JPH0244255B2 - Ingamg2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho - Google Patents
Ingamg2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizohoInfo
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- JPH0244255B2 JPH0244255B2 JP1701187A JP1701187A JPH0244255B2 JP H0244255 B2 JPH0244255 B2 JP H0244255B2 JP 1701187 A JP1701187 A JP 1701187A JP 1701187 A JP1701187 A JP 1701187A JP H0244255 B2 JPH0244255 B2 JP H0244255B2
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- heating
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- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒材料
などとして有用な新規化合物であるInGaMg2O5
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物お
よびその製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を表わ
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10、および
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、FeO22.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。
などとして有用な新規化合物であるInGaMg2O5
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物お
よびその製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を表わ
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10、および
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、FeO22.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。
【表】
【表】
これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
てYbFeO3がｎモルの割合で化合していると考え
られる層状構造を持つ化合物である。 発明の目的 本発明は（YbFeO3）oFeOの化学式において、
ｎ＝1/2に相当し、Yb3+の代わりにIn3+を、Fe3+
の代わりにGa3+を、Fe2+の代わりにMg2+を置き
かえて得られた新規な化合物を提供するにある。 発明の構成 本発明のInGaMg2O5で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物は、イオン結晶モデルでは
In3+（Ga3+Mg2+）Mg2+O5 2-と記載され、その構
造はInO1.5層、（Ga、Mg）O2.5層およびMgO層
の積層によつて形成されており、著しい構造異方
性を持つことがその特徴の一つである。 Mg2+イオンの半数はGa3+と共に（Ga、Mg）
O2.5層を作り、残りの半数はMgO層を作つてい
る。六方晶系としての格子定数は次の通りであ
る。 ａ＝3.309±0.001（Å） ｃ＝22.08±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ％）を表−２の通りであ
る。
てYbFeO3がｎモルの割合で化合していると考え
られる層状構造を持つ化合物である。 発明の目的 本発明は（YbFeO3）oFeOの化学式において、
ｎ＝1/2に相当し、Yb3+の代わりにIn3+を、Fe3+
の代わりにGa3+を、Fe2+の代わりにMg2+を置き
かえて得られた新規な化合物を提供するにある。 発明の構成 本発明のInGaMg2O5で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物は、イオン結晶モデルでは
In3+（Ga3+Mg2+）Mg2+O5 2-と記載され、その構
造はInO1.5層、（Ga、Mg）O2.5層およびMgO層
の積層によつて形成されており、著しい構造異方
性を持つことがその特徴の一つである。 Mg2+イオンの半数はGa3+と共に（Ga、Mg）
O2.5層を作り、残りの半数はMgO層を作つてい
る。六方晶系としての格子定数は次の通りであ
る。 ａ＝3.309±0.001（Å） ｃ＝22.08±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ％）を表−２の通りであ
る。
【表】
【表】
この化合物は光機能材料、半導体材料および触
媒材料などとして使用される。 この化合物は次の方法によつて製造することが
できる。 金属インジウムあるいは酸化インジウムもしく
は加熱により酸化インジウムに分解される化合物
と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは
加熱により酸化ガリウムに分解される化合物と、
金属マグネシウムあるいは酸化マグネシウムもし
くは加熱により酸化マグネシウムに分解される化
合物とを、In、GaおよびMgの割合が原子比で１
対１対２の割合で混合し、該混合物を600℃以上
で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはInおよび
Gaが各々３価状態、Mgが２価状態より還元され
ない還元雰囲気中で加熱することによつて製造す
ることができる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さいことがよく、特に10μ
ｍ以下であることが好ましい。また、光機能材
料、半導体材料として用いる場合には、不純物の
混入をきらうので純度が高い方がよい。この原料
をそのままあるいはアルコール類もしくはアセト
ンと共に充分に混合する。 これらの混合割合は、In、GaおよびMgの割合
が原子比で１対１対２の割合である。この割合を
はずすと目的とする化合物の単一相を得ることが
できない。この混合物を大気中、酸化雰囲気中も
しくはInおよびGaが各々３価状態、Mgが２価状
態から還元されない還元雰囲気中で加熱する。加
熱温度は600℃以上である。加熱時間は数時間も
しくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度には
制約はない。加熱終了後は０℃に急冷するかある
いは大気中に急激に引き出せばよい。 得られたInGaMg2O5化合物の粉末は白色で、
粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有することが
分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
InO1.5層、（Ga、Mg）O2.5層及びMgO層の積み
重ねによつて形成されている。 実施例 純度99.99％以上の酸化インジウム粉末、純度
99.9％以上の酸化ガリウム粉末および試薬特級の
酸化マグネシウム粉末を、モル比で１対１対４の
割合に秤量し、乳鉢内でエタノールを加えて約30
分間混合し平均粒径数μｍの微粉状混合物を得
た。該混合物を白金管内に封入し、1300℃に設定
された管状シリコニツト炉内に入れ３日間加熱し
た。加熱後試料を炉外に取り出し室温まで急速に
冷却した。 得られた試料はInGaMg2O5の単一相であり、
粉末Ｘ線回折法によつて各反射の面間隔（dp）及
び相対反射強度は表−２に示す通りであつた。六
方晶系としての格子定数は ａ＝3.309±0.001（Å） ｃ＝22.08±0.01（Å） であつた。上記の格子定数および表−２の各反射
（hkl）より算出した面間隔〔dc（Å〕は、実測の
面間隔〔d0（Å）〕と極めてよく一致を示した。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
媒材料などとして使用される。 この化合物は次の方法によつて製造することが
できる。 金属インジウムあるいは酸化インジウムもしく
は加熱により酸化インジウムに分解される化合物
と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは
加熱により酸化ガリウムに分解される化合物と、
金属マグネシウムあるいは酸化マグネシウムもし
くは加熱により酸化マグネシウムに分解される化
合物とを、In、GaおよびMgの割合が原子比で１
対１対２の割合で混合し、該混合物を600℃以上
で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはInおよび
Gaが各々３価状態、Mgが２価状態より還元され
ない還元雰囲気中で加熱することによつて製造す
ることができる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さいことがよく、特に10μ
ｍ以下であることが好ましい。また、光機能材
料、半導体材料として用いる場合には、不純物の
混入をきらうので純度が高い方がよい。この原料
をそのままあるいはアルコール類もしくはアセト
ンと共に充分に混合する。 これらの混合割合は、In、GaおよびMgの割合
が原子比で１対１対２の割合である。この割合を
はずすと目的とする化合物の単一相を得ることが
できない。この混合物を大気中、酸化雰囲気中も
しくはInおよびGaが各々３価状態、Mgが２価状
態から還元されない還元雰囲気中で加熱する。加
熱温度は600℃以上である。加熱時間は数時間も
しくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度には
制約はない。加熱終了後は０℃に急冷するかある
いは大気中に急激に引き出せばよい。 得られたInGaMg2O5化合物の粉末は白色で、
粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有することが
分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
InO1.5層、（Ga、Mg）O2.5層及びMgO層の積み
重ねによつて形成されている。 実施例 純度99.99％以上の酸化インジウム粉末、純度
99.9％以上の酸化ガリウム粉末および試薬特級の
酸化マグネシウム粉末を、モル比で１対１対４の
割合に秤量し、乳鉢内でエタノールを加えて約30
分間混合し平均粒径数μｍの微粉状混合物を得
た。該混合物を白金管内に封入し、1300℃に設定
された管状シリコニツト炉内に入れ３日間加熱し
た。加熱後試料を炉外に取り出し室温まで急速に
冷却した。 得られた試料はInGaMg2O5の単一相であり、
粉末Ｘ線回折法によつて各反射の面間隔（dp）及
び相対反射強度は表−２に示す通りであつた。六
方晶系としての格子定数は ａ＝3.309±0.001（Å） ｃ＝22.08±0.01（Å） であつた。上記の格子定数および表−２の各反射
（hkl）より算出した面間隔〔dc（Å〕は、実測の
面間隔〔d0（Å）〕と極めてよく一致を示した。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ InGaMg2O5で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ 金属インジウムあるいは酸化インジウムもし
くは加熱により酸化インジウムに分解される化合
物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしく
は加熱により酸化ガリウムに分解される化合物
と、金属マグネシウムあるいは酸化マグネシウム
もしくは加熱により酸化マグネシウムに分解され
る化合物とを、In、GaおよびMgの割合が原子比
で１対１対２の割合で混合し、該混合物を600℃
以上で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはInおよ
びGaが各々３価状態、Mgが２価状態より還元さ
れない還元雰囲気中で加熱することを特徴とする
InGaMg2O5で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1701187A JPH0244255B2 (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | Ingamg2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1701187A JPH0244255B2 (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | Ingamg2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63239116A JPS63239116A (ja) | 1988-10-05 |
| JPH0244255B2 true JPH0244255B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=11932059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1701187A Expired - Lifetime JPH0244255B2 (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | Ingamg2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244255B2 (ja) |
-
1987
- 1987-01-27 JP JP1701187A patent/JPH0244255B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63239116A (ja) | 1988-10-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |