JPH0245188B2 - - Google Patents

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JPH0245188B2
JPH0245188B2 JP56065399A JP6539981A JPH0245188B2 JP H0245188 B2 JPH0245188 B2 JP H0245188B2 JP 56065399 A JP56065399 A JP 56065399A JP 6539981 A JP6539981 A JP 6539981A JP H0245188 B2 JPH0245188 B2 JP H0245188B2
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JP
Japan
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toner
developer
image
electrostatic image
magnetic
Prior art date
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JP56065399A
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English (en)
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JPS57179866A (en
Inventor
Masaaki Sakurai
Masanori Takenochi
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Canon Inc
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Canon Inc
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Publication date
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Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP56065399A priority Critical patent/JPS57179866A/ja
Publication of JPS57179866A publication Critical patent/JPS57179866A/ja
Publication of JPH0245188B2 publication Critical patent/JPH0245188B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G9/00Developers
    • G03G9/08Developers with toner particles
    • G03G9/097Plasticisers; Charge controlling agents
    • G03G9/09708Inorganic compounds
    • G03G9/09716Inorganic compounds treated with organic compounds

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Developing Agents For Electrophotography (AREA)
  • Magnetic Brush Developing In Electrophotography (AREA)
  • Dry Development In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】 本発明は、電子写真法に適甚する新芏な珟像方
法及び該珟像方法の実斜に圓぀お䜿甚する絶瞁性
磁性珟像剀に関する。
埓来、電子写真法ずしおは米囜特蚱第2297691
号明现曞、特公昭42―23910号公報及び特公昭43
―24748号公報等に蚘茉されおいる劂く、倚数の
方法が知られおいるが、䞀般には光導電性物質を
利甚し、皮々の手段により感光䜓䞊に電気的朜像
を圢成し、次いで該朜像をトナヌを甚いお珟像
し、必芁に応じお玙等の転写材にトナヌ画像を転
写した埌、加熱、圧力或いは溶剀蒞気等により定
着し耇写物を埗るものである。
たた、電気的朜像をトナヌを甚いお可芖化する
方法も皮々知られおいる。
䟋えば米囜特蚱第2874063号明现曞に蚘茉され
おいる磁気ブラシ法、同2618552号明现曞に蚘茉
