JPH0248967B2 - Jikikirokutaioyobisonoseizoho - Google Patents
JikikirokutaioyobisonoseizohoInfo
- Publication number
- JPH0248967B2 JPH0248967B2 JP5085284A JP5085284A JPH0248967B2 JP H0248967 B2 JPH0248967 B2 JP H0248967B2 JP 5085284 A JP5085284 A JP 5085284A JP 5085284 A JP5085284 A JP 5085284A JP H0248967 B2 JPH0248967 B2 JP H0248967B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- film
- base material
- present
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 88
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 10
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は、リングヘツドによる記録方式に適し
た磁気記録体及びその製造法に関する。 従来の垂直磁気記録体は、その磁化膜の磁気特
性は、Hc⊥／Hc＞１、Mr⊥／Mr１の条件
を備えたものであるため、垂直方向に磁界を発生
できる垂直ヘツドによる磁気記録が適するが、リ
ングヘツドによるときは、半円状の磁界を発生
し、再生感度は大きいが、高密度記録特性が劣る
と云う欠点を有する。 本発明者は、これを改善するため、先に、出願
人は磁性膜の磁気特性がHc⊥／Hc≧１、
Mr⊥／Mr＜１と云う条件を満足する準垂直磁
化膜から成る磁気記録体を提案し、リングヘツド
による記録において、面内方向にも高い保磁力と
残留束密度を発生する高密度記録と高再生感度と
が得られる準垂直磁化膜から成る磁気記録体を提
供した。 本発明は、更に、これを改良し、更にリングヘ
ツドを用い且つ基材と垂直硬質磁性膜との間に、
軟質磁性膜を介在しないでも、高密度記録と高再
生感度とを可能にした磁気記録体を提供するもの
で、非磁性基材上に形成した磁性膜はその全体の
磁気特性がHc⊥／Hc≧１、Mr⊥／Mr＜１
である準垂直磁化膜から成り、且つその膜厚方向
に対して基板側の約半分の膜の磁気特性が
Hc⊥／Hc＜１、Mr⊥／Mr＜１という面内
硬質磁化膜であることを特徴とする。 本発明は、更に、上記の磁気記録体の製造法を
提供するもので、非磁性基材を移動させながらこ
れに磁性金属を、蒸着開始において入射角が
θmax≒90゜であり、その移動と共に入射角が減少
し最少入射角が０≦θmin≦−40゜の範囲で蒸着を
完了し、その垂直蒸着領域において導入O2ガス
の大部分と接触させるようにしたことを特徴とす
る。 かくして、その磁性膜は、始めに、高入射角に
おいて蒸着金属の核が基材面に生成する高入射角
核生成法と、O2ガスにより（Co、Fe、Ni）−Ｏ
系の強磁性金属粒子相とこれを囲繞するその金属
酸化物相から成る所定割合で配合した磁性膜の製
造法との組み合わせで、基板を１方向に連続移動
させる過程でつくられる。 かくして、本発明の磁気記録体は、その磁性膜
の表面側領域では垂直方向に磁気異方性をもつて
おり、リングヘツドを用いて記録したとき、垂直
に磁化されると共にその磁性膜の基板界面に近い
面内領域では、リングヘツドの発生する面内方向
の磁界に従つて平行方向に磁化される。即ち、本
発明の磁性膜全体は、リングヘツドが発生する略
円弧状の磁界方向に従つた磁気異方性をもつて充
分磁化することが可能である。又このようなモー
ドで磁化された場合の自己減磁作用は、内面記録
と垂直記録のどちらよりも小さい。低記録密度の
領域では反磁界は面内であり、従つて基板側磁性
膜領域からの磁束により再生出力を得られる。高
記録密度領域では、反磁界が垂直となるので、表
面側磁性膜領域からの磁束により再生する。即ち
面内記録と垂直記録の両方の長所を兼ね備えてい
る。 本発明の磁気特性の中で、更に膜面内における
磁気異方性の方向が記録方向に一致しているとさ
