JPH0860338A - 真空コーティング装置 - Google Patents
真空コーティング装置Info
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- JPH0860338A JPH0860338A JP7202410A JP20241095A JPH0860338A JP H0860338 A JPH0860338 A JP H0860338A JP 7202410 A JP7202410 A JP 7202410A JP 20241095 A JP20241095 A JP 20241095A JP H0860338 A JPH0860338 A JP H0860338A
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
- C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタ腐食を実施するため、基板に高周波
を供給できるようにし、しかもスパッタ用陰極と向い合
った側が加熱されることのないようにする。 【解決手段】 スパッタ腐食ステーションとして構成さ
れた処理ステーション２を有するようにし、このステー
ション内の、基板５，６を装入された２つの基板ホール
ダ（２３，２４）の間に高周波電極２５を配置する。そ
のさい、ホールダ２３，２４と電極２５との間には、暗
部間隔より小さい間隔ａを設けておく。
を供給できるようにし、しかもスパッタ用陰極と向い合
った側が加熱されることのないようにする。 【解決手段】 スパッタ腐食ステーションとして構成さ
れた処理ステーション２を有するようにし、このステー
ション内の、基板５，６を装入された２つの基板ホール
ダ（２３，２４）の間に高周波電極２５を配置する。そ
のさい、ホールダ２３，２４と電極２５との間には、暗
部間隔より小さい間隔ａを設けておく。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空コーティング
装置、それもハウジング内に複数処理ステーションが設
けられており、これらステーションの少なくとも１つ
が、スパッタ用陰極を備え、運動平面内に、もしくは運
動平面と平行に整列せしめられた少なくとも１つの基板
ホールダを有しており、この基板ホールダ内へ少なくと
も１つの基板が装入され、基板ホールダの基板区域には
被コーティング域を露出させる穴が設けられている形式
の装置に関するものである。
装置、それもハウジング内に複数処理ステーションが設
けられており、これらステーションの少なくとも１つ
が、スパッタ用陰極を備え、運動平面内に、もしくは運
動平面と平行に整列せしめられた少なくとも１つの基板
ホールダを有しており、この基板ホールダ内へ少なくと
も１つの基板が装入され、基板ホールダの基板区域には
被コーティング域を露出させる穴が設けられている形式
の装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】前記の種類の真空コーティング装置は、
インライン・スパッタ装置として知られ、特に、インジ
ウム・錫・酸化物、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5 のいずれかによ
るディスプレー技術用ガラスのコーティングに用いられ
る。
インライン・スパッタ装置として知られ、特に、インジ
ウム・錫・酸化物、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5 のいずれかによ
るディスプレー技術用ガラスのコーティングに用いられ
る。
【０００３】基板のクリーニングのためには、別の構成
による真空コーティング装置を用いたスパッタ腐食が公
知である。その場合には、ターゲットを備えた陰極の代
りに、不導電性の基板が高周波にさらされ、基板のとこ
ろにプラズマを発生させて、酸化物層又は汚れを基板か
ら除去する。基板への高周波の負荷は、不導電性の基板
の場合、高周波は開放フレームとして構成された基板ホ
ールダに負荷される。しかし、基板が不導電性の場合に
は、基板ホールダは、基板背後の閉じられた面を有して
いなければならない。そうしなければ、不導電性の基板
に対して腐食作用は達成できないからである。
による真空コーティング装置を用いたスパッタ腐食が公
知である。その場合には、ターゲットを備えた陰極の代
りに、不導電性の基板が高周波にさらされ、基板のとこ
ろにプラズマを発生させて、酸化物層又は汚れを基板か
