JPH02441Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02441Y2 JPH02441Y2 JP1983123297U JP12329783U JPH02441Y2 JP H02441 Y2 JPH02441 Y2 JP H02441Y2 JP 1983123297 U JP1983123297 U JP 1983123297U JP 12329783 U JP12329783 U JP 12329783U JP H02441 Y2 JPH02441 Y2 JP H02441Y2
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- Japan
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- chamber
- sputtering
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- take
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- Expired
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 29
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はビデオデイスク等の基板を連続的に処
理するインライン式のスパツタリング装置に関す
る。
理するインライン式のスパツタリング装置に関す
る。
従来、この種の装置として、第１図示のように
スパツタリング室ａの前後にホルダｂに取付けた
基板ｃの仕込室ｄと取出室ｅを連設し、該基板ｃ
を各室ａ，ｄ，ｅに設けたローラ等の搬送装置ｆ
により仕込室ｄから順次送り出し、スパツタリン
グ室ａに於て該基板ｃにスパツタリング処理を施
したのち取出室ｅに送るようにしたものが知られ
ている。この場合各搬送装置ｆは一定速度で搬送
作動を行なうように構成するを一般とし、これに
よればホルダｂ及び基板ｃは、仕込室ｄの搬送装
置に載せるまでの時間及び取出室ｅで搬送装置か
ら下ろす時間が必要で、仝図示のようにスパツタ
リング室ａ内を間隔を存して搬送される結果とな
る。こうした間隔が存するとスパツタリング室ａ
内の基板ｃの個数が少なくなり生産性が悪くなる
ばかりでなくボンバードゾーン及びスパツタゾー
ンでの放電状況の変化並びに対向する電極面、シ
ールド面の汚れによるダストが発生する等の不都
合がある。本考案はこうした不都合を解消するこ
とを目的としたもので、スパツタリング室１の前
後に基板２の仕込室３と取出室４を連設し、該基
板２を各室１，３，４に設けた搬送装置５により
仕込室３からスパツタリング室１を介して取出室
４へと搬送する式のものに於て、仕込室３及び取
出室４の各搬送装置５を夫々高速搬送装置５ａ，
５ａで構成し、スパツタリング室１の搬送装置５
を前後の高低速切換式搬送装置５ｂ，５ｂとその
中間の低速搬送装置５ｃとで構成して成る。
スパツタリング室ａの前後にホルダｂに取付けた
基板ｃの仕込室ｄと取出室ｅを連設し、該基板ｃ
を各室ａ，ｄ，ｅに設けたローラ等の搬送装置ｆ
により仕込室ｄから順次送り出し、スパツタリン
グ室ａに於て該基板ｃにスパツタリング処理を施
したのち取出室ｅに送るようにしたものが知られ
ている。この場合各搬送装置ｆは一定速度で搬送
作動を行なうように構成するを一般とし、これに
よればホルダｂ及び基板ｃは、仕込室ｄの搬送装
置に載せるまでの時間及び取出室ｅで搬送装置か
ら下ろす時間が必要で、仝図示のようにスパツタ
リング室ａ内を間隔を存して搬送される結果とな
る。こうした間隔が存するとスパツタリング室ａ
内の基板ｃの個数が少なくなり生産性が悪くなる
ばかりでなくボンバードゾーン及びスパツタゾー
ンでの放電状況の変化並びに対向する電極面、シ
ールド面の汚れによるダストが発生する等の不都
合がある。本考案はこうした不都合を解消するこ
とを目的としたもので、スパツタリング室１の前
後に基板２の仕込室３と取出室４を連設し、該基
板２を各室１，３，４に設けた搬送装置５により
仕込室３からスパツタリング室１を介して取出室
４へと搬送する式のものに於て、仕込室３及び取
出室４の各搬送装置５を夫々高速搬送装置５ａ，
５ａで構成し、スパツタリング室１の搬送装置５
を前後の高低速切換式搬送装置５ｂ，５ｂとその
中間の低速搬送装置５ｃとで構成して成る。
本考案の実施例は第２図乃至第４図示の如くで
あり、これに於ては各基板２をホルダ６に取付
け、該ホルダ６を搬送することにより基板２が移
送されるようにした。ホルダ６はその多数枚を予
め仕込室３内に収められ、該室３から１枚ずつ側
方にスパツタ電極７とボンバード電極８を設けた
スパツタリング室１を介して取出室４へと送られ
る。搬送装置５はホルダ６の上方両側を支える２
個１組のアイドルローラ９と、該ホルダ６の下端
を溝１０ａ内に支えて回転する搬送ローラ１０を
備えるを一般構成とし、仕込室３及び取出室４の