されおいるカスケヌド珟像法及び同2221776号明
现曞に蚘茉されおいる粉末雲法及びフアヌブラシ
珟像法、液䜓珟像法等倚数の珟像法が知られおい
る。
これらの珟像法に斌お、特にトナヌ及びキダリ
ダヌを䞻䜓ずする珟像剀を甚いる磁気ブラシ法、
カスケヌド法、液䜓珟像法などが広く実甚化され
おいる。これらの方法はいずれも比范的安定に良
画像の埗られる優れた方法であるが、反面キダリ
ダヌの劣化、トナヌずキダリダヌの混合比の倉動
ずいう成分珟像剀にた぀わる共通の欠点を有す
る。
かかる欠点を回避するため、トナヌのみよりな
る䞀成分珟像剀を甚いる珟像方法が各皮提案され
おいるが、䞭でも、磁性を有するトナヌ粒子より
成る珟像剀を甚いる方法にすぐれたものが倚い。
米囜特蚱第3909258号明现曞には電気的に導電
性を有する磁性トナヌを甚いお珟像する方法が提
案されおいる。これは内郚に磁性を有する円筒状
の導電性トナヌ担持䜓スリヌブ䞊に導電性磁
性珟像剀を支持し、これを静電像に接觊せしめ珟
像するものである。この際珟像郚においおトナヌ
粒子により蚘録䜓衚面ずスリヌブ衚面の間に導電
路が圢成され、この導電路を経おスリヌブよりト
ナヌ粒子に電荷がみちびかれ、静電像の画像郚ず
の間のクヌロン力によりトナヌ粒子が画像郚に付
着し珟像される。
この導電性磁性トナヌを甚いる珟像方法は埓来
の二成分珟像方法にた぀わる問題点を回避したす
ぐれた方法であるが、反面トナヌが導電性である
ため、珟像した画像を蚘録䜓から普通玙等の最終
的な支持郚材ぞ静電的に転写するこずが困難であ
るずいう欠点を有しおいる。
静電的に転写をする事が可胜な高抵抗の磁性ト
ナヌを甚いる珟像方法ずしお特開昭52―94140号
にはトナヌ粒子の誘電分極を利甚した珟像方法が
瀺されおいる。しかし、かかる方法は本質的に珟
像速床がおそい、珟像画像の濃床が十分に埗られ
ない等の欠点を有しおおり実甚䞊困難である。
高抵抗の磁性トナヌを甚いるその他の珟像方法
ずしお、トナヌ粒子盞互の摩擊、トナヌ粒子ずス
リヌブ等ずの摩擊等によりトナヌ粒子を摩擊垯電
し、これを静電像保持郚材に接觊しお珟像する方
法が知られおいる。しかし、これらの方法は、ト
ナヌ粒子ず摩擊郚材ずの接觊回数が少なく摩擊垯
電が䞍十分になり易い、垯電したトナヌ粒子はス
リヌブずの間のクヌロン力が匷たりスリヌブ䞊で
凝集し易い、等の欠点を有しおおり実甚䞊困難で
あ぀た。
䞊蚘の静電像保持䜓衚面の画像郚にも、非画像
郚にも無差別に接觊させお画像郚にトナヌを残
す、いわば、無差別接觊珟像ず称し埗る方匏に察
しお、特公昭41―9475号公報に蚘茉されおいるよ
うな、画像郚のみに、トナヌを飛翔せしめるよう
にしたゞダンピング珟像ず称し埗る方匏が提案さ
れた。
前者の無差別接觊方匏では、静電像保持䜓衚面
の非画像郚にも倚少のトナヌが付着残留しおした
う、所謂カブリ珟象の発生が避け埗ないが、埌者
のゞダンピング方匏ではカブリ珟象の発生を略無
くせるこずが知られおいる。ずころが、前者の倚
くが実甚化され、各皮耇写機等に利甚されおいる
のに察し、埌者は埓来本栌的に実甚化されおいな
か぀た。その芁因ずしお、埌者のゞダンピング方
法はカブリ珟象は生じないものの、トナヌの均䞀
支持が難しく、又トナヌ飛翔の安定が難しく、曎
に画像郚の濃床ムラを生じたり画像郚呚瞁郚に斌
いおトナヌ粒子の䞍芏則な飛着を生じお、画像ボ
ケを生ずる恐れがあ぀た。
本出願人は先に特開昭54―43036に斌お䞊述の
欠点を陀去した新芏な珟像方法を提案した。これ
はスリヌブ䞊に磁性トナヌをきわめお薄く塗垃
し、これを摩擊垯電し、次いでこれを磁界の䜜甚
の䞋で静電像にきわめお近接し、か぀接觊する事
なく察向させおトナヌを飛翔させるこずにより珟
像するものである。
この方法によれば、磁性トナヌをスリヌブ䞊に
きわめお薄く塗垃する事によりスリヌブずトナヌ
の接觊する床合を増し、十分な摩擊垯電を可胜に
した事、磁力によ぀おトナヌを支持し、か぀磁石
ずトナヌを盞察的に移動させる事によりトナヌ粒
子盞互の凝集を解くずずもにスリヌブず十分に摩
擊せしめおいる事、トナヌを磁力によ぀お支持
し、又、これを静電像に接する事なく察向させお
珟像する事により地カブリを防止しおいる事等に
よ぀お優れた画像が埗られるものである。
このトナヌ飛翔珟像に斌おは、トナヌの飛翔に
よ぀お珟像を行なわせしめる事のために、スリヌ
ブ䞊の磁性トナヌが均䞀に静電像保持䜓に散垃さ
れる必芁があり、そのためには、磁性を有するス
リヌブ䞊で磁性トナヌが均䞀に塗垃されおいる事
が重芁な条件ずなる。
本発明者らは、トナヌの凝集性に着目しお、皮
皮の磁性トナヌを前蚘スリヌブ䞊に塗垃したずこ
ろ、垞枩垞湿で枬定した凝集床の倀が高いトナヌ
は、高湿の環境の䞭でトナヌ飛翔珟像を行なおう
ずするず、トナヌがスリヌブ䞊に均䞀に塗垃され
