JPH0249776A - 有機合成上有用な保護試薬、保護方法および脱保護方法 - Google Patents

有機合成上有用な保護試薬、保護方法および脱保護方法

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JPH0249776A
JPH0249776A JP63200603A JP20060388A JPH0249776A JP H0249776 A JPH0249776 A JP H0249776A JP 63200603 A JP63200603 A JP 63200603A JP 20060388 A JP20060388 A JP 20060388A JP H0249776 A JPH0249776 A JP H0249776A
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JP
Japan
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group
nitro
protecting
compound
deprotection
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JP63200603A
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English (en)
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Takayuki Ito
孝之 伊藤
Takeki Nakamura
剛希 中村
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の分野) 本発明は有機合成上有用な新規な保護試剤とこれを用い
る保護方法、更にその脱保護方法に関する。
(従来技術) p K a / j以下のプロトン酸、例えばフエノー
ノヘ チオフェノール、スルフィン酸、カルボン酸など
は、酸化剤、求電子試薬、アルキル化剤、アシル化剤と
容易に反応するために、有機合成上しばしば保護する必
要が生じる。一般にこれらのプロトン酸は、塩基存在下
、アルキル化またはアシルハライドあるいは酸無水物と
反応させてエーテルあるいはエステルとして保護される
。このようにして保護されたエーテルあるいはエステル
は通常水酸イオンや水素イオンを用いる加水分解反応に
より脱保護される。しかし、酸あるいはアルカリによっ
て損なわれやすいような化合物や官能基が分子内に共存
する場合、従来の酸、アルカリによる加水分解反応は適
用できない場合が多い。また、上記のような一゛)的な
エーテルあるいはエステルとして保護された保護生成物
は強酸あるいは強塩基性条件下では不安定であるという
欠点も合わせ持つ。
酸、アルカリによる加水分解を用いないで脱保護出来る
場合も数多く知られている。フェノール類を例にとると
、メチル基で保護したアリールメチルエーテルは、ヨウ
化トリメチルシラン、ナトリウムベンジルセレニドなど
の求核剤あるいは三臭化アルミニウムや三臭化ホウ素な
どのルイス酸等によって脱保護される。また、ベンジル
基で保護されたアリールベンジルエーテルはパラジウム
触媒存在下、水素添加により脱保護される。さらに、タ
ーフルオレンカルボン酸との縮合で得られたアリール−
ターフルオレンカルボキシラードは光照射によって脱保
護される。カルボン酸よシ誘導されたカルボン酸エステ
ルも上記と同様の方法で脱保役される例が報告されてい
る。これらの例としては、例えば、J、F、W、マコー
ミ−(J。
F”、W、 Mcomie)編プロテクテイヅ グルー
プス イン オーガニック ケミストリー(Prote
ctive Groups in OrganicCh
emistry)プレナムプレス出版社(NewYor
k) (London) /273年版とT、W。
Green (T、W、 Green)著プロテクテイ
ブ グループス イン オーガニック シンセシス(P
rotective Groups  in Orga
nicSynthsis)ウィリーインサイエンス出版
社(New York) /2g/年版に詳しく記述さ
れている。これらの、酸、アルカリ条件下での加水分解
反応による脱保護を必要としない保護基は非常に有用な
場合もある。しかしながら、保護基としての基本的な条
件、すなわち、保護が容易にかつ選択的に行うことが出
来る、保護された化合物が目的とする反応条件下で安定
である、脱保護が穏和な条件下で選択的に行うことが出
来る等をすべて満たしているとは言いがたく、何らかの
欠点を持っている。これらの欠点を相補うことの出来る
新規な保護基の開発は有機合成上価値あることである。
(発明の目的) 本発明の第一の目的は、pKaが15以下のプロトン酸
を穏和な条件下で容易に保護可能で弱塩基性から酸性条
件下まで広い範囲において安定な化合物を形成し、しか
も、非常に穏和な条件下(中性条件下、還元的あるいは
光照射下)で他の官能基を損なうことなく脱保護可能な
保護基を提供することにある。
本発明の第二の目的は、pKazt以下のプロトン酸を
穏和な条件下で保護する方法を提供することにある。
本発明の第三の目的は、保護されたp K a / j
以下のプロトン酸を穏和な条件下脱保護する方法を提供
することにある。
(発明の構成) 上記の目的は、下記一般式(I)で表される保護試剤に
よって達成される。
一般式(1) 一般式(1)において、Xはハロゲン原子またはスルホ
ニルオキシ基でアル。スルホニルオキシ基の例としては
、パラトルエンスルホニルオキシ基、パラブロモベンゼ
ンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、ト
リフルオロメタンスルホニルオキシ基等が挙げられる。
R1、R2はそれぞれ、水素原子またはその他の置換基
を表すが R1、R2の少なくとも一方はニトロ基で置
換されたアリール基あるいは複素環基を表す。
R1およびHの好ましい例について述べる。
ニトロ基によって置換されたアリール基としては、例エ
バ、≠−ニトロフェニル基、コーニトロフェニル基、コ
ーニトロー弘−N−メチル−N −n −オクチルスル
ファモイルフェニル基、λ−ニトロ−a−N−メチル−
N−n−ヘキサデシルスルファモイルフェニル基、λ−
ニトロー≠−N−メチルーN−(J−カルボキシプロピ
ル)スルファモイルフェニル基、λ−ニトロー≠−N−
エチルーN−(、z−スルホエチル)スルファモイルフ
ェニル基、i−二トロー≠−N−n−ヘキvf シル−
N−(J−スルホプロピル)スルファモイルフェニル基
、2−ニトロ−≠−N−(2−シアノエチル)−N−(
(2−ヒドロキシエトキシ)エチル)スルファモイルフ
ェニル基、コーニトロー≠−ジエチルスルファモイルフ
ェニル基、λ−ニトロー≠−シーn −iチルスルファ
モイルフェニル基、2−ニトロ−≠−ジーn−オクチル
スルファモイルフェニル基、λ−ニトロー≠−メチルス
ルファモイルフェニル基、λ−ニトロー≠−n−ヘキサ
デシルスルファモイルフェニル基、λ−ニトロ≠−N−
メfルーN−(≠−ドデシルスルホニルフェニル)スル
ファモイルフェニル基、ローニトロ−≠−(3−メチル
スルファモイルフェニル)スルファモイルフェニルL 
a−二トロー2−N−メチル−N −n−ドデシルスル
ファモイルフェニル基、≠−ニトローコーN−メチルー
N −n −オクタデシルスルファモイルフェニル基、
it−ニトロ−λ−ジエチルスルファモイルフェニル基
、≠−ニトローコージ=n−オクタデシルスルファモイ
ルフェニル基、コーニトロー≠−クロロフェニル基、コ
ーニトロ=≠−N−メチル−N−n−ブチルカルバモイ
ルフェニル基、−一二トロー弘−N−メチル−N−(J
−カルボキシプロピル)カルバモイルフェニル基、2−
ニトロ−≠−ジエチルカルバモイルフェニル基、コーニ
トロー≠ジーn−オクチルカルバモイルフェニル基、λ
−ニトロー≠−メチルカルバモイルフェニル基、コニド
ロー弘−n−ヘキサデシルカルバモイルフェニル基、λ
−ニトロー≠−N−メチルーN −(4L−ドデシルス
ルホニルフェニル)カルバモイルフェニル基、≠−ニト
ローu−N−メfルーN−n −−/チルカルバモイル
フェニル基、≠−ニトローx−N−メ5−ルーN −n
−オクチルカルバモイルフェニル基、≠−ニトローλ−
N−メチルーN−n−ヘキサデシルカルバモイルフェニ
ル基、μmニトロ−5−N−エチル−N−(ロースルホ
エチル)カルバモイルフェニル基、クーニトロ−1−n
−ヘキサデシルカルバモイルフェニル基、≠−ニトロー
2−N−、、+チルーN−(弘−ドデシルスルホニルフ
ェニル)カルバモイルフェニル基、λ−ニトロー≠−メ
タンスルホニルフェニル基、−m;トロー+−n−ドデ
カンスルホニルフェニル基、λ−ニトロー≠−(+2−
スルホエテルスルホニル)フェニル基、λ−ニトローグ
ーカルボキシメチルスルホニルフェニル基、!−二トロ
ー≠−カルボキシフェニル基、λ−ニトロー≠−エトキ
シカルボニル−r−n−ブトキシフェニル基、コーニト
ロー≠−エトキシカルボニル−j−n −ヘキサデシル
オキシフェニル基、!−ニトロー≠−ジエチルカルバモ
イル−j−n−ヘキサデシルオキシフェニル基、コーニ
トロー≠−シアノ=j−n−ドデシルフェニル基、λ、
≠−ジニトロフェニル基、−m;トローIf −n −
デシルチオフェニル基、3.j−ジニトロフェニル基、
ノーニトロ−3,j−ジメチル−≠−n−ヘキサデカン
スルホニルフェニル基、≠−ニトローコーメタンスルホ
ニルフェニル基、≠−ニトロー、2− n −)”デカ
ンスルホニルフェニル基、弘−ニトロ一一−(ロースル
ホエチルスルホニル)フェニル基、≠ニトローλ−力ル
ボキシメチルスルホニルフェニル基、≠−ニトローコー
カルポキシフェニル基、弘−ニトローコーエトキシ力ル
ボニル−t−nヘキサデシルオキシフェニル基、≠−ニ
トロー2ジエチルカルバモイル−!−n−ヘキサデシル
オキシフェニル基、≠−ニトローーーシアノーよ−n−
ドデシルフェニル基、≠−ニトロー2−n−テシルチオ
フェニル基、≠−ニド0−3.!−ジメチルー2− n
−ヘキサデカンスルホニルフェニル基、弘−ニトロナフ
チル基、r、≠−シニト0−)−フテル基、弘−ニドロ
ース−ジオクチルカルバモイル−z−(J−スルホベン
ゼンスルホニルアミノ)ナフチル基、λ−ニトロー≠−
ペンソイルフェニル基、≠−ニトロー2−1Jフルオロ
メチルフェニル基、λ−ニトロー!−)!フルオロメチ
ルフェニル基、弘−ニドロー3−トリフルオロメナルフ
ェニル基、λ−ニトロー5−n−オクタデシルオキシフ
ェニル基、λ−ニトローa−N−(ヒニルスルホニルエ
チル)−N−メチルスルファモイルフェニル基などが挙
けられる。
ニトロ基によって置換された複素環基の好ましい例とし
ては、例えばよ−二トロー2−ピリジル基、!−二トロ
ーN−ヘキサデシルカルバモイル−2−ピリジル基、弘
−ニトロチオフェン−ローイル基、λ−メチルー6−二
トロベンツオキサゾールーj−(ル基、!−ニトロー2
−フリル基、j−ニトロベンツチアゾール−1−イル基
flト−1)1挙げられる。
ニトロ基で置換されたアリール基、ニトロ基で置換され
た複素環基以外のR1、R2にふされしい基としては次
のような基が挙げられる。
アルキル基、アラルキル基。例えば、メチル基、トリフ
ルオロメチル基、ベンジル基、クロロメチル基、ジメチ
ルアミノメチル基、エトキシカルボニルメチル基、アミ
ノメチル基、アセチルアミノメチル基、エチル基、ロー
(弘−ドデカノイルアミノフェニル)エチル基、カルボ
キシエチル基、アリル基、3,3.3−)リクロロプロ
ビル基、n−プロピル基、1so−プロピル基、n−ブ
チル基、1so−ブチル基、5ec−ブチル基、t−ブ
チル基、n−ペンチル基、3ec−ペンチルg、t−−
<メチル基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、5e
C−ヘキシル基、t−ヘキシル基、シクロヘキシル基、
n−オクチル基、5ec−オクチル基、t−オクチル基
、n−デシル基、n −ウンデシル基、n−ドデシル基
、n−テトラデシル基、n−にンタデシル基、n−ヘキ
サデシル基、5ec−ヘキサデシル基、L−ヘキサデシ
ル基、n−オクタデシル基、L−オクタデシル基、など
)アルケニル基(置換されてもよいアルケニル基。
例えば、ビニル基、λ−クロロビニkL/−メチルビニ
ル基、λ−シアノビニル基、シクロヘキセン−/−イル
基、など) アルキニル基(置換されてもよいアルキニル基。
例えば、エチニル基、/−プロピニル基、コーエトキシ
カロボニルエテニル基、ナト) アリール基(置換されてもよいアリール基。例えば、フ
ェニル基、ナフチル基、3−ヒドロキシフェニル基、3
−クロロフェニル基、≠−アセチルアミノフェニル基、
弘−ヘキサデカンスルホニルアミノフェニル基、コーメ
タンスルホニルー≠ニトロフェニル基、3−ニトロフェ
ニル基、弘−メトキシフェニル基、弘−アセチルアミノ
フェニル基、≠−メタンスルホニルフェニル基、λ。
t−ジメチルフェニル基、グーテトラデシルオキ7フエ
ニル基、など)、 複素環基(H,換されてもよい複素環基。
/−イミダゾリル基、λ−フリル基、x−e、7ンル基
、j−二トロー2−ピリジル基、3−eリミシル基、3
.!−ジシアノーλ−ピリジル基、!−テトラゾリル基
、j−フェニル−/−テトラゾリル基、コーペンノチア
ゾリル基、−一ベンツイミダゾリル基、λ−ペンツオキ
サシリル基、ローオキサゾリン−2−イル基、モルホリ
ノ基、など)、アシル基(置換されてもよいアシル基。
例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチロイル基、
1so−ブチロイル基、λ、2−ジメチルプロピオニル
基、ベンゾイル基、j、≠−ジクロロベンゾイル基、3
−アセチルアミノ−グーメトキシベンゾイル基、≠−メ
チルベンゾイル基、弘−メトキシ−3−スルホベンゾイ
ル基、なト)、スルホニル基(置換されてもよいスルホ
ニル基。
flJ、tハ、メタンスルホニル基、エタンスルボニル
基、クロルメタンスルホニル基、フロパンスルボニル基
、メタンスルホニルL  n−オクタンスルホニル基、
n−ドデカンスルホニル基、n−ヘキサデカンスルホニ
ル基、ベンゼンスルボニル基、≠−トルエンスルホニル
基、≠−n−ドデシルオキシベンゼンスルホニル基、な
ト)、 力k パモイ/+4(fil換されてもよいカルバモイ
ル基。例エバ、カルバモイル基、メチルカルバモイル基
、ジメチルカルバモイル基、ビス−(2−メトキシエチ
ル)カルバモイル基、ジメチルカルバモイル基 −n−オクチルカルバミル基、3−ドデシルオキシプロ
ピルカルバモイル基、ヘキサデシルカルバモイルL 3
−(、z、<z−ジ−t−ペンチルフェノキシ)プロピ
ルカルバモイル基、3−オクタンスルホニルアミノフェ
ニルカルバモイルL ジ−n−オクタデシルカルバモイ
ル基、など)モイル基。例えば、スルファモイル基、メ
チルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、ジ
エチルスルファモイル基、ビス−(λ−メトキシエチル
)スルファモイル基、ジーn−−jチルスルファモイル
基、メチル−n−オクチルスルファモイル基、n−ヘキ
サデシルメチルスルファモイル基、3−エトキシプロビ
ルメチルスルファモイルス&、N−フェニル−N−メチ
ルスルファモイル基、’l−デシルオキシフェニルスル
ファモイル基、メチルオクタデシルスルファモイル基、
など)。
さらに、本発明の内容を詳細に説明するために、以)に
、本発明で用いられる保護試薬について第1表及び第2
表に具体例を示すが、本発明の内容本発明の一般式(1
)で表される保護試剤は−反応させることによって容易
にクロロメチル体般的にスキーム(I)のように合成す
ることが出   (1)を得ることが出来る。
来る。                      
 具体的合成例を次に示す。
(n) (III) すなわち、ハロゲン原子など置換容易な基を導入したR
1−Y(Yは離脱基)を3−ヒドロキシイソオキサゾー
ル(n)で求核置換反応を行うことによって得られた中
間体(I[l)を塩化亜鉛存在下、パラホルムアルデヒ
ドおよび塩化水素ガスと一ルの合成 標記化合物は以下の文献、特許に記載の方法を参考にし
て容易に合成することが出来る。
三共研究所年報、2.2巻、−/!頁(/り70)、特
公昭j2−タA7j号、プラタン ド ラ ソシエテ 
ケミク ド フランセ(Bulletln dela 
5ociete Chimique de Franc
e)/77.8′頁、特開昭77−20乙A4.r号、
同!7−201667号、テトラヘドロン (Te trahedron )、20巻、2g3!頁
(/りa+)、特開昭31−/91AIA7号、同j7
−7(#7r号、特公昭≠デー≠了り53号、特開昭!
ター/り0り77号、ジャーナル オブ オルガニック
 ケミストリー(Journal ofOrganic
 Chemistry)、t、tr巻、41307頁(
/り13年)、Chemical andPharrn
aceutical Bulletin、 / p巻、
277頁、Heterocycles、  / 2巻、
10号、l+2り7頁、カナデアン ジャーナル オブ
 ケミスト リ − (Canadian  Jour
nal   ofChemistry)、l+2巻、/
り4Ao頁、特開昭jターjO/り07号。
例−/r−t−ブチル−3−ヒドロキシインオキサゾー
ルの合成 ヒドロキシルアミン塩酸塩!13.7gを≠N水酸化ナ
トリウム水溶液、21Jツトルに溶解し、水冷下エタノ
ールλリットルを添加し、さらにμN水酸化ナトリウム
ーエタノール(/:/)混合溶液を加えて溶液のpHを
io、oK調節した。この溶液にピバロイル酢酸エチル
エステル73tOgと≠N水酸化ナトリウム水溶液−エ
タノール(i:i)混合溶液を反応溶液のpHが10.
0士0.2、温度がo−r 0cK調節して滴下した。
滴下終了後、室温で2時間攪拌したのち、OoCの濃塩
酸水4kgに注ぎ/−時間放置した。析出した結晶を1
取し、十分に水洗したのち乾燥した。
収量770 g、収率6g、2%、融点り7−/Q/ 
0C 例−λ N−ヘキサデシル−3−二トロー≠−クロロベ
ンゼンスルホンアミドの合成 ♂00gtD3−ニトローμmクロルベンゼンスルホニ
ルクロリドと10100Oのジクロロメタンを混合し、
これにヘキサデシルアミンl、 00 g。
トリエチルアミン2 j / mlのジクロロメタン溶
液を滴下した。反応終了後この反応溶媒を減圧留去し3
000mlのメタノールを加え加熱し溶解しだ後ゆっく
り冷却すると結晶が析出した。この結晶を沢取し乾燥し
た。
収量ioiog、収率11fv、融点9/−93例−3
N−メチル−N−ヘキサデシル−3−二トローμmクロ
ロベンゼンスルホン アミドの合成 N−ヘキサデシル−3−ニトロー≠−クロロベンゼンス
ルホンアミド/70gをアセトン6≠Omlに溶解し、
炭酸カリウム79g、ポリエチレングリコール≠00 
4ml、ジメチル硫酸7/gを加え5時間加熱還流した
。これにアセトンコtAomlを加えtpo 0cで水
r70mlを滴下し室温まで冷却すると結晶が析出した
。結晶をP取し、水、メタノールで洗い乾燥した。
収1に767g1収率り7%、融点74L−7t0c例
−≠ 1−1−ブチル−2−(≠−N−メチルーN−ヘ
キサデシルスルファモイル ーコーニトロフェニル)≠−イソオキ サゾリンー3−オンの合成 N−メfルーN−ヘキサデシルー3−ニトロ−≠−クロ
ロベンゼンスルホンアミド≠70g、!−も一ブチルー
3−ヒドロキシイソオキサゾール/62g1炭酸カリウ
ムitrg、ジメチルスルホキシド/、21を混合しl
t’cで6時間反応した。反応液を氷水に注ぎ析出した
結晶をP取し、水洗後乾燥した。
収量j71rg、収率100%、融点67−乙rC eAJ−zs−t−ブチル−弘−クロロメチル−λ−(
グーN−メチル−N−ヘキサデ シルスルファモイル−2−二トロンエ ニル)−弘−イソオキサゾリン−3− オンの合成 j−t−ブチル−5−(+−N−ヘキサデシルスルファ
モイル−λ−二ト口フェニル)−4’−イソオキサゾリ
ン−3−オンj!Og、塩化亜鉛200g、ノeラホル
ムアルデヒド200 g、酢酸l。
!lを混合し、塩化水素ガスを吹き込みながら10時間
加熱還流した。冷却後、反応液を水にあけ、析出した結
晶をr取し、アセトニトリル−メタノール(/:<t)
混合溶媒より再結晶した。
。収量zrjg、収率り乙チ、融点!6 °C一般式C
1)で表される保護試剤によって容易に保護可能な基I
Xは一般的に(IV)で表される様なpKa15以下の
プロトン酸である。
一般式(IV) 5−A−H Aは酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含む原子団(−N
−)、スルホニル基、スルフィニル基、リン原子を含む
基C−P(=0)−E等が挙げられる。
R5dアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アル
キニル基、アシル基、アリール基、複素環基を表わす。
本発明において、一般式(I)で表される保護試剤によ
って一般式(■)が容易に保護され安定な化合物を形成
し、また、中性条件下で還元的にあるいは光照射下に容
易に脱保護可能であるためには、一般式(IV)で表さ
れるプロトン酸のpKa値が/夕以下であり、さらに好
ましくは73以下である。本発明の保護基は、還元(還
元剤による還元のみならず光による還元も含む)によっ
てまず窒素、酸素間の一重結合が開裂し、この後に起こ
る脱離反応によって脱保護が完了するが、pKaが高い
プロトン酸ではこの脱離反応の速度が遅くなる。保護さ
れるプロトン酸の好ましいpKaの範囲は以上のような
物性から要請されるものであるが、脱保護速度の許容範
囲が充分に犬きく出来る場合においては、さらにp K
 aの高いものにも適用することができる。またアミン
基等のようにオニウムを形成可能の基はいったん窒素、
酸素間の結合を切断したのちに、酸性条件下で脱離反応
を行い効果的に脱保護を行うことも出来る。
但し、本発明の中で用いられているpKa値、即ち酸解
離定数の対数の概念は大木通則著「酸と塩基」(培風館
/り76年)ij−2o頁に記載されている概念による
以下に本発明の保護試剤〔一般式(I)〕による被保護
基質〔一般式(■)〕の一般的な保護及び脱保護方法に
ついて述べる。
(1)  −船釣保護方法 (り (2)−船釣脱保鰻方法 rζ1 (V) 塩基として炭酸カリウム(1,/当量)を用い、−轟蓋
の(1)と(■)をアセトン還流条件下で反応させるこ