各搬送装置５ａ，５ａは搬送ローラ１０とこれを
伝導軸１１を介して連結した高速回転モータ１２
とで構成し、スパツタリング室１の搬送ローラ１
０を前後方向に３群に分け、その前後の群を伝導
軸１３を介して高低２段に切換自在の高低速モー
タ１４により駆動して高低速切換式搬送装置５ｂ
に構成すると共にその中間の群を伝導軸１５を介
して低速モータ１６により駆動して低速搬送装置
５ｃに構成するようにした。１７は粗引き排気
口、１８は高真空排気口、１９，１９は防着板で
ある。
あり、これに於ては各基板２をホルダ６に取付
け、該ホルダ６を搬送することにより基板２が移
送されるようにした。ホルダ６はその多数枚を予
め仕込室３内に収められ、該室３から１枚ずつ側
方にスパツタ電極７とボンバード電極８を設けた
スパツタリング室１を介して取出室４へと送られ
る。搬送装置５はホルダ６の上方両側を支える２
個１組のアイドルローラ９と、該ホルダ６の下端
を溝１０ａ内に支えて回転する搬送ローラ１０を
備えるを一般構成とし、仕込室３及び取出室４の
各搬送装置５ａ，５ａは搬送ローラ１０とこれを
伝導軸１１を介して連結した高速回転モータ１２
とで構成し、スパツタリング室１の搬送ローラ１
０を前後方向に３群に分け、その前後の群を伝導
軸１３を介して高低２段に切換自在の高低速モー
タ１４により駆動して高低速切換式搬送装置５ｂ
に構成すると共にその中間の群を伝導軸１５を介
して低速モータ１６により駆動して低速搬送装置
５ｃに構成するようにした。１７は粗引き排気
口、１８は高真空排気口、１９，１９は防着板で
ある。
その作動を説明するに、仕込室３に於てホルダ
６が高速搬送装置５ａに載せられると該装置５ａ
は高速で仕込室３からスパツタリング室１へホル
ダ６を送り出す。これと同時にスパツタリング室
１の仕込室３寄りの前方の高低速切換式搬送装置
５ｂが高速で作動して仕込室３からのホルダ６を
急速にスパツタリング室１内に受入れる。その受
入後には前方の該切換式搬送装置５ｂは中間の低
速搬送装置５ｃの速度と歩調を合せて低速で作動
し、側方のボンバード電極８によりホルダ６の基
板２にイオンボンバード処理が施され、続いてス
パツタ電極７によりスパツタ処理が施される。こ
の間取出室４寄りの後方の切換式搬送装置５ｂも
低速で作動するが、ホルダ６がスパツタリング室
１の後端に達すると、後方の該切換式搬送装置５
ｂが高速作動を開始すると共に取出室４の高速搬
送装置５ａも作動してホルダ６を急速にスパツタ
リング室１から運び出し取出室４に収める。
６が高速搬送装置５ａに載せられると該装置５ａ
は高速で仕込室３からスパツタリング室１へホル
ダ６を送り出す。これと同時にスパツタリング室
１の仕込室３寄りの前方の高低速切換式搬送装置
５ｂが高速で作動して仕込室３からのホルダ６を
急速にスパツタリング室１内に受入れる。その受
入後には前方の該切換式搬送装置５ｂは中間の低
速搬送装置５ｃの速度と歩調を合せて低速で作動
し、側方のボンバード電極８によりホルダ６の基
板２にイオンボンバード処理が施され、続いてス
パツタ電極７によりスパツタ処理が施される。こ
の間取出室４寄りの後方の切換式搬送装置５ｂも
低速で作動するが、ホルダ６がスパツタリング室
１の後端に達すると、後方の該切換式搬送装置５
ｂが高速作動を開始すると共に取出室４の高速搬
送装置５ａも作動してホルダ６を急速にスパツタ
リング室１から運び出し取出室４に収める。
先行するホルダ６が低速搬送装置５ｃに乗り終
ると次のホルダが仕込室３からスパツタリング室
１へ共に高速作動する搬送装置５ａ，５ｂにより
運び込まれ、先行するホルダ６に次のホルダが当
接し或は接近すると仕込室３の装置５ａは止ま
り、装置５ｂは低速搬送装置５ｃに合せた低速に
切換わる。かくてスパツタリング室１内には３個
のホルダ６を存在させ得、生産性が向上する。高
低速切換式搬送装置５ｂ，５ｂの速度切換の指示
はローラ１０の回転数の検出により、或は光電管
等により与えることが出来る。
ると次のホルダが仕込室３からスパツタリング室
１へ共に高速作動する搬送装置５ａ，５ｂにより
運び込まれ、先行するホルダ６に次のホルダが当
接し或は接近すると仕込室３の装置５ａは止ま
り、装置５ｂは低速搬送装置５ｃに合せた低速に
切換わる。かくてスパツタリング室１内には３個
のホルダ６を存在させ得、生産性が向上する。高
低速切換式搬送装置５ｂ，５ｂの速度切換の指示
はローラ１０の回転数の検出により、或は光電管
等により与えることが出来る。
このように本考案によるときは仕込室３及び取
出室４には高速の搬送装置５ａ，５ａを夫々設
け、スパツタリング室１にはその前後の高低切換
式搬送装置５ｂ，５ｂとその中間の低速搬送装置
５ｃとを設けたので、スパツタリング室１に基板
２を無駄な間隔を生じさせることなく収容出来、
処理能率が向上すると共に電極面等の汚れによる
ダストの発生が防止される等の効果がある。
出室４には高速の搬送装置５ａ，５ａを夫々設
け、スパツタリング室１にはその前後の高低切換
式搬送装置５ｂ，５ｂとその中間の低速搬送装置
５ｃとを設けたので、スパツタリング室１に基板