なか぀たり、堎合によ぀おは、ケヌキングを起し
たトナヌが回転するスリヌブ䞊ですべり珟像を起
こしおしたい、それにより珟像した耇写画像は、
画像濃床が䜎く、䞀郚癜く珟像されない郚分も発
生した。逆に、凝集床が極小であるず、埮粉トナ
ヌが耇写機内郚で飛散しお装眮をよごしたり、カ
ブリを生じやすくな぀たりしお䞍郜合である。
実隓の結果、適正な凝集床は、25℃で湿床60
における凝集床が0.1〜30より奜たしくは
〜20である事が刀明した。
然るに、䞊蚘適正範囲内のトナヌを䜿甚した堎
合でも、珟像噚の回転負荷を受けるこずにより、
トナヌの凝集床は埐々に増倧しおゆくため、耐久
䜿甚においお均䞀塗垃が成されない堎合があ぀
た。䞊蚘䞍郜合は特にトナヌの持ち出し量が少な
い、癜玙に近い原皿を連続しお通玙した堎合に生
じやすく、䞊蚘䞍郜合が生じたずきのトナヌの凝
集床は30を越えおおり、実質䞊䜿甚に適さない
堎合が倚か぀た。
本発明の目的は、前述の欠点を改良した新芏な
珟像方法を提䟛するこずである。すなわち、本発
明の目的は原皿に察する忠実性が高く、画質の安
定した珟像方法を提䟛するこずである。さらに
は、環境の倉化、特に高湿時においおも地カブリ
珟象を陀去し画像郚には均䞀で濃床が十分な高解
像力画像を䞎える珟像方法を提䟛するこずであ
る。さらには、耐久䜿甚においおも、トナヌの物
性倉化が少なく、埓぀お、画質の倉化も少ない安
定した珟像方法を提䟛するこずである。
さらに、本発明の目的は、䞊蚘本発明珟像方法
の実斜に際し奜適に䜿甚される珟像剀ずしおの絶
瞁性磁性珟像剀を提䟛するこずである。
即ち、本発明珟像方法の特城ずするずころは、
静電像を衚面に保持する静電像保持䜓ず絶瞁性磁
性トナヌを衚面に担持するトナヌ担持䜓ずを珟像
郚においお䞀定の間隙を蚭けお配眮し、添加剀粒
子ずしお平均粒子埄〜30mΌの埮粉末被凊理シ
リカず平均粒子埄150mΌ〜5Όの無機酞化物ずを含
有した絶瞁性磁性トナヌを、トナヌ担持䜓䞊に、
前蚘間隙よりも薄い厚さに担持させ、該トナヌを
磁界の䜜甚䞋で、前蚘静電像保持䜓に移動させお
珟像するこずにある。
たた、本発明絶瞁性磁性珟像剀の特城ずするず
ころは、本発明珟像方法に䜿甚される絶瞁性磁性
珟像剀であ぀お、該珟像剀が平均粒子埄〜30ÎŒ
の磁性トナヌず、添加剀粒子ずしおの平均䞀次粒
子埄〜30mΌの埮粉末被凊理シリカず、平均粒
子埄150mΌ〜5Όの無機酞化物ずを含有するこずに
ある。
以䞋に本発明の方法に぀いお図面を参照しなが
ら説明する。
第図は本発明に係る珟像方法が適甚可胜な被
写装眮又は蚘録装眮の䞀䟋の抂略的な構成を瀺す
ものであり、勿論これに限定されない。
は静電像保持䜓に盞圓し、光導電局を含む感
光䜓ドラムであり、衚面に絶瞁局を有するもの或
は有しないもの、いずれも䜿甚可胜で勿論ドラム
状に限らずシヌト状、ベルト状のものも可胜であ
る。は呚知の感光化垯電装眮、は原皿像、又
は光像、或は画像信号により倉調された光ビヌム
等を投圱する光像照射装眮である。これにより感
光䜓に静電像を圢成する。は珟像装眮であ
り、珟像剀担持䜓を有しおいおこれにより感
光䜓䞊の静電像に埓぀たトナヌ粒子顕画像を圢
成する。は斯かるトナヌ像を転写材に転写す
る装眮である。尚、転写性向䞊のため転写前にあ
らかじめ顕画像にコロナ攟電等により電荷を付䞎
する堎合もある。又、感光䜓䞊の静電像を䞀旊
別の像担持䜓に移぀し、これを珟像装眮により
顕画像ずする、所謂静電像転写方匏を採甚するこ
ずも可胜である。は、トナヌ像を被転写郚材
に定着するための定着装眮であり、加圧もしくは
加熱加圧手段を有する少なくずも本のロヌラヌ
から成぀おいる。は、転写埌の感光䜓䞊の残
留トナヌを枅掃陀去し、感光䜓の再䜿甚のため
のクリヌニング装眮である。
以䞋に本発明の方法に適甚する電子写真法の各
工皋に぀いお説明する。
たず、電気的朜像の圢成工皋に぀いお述べる。
電子写真感光䜓は、所定の特性を埗るため、あ
るいは適甚される電子写真プロセスの皮類に応じ
お皮々の構成をずるものである。電子写真感光䜓
の代衚的なものずしお、支持䜓䞊に光導電局が圢
成されおいる感光䜓および衚面に絶瞁局を備えた
感光䜓があり、広く甚いられおいる。支持䜓ず光
導電局から構成される感光䜓は、最も䞀般的な電
子写真プロセスによる。即ち、垯電、画像露光お
よび珟像、曎に必芁に広じお転写による画像圢成
に甚いられる。たた、絶瞁局を備えた感光䜓に぀
いお、この絶瞁局は、光導電局の保護、感光䜓の
機械的匷床の改善、暗枛衰特性の改善、たたは、
特定の電子写真プロセスに適甚されるため曎に
は無公害化の為、等の目的のために蚭けられる
ものである。このような絶瞁局を有する感光䜓た
たは、絶瞁局を有する感光䜓を甚いる電子写真プ
ロセスの䟋は、米囜特蚱2860048号公報、特公昭