ら除去する。基板への高周波の負荷は、不導電性の基板
の場合、高周波は開放フレームとして構成された基板ホ
ールダに負荷される。しかし、基板が不導電性の場合に
は、基板ホールダは、基板背後の閉じられた面を有して
いなければならない。そうしなければ、不導電性の基板
に対して腐食作用は達成できないからである。
【０００４】しかしながら、この閉じられた面は、基板
背後に基板加熱装置が備えられる必要がある場合には、
実現できない。加熱装置の装備は、たとえばインジウム
・錫・酸化物を用いたスパッタリングによるガラスのコ
ーティングの場合に有利である。したがって、スパッタ
腐食の場合、基板背後の区域は閉じられていなければな
らないが、スパッタリング時には加熱のため開放されて
いなければならないというジレンマが生じる。
背後に基板加熱装置が備えられる必要がある場合には、
実現できない。加熱装置の装備は、たとえばインジウム
・錫・酸化物を用いたスパッタリングによるガラスのコ
ーティングの場合に有利である。したがって、スパッタ
腐食の場合、基板背後の区域は閉じられていなければな
らないが、スパッタリング時には加熱のため開放されて
いなければならないというジレンマが生じる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の根底をなす課
題は、冒頭に記した種類の真空コーティング装置を次の
ように構成することにある。すなわち、スパッタ腐食を
実施するために基板に高周波を供給できるようにし、し
かも、それによって、スパッタ陰極との対向側で基板が
加熱される可能性が排除されるようにするのである。
題は、冒頭に記した種類の真空コーティング装置を次の
ように構成することにある。すなわち、スパッタ腐食を
実施するために基板に高周波を供給できるようにし、し
かも、それによって、スパッタ陰極との対向側で基板が
加熱される可能性が排除されるようにするのである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明によ
れば、次のようにすることにより解決された。すなわ
ち、スパッタ腐食ステーションを形成するため、陽極板
との対向側に、プレート状の高周波の結合電極（Ｅｉｎ
ｋｏｐｐｅｌｅｌｅｋｔｒｏｄｅ）を固定的かつハウジ
ングに対し電気絶縁されて配置するようにし、この電極
が、搬送ワゴンにより電極の前を通過する基板から僅か
の間隔を有するようにし、それによって高周波電極と基
板ホールダとの間にプラズマが発生しないようにするの
である。
れば、次のようにすることにより解決された。すなわ
ち、スパッタ腐食ステーションを形成するため、陽極板
との対向側に、プレート状の高周波の結合電極（Ｅｉｎ
ｋｏｐｐｅｌｅｌｅｋｔｒｏｄｅ）を固定的かつハウジ
ングに対し電気絶縁されて配置するようにし、この電極
が、搬送ワゴンにより電極の前を通過する基板から僅か
の間隔を有するようにし、それによって高周波電極と基
板ホールダとの間にプラズマが発生しないようにするの
である。
【０００７】このような真空コーティング装置の場合、
基板ホールダが、完全な貫通穴を有するようにすること
ができる。なぜなら、高周波エネルギーが、スパッタ腐
食のさい容量的に基板に結合されるからである。その場
合、重要な点は次の点である。すなわち、電極と基板ホ
ールダとの間隔が暗部間隔より小さくなるようにし、そ
うすることによりプラズマの発生を防止し、それによっ
て、腐食工程が逆にされ、材料が高周波電極から除去さ
れ、基板上に付着せしめられる点である。
基板ホールダが、完全な貫通穴を有するようにすること
ができる。なぜなら、高周波エネルギーが、スパッタ腐
食のさい容量的に基板に結合されるからである。その場
合、重要な点は次の点である。すなわち、電極と基板ホ
ールダとの間隔が暗部間隔より小さくなるようにし、そ
うすることによりプラズマの発生を防止し、それによっ
て、腐食工程が逆にされ、材料が高周波電極から除去さ
れ、基板上に付着せしめられる点である。
【０００８】基板ホールダと電極との間隔を小さくする
ことにより、スパッタ被覆ステーションで基板裏側から
基板の加熱ができることは別にして、基板ホールダ又は
基板が、電極に接触しない利点が得られる。これによ
り、基板ホールダを搬送ワゴンの運動方向に対し横方向
に走行させる手段が不要となり、この結果、真空コーテ
ィング装置の構造が簡単化され、摩耗による粒子発生の
危険が低減される。この場合、考慮せねばならない点
は、基板を横方向に走行させるそのような手段が、装置
内の高真空のため、乾式で作業し、最高４００℃の温度
