JPS63239116A - ＩｎＧａＭｇ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＩｎＧａＭｇ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63239116A JPS63239116A JP1701187A JP1701187A JPS63239116A JP S63239116 A JPS63239116 A JP S63239116A JP 1701187 A JP1701187 A JP 1701187A JP 1701187 A JP1701187 A JP 1701187A JP S63239116 A JPS63239116 A JP S63239116A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料及び゛触媒材料などと
して有用な新規化合物であるＩｎＧａＭｇｚＯｓで示さ
れる六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造
法に関する。
して有用な新規化合物であるＩｎＧａＭｇｚＯｓで示さ
れる六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造
法に関する。
従来技術
従来、（Ｙｂ”Ｆｅ″″Ｏｔ） 、Ｆｅ”Ｏ（ｎは整数
を表わす）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によって合成され知られている。
を表わす）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によって合成され知られている。
ＹｔｌＦａ２Ｏ４ 、 Ｙｂ２Ｆｅ３０ｙ、 ＹｂＪｅ
ａＯ＋ｏ 、およびＹｂａＦｅｓＯ＋＋の六方晶系とし
ての格子定数、 ＹｂＯ＋、ｓ層、 ＦｅＯ，，１層、
Ｐｅ、０□、Ｓ層の単位格子内における層数を示すと
表−１の通りである。
ａＯ＋ｏ 、およびＹｂａＦｅｓＯ＋＋の六方晶系とし
ての格子定数、 ＹｂＯ＋、ｓ層、 ＦｅＯ，，１層、
Ｐｅ、０□、Ｓ層の単位格子内における層数を示すと
表−１の通りである。
ｎモルの割合で化合していると考えられる層状構造を持
つ化合物である。
つ化合物である。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅ０３）ｎＦｅＯの化学式において、
ｎ”％に相当し、Ｙｂ’＋の代わりにＩｎ”を、Ｆｅ’
＋の代わりにＧａ３°を、Ｆｅ”の代わりにＭｇｇ ＊
を置きかえて得られた新規な化合物を提供するにある。
ｎ”％に相当し、Ｙｂ’＋の代わりにＩｎ”を、Ｆｅ’
＋の代わりにＧａ３°を、Ｆｅ”の代わりにＭｇｇ ＊
を置きかえて得られた新規な化合物を提供するにある。
発明の構成
本発明のＩｎＧａＭｇｚＯｓで示される六方晶系の層状
構造を有する化合物は、イオン結晶モデルではＩｎ”（
Ｇａ” Ｍｇ２つＭｇ２＋０，２−と記載され、その構
造はＩｎＯ＋、ｓ層、 （Ｇａ、Ｍｇ）Ｏｇ、ｓ層およ
びＭｇＯ層の積層によって形成されており、著しい構造
異方性を持つことがその特徴の一つである。
構造を有する化合物は、イオン結晶モデルではＩｎ”（
Ｇａ” Ｍｇ２つＭｇ２＋０，２−と記載され、その構
造はＩｎＯ＋、ｓ層、 （Ｇａ、Ｍｇ）Ｏｇ、ｓ層およ
びＭｇＯ層の積層によって形成されており、著しい構造
異方性を持つことがその特徴の一つである。
Ｍｇ２＋イオンの半数はＧａ”と共に（Ｇａ、？１ｇ）
０＊、 ｓ層を作り、残りの半数はＭｇＯ層を作ってい
る。六方晶系としての格子定数は次の通りである。
０＊、 ｓ層を作り、残りの半数はＭｇＯ層を作ってい
る。六方晶系としての格子定数は次の通りである。
ａ ＝３．３０９ ±０．００１ （人）ｃ ＝２２
．０８ ±０．０１ （人）この化合物の面指数（
ｈｋＡ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値、ｄｃは
計算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強度■ （
％）を示すと表−２の通りである。
．０８ ±０．０１ （人）この化合物の面指数（
ｈｋＡ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値、ｄｃは
計算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強度■ （
％）を示すと表−２の通りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料および触媒材料な
どとして使用される。
どとして使用される。
この化合物は次の方法によって製造することができる。
金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは加熱に
より酸化インジウムに分解される化合物と、金属ガリウ
ムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウ
ムに分解される化合物と、金属マグネシウムあるいは酸
化マグネシウムもしくは加熱により酸化マグネシウムに
分解される化合物とを、Ｉｎ、 ＧａおよびＭｇの割合
が原子比で１対１対２の割合で混合し、該混合物を６０
０℃以上で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはＩｎおよ
びＧａが各々３価状態、Ｍｇが２価状態より還元されな
い還元雰囲気中で加熱することによって製造することが
できる。
より酸化インジウムに分解される化合物と、金属ガリウ
ムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウ
ムに分解される化合物と、金属マグネシウムあるいは酸
化マグネシウムもしくは加熱により酸化マグネシウムに
分解される化合物とを、Ｉｎ、 ＧａおよびＭｇの割合
が原子比で１対１対２の割合で混合し、該混合物を６０
０℃以上で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはＩｎおよ
びＧａが各々３価状態、Ｍｇが２価状態より還元されな
い還元雰囲気中で加熱することによって製造することが
できる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さいことがよく、特に１０μｍ以下であることが
好ましい。また、光機能材料、半導体材料として用いる
場合には、不純物の混入をきらうので純度が高い方がよ
い。この原料をそのままあるいはアルコール類もしくは
アセトンと共に充分に混合する。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さいことがよく、特に１０μｍ以下であることが
好ましい。また、光機能材料、半導体材料として用いる
場合には、不純物の混入をきらうので純度が高い方がよ
い。この原料をそのままあるいはアルコール類もしくは
アセトンと共に充分に混合する。
これらの混合割合は、Ｉｎ、 ＧａおよびＭｇの割合が
原子比で１対１対２の割合である。この割合をはずすと