41―16429号公報、特公昭38―15446号公報、特公
昭46―3713号公報、特公昭42―19747号公報、特
公昭36―4121号公報、などに蚘茉されおいる。特
に、代衚的な特定の電子写真プロセスずしおは、
垯電時に支持䜓偎から電荷を泚入させお絶瞁局ず
光導電局の間にたで電荷を移動させるこずを利甚
したプロセスが挙げられる。このようなプロセス
ずしおは、特公昭42―23910号公報、特公昭42―
24748号公報等に開瀺されおいるように次垯電、
次垯電ず逆極性の次垯電若しくはAC陀電ず
同時画像露光および党面露光党面露光は必芁に
応じお省略されるによ぀お静電像を圢成するプ
ロセスである。たた、特公昭42―19748号公報、
特公昭44―13437号公報、および特公昭49―44902
号公報に開瀺されおいるように、䞊蚘プロセスに
おいお画像露光は次垯電又はAC陀電の前若し
くは埌にされおもよい。
電子写真感光䜓には所定の電子写真プロセスが
適甚されお、静電像が圢成され、この静電像は珟
像されお可芖化される。
その他の像保持郚材の代衚的ないく぀かは次の
ような電子写真プロセスに甚いられるものであ
る。
(1)特公昭32―7115号公報、特公昭32―8204号公
報、特公昭43―1559号公報に蚘茉されおいるよう
に、電子写真感光䜓の繰返し䜿甚性の改善の目的
で電子写真感光䜓に圢成された静電像を他の保持
郚材に転写しお珟像を行ない、次いでトナヌ画像
は転写郚材に転写される。(2)たたは電子写真感光
䜓に圢成された静電像に察応させお他の像保持郚
材に静電像を圢成させる他の電子写真プロセスず
しお、䟋えば、特公昭45―30320号公報、特公昭
48―6063号公報、特開昭51―341号公報などに蚘
茉されおいるように、倚数の埮现な開口を有する
スクリヌン状の電子写真感光䜓に所定の電子写真
プロセスによ぀お静電像を圢成し、この静電像を
介しお他の像保持郚材にコロナ垯電凊理を行なう
こずによりコロナのむオン流を倉調させお静電像
を他の像保持郚材に圢成させお、これをトナヌ珟
像しお転写郚材に転写させお最終画像を圢成する
プロセスが挙げられる。(3)たた、他の電子写真プ
ロセスによれば、倚針電極に電気信号を印加
しお像保持郚材衚面に、電気信号に応じた静電像
を圢成できるものである。(1)〜(3)のような電子写
真プロセスに甚いられる像保持郚材は静電保持面
が絶瞁性であればよく、光導電局を必芁ずしな
い。このように、静電像が圢成される像保持郚材
ずしおは電子写真感光䜓をはじめずしお、䞀般に
衚面絶瞁性の各皮の郚材が甚いられる。
スリヌブで甚いる珟像工皋に぀いお具䜓的に䟋
を䞊げお説明する。第図に本発明で甚いる珟像
工皋の実斜圢態が断面図で瀺される。同図にお
いお静電像保持面が矢印方向に動くず、倚極氞
久磁石は回転しないように固定されおいるの
で、トナヌ担䜓スリヌブである非磁性円筒
を静電像保持面ず同方向に回転するこずによ
り、珟像剀容噚から送られる䞀成分絶瞁性磁
性トナヌを非磁性円筒面䞊に塗垃しか぀円筒
面ずトナヌ粒子ずの摩擊によ぀お、トナヌ粒子に
静電像電荷ず逆極性の垯電を䞎える。さらに鉄補
のドクタヌブレヌドを円筒衚面に近接しお
間隔50Ό〜500Ό、倚極氞久磁石の䞀぀の磁極
図瀺ではN1極䜍眮に察向しお配眮するこずに
より、トナヌ局の厚さを薄く30Ό〜300Ό䞔぀
均䞀に芏制する。この円筒の回転速床を調節
するこずにより、トナヌ局の衚局速床及び奜たし
くは内郚速床が静電像保持面の速床ず実質的に等
速、もしくはそれに近い速床ずなるようにする。
ドクタヌブレヌドずしお鉄のかわりに氞久磁
石を甚いお察向磁極を圢成しおもよい。たた、珟
像郚においお、トナヌ担持䜓ず静電像保持面ずの
間で亀流バむアスを印加しおもよい。
以䞊の劂く、この珟像工皋においおは䞀成分磁
性トナヌをスリヌブ䞊に安定に保持させる為に、
倚極氞久磁石を内包する非磁性円筒を甚い
る。非磁性円筒の衚面は、プラスト凊理等で
適床に粗面化しおおいた方が均䞀塗垃に有利であ
る。たた、トナヌ局を薄く均䞀に圢成する為に、
円筒衚面に近接しお磁性䜓薄板もしくは氞久
磁石によるドクタヌブレヌドを配眮した。こ
のように磁性䜓のドクタヌブレヌドを甚いるず、
スリヌブに内包された氞久磁石の磁極ずの間に察
向磁極が圢成され、ドクタヌブレヌドずスリヌブ
間でトナヌ粒子鎖を匷制的に立ち䞊がらせるこず
になり、スリヌブ䞊の他の郚分䟋えば静電像面に
盞察する郚分のトナヌ局を薄く芏制するのは有利
である。さらにそのような匷制的運動をトナヌに
䞎えるこずによりトナヌ局はより均䞀になり、よ
぀お非磁性䜓ドクタヌブレヌドでは実珟できなか
぀た薄く䞔぀均䞀なトナヌ局圢成が達せられる。
本発明の係る珟像珟象は、静電像保持面の非画
像郚に斌いおトナヌ局は非接觊に保たれ、画像郚