に耐えねばならず、このことが多大の出費を必要とし、
かつまた、そのことにより粒子発生が決して完全には排
除できないと思われる点である。加えて、複数基板ホー
ルダを直立整列させた場合、すべての駆動装置を基板の
下方に配置でき、これにより付加的に粒子による基板の
汚れの危険が低減される。
ことにより、スパッタ被覆ステーションで基板裏側から
基板の加熱ができることは別にして、基板ホールダ又は
基板が、電極に接触しない利点が得られる。これによ
り、基板ホールダを搬送ワゴンの運動方向に対し横方向
に走行させる手段が不要となり、この結果、真空コーテ
ィング装置の構造が簡単化され、摩耗による粒子発生の
危険が低減される。この場合、考慮せねばならない点
は、基板を横方向に走行させるそのような手段が、装置
内の高真空のため、乾式で作業し、最高４００℃の温度
に耐えねばならず、このことが多大の出費を必要とし、
かつまた、そのことにより粒子発生が決して完全には排
除できないと思われる点である。加えて、複数基板ホー
ルダを直立整列させた場合、すべての駆動装置を基板の
下方に配置でき、これにより付加的に粒子による基板の
汚れの危険が低減される。
【０００９】本発明による真空コーティング装置の効率
を高めるため、スパッタ腐食の不可能なインライン装置
と比較可能な本発明の有利な別の構成によれば、搬送ワ
ゴンが、搬送ワゴンの移動方向に互いに平行に配置され
た基板ホールダを有するようにし、これら基板ホールダ
の相互間隔を次のように選定する。すなわち、基板ホー
ルダが電極の双方の側の前をプラズマ発生不能の間隔で
移動できるように選定するのである。
を高めるため、スパッタ腐食の不可能なインライン装置
と比較可能な本発明の有利な別の構成によれば、搬送ワ
ゴンが、搬送ワゴンの移動方向に互いに平行に配置され
た基板ホールダを有するようにし、これら基板ホールダ
の相互間隔を次のように選定する。すなわち、基板ホー
ルダが電極の双方の側の前をプラズマ発生不能の間隔で
移動できるように選定するのである。
【００１０】装置費用を特に低額にするため、本発明の
別の有利な構成によれば、搬送ワゴンは、各基板ホール
ダ内の基板が高周波電極と向い合うような位置に停止す
るようにされている。このような真空コーティング装置
により静止スパッタ腐食を行なうことができる。
別の有利な構成によれば、搬送ワゴンは、各基板ホール
ダ内の基板が高周波電極と向い合うような位置に停止す
るようにされている。このような真空コーティング装置
により静止スパッタ腐食を行なうことができる。
【００１１】本発明は、しかし、また動的スパッタリン
グにも適用できる。その場合には、本発明の別の構成に
より、搬送ワゴンを高周波電極の傍を定速で通過するよ
うに構成し、かつまた各基板ホールダがカバーを有し、
このカバーが隣接する基板ホールダの間隙にかぶせられ
るようにする。
グにも適用できる。その場合には、本発明の別の構成に
より、搬送ワゴンを高周波電極の傍を定速で通過するよ
うに構成し、かつまた各基板ホールダがカバーを有し、
このカバーが隣接する基板ホールダの間隙にかぶせられ
るようにする。
【００１２】装置内での電極装置は、電極縁部のところ
を取囲むフレーム内に配置するようにすると、特に簡単
である。その場合、電極と電極側フレーム内側との間に
電極保持用の絶縁体を配置しておく。
を取囲むフレーム内に配置するようにすると、特に簡単
である。その場合、電極と電極側フレーム内側との間に
電極保持用の絶縁体を配置しておく。
【００１３】電極と基板ホールダとの間隔が過小になら
ないようにする措置は、フレーム内に基板ホールダの平
面と平行方向の軸線を中心として回転可能の縁部ローラ
を配置しておき、基板ホールダが電極のところを通過す
るさい、これらのローラに接触するようにすることによ
り、簡単に可能となる。
ないようにする措置は、フレーム内に基板ホールダの平
面と平行方向の軸線を中心として回転可能の縁部ローラ
を配置しておき、基板ホールダが電極のところを通過す
るさい、これらのローラに接触するようにすることによ
り、簡単に可能となる。
【００１４】また、電極と基板ホールダとの間隔が過大
にならないようにする措置は、静止スパッタ腐食の場合
は、スパッタ腐食ステーション内で基板ホールダが縁部
ローラのほうへ引張られるようにすることで可能にな
る。しかし、特に簡単な措置としては、本発明の特に有
利な別の構成によれば、基板ホールダが、縁部ローラの
最も外側区域間の横方向最大間隔より、僅かに小さい相
互間隔を有するようにする。
にならないようにする措置は、静止スパッタ腐食の場合
は、スパッタ腐食ステーション内で基板ホールダが縁部
ローラのほうへ引張られるようにすることで可能にな
る。しかし、特に簡単な措置としては、本発明の特に有
利な別の構成によれば、基板ホールダが、縁部ローラの
最も外側区域間の横方向最大間隔より、僅かに小さい相
互間隔を有するようにする。
【００１５】構成面で特に簡単にするには、電極をハウ
ジング内に懸架配置する。
ジング内に懸架配置する。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明には多数の実施例が可能で
ある。本発明の基本原理を更に明らかにするために、以
下で図面につき説明する。
ある。本発明の基本原理を更に明らかにするために、以
下で図面につき説明する。
【００１７】図１に全体を略示した真空コーティング装
置は、ハウジング１内に前後に配置された複数処理ステ
ーション２，３，４を有している。処理ステーション２
はスパッタ腐食ステーションであるのに対し、処理ステ
ーション３，４は、それぞれスパッタ処理室であり、こ
のスパッタ処理室内には搬送ワゴン７の両側にスパッタ
用カソード１９，２０が配置されている。搬送ワゴン７
は、図２に示した被コーティング基板５，６を搬送し保
持するのに役立っている。これら搬送ワゴン７は、装入
ステーション８で基材５，６を装入され、順次に送入モ
ジュール９内へ走入せしめられ、次いで個々の処理ステ
ーション２，３，４へ送られる。処理ステーション３，
４の間には、緩衝ステーション４が設けられ、他方、処
理ステーション４の後方には２つの送出モジュール１
１，１２と１つの取出しステーション１３が設けられて
いる。個々のステーション及びモジュールは関門によっ
て互いに分離されている。これらの関門は、たとえば処
理ステーション３に符号１４，１５で示されている。
置は、ハウジング１内に前後に配置された複数処理ステ
ーション２，３，４を有している。処理ステーション２
はスパッタ腐食ステーションであるのに対し、処理ステ
ーション３，４は、それぞれスパッタ処理室であり、こ
のスパッタ処理室内には搬送ワゴン７の両側にスパッタ
用カソード１９，２０が配置されている。搬送ワゴン７
は、図２に示した被コーティング基板５，６を搬送し保
持するのに役立っている。これら搬送ワゴン７は、装入
ステーション８で基材５，６を装入され、順次に送入モ
ジュール９内へ走入せしめられ、次いで個々の処理ステ
ーション２，３，４へ送られる。処理ステーション３，
４の間には、緩衝ステーション４が設けられ、他方、処
理ステーション４の後方には２つの送出モジュール１
１，１２と１つの取出しステーション１３が設けられて
いる。個々のステーション及びモジュールは関門によっ
て互いに分離されている。これらの関門は、たとえば処
理ステーション３に符号１４，１５で示されている。
【００１８】真空化に要するポンプも、同じく図１に示
されている。送入モジュール９と送出モジュール１２と
が、たとえばルーツポンプ１６とトリバックポンプ１７
とを備えているだけなのに対し、処理ステーション２，
３，４と、緩衝ステーション１０と、第１送出モジュー
ルとには、付加的に高真空ポンプ１８、たとえばターボ
分子ポンプが備えられている。
されている。送入モジュール９と送出モジュール１２と
が、たとえばルーツポンプ１６とトリバックポンプ１７
とを備えているだけなのに対し、処理ステーション２，
３，４と、緩衝ステーション１０と、第１送出モジュー
ルとには、付加的に高真空ポンプ１８、たとえばターボ
分子ポンプが備えられている。
【００１９】図２には、図１のハウジング１と搬送ワゴ
ン７とが拡大して示されている。搬送ワゴン７は駆動ロ
ーラ２１，２２により走行させることができる。この搬
送ワゴン７は、各長手側にそれぞれフレームとして構成
された基板ホールダ２３，２４を有し、このホールダ内
へ内側から基板５，６がはめ込まれている。基板ホール
ダ２３，２４を有する搬送ワゴン７とハウジング１と
は、ともに接地されている。基本ホールダ２３，２４に
対する基板の装入及び取出しには、ホールダを下縁を中
心として外方へ開き、基板５，６を上方から装入又は取
出することができる。
ン７とが拡大して示されている。搬送ワゴン７は駆動ロ
ーラ２１，２２により走行させることができる。この搬
送ワゴン７は、各長手側にそれぞれフレームとして構成
された基板ホールダ２３，２４を有し、このホールダ内
へ内側から基板５，６がはめ込まれている。基板ホール
ダ２３，２４を有する搬送ワゴン７とハウジング１と
は、ともに接地されている。基本ホールダ２３，２４に