らに自己減磁作用を低減することができ、更に高
密度記録特性と再生出力を向上させることができ
る。この方向は、磁気テープの場合は長さ方向で
あり、デイスクの場合は円周方向である。本発明
の磁気記録体の上記の製造法によりこの条件を満
たしたものが得られる。尚、因みに、基板界面近
傍の面内磁化層を塗布型の磁性層とし、その上に
垂直磁性薄膜を形成した磁気記録体とするとき
は、その両者の飽和磁化が異なるため、本発明の
目的とする効果は得られない。両者とも飽和磁化
の高い磁性薄膜層とする必要があり、これによれ
ば磁束の漏洩がなく、本発明の目的を達成する効
果をもたらす。 次に、本発明のかゝる磁気記録体の製造法の実
施例を添付図面につき説明する。 第１図は、本発明実施の１例を実施する磁気記
録体の製造装置を示し、図面で１は、真空ポンプ
に排気口２の調節弁３を介し接続した真空処理容
器、４はその内部中心に設けた回転キヤン、５，
６はポリエステルなどのテープ状非磁性基材ａを
該キヤン４の周面を一定速度で矢印方向に走行す
べく亘された巻解しロールと巻取りロールを示
す。本発明によれば、該キヤン４の下方に、１側
に偏位させて、図面では左方に偏位させてキヤン
４の下方に存せしめた上面に磁性金属ｂを収容し
た電子ビームで加熱される蒸発源７を設置し、そ
の金属の蒸発を蒸着開始時、走行テープ基材ａに
入射角がθmax≒90゜で蒸着されるようにした。８
はその走行テープ基材ａの上流側と容器側壁との
間に介在された防着板を示す。１方その走行テー
プ基材ａの進行方向の前方において、該キヤン４
の直下近傍に水平に延び且つ前進後退自在の防着
板９を設置し、その防着板９の前端縁において、
走行テープ基材ａの移行において金属が蒸着する
最終における最小入射角が０≦θmin≦−40゜とな
るように調節自在に設置する。更に、その最終の
金属蒸着される部分に開口すべくO2ガス導入管
１０を設けた。キヤン４は冷却されていることが
好ましい。これは垂直の蒸着を受ける領域では、
室温付近での基板温度で垂直磁気異方性をもつた
膜が得られるからである。 磁性金属としては、Fe、Ni、Co又はその合金
などの硬質強磁性金属が一般に使用される。O2
は所定量導入され、主として基材面に積層する磁
性膜の主に表面側の半分程度の領域における金属
層の酸化が容易に行なわれるようにした。 上記の装置を使用し、本発明の磁性膜をつくる
には、先づ容器内を所定の真空とし、テープ状基
材ａをロール５より巻き解し矢印方向にキヤン４
の周面に沿つて一定速度で走行させる１方金属を
電子ビーム加熱により蒸発させる。然るときは、
先づ走行テープ基材ａ面に略90゜の入射角で蒸着
が開始され、これを核としてその移行に従い蒸着
金属の生成が基材テープの走行に略沿い行なわ
れ、その後その入射角が０≦θmin≦−40゜の範囲
においては、導入されるO2ガスと接触しその蒸
着金属の１部は金属酸化物により被覆されると共
にその生成は垂直磁化膜層となり、次で防着板９
を越えて最終的に該ロール６上に本発明の磁性膜
をもつた磁気記録体が得られる。 このようにして得られた本発明の磁化膜は、一
般に、先の多くの出願で開示したような所定範囲
の原子％を含む（FexCoyNiz）n-1Onの組成から成
るが、本発明の場合、磁性膜の略半分の基板側の
長さの平行磁化膜層領域は比較的O2ガスによる
酸化状態が少なく、その表面側の厚さの垂直磁化
膜層領域は良好に酸化されたＯ組成の比較的大き
いものに組成される。例えば、そのＯの磁性膜の
含有量は、概してその面内膜層は（Me）−10〜
20at％Ｏ、垂直磁化膜層は（Me）−30〜50at％
Ｏ、とすることが好ましい。比較のため、前記の
製造装置において、該可動防着板９を動かし、
θmax≒90゜、０≦θmin≦0゜として基材面に略平行
に生成した斜め入射蒸着膜と初期の入射角θmax
を40゜≧θmax≧0゜、最終の入射角を０≧θmin≧−
40゜とした範囲で且つO2ガスにより酸化させて生
成した垂直磁性膜と、この場合キヤンを加熱して
垂直蒸着を崩して得た準垂直磁性膜を製造した。
本発明品と同様に蒸発材料はCoで、基材はポリ
イミドのテープ基材を用い、導入O2分圧は、作
成された磁性膜の保磁力が略一定になるように調
節した。生成膜厚は2000Åの一定とした。そのサ
ンプルの代表例の磁気特性の測定結果を下記表１
に示す。この結果からわかるように、防着板９を
移動させて、θminを20゜にして作成した面内磁性
膜試料Ｂでは、Hc⊥／Hc＜１、Mr⊥／
Mr＜１となつているので、θminを−30゜として
作成した本発明品Ａは、基板側の膜厚領域でも同
様にHc⊥／Hc＜１、Mr⊥／Mr＜１と云う
面内磁化特性になつているがその後のその垂直蒸
着を受けるので全体としてHc⊥／Hc＞１、
Mr⊥／Mr＜１という準垂直磁化膜となつてい
る。
た磁気記録体及びその製造法に関する。 従来の垂直磁気記録体は、その磁化膜の磁気特
性は、Hc⊥／Hc＞１、Mr⊥／Mr１の条件
を備えたものであるため、垂直方向に磁界を発生
できる垂直ヘツドによる磁気記録が適するが、リ
ングヘツドによるときは、半円状の磁界を発生
し、再生感度は大きいが、高密度記録特性が劣る
と云う欠点を有する。 本発明者は、これを改善するため、先に、出願
人は磁性膜の磁気特性がHc⊥／Hc≧１、
Mr⊥／Mr＜１と云う条件を満足する準垂直磁
化膜から成る磁気記録体を提案し、リングヘツド
による記録において、面内方向にも高い保磁力と
残留束密度を発生する高密度記録と高再生感度と
が得られる準垂直磁化膜から成る磁気記録体を提
供した。 本発明は、更に、これを改良し、更にリングヘ
ツドを用い且つ基材と垂直硬質磁性膜との間に、
軟質磁性膜を介在しないでも、高密度記録と高再
生感度とを可能にした磁気記録体を提供するもの
で、非磁性基材上に形成した磁性膜はその全体の
磁気特性がHc⊥／Hc≧１、Mr⊥／Mr＜１
である準垂直磁化膜から成り、且つその膜厚方向
に対して基板側の約半分の膜の磁気特性が
Hc⊥／Hc＜１、Mr⊥／Mr＜１という面内
硬質磁化膜であることを特徴とする。 本発明は、更に、上記の磁気記録体の製造法を
提供するもので、非磁性基材を移動させながらこ
れに磁性金属を、蒸着開始において入射角が
θmax≒90゜であり、その移動と共に入射角が減少
し最少入射角が０≦θmin≦−40゜の範囲で蒸着を
完了し、その垂直蒸着領域において導入O2ガス
の大部分と接触させるようにしたことを特徴とす
る。 かくして、その磁性膜は、始めに、高入射角に
おいて蒸着金属の核が基材面に生成する高入射角
核生成法と、O2ガスにより（Co、Fe、Ni）−Ｏ
系の強磁性金属粒子相とこれを囲繞するその金属
酸化物相から成る所定割合で配合した磁性膜の製
造法との組み合わせで、基板を１方向に連続移動
させる過程でつくられる。 かくして、本発明の磁気記録体は、その磁性膜
の表面側領域では垂直方向に磁気異方性をもつて
おり、リングヘツドを用いて記録したとき、垂直
に磁化されると共にその磁性膜の基板界面に近い
面内領域では、リングヘツドの発生する面内方向
の磁界に従つて平行方向に磁化される。即ち、本
発明の磁性膜全体は、リングヘツドが発生する略
円弧状の磁界方向に従つた磁気異方性をもつて充
分磁化することが可能である。又このようなモー
ドで磁化された場合の自己減磁作用は、内面記録
と垂直記録のどちらよりも小さい。低記録密度の
領域では反磁界は面内であり、従つて基板側磁性
膜領域からの磁束により再生出力を得られる。高
記録密度領域では、反磁界が垂直となるので、表
面側磁性膜領域からの磁束により再生する。即ち
面内記録と垂直記録の両方の長所を兼ね備えてい
る。 本発明の磁気特性の中で、更に膜面内における
磁気異方性の方向が記録方向に一致しているとさ
らに自己減磁作用を低減することができ、更に高
密度記録特性と再生出力を向上させることができ
る。この方向は、磁気テープの場合は長さ方向で
あり、デイスクの場合は円周方向である。本発明
の磁気記録体の上記の製造法によりこの条件を満
たしたものが得られる。尚、因みに、基板界面近
傍の面内磁化層を塗布型の磁性層とし、その上に
垂直磁性薄膜を形成した磁気記録体とするとき
は、その両者の飽和磁化が異なるため、本発明の
目的とする効果は得られない。両者とも飽和磁化
の高い磁性薄膜層とする必要があり、これによれ
ば磁束の漏洩がなく、本発明の目的を達成する効
果をもたらす。 次に、本発明のかゝる磁気記録体の製造法の実
施例を添付図面につき説明する。 第１図は、本発明実施の１例を実施する磁気記
録体の製造装置を示し、図面で１は、真空ポンプ
に排気口２の調節弁３を介し接続した真空処理容