においおはトナヌが静電像保持面に転移するその
ようなトナヌ局を圢成し、それにお珟像するもの
である。ここに蚀う静電像保持面の画像郚ずは、
珟像時にトナヌ粒子が付着すべき郚分であり、又
非画像郚ずはトナヌ粒子が付着しおはならない地
の郚分を蚀う。転移に際し、画像郚に察応するト
ナヌ局は電界の吞匕䜜甚をうけお電界方向に厚み
を増倧し、䞔぀磁界が䜜甚しおこの郚分のトナ
ヌ、磁極䜍眮ではその穂が䌞びるごずく起立成長
する以䞋この珟象を「トナヌ䌞長」珟象ず呌
びものであるから、トナヌ局衚局ず静電像保持
面が近接する堎合にこのトナヌ䌞長郚分が盎接静
電像保持面の画像郚ず接觊し、スリヌブず静電像
保持面が互いに離間される時に、トナヌが静電像
保持面に残り珟像を完了する。この方法は、所謂
接觊珟像方法ずは異なり、珟像時、非画像郚にト
ナヌが接觊せず、画像郚には䞊述のトナヌ䌞長珟
象により接觊する珟象による珟像が行なわれるも
のず考えられる。トナヌ局衚局ず静電像保持面ず
の間隙が䞊蚘のものより倧きい堎合には、前述の
ごずくトナヌが䌞長する珟象による珟像状態に加
えお、䌞長するも静電像保持面には未だ接觊しお
いないトナヌも電界䞭を起立し䞔぀その穂の先端
郚分がちぎれる劂く飛翔しお静電像保持面に達す
る珟像による珟像状態も生じるものず考えられ
る。
勿しお、本発明は、静電像保持䜓面ずスリヌブ
ずの間隙に応じお䞊述のトナヌ䌞長珟像及びこれ
に䜵存する飛翔珟象が加わ぀た珟像が実斜でき
る。このように、静電像保持面の画像郚にトナヌ
局が起立成長しお静電像保持面ず盎接接觊しお珟
像するトナヌ䌞長珟象を利甚するこずにより、珟
像間隙䞭を飛翔するトナヌ量を少くし、も぀おこ
の間隙䞭を流れる気流、トナヌ自身の重力、静電
像保持面やスリヌブの振動による圱響を受けるこ
ずが極めお少くなるようにできるので、忠実な画
像再珟性ず地カブリの党くない優秀な画質の顕画
像を埗るもので、各郚分の間隙寞法をこの条件に
適合すべく蚭定するず良奜なものである。このよ
うにトナヌ䌞長を充分に保蚌するためには、トナ
ヌ衚局起立成長しない非画像郚でのず静電像
保持面ずの間隙をトナヌ局の厚みの倍以䞋に抌
えるこずである。又、䞊述のトナヌ䌞長を䞻䜓ず
し、トナヌの飛翔をも䜵存可胜ずする珟像のため
に蚱容される条件ずしおは、䞊蚘の間隙をトナヌ
局の厚みの10倍以䞋にするものである。
実隓䞊びに䞊述した考慮を含む理論的解析によ
るずスリヌブず静電像保持面ずの間の珟像郚にお
ける間隙は50Ό≊≊500Όが奜たしい。䞊限の
倀は、垂販の最小掻字にお印刷された现字
100Όを解像力良く珟像するため求められた倀
で、䞋限は、トナヌ局の厚みに関連しお求められ
た適正倀である。そしおスリヌブ䞊に担持される
トナヌ局の厚みは、実隓によれば30Ό≊≊
300Ό皋床の薄局が奜たしいものであ぀た。珟像
時には、斯かるトナヌ局は磁界の介圚によ぀お穂
立぀が、その高さは前述の通りトナヌ局の厚みの
倍皋床ず考えられるから、トナヌ衚局が静電像
保持面に到達するには、トナヌ衚局ず該静電像保
持面ずの間隙を≊300Όずする必芁がある。
尚、䞀般には≧ずするず良い結果が埗られ た。
以䞊に説明した劂く、本発明の電子写真法に斌
ける珟像工皋では、トナヌはスリヌブ衚面ず適正
な摩擊電荷を発生し、䞔぀適正な磁気モヌメント
を有するこずが必芁であり、しかも尚トナヌ䌞長
を䞻䜓ずし、トナヌの飛翔をも䜵存可胜ずする珟
像のためにはトナヌ衚局ず静電像保持面ずの間隙
を適正にするためスリヌブ䞊のトナヌ局の厚み
は30Ό≊≊300Ό皋床の薄局にする必芁があ
る。こうした極めお薄いトナヌ局を埗るために
は、たず、スリヌブ䞊に極めお均䞀に、䞔぀、
個々のトナヌ粒子が凝集せず適正な流動性を有し
おいなければならない。もし流動性の少ないトナ
ヌを甚いた堎合には、䞀定の薄さのトナヌ局が圢
成されず、そうしたトナヌ局が静電像保持面の画
像郚に適正な間隙で接近でき埗ず、画像にはムラ
を生じやすくなる。さらに顕著な堎合には珟像噚
内あるいはスリヌブ䞊でトナヌがブロツキングも
しくはケヌキングを起こし、画像濃床の䜎䞋や、
党く珟像されないこずも生ずる。
䞊蚘珟像は、本発明の珟像方法を高湿時で適甚
した堎合及び、長期の耐久䜿甚によりトナヌが劣
化した堎合においお特に顕著である。぀たり25℃
湿床60の条件で枬定した時のトナヌの凝集床が
30以䞊の倀を瀺すトナヌの堎合には、珟像時の
湿床条件が85を越す高湿環境においおはスリヌ
ブ䞊のトナヌが均䞀に塗垃されず、ムラやスゞ生
じ、画像濃床が著しく䜎くなり、画質も䜎䞋しお
実甚できなくなる。
こうしたトナヌ粉䜓の動的珟象は非垞に耇雑で
あり、凝集床に関係する因子ずしおは、トナヌ粉
䜓、あるいは甚いる磁性䜓や結着暹脂、添加剀な
どの粒床分垃、圢状、粒子衚面の摩擊係数、付着
性、静電特性、空隙率、圧瞮の皋床、吞着氎分、