対する基板の装入及び取出しには、ホールダを下縁を中
心として外方へ開き、基板５，６を上方から装入又は取
出することができる。
【００２０】基板ホールダ２３，２４の間には、ホール
ダ２３，２４がプレート状高周波電極２５の両側から僅
かの間隔ａをおいて走行できるだけのスペースが設けら
れている。電極２５は、その狭幅側が暗部遮蔽体として
役立つフレーム２６により取囲まれている。このフレー
ム２６からは、垂直軸線を中心として回転可能の縁部ロ
ーラ２７，２８，２９，３０が突出している。これらロ
ーラに基板ホールダ２３，２４が接触することにより、
間隔ａを下回ることは有り得ない。この間隔ａは、暗部
間隔より小さい。このため、基板６と電極２５との間に
も、また、基板５と電極２５との間にも、プラズマ発生
は有り得ない。各基板ホールダ２３，２４の、電極２５
と反対の側には、陽極板３７，３８が配置されている。
陽極板３７，３８は、ハウジング１同様に接地されてい
る。
ダ２３，２４がプレート状高周波電極２５の両側から僅
かの間隔ａをおいて走行できるだけのスペースが設けら
れている。電極２５は、その狭幅側が暗部遮蔽体として
役立つフレーム２６により取囲まれている。このフレー
ム２６からは、垂直軸線を中心として回転可能の縁部ロ
ーラ２７，２８，２９，３０が突出している。これらロ
ーラに基板ホールダ２３，２４が接触することにより、
間隔ａを下回ることは有り得ない。この間隔ａは、暗部
間隔より小さい。このため、基板６と電極２５との間に
も、また、基板５と電極２５との間にも、プラズマ発生
は有り得ない。各基板ホールダ２３，２４の、電極２５
と反対の側には、陽極板３７，３８が配置されている。
陽極板３７，３８は、ハウジング１同様に接地されてい
る。
【００２１】図３から分かるように、フレーム２６は保
持体３１，３２を介してハウジング１の天井に固定され
ている。このフレーム２６は内縁部に複数の絶縁体３３
を有し、これら絶縁体が電極２５を電気絶縁保持してい
る。電極２５は、通常の形式で引込み線３４を備えてい
るので、外部から高周波エネルギーを供給されることが
できる。フレーム２６内には、縁部ローラ２７，２８に
加え、２個の別の縁部ローラ３５，３６も備えられてい
る。
持体３１，３２を介してハウジング１の天井に固定され
ている。このフレーム２６は内縁部に複数の絶縁体３３
を有し、これら絶縁体が電極２５を電気絶縁保持してい
る。電極２５は、通常の形式で引込み線３４を備えてい
るので、外部から高周波エネルギーを供給されることが
できる。フレーム２６内には、縁部ローラ２７，２８に
加え、２個の別の縁部ローラ３５，３６も備えられてい
る。
【００２２】フレーム２６の右横には、２つの搬送ワゴ
ン７，７ａが、２個の基板６，６′ないし６ａ，６ａ′
を装入されたそれぞれ１つの基板ホールダ２４，２４ａ
を載せられて示されている。
ン７，７ａが、２個の基板６，６′ないし６ａ，６ａ′
を装入されたそれぞれ１つの基板ホールダ２４，２４ａ
を載せられて示されている。
【００２３】スパッタ腐食の場合、通常、各ワゴン７は
スパッタ腐食工程用の高周波電極２５の下に停止せしめ
られる。しかし、原則として、動的なスパッタ腐食も可
能である。その場合には、異なる搬送ワゴン７，７ａの
基板ホールダ２４，２４ａの開放間隙が電極２５の前へ
来ることがあってはならない。もし、そのようなことに
なれば、基板５，６の汚れが除去される代りに電極２５
が取崩されることになろう。前記間隙は、したがって、
図４に示したように、カバー３９によりふさぐことがで
きる。このカバー３９は、それぞれ基板ホールダ２４に
固定し、次の基板ホールダ２４ａにまたがるようにす
る。
スパッタ腐食工程用の高周波電極２５の下に停止せしめ
られる。しかし、原則として、動的なスパッタ腐食も可
能である。その場合には、異なる搬送ワゴン７，７ａの
基板ホールダ２４，２４ａの開放間隙が電極２５の前へ
来ることがあってはならない。もし、そのようなことに
なれば、基板５，６の汚れが除去される代りに電極２５
が取崩されることになろう。前記間隙は、したがって、
図４に示したように、カバー３９によりふさぐことがで
きる。このカバー３９は、それぞれ基板ホールダ２４に
固定し、次の基板ホールダ２４ａにまたがるようにす
る。
【図１】本発明による真空コーティング装置の原理図で
ある。
ある。
【図２】真空コーティング装置の横断面図である。
【図３】スパッタ腐食ステーションの区域での真空コー
ティング装置内部の側面図である。
ティング装置内部の側面図である。