目的とする化合物の単−相を得ることができない、この
混合物を大気中、酸化雰囲気中もしくはＩｎおよびＧａ
が各々３価状態、 Ｍｇが２価状態から還元されない還
元雰囲気中で加熱する。加熱温度は６００℃以上である
。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱の際
の昇温速度には制約はない。加熱終了後は０℃に急冷す
るかあるいは大気中に急激に引き出せばよい。
原子比で１対１対２の割合である。この割合をはずすと
目的とする化合物の単−相を得ることができない、この
混合物を大気中、酸化雰囲気中もしくはＩｎおよびＧａ
が各々３価状態、 Ｍｇが２価状態から還元されない還
元雰囲気中で加熱する。加熱温度は６００℃以上である
。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱の際
の昇温速度には制約はない。加熱終了後は０℃に急冷す
るかあるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られたＩｎＧａＭｇ、Ｏ，化合物の粉末は白色で、粉
末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分かった
。その結晶構造は層状構造であり、ＩｎＯ，，５層、
（Ｇａ、 Ｍｇ）Ｏｔ、ｓ層及びＭｇＯ層の積み重ねに
よって形成されている。
末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分かった
。その結晶構造は層状構造であり、ＩｎＯ，，５層、
（Ｇａ、 Ｍｇ）Ｏｔ、ｓ層及びＭｇＯ層の積み重ねに
よって形成されている。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化インジウム粉末、純度９９
．９％以上の酸化ガリウム粉末および試薬特級の酸化マ
グネシウム粉末を、モル比で１対１対４の割合に秤量し
、乳鉢内でエタノールを加えて約３０分間混合し平均粒
径数μｍの微粉状混合物を得た。
．９％以上の酸化ガリウム粉末および試薬特級の酸化マ
グネシウム粉末を、モル比で１対１対４の割合に秤量し
、乳鉢内でエタノールを加えて約３０分間混合し平均粒
径数μｍの微粉状混合物を得た。
該混合物を白金管内に封入し、１３００℃に設定された
管状シリコニット炉内に入れ３日間加熱した。
管状シリコニット炉内に入れ３日間加熱した。
加熱後試料を炉外に取り出し室温まで急速に冷却した。
得られた試料はＩｎＧａＭｇｚＯｓの単−相であり、粉
末Ｘ線回折法によって各反射の面間隔（ｄｏ）及び相対
反射強度は表−２に示す通りであった。六方晶系として
の格子定数は ａ ＝３．３０９ ±０．００１ （人）ｃ ＝２
２．０８ ±０．０１ （人）であった。上記の格
子定数および表−２の各反射（ｈｋｌ）より算出した面
間隔〔ｄｃ（人〕は、実測の面間隔〔ｄｏ（人）〕と極
めてよく一致を示した。
末Ｘ線回折法によって各反射の面間隔（ｄｏ）及び相対
反射強度は表−２に示す通りであった。六方晶系として
の格子定数は ａ ＝３．３０９ ±０．００１ （人）ｃ ＝２
２．０８ ±０．０１ （人）であった。上記の格
子定数および表−２の各反射（ｈｋｌ）より算出した面
間隔〔ｄｃ（人〕は、実測の面間隔〔ｄｏ（人）〕と極
めてよく一致を示した。
手 続 補 正 書
昭和ｇ之年り月／７日
ｌ 事件の表示
昭和６２年特許願第０１７Ｃ１１号
２ 発明の名称
工ｎＧａＭｇ２０５で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物およびその製造法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 茨城県新治郡桜村並木１丁目１番地自発補正 ５ 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の■ ［発明の効果
する化合物およびその製造法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 茨城県新治郡桜村並木１丁目１番地自発補正 ５ 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の■ ［発明の効果
Claims (2)
- （１）ＩｎＧａＭｇ＿２Ｏ＿５で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - （２）金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは
加熱により酸化インジウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属マグネシウムある
いは酸化マグネシウムもしくは加熱により酸化マグネシ
ウムに分解される化合物とを、Ｉｎ、ＧａおよびＭｇの
割合が原子比で１対１対２の割合で混合し、該混合物を
６００℃以上で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはＩｎ
およびＧａが各々３価状態、Ｍｇが２価状態より還元さ
れない還元雰囲気中で加熱することを特徴とするＩｎＧ
ａＭｇ＿２Ｏ＿５で示される六方晶系の層状構造を有す
る化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1701187A JPH0244255B2 (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | Ingamg2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1701187A JPH0244255B2 (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | Ingamg2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63239116A true JPS63239116A (ja) | 1988-10-05 |
| JPH0244255B2 JPH0244255B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=11932059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1701187A Expired - Lifetime JPH0244255B2 (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | Ingamg2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244255B2 (ja) |
-
1987
- 1987-01-27 JP JP1701187A patent/JPH0244255B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0244255B2 (ja) | 1990-10-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |