JPH0239722A - 集積回路の電源電圧切換回路 - Google Patents

集積回路の電源電圧切換回路

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JPH0239722A
JPH0239722A JP63191168A JP19116888A JPH0239722A JP H0239722 A JPH0239722 A JP H0239722A JP 63191168 A JP63191168 A JP 63191168A JP 19116888 A JP19116888 A JP 19116888A JP H0239722 A JPH0239722 A JP H0239722A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は電源電圧切換回路に関し、特にはEPROM、
E PROMのような二電源電圧で動作する回路系を内
蔵する半導体集積回路のための電源電圧切換回路に関す
る。
〈発明の背景〉 半導体技術の著しい進歩によって一つの半導体基板に構
成する素子は微細すると共にその数は格段に増加し、ま
た各種の機能を備えた回路系が同一半導体基板内に組み
込まれた集積回路が開発され、電子機器の駆動や動作制
御に実用化されている。例えば電気的書込み消去可能な
メモリ(以下EFROMと呼ぶ)を同一半導体基板に内
蔵させたマイクロコンピュータか開発されている。
この種の集積回路は、マイクロコンピュータ本体の回路
動作及びEPROMの読み出し動作にはVcc (通常
+5V)の電源電圧を、またEPROMへのデータ書き
込み時にはプログラム電圧Vpp(例えば+12.5V
)の電源電圧を印加することによって動作する。
また一方一般の半導体集積回路装置では、製造工程を終
えた段階で出荷に際して性能のテストが実施され、製品
の良・不良或いはランク分は等が行われる。上述のより
なEFROM内蔵マイクロコンピュータの場合でもテス
トが実行され、そのために集積回路装置の半導体チップ
にはテスト端子が設けられてこのテスト端子を活用する
ことによって性能テストが実施される。
〈発明が解決しようとする問題点〉 例えばEPROM内蔵マイクロコンピュータにおけるテ
スト端子としては、テスト実行時には鷺“レベルのVC
Cが印加され、それ以外の通常使用時にはマイクロコン
ピュータのためにはGNDKN定Kなければならない。
処で上述のようなテストは出荷に先立って実施すれば充
分であり、従ってテスト時に利用したテスト端子に対し
ては通常の使用状態に必要とされる端子との兼用が考え
られ、この場合電子機器等に組込んだ際にテスト端子に
は所期の目的が達せられるような印加電圧がなされねば
ならない。
本発明は、上記EPROM内蔵マイクロコンピュータの
ように、電源電圧Vccと第2の電源電圧vppを有す
る回路系において、入力する3種類の電圧レベルVcc
 、 Vpp 、 G N D K対して電源電圧Vc
cと第2の電源電圧Vppを出力するための電源電圧切
換回路を提供することを目的とする。
く問題点を解決するための手段〉 本発明は上記目的を達成するため、電源電圧Vccと所
定機能の動作時に第2の電源電圧vppが印加される回
路を内蔵した集積回路において、入力する3種類の電源
レベルVcc 、 Vpp 、 GNDに対し、上記内
蔵回路に所定機能の動作時に第2の電源電圧Vl)りを
出力し、その他の動作時には入力電源のレベルに拘わら
ず電源電圧Vccを出力する電源電圧切換回路を含んで
構成する。
く作 用〉 電源電圧切換回路を介して内蔵回路に電源電圧を入力す
ることにより、入力端子に例えばGNDレベルが入力さ
れた場合に、集積回路本体ばGNDレベルに接続しなが
ら、電源電圧切換回路を介して接続された回路系には切
換えて他の電源Vcc或いはVl)I)を入力すること
ができ、Vcc l Vpp jGNDの3レベルに対
して内蔵回路には、2種類。
例えばVCCとVl)I)のみを供給することができ、
Vcc。
Vpp、GNDの3レベルを入力することを必要とする
回路とVccとVpI)のみを入力することを必要とす
る回路とを同一半導体チップに構成することができる。
〈実施例〉 82図は電源電圧Vcc 、第2の電源電圧vpp及び
GNDレベルを入力電源とする例えばCPU等の回路ブ
ロックB1及び電源電圧Vccと第2の電源電圧vpp
を入力電源とするEPROM等の回路ブロックCを内蔵
してなる集積回路゛Aである。上記集積回路Aには更に
、回路ブロックCと入力端子N1との間17I:電源切
換回路りが挿入されている。
ここで上記入力端子N1は例えばテスト端子を共用し、
テスト動作時はVCCレベルを入力し、EPROM書込
み時はプログラム電圧vppを入力し、その他の状態で
はGNDレベルを入力する。
上記のよう忙入力端子N1はEPROMのプログラム電
圧vppを入力する端子として設計されるため、テスト
動作及びプログラム動作以外のその他の状態ではGND
レベルの入力に拘わらすEPROMには電源電圧Vcc
が入力されねばならない。従ってEPROMからなる回
路ブロックCの入力側に上記電源電圧切換回路りが設け