器、４はその内部中心に設けた回転キヤン、５，
６はポリエステルなどのテープ状非磁性基材ａを
該キヤン４の周面を一定速度で矢印方向に走行す
べく亘された巻解しロールと巻取りロールを示
す。本発明によれば、該キヤン４の下方に、１側
に偏位させて、図面では左方に偏位させてキヤン
４の下方に存せしめた上面に磁性金属ｂを収容し
た電子ビームで加熱される蒸発源７を設置し、そ
の金属の蒸発を蒸着開始時、走行テープ基材ａに
入射角がθmax≒90゜で蒸着されるようにした。８
はその走行テープ基材ａの上流側と容器側壁との
間に介在された防着板を示す。１方その走行テー
プ基材ａの進行方向の前方において、該キヤン４
の直下近傍に水平に延び且つ前進後退自在の防着
板９を設置し、その防着板９の前端縁において、
走行テープ基材ａの移行において金属が蒸着する
最終における最小入射角が０≦θmin≦−40゜とな
るように調節自在に設置する。更に、その最終の
金属蒸着される部分に開口すべくO2ガス導入管
１０を設けた。キヤン４は冷却されていることが
好ましい。これは垂直の蒸着を受ける領域では、
室温付近での基板温度で垂直磁気異方性をもつた
膜が得られるからである。 磁性金属としては、Fe、Ni、Co又はその合金
などの硬質強磁性金属が一般に使用される。O2
は所定量導入され、主として基材面に積層する磁
性膜の主に表面側の半分程度の領域における金属
層の酸化が容易に行なわれるようにした。 上記の装置を使用し、本発明の磁性膜をつくる
には、先づ容器内を所定の真空とし、テープ状基
材ａをロール５より巻き解し矢印方向にキヤン４
の周面に沿つて一定速度で走行させる１方金属を
電子ビーム加熱により蒸発させる。然るときは、
先づ走行テープ基材ａ面に略90゜の入射角で蒸着
が開始され、これを核としてその移行に従い蒸着
金属の生成が基材テープの走行に略沿い行なわ
れ、その後その入射角が０≦θmin≦−40゜の範囲
においては、導入されるO2ガスと接触しその蒸
着金属の１部は金属酸化物により被覆されると共
にその生成は垂直磁化膜層となり、次で防着板９
を越えて最終的に該ロール６上に本発明の磁性膜
をもつた磁気記録体が得られる。 このようにして得られた本発明の磁化膜は、一
般に、先の多くの出願で開示したような所定範囲
の原子％を含む（FexCoyNiz）n-1Onの組成から成
るが、本発明の場合、磁性膜の略半分の基板側の
長さの平行磁化膜層領域は比較的O2ガスによる
酸化状態が少なく、その表面側の厚さの垂直磁化
膜層領域は良好に酸化されたＯ組成の比較的大き
いものに組成される。例えば、そのＯの磁性膜の
含有量は、概してその面内膜層は（Me）−10〜
20at％Ｏ、垂直磁化膜層は（Me）−30〜50at％
Ｏ、とすることが好ましい。比較のため、前記の
製造装置において、該可動防着板９を動かし、
θmax≒90゜、０≦θmin≦0゜として基材面に略平行
に生成した斜め入射蒸着膜と初期の入射角θmax
を40゜≧θmax≧0゜、最終の入射角を０≧θmin≧−
40゜とした範囲で且つO2ガスにより酸化させて生
成した垂直磁性膜と、この場合キヤンを加熱して
垂直蒸着を崩して得た準垂直磁性膜を製造した。
本発明品と同様に蒸発材料はCoで、基材はポリ
イミドのテープ基材を用い、導入O2分圧は、作
成された磁性膜の保磁力が略一定になるように調
節した。生成膜厚は2000Åの一定とした。そのサ
ンプルの代表例の磁気特性の測定結果を下記表１
に示す。この結果からわかるように、防着板９を
移動させて、θminを20゜にして作成した面内磁性
膜試料Ｂでは、Hc⊥／Hc＜１、Mr⊥／
Mr＜１となつているので、θminを−30゜として
作成した本発明品Ａは、基板側の膜厚領域でも同
様にHc⊥／Hc＜１、Mr⊥／Mr＜１と云う
面内磁化特性になつているがその後のその垂直蒸
着を受けるので全体としてHc⊥／Hc＞１、
Mr⊥／Mr＜１という準垂直磁化膜となつてい
る。
【表】
これらの試料を1/4インチ幅にスリツトしてオ
ープンリール型オーデイオデツキを改造した測定
器を用いて測定した。 測定時のテープ走行速度は4.8cm／secである。
記録は、正弦波を用い、それぞれの周波数におい
て最適記録電流を求めて行なつた。その結果を第
２図に示す。これから明らかなように、本発明磁
性膜は低域での再生出力も大きく、而も記録密度