とにより保護生成物(V)が得られる。溶媒はD M 
F 、 D M S O、D M A cなどでも良い
が、この場合には反応温度はjo 0C以下が好ましい
。−まだ、触媒量の四級アンモニウム塩やトリス(メト
キシエトキシエチル)アミンあるいはポリエチレングリ
コール等の添加は反応を促進させる効果が1おる。Xが
フッ素、塩素、臭素原子の場合には触媒量のヨウ化す)
 IJウムを添加することも反応を促進する。
(■) (■) (但し Rpま一般式(V)の化合物を用いて行なった
所定の反応の結果R5が変化してできる基を表わす) 保護された反応生成物(M)は穏和な条件下、実質的中
性条件下還元剤による窒素−酸素結合の開裂に伴う炭素
−A結合の切断、あるいは光照射による窒素−酸素結合
の開裂に半う炭素−A結合の切断によって容易に脱保護
される。後者の場合、公知の光還元剤を併用することも
できる。
脱保護条件(a) 適当な溶媒(アセトニトリル、DMF(ジメチルホルム
アミド)、THF(テトラヒドロフラン)、ジエチルニ
ー戸ル等、あるいはこれらと水もしくはアルコール系溶
媒との混合溶媒でもよい)に(■)及び適当な還元剤を
溶解し、適当な温度(−7J”C〜十10Q0C程度が
好ましい。)で攪拌することによって、脱保護される。
脱保護速度が遅い場合は、反応温度を上げるか、または
、(〜1)がアルカリ条件下で安定な化合物の場合には
、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基あるいは炭
酸カリウム、重炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム等の
無機塩基を添加して溶液のpHを上げることによって脱
保護速度を加速することができる。
還元剤はNa2SO3、N a HS O3、H3Pな
どの無機化合物であっても、アルキルアミン、アリール
アミン、アルキルメルカプタン、アリールメルカプタン
、あるいは、アルキルホスフィン、アリールホスフィン
などの有機化合物であってもよいが、下記の一般式(■
)で表わされるケンダールーハルツ式(Kendal−
Pelz式)に従う化合物が好ましい。
一般式(■) Qt−+α=βヤQ2 いは−8−8ubを表わす。
nはOからrまでの整数を表わし、n−0の時−殺伐(
■)はQl−Q2である。
Sub α、βは−C= あるいは−N−を表わし、nがλよシ
太きいとき、子α1=β1+樟α2=β2+・・・・・
・のαl、α2、β1、β2・・・・・・は異っていて
もよい。
Subは水素原子、またはその他のIt換基を表わす。
またQlとQ2、Qlとαまたはβ、Q2とαまたはβ
とで複素環を形成していてもよい。
その例としては、ノ・イドフキノン類、アミンフェノー
ル類、カテコール類、p−フエニレンジアミノ類、3−
ピラゾリジノン類、アスコルビン酸、グーアミノ−よ−
ピラゾロン類等が挙げられる他、T、H,James著
、−The  theory of  thephot
ographic process’ ≠Hi、 Ed
、  +2り/〜33≠ば一ジに記載の還元剤も利用で
きる。
脱保護条件(b) 脱気したイソプロパツールあるいはエタノール−アセト
ニトリル(/:/)混合溶媒に(Vl)及び0.0j当
菫の7エプンスレンキノンをftjWし、窒素雰囲気あ
るいはアルゴン雰囲気下で、パイレックスガラス反応容
器中、攪拌しながら可視光(iooWt球)を照射する
ことにより脱保護される。
光還元剤としては上記のフェナンスレキノンの他に次の
ものを用いることができる。
ベンゾフェノン、λ−メトキシベンゾフェノン、コーメ
チルベンソフエノン、λ−クロロベンツフェノン、λ、
3−ジクロロベンゾフェノン、2゜r−シー t e 
r t−ブチルベンゾフェノン、コ。
!−ジクロロベンゾフェノン、2.J、t−1リメチル
ベンゾフエノン、!、t−ジメザルベンゾフエノン、コ
、6−ジクロロベンゾフェノン、−9J、!、6−チト
ラクロロベンゾフエノ/、λ。
3−ジクロロ−よ、乙−ジシアノ−ベンゾフェノン、≠
、≠’−N、N、N’、N’−テトラキスメチルジアミ
ノベンゾフェノン、ベンゾフェノン−3,3’、≠ 4
Z/−テトラカルボ゛ン酸無水物、3゜j’、4’、F
’−テトラメトキシベンゾフェノン、ギサントン、チオ
キザントン、−一クロロチオキサントン、!−エチルア
ントラキザ7トン、ナフトキノン、2−メチルナフトキ
ノン1.23−ジクロロナフトキノン、−一アミノー3
−タロロナフトキノ/、−一クロロー3−メチルナフト
キノン、フルオレノン1.!17−ジニトIフフルオレ
ノン、アントロ/、アンスラキノン、アンスラキノン−
2−スルホン酸ナトリウム、2−メチルfンスラキノン
、コーアセトアンスラキノン、2−を−ブチルアンヌラ
キノン、/、タージクロロアンスラキノン、2−アミノ
−アンスラキノン、/≠グーアミノアンスラキノン、λ
−クロロアンスラキノン、アンスラキノン−/、j−ジ
スルホン酸すトリウム、アセナフテンキノン、アンタン
トロンなどが挙げられる。
照射する光は可視光に限らないが、光還元剤として上記
のような芳香族ケトンあるいはキノン類を用いる場合に
は、それらのn→π*吸収帯を含むものが好ましい。
(発明の効果) 本発明における保護試薬および保護方法は、基本的には
、プロトン酸をアルキルハライドを用いて保護する場合
と同じと考えてよい。従って保護試薬(1)を用いて保
護された生成物は酸性領域においては一般的なアルキル
ハライド(例えばMeI)を用いて保護されたエーテル
あるいはエステルなどと同様に非常に安定と考えてよい
(アルカリ領域、特に強アルカリ条件では、イソオキサ
シロン環が加水分解を受けやすいので注意を要する。) 保護試薬(I)を用いる場合の最大のメリットは脱保護