２を無駄な間隔を生じさせることなく収容出来、
処理能率が向上すると共に電極面等の汚れによる
ダストの発生が防止される等の効果がある。
第１図は従来例の截断側面の線図、第２図は本
考案の実施例の截断側面図、第３図はその−
線断面図、第４図は第２図の−線拡大断面図
である。 １……スパツタリング室、２……基板、３……
仕込室、４……取出室、５……搬送装置、５ａ…
…高速搬送装置、５ｂ……高低切換式搬送装置、
５ｃ……低速搬送装置。
考案の実施例の截断側面図、第３図はその−
線断面図、第４図は第２図の−線拡大断面図
である。 １……スパツタリング室、２……基板、３……
仕込室、４……取出室、５……搬送装置、５ａ…
…高速搬送装置、５ｂ……高低切換式搬送装置、
５ｃ……低速搬送装置。
Claims (1)
- スパツタリング室１の前後に基板２の仕込室３
と取出室４を連設し、該基板２を各室１，３，４
に設けた搬送装置５により仕込室３からスパツタ
リング室１を介して取出室４へと搬送する式のも
のに於て、仕込室３及び取出室４の各搬送装置５
を夫々高速搬送装置５ａ，５ａで構成し、スパツ
タリング室１の搬送装置５を前後の高低速切換式
搬送装置５ｂ，５ｂとその中間の低送搬送装置５
ｃとで構成して成るインライン式スパツタリング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12329783U JPS6032363U (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | インライン式スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12329783U JPS6032363U (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | インライン式スパツタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032363U JPS6032363U (ja) | 1985-03-05 |
| JPH02441Y2 true JPH02441Y2 (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=30281504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12329783U Granted JPS6032363U (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | インライン式スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032363U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011032508A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Tohoku Univ | 配線基板プラズマ処理装置及び配線基板の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3904506A (en) * | 1972-11-13 | 1975-09-09 | Shatterproof Glass Corp | Apparatus for continuous production of sputter-coated glass products |
| US4042128A (en) * | 1975-11-26 | 1977-08-16 | Airco, Inc. | Substrate transfer apparatus for a vacuum coating system |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP12329783U patent/JPS6032363U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3904506A (en) * | 1972-11-13 | 1975-09-09 | Shatterproof Glass Corp | Apparatus for continuous production of sputter-coated glass products |
| US4042128A (en) * | 1975-11-26 | 1977-08-16 | Airco, Inc. | Substrate transfer apparatus for a vacuum coating system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6032363U (ja) | 1985-03-05 |
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