も大きいことがわかる。 第３図は本発明記録体のリングヘツドによる記
録時の模写図である。b1は表面側半部の磁性膜
層、b2は基板側半部の磁性膜層を示す。 第４図は、本発明の磁気記録体の製造法のもう
１つの実施例を示し、蒸着を２段階に行ない、特
に第２段階の蒸着は完全に垂直蒸着と共にO2の
導入による１部酸化を専ら行なうようにした。こ
の場合の核生成初期のθmaxは90゜とし、その
θminは20゜とし殆んど金属のみの膜面内蒸着を行
なうようにした。 更に詳述すれば、巻解しロール５と巻取りロー
ル６との間に案内ロール１１を下方に配設し、こ
れを介しテープ状基材ａを初めは斜めに下降させ
る領域と次で水平に走行する領域をもつように
し、その斜め下降領域の裏面に水冷キヤン４とそ
の水平走行領域の裏面に支持ボツクス１２とを設
ける。更に、その基材ａの斜め下降領域の下方と
水平走行領域の下方とに夫々各別の電子ビーム加
熱蒸着源７，７を設けて夫々その上面の金属材料
ｂ，ｂを加熱蒸発せしめるようにし、その走行基
材テープａの走行面に沿いその下面近傍に各固定
防着板８，８…を設け、その各防着板８，８…間
に基材ａの斜め下降領域に対応する面と水平走行
領域に対応する面とに金属蒸気通路用の傾斜空間
面と水平空間面とを配設した。而して本発明によ
れば、金属蒸気の基材ａ面への蒸着開始点である
初期の入射角θmaxを90゜としその斜め蒸着用の空
間面の終る入射角θminを20゜とし、その傾斜空間
面を通しての斜め入射蒸着、即ち膜面内磁性膜層
の形成を終了後、水平に走行せしめてその下方の
水平空間面を通して入射角θmin0゜の垂直蒸着が
行われると共に、この水平空間面に近接開口する
O2導入管１０を通してO2の供給がその蒸着金属
に行なわれて、その表面に酸化膜の形成した金属
粒子を一定割合にもつMe−Ｏ組成の垂直磁性膜
が表面層として得られるようにして本発明の磁気
記録体を巻取りロール６に得るようにした。この
ように本発明によるときは、非磁性基材を移動さ
せながら、その面に磁性金属を始めは入射角
θmax90゜の範囲で実質上斜め入射させその後
θmin0゜でO2ガスと接触させ１部酸化した蒸着を
行なうようにしたので、全体の磁気特性が
Hc⊥／Hc≧１、Mr⊥／Mr＜１であると共
に面内膜の磁気特性がHc⊥／Hc＜１、
Mr⊥／Mr＜１という条件の磁性膜が得られ、
特にリングヘツドによる高密度記録並に高再生感
度の得られる磁気記録体を提供する効果を有す
る。
ープンリール型オーデイオデツキを改造した測定
器を用いて測定した。 測定時のテープ走行速度は4.8cm／secである。
記録は、正弦波を用い、それぞれの周波数におい
て最適記録電流を求めて行なつた。その結果を第
２図に示す。これから明らかなように、本発明磁
性膜は低域での再生出力も大きく、而も記録密度
も大きいことがわかる。 第３図は本発明記録体のリングヘツドによる記
録時の模写図である。b1は表面側半部の磁性膜
層、b2は基板側半部の磁性膜層を示す。 第４図は、本発明の磁気記録体の製造法のもう
１つの実施例を示し、蒸着を２段階に行ない、特
に第２段階の蒸着は完全に垂直蒸着と共にO2の
導入による１部酸化を専ら行なうようにした。こ
の場合の核生成初期のθmaxは90゜とし、その
θminは20゜とし殆んど金属のみの膜面内蒸着を行
なうようにした。 更に詳述すれば、巻解しロール５と巻取りロー
ル６との間に案内ロール１１を下方に配設し、こ
れを介しテープ状基材ａを初めは斜めに下降させ
る領域と次で水平に走行する領域をもつように
し、その斜め下降領域の裏面に水冷キヤン４とそ
の水平走行領域の裏面に支持ボツクス１２とを設
ける。更に、その基材ａの斜め下降領域の下方と
水平走行領域の下方とに夫々各別の電子ビーム加
熱蒸着源７，７を設けて夫々その上面の金属材料
ｂ，ｂを加熱蒸発せしめるようにし、その走行基
材テープａの走行面に沿いその下面近傍に各固定
防着板８，８…を設け、その各防着板８，８…間
に基材ａの斜め下降領域に対応する面と水平走行
領域に対応する面とに金属蒸気通路用の傾斜空間
面と水平空間面とを配設した。而して本発明によ
れば、金属蒸気の基材ａ面への蒸着開始点である
初期の入射角θmaxを90゜としその斜め蒸着用の空
間面の終る入射角θminを20゜とし、その傾斜空間
面を通しての斜め入射蒸着、即ち膜面内磁性膜層