【図４】２つの基材ホールダの間隙にカバーをかぶせた
状態を示した図である。
状態を示した図である。
１ ハウジング ２，３，４ 処理ステーション ５，６ 基材 ７，７ａ 搬送ワゴン ８ 装入ステーション ９ 送入モジュール １０ 緩衝ステーション １１，１２ 送出モジュール １３ 取出しステーション １４，１５ 関門 １６ ルーツポンプ １７ トリバックポンプ １８ 高真空ポンプ １９，２０ スパッタ陰極 ２１，２２ ローラ ２３，２４ 基板ホールダ ２５ 電極 ２６ フレーム ２７，２８，２９，３０，３５，３６ 縁部ローラ ３１，３２ 保持体 ３４ 貫通穴 ３７，３８ 陽極板 ３９ カバー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 カール カイム ドイツ連邦共和国 ビューディンゲン ク ライネ ガッセ ６ (72)発明者 ヘルムート ラウナー ドイツ連邦共和国 ニッデラウ ダンツィ ガー シュトラーセ 22 (72)発明者 ギュンター ヴルプツ ドイツ連邦共和国 メスペルブルン イェ ーガーシュトラーセ 23
Claims (8)
- 【請求項１】 真空コーティング装置であって、ハウジ
ング内に複数の処理ステーションを備え、これら処理ス
テーションのうちの少なくとも１つが、スパッタ用の陰
極を有し、かつまた、運動平面内に、もしくは運動平面
と平行に整列された少なくとも１つの基板ホールダを備
えた搬送ワゴンを有しており、更に、基板ホールダ内に
は少なくとも１個の基材を装入でき、かつまた基板ホー
ルダが、基板の区域に被コーティング域を露出させる穴
を有している形式のものにおいて、スパッタ腐食ステー
ション（処理ステーション２）を形成するために、陽極
板（３７，３８）と向い合った側に、プレート状高周波
電極（２５）が、固定的に、かつまたハウジング（１）
に対し電気絶縁されて配置されており、前記電極が、搬
送ワゴンにより電極前方を走行せしめられる基板から、
高周波電極（２５）と基板ホールダ（２３，２４）との
間にプラズマが発生しない程度の僅かな間隔（ａ）を有
することを特徴とする真空コーティング装置。 - 【請求項２】 搬送ワゴン（７）が、その運動方向に互
いに平行に配置された基板ホールダ（２３，２４）を有
し、これらホールダの相互間隔が、次のように、すなわ
ち基板ホールダが、高周波電極（２５）の両側を、プラ
ズマの発生することのない間隔（ａ）をおいて可動であ
ることを特徴とする、請求項１記載の真空コーティング
装置。 - 【請求項３】 搬送ワゴン（７）が停止する位置が、高
周波電極（２５）の２つの基板ホールダ（２３，２４）
それぞれの内部で基板（５，６）が向い合う位置である
ように構成されていることを特徴とする、請求項１記載
の真空コーティング装置。 - 【請求項４】 搬送ワゴン（７）が高周波電極（２５）
のところを一様の速度で通過するように構成されてお
り、かつまた各基板ホールダ（２３，２４）が、隣接基
板ホールダ（２４ａ）との間隙にかぶせられるカバー
（３９）を有することを特徴とする、請求項１から３ま
でのいずれか１項に記載の真空コーティング装置。 - 【請求項５】 高周波電極（２５）が縁部を取囲むフレ
ーム（２６）内に配置されており、しかも、電極（２
５）と電極側のフレーム内側との間には、電極（２５）
を保持するための絶縁体（３３）が配置されていること
を特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記
載の真空コーティング装置。 - 【請求項６】 フレーム（２６）内に、基板ホールダ
（２３，２４）の平面と平行の軸線を中心として回転可
能な縁部ローラ（２７，２８，２９，３０，３５，３
６）が配置されており、基板ホールダ（２３，２４）が
電極（２５）のところを通過するさい、前記ローラに接
触することを特徴とする、請求項１から５までのいずれ
か１項に記載の真空コーティング装置。 - 【請求項７】 基板ホールダ（２３，２４）が、縁部ロ
ーラ（２７〜３０，３５，３６）の最も外側の区域間の
横方向最大間隔より僅かに小さい相互間隔を有すること
を特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項に記
載の真空コーティング装置。 - 【請求項８】 高周波電極（２５）がハウジング（１）
内に懸架配置されていることを特徴とする、請求項１か
ら７までのいずれか１項に記載の真空コーティング装
置。
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