によって制御される。トランジスタ2のベース電圧
は一定であるから、APD8のバイアス電圧は、APD
8に流れる電流とは無関係に一定値に制御される。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
電圧発生回路出力を抵抗を介して第1のトランジスタの
コレクタに接続し、そのベース電圧を制御して得られた
エミッタ出力電圧をAPDのバイアス電圧とする回路に
、高電圧発生回路出力を第2のトランジスタのコレクタ
に接続し、高電圧発生回路出力電圧を分圧してそのベー
ス電圧とするエミッタホロワ回路を並列に接続すること
により、光入力レベルが大きくなりAPD電流が増大し
ても、APDに必要な電流が供給でき、APDでの最大
受光レベルの制限を除くことができる。
電圧発生回路出力を抵抗を介して第1のトランジスタの
コレクタに接続し、そのベース電圧を制御して得られた
エミッタ出力電圧をAPDのバイアス電圧とする回路に
、高電圧発生回路出力を第2のトランジスタのコレクタ
に接続し、高電圧発生回路出力電圧を分圧してそのベー
ス電圧とするエミッタホロワ回路を並列に接続すること
により、光入力レベルが大きくなりAPD電流が増大し
ても、APDに必要な電流が供給でき、APDでの最大
受光レベルの制限を除くことができる。
【図1】本発明の実施例の回路図。
【図2】従来のAPDバイアス電圧制御回路の回路図。
1 高電圧発生回路
2,6 トランジスタ
3,4,5 抵抗
7 レベル変換回路
8 APD(アバランシェ・フォト・ダイオード
)9 前置増幅回路 10 反転増幅回路 11,12 ダイオード 13 光ファイバ伝送路
)9 前置増幅回路 10 反転増幅回路 11,12 ダイオード 13 光ファイバ伝送路
Claims (1)
- 【請求項1】 高電圧発生回路の出力電圧を抵抗を介
し第1のトランジスタのコレクタに接続しこれのベース
電圧を制御して得られたエミッタ出力電圧をAPDバイ
アス電圧とする制御回路と、前記高電圧発生回路の出力
電圧を第2のトランジスタのコレクタに接続しこれらの
ベースに前記高電圧発生回路の出力電圧の分圧電圧を与
えて得られたエミッタ出力電圧をAPDバイアス電圧と
するエミッタホロワ回路とを、並列接続した構成をもつ
ことを特徴とするAPDバイアス電圧制御回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3025842A JPH04265004A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | Apdバイアス電圧制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3025842A JPH04265004A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | Apdバイアス電圧制御回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04265004A true JPH04265004A (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=12177106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3025842A Pending JPH04265004A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | Apdバイアス電圧制御回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04265004A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04359479A (ja) * | 1991-06-04 | 1992-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | フォトダイオード装置 |
WO1994029950A1 (en) * | 1993-06-14 | 1994-12-22 | Apple Computer, Inc. | Optical coupler galvanic isolation device, and modem incorporating it |
JP2006222495A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Olympus Corp | 光電流検出回路 |
WO2008099507A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Fujitsu Limited | 光受信装置 |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP3025842A patent/JPH04265004A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04359479A (ja) * | 1991-06-04 | 1992-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | フォトダイオード装置 |
WO1994029950A1 (en) * | 1993-06-14 | 1994-12-22 | Apple Computer, Inc. | Optical coupler galvanic isolation device, and modem incorporating it |
FR2706701A1 (fr) * | 1993-06-14 | 1994-12-23 | Apple Computer | Dispositif d'isolation galvanique à optocoupleur, et modem l'incorporant. |
JP2006222495A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Olympus Corp | 光電流検出回路 |
WO2008099507A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Fujitsu Limited | 光受信装置 |
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