の形成を終了後、水平に走行せしめてその下方の
水平空間面を通して入射角θmin0゜の垂直蒸着が
行われると共に、この水平空間面に近接開口する
O2導入管１０を通してO2の供給がその蒸着金属
に行なわれて、その表面に酸化膜の形成した金属
粒子を一定割合にもつMe−Ｏ組成の垂直磁性膜
が表面層として得られるようにして本発明の磁気
記録体を巻取りロール６に得るようにした。この
ように本発明によるときは、非磁性基材を移動さ
せながら、その面に磁性金属を始めは入射角
θmax90゜の範囲で実質上斜め入射させその後
θmin0゜でO2ガスと接触させ１部酸化した蒸着を
行なうようにしたので、全体の磁気特性が
Hc⊥／Hc≧１、Mr⊥／Mr＜１であると共
に面内膜の磁気特性がHc⊥／Hc＜１、
Mr⊥／Mr＜１という条件の磁性膜が得られ、
特にリングヘツドによる高密度記録並に高再生感
度の得られる磁気記録体を提供する効果を有す
る。
第１図は本発明磁気記録体の製造法を実施する
１例の装置の１部截断側面図、第２図は本発明の
磁気記録体の優れた再生出力を示す比較図、第３
図は本発明磁気記録体の１部の記録状態の模写
図、第４図は変形例の装置の１部截断側面図を示
す。 １……容器、４……キヤン、５……巻解しロー
ル、６……巻取りロール、７……蒸発源、８……
固定防着板、９……可動防着板、１０……O2ガ
ス導入管、ａ……非磁性基材、ｂ……磁性金属材
料、b1……表面側半部磁性膜層、b2……基板側半
部磁性膜、１２……支持ボツクス。
１例の装置の１部截断側面図、第２図は本発明の
磁気記録体の優れた再生出力を示す比較図、第３
図は本発明磁気記録体の１部の記録状態の模写
図、第４図は変形例の装置の１部截断側面図を示
す。 １……容器、４……キヤン、５……巻解しロー
ル、６……巻取りロール、７……蒸発源、８……
固定防着板、９……可動防着板、１０……O2ガ
ス導入管、ａ……非磁性基材、ｂ……磁性金属材
料、b1……表面側半部磁性膜層、b2……基板側半
部磁性膜、１２……支持ボツクス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性基材上に形成した磁性膜はその全体の
磁気特性がHc⊥／Hc≧１、Mr⊥／Mr＜１
である準垂直磁化膜から成り、且つその膜厚方向
に対して基板側の約半分の膜の磁気特性が
Hc⊥／Hc＜１、Mr⊥／Mr＜１という面内
硬質磁化膜であることを特徴とする磁気記録体。 ２ 非磁性基材を移動させながらこれに磁性金属
を、蒸着開始において入射角がθmax≒90゜であ
り、その移動と共に入射角が減少し最少入射角が
０≦θmin≦−40゜の範囲で蒸着を完了し、その垂
直蒸着の領域において導入O2ガスの大部分と接
触させるようにしたことを特徴とする磁気記録体
の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5085284A JPH0248967B2 (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | Jikikirokutaioyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5085284A JPH0248967B2 (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | Jikikirokutaioyobisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60195737A JPS60195737A (ja) | 1985-10-04 |
| JPH0248967B2 true JPH0248967B2 (ja) | 1990-10-26 |
Family