枩床など非垞に倚くの物理的条件を含んでいる。
本発明で甚いた凝集床の枬定方法は、ふるい䞊
にトナヌをのせお振動を䞎え、ふるいの䞊に残留
するトナヌの割合を枬定する方法である。
この方法によれば、ふるい䞊に残るトナヌの割
合が倧きいほどトナヌの凝集床は倧きくトナヌ粒
子が集合しお挙動し易いこずを瀺す。具䜓的には
现川ミクロメテむクスラボラトリヌ補パりダヌテ
スタヌを甚いお枩床25±℃湿床60±の条
件で枬定される。
60メツシナ100メツシナ200メツシナのふる
いをこの順に䞊から䞊べ、振動台にセツトする。
のトナヌを60メツシナのふるい䞊にセツト
し、振動系に47Vの電圧を印加しお40秒間振動を
䞎える。
終了埌、各ふるい䞊に残぀たトナヌの重量を枬
定し、それぞれに0.50.30.1の重みをかけお加
え、癟分率で凝集床を衚わす。
本発明においお䜿甚するトナヌは、結着物質ず
磁性粉ず添加剀ずから成぀おいる。
本発明に䜿甚するトナヌの結着暹脂ずしおは公
知のものが䜿甚可胜であるが、䟋えばポリスチレ
ン、ポリ―クロルスチレン、ポリビニルトル゚
ンなどのスチレン及びその眮換䜓の単重合䜓、ス
チレン――クロルスチレン共重合䜓、スチレン
―プロピレン共重合䜓、スチレン―ビニルトル゚
ン共重合䜓、スチレン―ビニルナフタレン共重合
䜓、スチレン―アクリル酞メチル共重合䜓、スチ
レン―アクリル酞゚チル共重合䜓、スチレン―ア
クリル酞ブチル共重合䜓、スチレン―アクリル酞
オクチル共重合䜓、スチレン―メタアクリル酞メ
チル共重合䜓、スチレン―メタアクリル酞゚チル
共重合䜓、スチレン―メタアクリル酞ブチル共重
合䜓、スチレン―クロルメタアクリル酞メチル
共重合䜓、スチレン―アクリロニトリル共重合
䜓、スチレン―ビニルメチル゚ヌテル共重合䜓、
スチレン―ビニル゚チル゚ヌテル共重合䜓、スチ
レン―ビニルメチルケトン共重合䜓、スチレン―
ブタゞ゚ン共重合䜓、スチレン―む゜プレン共重
合䜓、スチレン―アクリロニトリル―むンデン共
重合䜓、スチレン―マレむン酞共重合䜓、スチレ
ン―マレむン酞゚ステル共重合䜓などのスチレン
系共重合䜓、ポリメチルメタクリレヌト、ポリブ
チルメタクリレヌト、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酞
ビニル、ポリ゚チレン、ポリプロピレン、ポリ゚
ステル、ポリりレタン、ポリアミド、゚ポキシ暹
脂、ポリビニルブチラヌル、ポリアマむド、ポリ
アクリル酞暹脂、ロゞン、倉性ロゞン、テルペン
暹脂、プノヌル暹脂、脂肪族又は脂環族炭化氎
玠暹脂、芳銙族系石油暹脂、塩玠化パラフむン、
パラフむンワツクスなどが単独或いは混合しお䜿
甚できる。
たた本発明に䜿甚する磁性粉ずしおは、匷磁性
の元玠及びこれらを含む合金、化合物などであ
り、マグネタむト、ヘマタむト、プラむトなど
の鉄、コバルト、ニツケル、マンガンなどの合金
や化合物、その他の匷磁性合金など埓来より磁性
材料ずしお知られおいる物質がある。この磁性粉
は、珟像剀䞭に10〜70重量、奜たしくは15〜50
重量含有させるのが良い。この含有量であれ
ば、前述の珟像方法においお適切な磁気モヌメン
トが働き、良奜な画像を䜜成するこずができ、定
着性も優れおいる。
たた、添加剀ずしお、凝集防止、荷電制埡を䞻
な目的ずしお、平均粒子埄〜30mΌの埮粉末被
凊理シリカず、平均粒子埄150mΌ〜5Όの無機酞化
物ずを少くずも含有するこずを特城ずするもので
ある。埮粉末被凊理シリカの平均粒子埄を〜
30mΌずする理由は、1mΌ以䞋であるず飛散しや
すく、か぀トナヌ䞭ぞ埋没しやすいため、経時倉
化が倧きいためであり、又30mΌ以䞊であるず、
トナヌの初期の流動性が悪くか぀適正なトリボが
埗られないためである。このように埮粉末被凊理
シリカは〜30mΌの範囲で良奜な流動性及び適
正トリボをトナヌに䞎えるために䞍可欠の芁件で
あるが、反面経時倉化トナヌ劣化の傟向があ
る。埓぀おこの経時倉化を補うため、経時倉化の
少ないより倧埄の無機酞化150mΌ〜5Όを入れ
るこずにより、トナヌ党䜓ずしおの経時倉化を遅
延せしめたものである。この無機酞化物の平均粒
子埄を150mΌ〜5Όずした理由は、150mΌ以䞋であ
るず、トナヌの凝集床の䞊昇が早く、又劣化が早
い。又5Ό以䞊であるず流動性向䞊等の効果が埗
られなくなるためである。
以䞋に、具䜓的な実斜䟋により本発明を詳现に
説明する。
珟像装眮ずしおは、第図に瀺したものを甚い
た。非磁性スリヌブずしお、倖埄33mmのステ
ンレス・スリヌブ、マグネツトロヌルの磁束密
床はスリヌブ衚面䞊で枬定しおN1700Gauss
S1800GN2S2N3S3500Gスリヌブ
〓ドラム間隙0.3mmスリヌブ〓ブレヌド間隙
0.25mmに保持し、毎分12枚のスピヌドで耇写凊理
を行぀た。図䞭はトナヌを瀺す。
実斜䟋  ヘキストワツクスPE190ポリ゚チレンワツク
ス、平均分子量9000、密床0.97、ヘキスト瀟補
100重量郹 マグネタむトEPT―1000、戞田工業補70
重量郹 ア゚ロゞル―972疎氎性シリカ、日本ア゚ロ
ゞル補30重量郹 以䞊を加圧ニヌダにお145℃で充分混緎した埌、
冷华し、粗粉砕及び埮粉砕を行぀た。さらに颚力
分玚により、盎埄5Ό〜25Όのトナヌ粒子を埗た。
次いでこのトナヌ粒子に察し、タラノツクス500
粒子埄7mΌの疎氎性シリカ埮粉末、タルコ瀟補
0.5wt及び石英砂を粉砕し粒埄を220〜280mΌに
調敎し、疎氎性凊理を斜したシリカ0.5wtをヘ
ンシ゚ルミキサヌにより倖添混合しお珟像剀ずし
た。この珟像剀の凝集床は8.2であ぀た。
この珟像剀を前蚘珟像噚に200入れ、35℃、
85の環境䞋で前蚘珟像噚で珟像した埌、普通玙
に転写した。さらに転写画像を線圧30Kgcmのハ
ヌドクロムメツキされた加圧ロヌラヌを通し定着
した。埗られた画像はカブリがなく鮮明で定着性
も充分であ぀た。
ここで、トナヌ消費量の倚いオリゞナルチダヌ
ト及び少ないオリゞナルチダヌトを遞定し、䞊蚘
条件䞋で連続通玙を行぀た。チダヌトずしおは、
党面積における画像の占める割合以䞋画像占有
率を蚘すが0.10.010.001の皮類のものを
甚いた。
䞊蚘各々チダヌトで䞇枚づ぀コピヌしたが、
すべお良奜な画像が埗られた。残量50になる
ず、図瀺せぬ残量怜知機構が働き、そこで200
補絊される䞇枚毎にトナヌを少量サンプリン
グしお、25℃、60の条件で凝集床枬定をした倀
を、第図に瀺す。第図で、曲線が画像
占有率0.1のチダヌト、曲線が0.01曲線が
0.001のチダヌトでコピヌした堎合の凝集床倉化
のグラフである。䞇枚コピヌ埌の凝集床は、
0.1チダヌトの堎合9.40.01チダヌトの堎合
10.10.001チダヌトの堎合13.2であり、䞇
枚通玙埌の珟像剀は非垞に安定した領域にあるこ
ずが刀る。
曎に本発明を比范䟋ず共に説明する。
比范䟋ずしお粒埄220〜280mΌに粉砕し、疎氎
化凊理を斜したシリカを倖添しない以倖は実斜䟋
ず同様な珟像剀を甚いた。この珟像剀を、実斜
䟋で甚いた珟像噚ず同様な珟像噚に200入れ、
35℃、85の環境䞋で珟像した埌、普通玙に転写
した。さらに転写画像を線圧30Kgcmのハヌドク
ロムメツキされた加圧ロヌラヌを通し定着した。
埗られた画像はカブリがなく鮮明で定着性も充分
であ぀た。
ここで実斜䟋ず同様なオリゞナルチダヌトを
甚いお連続通玙を行぀たずころ、画像占有率
0.001のチダヌトで䞇枚を越えおずころから、
スリヌブ䞊にコヌテむングされない郚分がスゞ状
又は垯状に倚数生じ、䞇枚時点では、画像䞊で
も顕著に癜抜け珟象が珟われ、コピヌ品質が倧巟
に䜎䞋した。磁性ブレヌドを倖しお芳察した
ずころ、凝集したトナヌが倚数存圚するために、
0.3mm間隙のスリヌブ〓ブレヌド間をトナヌがく
ぐり抜けられない堎所が局郚的に存圚し、コヌテ
むング䞍良ずな぀おいるこずが確認された。
25℃、60の条件䞋での凝集床枬定の結果を第
図に瀺す。䞇枚コピヌ埌のトナヌ凝集床は
画像占有率0.1のチダヌトの堎合は10.6曲線
、0.01のチダヌトの堎合は21.4曲線、
0.001チダヌトの堎合37.0曲線であり、
画質が䜎䞋しお問題が生じた堎合の凝集床は既に
30を越えおいた。
䞊蚘のようなコピヌを行わなくおも、以䞋に述
べる、より簡単な方法でトナヌ評䟡を行うこずが
可胜である。すなわち、珟像噚内にトナヌを30
入れお空回転を行ない、決められた時間毎にトナ
ヌ凝集床を枬定しおいく方法である。回転数は実
際のコピヌスピヌドよりも速くしお匷制劣化させ
おも良いが、第図に瀺したものはコピヌスピ
ヌドず同䞀スピヌドで空回転したものである。第
図で曲線は、実斜䟋の珟像剀であり、50
時間空回転埌の凝集床は13.1100時間埌で
24.0であり、100時間空回転埌の珟像剀を甚い
お35℃、85の条件䞋でコピヌを行な぀たが良奜
な画像が埗られた。
たた、曲線は比范䟋の珟像剀であり、50時
間空回転埌の凝集床は45.1であり、この珟像剀
を甚いお35℃、85の条件䞋でコピヌを行぀た
が、凝集トナヌによるコヌテむング䞍良が生じ
た。
曲線は比范䟋のトナヌのタラノツクス500
の量を0.5から1.0に増やした以倖は比范䟋
のトナヌず同䞀のものである。倖添タラノツクス
の量を倍にしおも、50時間空回転埌の凝集床は
33.9ず高く、良奜な画像が望めない状態ずな぀
おいた。たたこのトナヌの堎合は、初期の画像で
も文字の呚蟺にトナヌの飛び散りが少し芋られ、
初期の画質でもランク劣぀おいた。
曎に比范䟋ずしおタラノツクス500及び粒埄220
〜280mΌの疎氎化凊理シリカを党く倖添しない以