が非常に穏和な条件で進行することにある。もちろん、
−船釣な酸またはアルカリ条件下での加水分解による脱
保護あるいは、BBr3、AlBr3、Me3SiI等
のルイス酸を用いる脱保護も可能である。しかし、同−
基質内に他の官能基が存在する場合、これらの条件を使
うことができない場合は珍らしくない。これに対し、本
発明の保護方法ではほぼ中性条件下で適当な還元剤を用
いるか、あるいは触媒量の光還元剤存在下光照射するだ
けで容易に脱保護が可能であり、有機合成への応用は多
岐にわたると期待できる。
本発明の効果を具体的に示すために次の実施例を挙げる
実施例/ λ、6−シメチルー!−ヒドロキシベンゾオキサゾール
への選択的保護基の導入及び選択的脱保護。
CH3 0へ■ CONHC16H33 0λ、2−ジメチル−!−ヒドロキシベンゾオキサゾー
ルの水酸基の保護反応t 7セト72.90m1VCj−t−ブチル−グークロロ
メチル−r−(a−N−ヘキサデシルカルバモイルーコ
一二ト口フェニル)−4=−1ソオキサゾリン−3−オ
ンjOg、λ、t−ジメチル−!−ヒドロキンベンゾオ
キサゾール/lLt、7gを混合し、さらに炭酸カリウ
ム/3−1gz  ヨウ化ナトリウム3.0g、トリス
(メトキシエトキシエチル)アミン/、Omlを加え3
時間加熱還流した。冷却後反応混合物に水を注ぎ、酢酸
エチルを加え抽出したのち、有機層を無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。つぎに溶媒を減圧留去したのち、残渣を
カラムクロマトグラフィーにより分離生成した。
収量j7.&g   収率り5% Oオキサゾールの開環反応: ! −t −ブナルーク
ー(λ−メチルー≠−ヒドロキシーよ一アミノ)−フェ
ノキシメチル−λ−(<z−N−ヘキサデシカルバモイ
ル−2−ニトロフェニル)−弘一イソオキサゾリンー3
−オン塩酸塩の合成;エタノール1100m1K230
と7.2N塩酸水溶液/!mlを混合し、10時間加熱
還流した。
冷却後撹拌しなから水somlをゆっくり添加すると結
晶化した。析出した結晶をf取しエタノールで洗浄した
のち乾燥した。収量λ4、.2g収率rj% at−t−ブチル−弘−(2−メチル−≠−ヒドロキシ
ー! −N −B o cアミノ)−フェノキシメチル
−,2−(+−N−ヘキサデシルカルバモイル−λ−ニ
トロフェニル)−q−イソオキサゾリン−3−オングの
合成; 酢酸エチル100m1に3 ユQg、)リエチルアミン
≠、omlz  ジブトキシジカーボ′ネートr、rg
を混合し、2j0Cでg時間攪拌した。
反応混合物に食塩水を加え、酢酸エチルで抽出したのち
無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧留去したの
ち残渣をカラムクロマトグラフィーにより分離精製した
収率t’y、rg   収率t3% oj−t−フチルー≠−(2−メチル−弘−アセトギシ
ー3−N−B o cアミノ)−フェノキ7メチルーλ
−(≠−N−ヘキサデシルカルバモイル−2−ニトロフ
ェニル)−μmインオキサソリンー3−オン !■合成
; −7tトニトリル200m1 K +1  / / 、
、2g。
ピリジンli、0m1l、  無水酢酸≠、Omlを加
えr、r 0cで5時間攪拌した。反応混合物に/N塩
酸水溶液を加え酢酸エチルで抽出したのち有PARiI
t中炭酸ナトリウム水@液、さらに食塩水で洗った。無
水硫酸ナトIJウムで乾燥したのち溶媒を減圧留去して
乾燥した。
収量//、Og   収率り3チ ・脱アセチル化反応による≠の合成; メタノール30m1VC!3gを溶解し、さらに塩酸ヒ
ドロキシルアミツ1gs酢酸ナトリウム/。
7gを加えた。2よ0Cで7時間攪拌したのち反応混合
物に水を加え酢酸エチルで抽出した。有機層を無水硫酸
ナトIJウムで乾燥したのち溶媒を減圧留去し、残渣を
カラムクロー7トグラフイーにより精製した。
収量2.7g  収率り6チ 02−メチル−≠−アセトキシー!;−N−B o c
アミノフェノール乙の合成; ジメチルホルムアミド(DMF ) j Oml K夕
3.0gを溶解し70°Cに冷却後、トリメチルハイド
ロキノン jmlを加えた。反応混合物を徐々にaz’c4で昇温
させながら7時間攪拌した。/N塩酸水浴液を加え、酢
酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥
した。減圧留去後残渣をカラムクロマトグラフィーによ
り分離精製した。
収−jjkO 、 7りg  収率7了チ0脱Hoe化
による!ーtertーブチルー弘−(、2−メチル−グ
ーアセトキシ−よ−アミン)−フェノキシメチル−λ−
(≠−N−ヘキサデシル力ルバモイルーコ−二トロフェ
ニル)−≠ーイソオキサゾリンー3−オン7の合成 アセトニトリル3omlに33.Og,  ヨウ化カリ
ウム/.!gを混合し、70°Cでクロロトリメチルシ
ラン/、3rnlを添加した。100Cで70分間攪拌
した後反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出した。
有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留去
したのち、残渣をカラムクロマトグラフィーにより分離
精製した。
収t、2−/g   収率g/% 化合物の同定はNMR(BRUKER、AC−200)
及びMass測定によシ行つた。!及び乙のNMRデー
タを下に記す。
4L r ppm (m 、2 H、−NHCH2C1
5H31)。
3りppm(S、JH,Ac) / II ppm (S 、j H、Ar−CH3)r
 i ppm (S 、 9 H、−CO2Bu(t)
)44jppm(S、りH、−Bu(t) )21 P
l)m (br、S、J/H、−N)(CH2C15H
31)30〜7.♂lLLppm(m、jH,Ar)4
’ Oppm (S 、/ H、NHCl6H33)2
7 ppm (br、S 、/ H、−NHBoc )
f7ppm (S 、 lH,−CH2−)7.37p
pm( A、7jppm( 2、≠Irppm( 6、弘Oppm( λ 、J/ppm( 2、/λppm( 1、≠りppm( 上記に示す通り、 S、lH,Ar) S、lH,Ar) S 、t H、−NHCl6H33) S 、/ H、Ar−0H) S* J H、Ac ) S 、 j H、Ar−CH3) S 、 !i’ H、−CO2Bu(t) )本発明の
保護試薬を用いるこ とにより、λ、乙−ジメチルー!−ヒドロキシベンゾオ
キサゾールを出発物質として、λ−アミン!−メチルヒ
ドロキノンの2つの水酸基及び7つのアミノ基をそれぞ
れ異なった保護基で選択的に保護した化合物!を容易に
得ることができた。
さらに化合物よを適当な条件で処理することにより、任
意の保護基を選択的に脱保護した化合物≠、エーテルと
して保護すれば同様に≠、乙、7が容易に得られるが、
乙を得るには・髪ラジウム触媒存在下で水素添加をする
必要があり、基質内にオレフィンなどがある場合はこの
方法は使えない。)これらのことが可能であったのは本
発明の保護試薬で保護された化合物が、従来一般に用い
られてきた保護基と異なった領域(条件)での安定性及
び不安定性を持ち合わせているからであると言える。従
って従来の保護基と相補的に用いることにより上記の例
のように有機合成化学的にこれまで不可能であったこと
あるいは非常に困難であったことが容易に実現可能にな
ることも期待され、本発明は非常に意義深いものと思わ
れる。
次に光照射による脱保護方法の具体的実施例について述
べる。
実施例コ (試料の作成) 実施例/において合成された化合物jの0.2mMアセ
トニトリル溶液(1)を調整した。この溶液とインプロ
ピルアルコールをり:/で混合し溶液(2)を調整した
次に、溶液(2)とpHり、/♂の緩衝液をよ、/で混
合して溶液(3)を作成した。
他方、化合物よと2−t−ブナルアンスラキノンの0.
≠mMアセトニトリル溶液を/:/で混合した溶液(4
)を調整し、溶液(1)の時と同様にして緩衝液混合溶
液(5)を作成した。
し  ン  ジ :  × I O スリット暢:  j、Onm 照射波長:  3oonmと’I / Onm照射カウ
ント数:100 結果 (脱保護の方法) この溶液を3ミリリツトルずつ別の石英セルに入れ、蓋
をした。
次に、この試料にJASCO製キセノン分光照射器で3
00 nmと4A/ Onmの光を100カウントずつ
それぞれ照射したのちに、高速液体クロマトグラフィー
で脱保護されたフェノールを定量した。(溶液の混合は
Volume%)光照射の条件は以下のとおり。
照射装置: JASCO製分光照射器 5PECTRO
I RRAD I ATORとJASCO製XENON
LAMP POWER5UPPLY以上の結果より本発
明の保護方法によると、脱保護は光で行うことができ、
光還元剤を使用すると可視光での脱保護も効率良く行う
ことが出来る。
り、10−フェナンスレンキノンを用いることにより波
長r o o nmの光でも同様の脱保護が可能であっ
た。
従って、他の官能基、あるいは保護基との差別性を非常
に高めることが可能となる。
この方法で、光還元剤として水溶性の2−スルホアンス
ラキノンのような水溶性のものを用いると、水洗によっ
て除去出来るので脱保護生成物の単離が容易であった。
さらに保護試剤(1)を実際の合成反応に利用した具体
応用例を述べる。
実施例3 弘−アミンフェノールのN、N−ジメチル化。
次の合成スキームに従って≠−アミンフェノールカラ≠
−N、N−ジメチルアミンフェノールを合成した。
ステップ■:4t−N−アセチルアミノフェノールの合
成 アセトニトリル!00m1VCIA−アミノフエノル1
0り、7g1無水酢酸103.rml、ピリジンタフ、
7mlを加え、5時間加熱還流した。
反応終了後冷却し、析出した結晶をr取し、エタノール
で洗浄したのち、乾燥した。
収量/37.弘g1  収率7/% ステップ■ ≠−アセチルアミノフェノールの水酸基の
保護反応 !−t−フチルー≠−(≠−アセチルアミノフェノキシ
メチル)−,2−(≠−N−ヘキサデシルカルバモイル
−2−ニトロフェニル)−+−イ:/オキサゾリンー3
−オンの合成 アセトンjOQml I/C! −t−
ブチル−≠−クロロメチルーコー(+−N−ヘキサデシ
ルカルバモイル−λ−二ト口フェニル)−≠−イソオキ
サ/ IJノン−−オン103、!gX≠−アセチルア
ミノフェノールλ7.1gを混合し、さらに炭酸カリウ
ム30 g。
ヨウ化す) IJウム!、2gを加え、6時間加熱還流
した。冷却後反応混合物を水に注ぎ、酢酸エチルを加え
抽出したのち、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した
。つぎに溶媒を減圧留去した。残渣にメタノールを加え
、−晩装置し析出した結晶をf取した。
収量706.7g1 収率r6% ステップ■:j−t−ブチル−≠−(≠−アミノフェノ
キシメチル)−2−(4t−N ヘキサデシル力ルバモイル−2− ニトロフェニル)−≠−インオキサ ゾリンー3−オンの合成 ステップ■で合成したよ−t−ブチルー≠−(≠−アセ
チルアミノフェノキシメチル)−、+−(4A−N−ヘ
キサデシルカルバモイルーコーニトロフェニル)−≠−
インオキサゾリンー3−オンioogとエタノール30
0m1lを混合し、これに濃塩酸ioomlを加え5時
間加熱還流した。
反応終了後、冷却し析出した結晶をr取し、エタノール
で洗浄した後乾燥した。
収量り5.5g、 収率りO% ステップ■:j−1−ブチル−≠−(≠−N、N−ジメ
チルアミノフェノキシメチル) −2−(≠−N−ヘキサデシルカル バモイル−2−ニトロフェニル)− ψ−インオキサゾリンー3−オンの 合成 s −t −フチルーta−(4t、−アミノフエノキ
シメナル)−コー(≠−N−ヘキサデシルカルバモイル
ーコ−二トロフェニル)−≠−イソオキサゾリンー3−
オン300gをアセトン/2θmJに溶解し、炭酸カリ
ウム/r、Ogs ポリエチレングリコール4Loo 
(平均分子it≠OOのポリエチレングリコール)/、
!mll、  ジメチル硫酸/3゜Ogを加え、3時間
加熱還流した。これにアセトン弘jmlを加え、≠θ0
Cで水/70rnlを滴下し、室温まで冷却すると、結
晶が析出した。結晶をP取し、水、メタノールで洗浄し
乾燥した。
収量λf 、 / g、  収率り7チステツプ■:脱
保護反応 ジメチルホルムアミド(DMF)100mlに5−t−
ブチル−弘−(≠−N、N−ジメチルアミノフェノキシ
メチル)−2−(≠−N−ヘキサデシル力ルバモイルー
コ−ニトロフェニル)−≠−イソオキサゾリンー3−オ
ン10g、トリメチルハイドロキノン6.7gを混合し
、1O0CでEt3N& 、/mlを滴下した。徐々に
室温まで昇温シ2.7時間攪拌した。反応混合物に水を
注ぎ酢酸エチルを加え抽出したのち有機層を無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した。つぎに溶媒を減圧留去した。
残渣をカラムクロマトグラフィーにより分離n製した。
収量/、!g、 収率g2〜 実施例弘 ペプチド合成への応用 次ノスキームに従って、N−protectedtyr
osine / と ethylglycinate 
2  が縮合したdipeptide 弘 を合成した
ステップ■ j−1−ブチル−≠−〔≠−(2カルポキ
シルーコ/ −BOC−アミ ン)エチルフェノキシメチルツー一 (4L−N−メチルオフタデフルス ルファモイル)−≠−イソオキサゾ リンー3−オン 3の合成 アセトン700m1l KN−BOC−チロシフ61、
.3g、5−t−ブチル−≠−クロロメチルーλ−(≠
−N−メチルオクタデシルスルファモイル−2−二トロ
フェニル)−≠−イソオキサゾリンー3−オン/3/、
Jg、炭駿カリウム30g1ヨウ化ナトリウムJ、Og
を混合し、6時間加熱還流した。冷却後、反応混合物を
水に注ぎ、酢酸エチルを加え抽出をしたのち、有機層を
無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。こ
の残渣にメタノールを加え、−晩装置し、析出した結晶
をf取した。
収jtk136.2g1 収率7j% ステップ■ アミノ基とフェノール基が保護されたチロ
シンとエチルグリシナートと の縮合反応 ステップ■で得られたアミン基とフェノール基が保護さ
れたチロシンj  100gを≠00mJlの酢酸エチ
ルに溶解し、エチルグリシナート/!。
7gとトリエチルアミ72/、0m1lを加えた。
得られた溶液にシンクロヘキシルカルボジイミド3/、
μgを100m1の酢酸エチルに溶解した溶液をゆっく
り滴下した。滴下終了後室温でさらに7時間攪拌し析出
物をr別した。得られたf液を減圧留去し、残渣を酢酸
エチル−メタノールから再結晶して目的物≠を得だ。
収量り3gs  収率りQチ ステップ■ フェノールの保護基の選択的脱保護ジメチ
ルホルムアミド(DMF)jOmlにステップ■で得ら
れたアミノ基、フェノール基とカルボキシル基が保護さ
れたチロシング タgとトリメナルハイドロキノ/≠、
/gを溶解させた後この浴液をlO°CK冷却し、トリ
エチルアミンJ、rmilをゆつくシ滴下した。
滴下終了後、室温まで徐々に昇温し、/、5時間攪拌し
た。反応混合物に水を注ぎ、酢酸エチルを加え抽出した
のち有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減
圧留去したのち残渣をカラムクロマトグラフィーにより
精製した。
収量コ、≠g、 収率72%

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)下記一般式( I )で表される有機合成上有用な
    保護試薬。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 一般式( I )において、Xはハロゲン原子、またはス
    ルホニルオキシ基を表す。 R^1、R^2は水素原子あるいは置換基を表すが、R
    ^1、R^2の少なくとも一方はニトロ基で置換された
    アリール基もしくは複素環基を表す。
  2. (2)第1項の一般式( I )で表される化合物をpK
    a15以下のプロトン酸の保護基として用いるプロトン
    酸の保護方法。
  3. (3)第2項の保護方法によつて保護されたpKa15
    以下のプロトン酸を用いて所定の反応を行なつた後、還
    元によつて脱保護を行う脱保護方法。
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS63192762A (ja) * 1987-02-05 1988-08-10 Fuji Photo Film Co Ltd 2−アリ−ル−4−ハロメチル−4−イソオキサゾリン−3−オン誘導体

Patent Citations (1)

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JPS63192762A (ja) * 1987-02-05 1988-08-10 Fuji Photo Film Co Ltd 2−アリ−ル−4−ハロメチル−4−イソオキサゾリン−3−オン誘導体

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