ID=12870248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5085284A Expired - Lifetime JPH0248967B2 (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | Jikikirokutaioyobisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0248967B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62125524A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS62236122A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP2696826B2 (ja) * | 1987-02-20 | 1998-01-14 | ブラザー工業株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH04143919A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-03-19 JP JP5085284A patent/JPH0248967B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60195737A (ja) | 1985-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4557944A (en) | Process of manufacturing a magnetic recording medium | |
| JPH05342553A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH0248967B2 (ja) | Jikikirokutaioyobisonoseizoho | |
| JPH06150289A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP3323660B2 (ja) | 磁気記録媒体と薄膜の製造方法及び薄膜の製造装置 | |
| JP2001101644A (ja) | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録装置 | |
| JPH08129736A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS59162622A (ja) | 垂直磁気記録体並にその製造法 | |
| JP3050421B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2004046928A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3173549B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0311531B2 (ja) | ||
| JP2970219B2 (ja) | 磁気記録媒体とその製造方法 | |
| JPS61187122A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS59157834A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0337724B2 (ja) | ||
| JP3203943B2 (ja) | 磁気記録再生装置 | |
| JP2001143236A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS6194239A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS60195736A (ja) | 磁気記録体、その製造法並に製造装置 | |
| JPH0479043B2 (ja) | ||
| JPS62162222A (ja) | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2002092862A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体 | |
| JPH04219622A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS6366721A (ja) | 磁気記録媒体 |