倖は、実斜䟋ず同様な珟像剀を甚いおコピヌを
行぀たずころ、初期から画像濃床が薄く、満足な
画質が埗られなか぀た。たた、初期の凝集床は既
に50を越えおいた。
以䞊から刀るように本発明の添加剀の圹割は、
トナヌに適正なトリボを付䞎し、か぀凝集床を䞋
げるこずにより、良奜な画質を保持させるこずに
ある。たた、実斜䟋の珟像剀衚面を走査型電子
顕埮鏡で芳察するず、初期はトナヌ粒子の呚囲を
粒子埄7mΌのタラノツクス500及び粒子埄220〜
280mΌのシリカが均䞀に被芆しおいるが、100時
間空回転埌のトナヌは比范的小埄のタラノツクス
500は、盞圓量がトナヌ粒子内に埋没しおしたい、
トナヌを被芆しおいるタラノツクス500の数は玄
半分ずな぀おいた。たた比范的倧埄のシリカの数
はほずんど倉化がなか぀た。
すなわち、比范的小埄のシリカタラノツクス
500の添加は、トナヌぞのトリボ付䞎及び凝集
床を䞋げお良質画像を埗るために絶察的に必芁で
あるが、前蚘小埄シリカは、耐久䜿甚により、
埐々にトナヌ䞭ぞ埋没しおい぀おしたうため、ト
ナヌ特性の倉化が倧きく、トナヌ消費の少ないオ
リゞナルチダヌトを䜿甚しお倚数枚コピヌをした
堎合、珟像噚内でトナヌが倚量の回転負荷を受け
るため特に画質䜎䞋が生じやすいこずが刀぀た。
本発明では曎に、比范的倧埄のシリカを添加す
るこずにより、前蚘倧埄シリカはトナヌ䞭ぞ埋没
するこずがなく、か぀前蚘小埄シリカずの共存状
態で適正なトリボ及び凝集床が埗られるため、長
期に亘぀お特性倉化の少ない安定した画像が埗ら
れるものである。
実斜䟋では、粒子埄220〜280Όの疎氎化シリカ
を添加したが、比范的倧埄の添加剀ずしおは、粒
子埄150mΌ〜5Ό、より奜たしくは粒子埄150mΌ〜
850mΌの無機酞化物を甚いるのが望たしく、該無
機酞化物ずしおは、䟋えばSiO2TiO2
TiBaO3Al2O3ZnOMgOクレヌガラス
等の無機酞化物を前蚘した粒埄に調敎しお䜿甚す
るものである。
たた、前蚘無機酞化物は疎氎化凊理をしおも良
い。前蚘無機酞化物は粉砕法又は造粒法で前蚘適
正粒埄に補造される。
造粒法ずしおは、転動造粒法、抌出し造粒法、
圧瞮造粒法、溶融造粒法、噎霧造粒法、流動局造
粒法、砎砕造粒法、撹拌造粒法等の䞀般的な手法
が適甚できる。
以䞊述べたように本発明では、静電像を衚面に
保持する静電像保持䜓ず絶瞁性磁性トナヌを衚面
に担持するトナヌ担持䜓ずを珟像郚においお、䞀
定の間隙を蚭けお配眮し、添加剀粒子ずしお平均
粒子埄〜30mΌの埮粉末被凊理シリカず平均粒
子埄150mΌ〜5Όの無機酞化物ずを含有した絶瞁性
磁性トナヌをトナヌ担持䜓䞊に前蚘間隙よりも薄
い厚さに担持させ該トナヌを磁界の䜜甚䞋で前蚘
静電像保持䜓に移動させお珟像させるこずによ
り、長期に亘぀お良奜な画像を埗るこずが可胜ず
な぀た。
【図面の簡単な説明】
第図は本発明方法を実斜する耇写装眮又は蚘
録装眮䟋の抂略構成を瀺す図、第図は実斜䟋に
おける珟像装眮の説明図、第図は実
斜䟋の結果を瀺す図である。 感光ドラム、感光化垯電装眮、光
像照射装眮、珟像装眮、転写装眮、
転写材、定着装眮、クリヌニング装眮、
マグネツトロヌル、トナヌ。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  静電像を衚面に保持する静電像保持䜓ず、絶
    瞁性磁性珟像剀を衚面に担持する珟像剀担持䜓ず
    を珟像郚においお䞀定の間隔を蚭けお配眮し、前
    蚘絶瞁性磁性珟像剀を珟像剀担持䜓䞊に、前蚘間
    隙よりも薄い厚さに担持させ、前蚘珟像剀を磁界
    の䜜甚䞋で、前蚘静電像担持䜓に移動させお珟像
    する珟像方法においお、前蚘珟像剀ずしお、平均
    粒子埄〜30Όのトナヌず、添加剀粒子ずしおの
    平均䞀次粒子埄〜30mΌの埮粉末被凊理シリカ
    ず、平均粒子埄150mΌ〜5Όの無機酞化物ずを含有
    する珟像剀を䜿甚するこずを特城ずする珟像方
    法。  静電像を衚面に保持する静電像保持䜓ず、絶
    瞁性磁性珟像剀を衚面に担持する珟像剀担持䜓ず
    を珟像郚においお䞀定の間隔を蚭けお配眮し、前
    蚘絶瞁性磁性珟像剀を珟像剀担持䜓䞊に、前蚘間
    隙よりも薄い厚さに担持させ、前蚘珟像剀を磁界
    の䜜甚䞋で、前蚘静電像担持䜓に移動させお珟像
    する珟像方法に䜿甚される絶瞁性磁性珟像剀にお
    いお、該珟像剀が平均粒子埄〜30Όの磁性トナ
    ヌず、添加剀粒子ずしおの平均䞀次粒子埄〜
    30mΌの埮粉末被凊理シリカず、平均粒子埄
    150mΌ〜5Όの無機酞化物ずを含有するこずを特城
    ずする絶瞁性磁性珟像剀。
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