られる。
入力端子N1には電源電圧Vcc 、第2の電源電圧v
pp及びGNDのいずれかのレベルが入力され、このよ
うな入力レベルに対して、回路ブロックBは入力ノード
N4が上記入力端子N1に接続されて上記入力端子N1
の入力電圧V cc + V I)pr G N Dレ
ベルがそのまま印加される。一方回路ブロックCVcつ
いては、電源切換回路りが挿入されることになり、入力
端子N1に電源電圧Vccが入力されると入力ノードN
3にはVccレベルが、第2の電源電圧Vl)りが入力
されるとVl)pレベルがそのtま印加されるものの、
GNDレベルを入力電圧とするときにはこの入力レベル
にも拘わらず切換回路りの働きによって入力ノードN3
にはVCCレベルを印加する。即ち入力端子NIKGN
Dレベルが入力された状態で回路ブロックBにはGND
レベルが印加され、回路ブロックCK、(l″i、vc
cレベルが印加される。
第1図は電源切換回路りの具体的な一実施例を示す回路
図で、電源電圧VccとGNDレベル間に直列接続され
たPチャネルエンハンスメント型MO5)ランジスタT
IとNチャネルエンハンスメント型MOS)ランジスタ
T2が設けられ、両トランジスタTI、T2のゲートは
いずれも上記入力端子NIK接続されている。上記両ト
ランジスタ′r 1 、 T 2の出力ノードN2はP
チャネルエンハンスメント型MOSトランジスタT3の
ゲートに接続されている。上記PチャネルMOSトラン
ジスタT 3のソース又はドレインの一端は上記入力端
子NIK接続され、他端はPチャネルエンハンスメント
型MOSトランジスタT4を介して電源電圧VCCに接
続されている。上記PチャネルMO3)ランジスタT4
のゲートは入力端子N1に接続されている。入力端子N
1はノードN4としても集積回路本体内部に導かれて回
路ブロックBに入力されている。ここで上記Pチャネル
MOSトランジスタT3及びT4の出力は、出力電圧と
してノードN3に導出されて上記回路ブロックCに入力
されると共に、両トランジスタT3及び14を形成した
Nウェルに基板バイアスとして与えられている。即ち基
板バイアスを自己の出力電圧によって与えている。
以下に上記構成からなる切換回路の具体的な動作を説明
する。
1)入力端子N1にVccレベルが入力した場合、MO
S)ランジスタT1はオフ、T2はオンし、ノードN2
にGNDレベルが現れる。このGNDレベルはMOS)
ランジスタT3のゲートに入り、T3はオンしてノード
N3はMOS)ランジスタT3を通して入力電圧VCC
レベルまで充電される。この時、MOSトランジスタ′
r4はゲートに入力電圧Vccレベルが印加されるため
オフしている。尚ノードN4にVccレベルがそのまま
現れることは明白である。
2)入力端子NIK第2の電源電圧vppレベルが入力
した場合、MOSトランジスタTIはオフ。
MOSトランジスタT2はオンして前記1)と同様例ノ
ードN2KGNDレベルが現れ、これはMOS)ランジ
スタT3のゲートに入力して、これを通じて入力電圧V
l)pレベルまでノードN3を充電する。ノードN4に
はVppレベルカ現しる。
3)入力端子NIKGNDレベルが入力した場合、MO
S)ランジスタT1はオン、MOS)ランジスタT2は
オフして、ノードN2にはVccレベルが現れ、これが
MOS)ランジスタT3のゲートに入力しT3をオフさ
せるが、入力端子N1のGNDレベルがゲートに入力さ
れたMOSトランジスタT4はオンして、ノードN3は
Vccレベルに充電される。しかるにノードN4にはG
NDレベルが現れる。
上記l)〜3)の動作説明から明らかなように、ノード
N1に電源電圧Vccが入力した時には、ノードN3.
N4にVccレベノベ第2の電源電圧Vl)I)が入力
した時てはノードN3 、N4にMl)I)レベル、そ
してGNDレベルが入力した時には、ノードN3にはV
ccレベル、ノードN4にはGNDレベルが現れる。
上記実施例はEPROM内蔵マイクロコンピュータを挙
げて説明したが、本発明は上記実施例に限られるもので
はなく、同一集積回路に内蔵された複数の回路系に異な
るレベルを切換えて与える回路に適用することができる
〈発明の効果〉 以上本発明によれば、Vcc 、 Vpp 、 G N
 Dの3レベルの入力に対して、vccとVppの2レ
ベルのみの出力を形成し得るため、同一人力点の1つの
レベルを本来のレベルと他のレベルの2種類に同時に使
い分けることができ、端子の有効活用を図ることができ
る。またそのための電源切換回路は極めて簡単な回路で
構成することができ、集積回路に負担を及はすことなく
機能向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による一実施例の電源切換回路図、第2
図は電源切換回路を内蔵した集積回路のブロック図であ
る。 TI、T2.T3 : Pチャネルエンハンスメン1型
MoSトランジスタ T4:Nチャネルエンハンスメン
ト型MOSトランジスタ Vcc:電源電圧vpp :第2の電源電圧

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、電源電圧Vccと第2の電源電圧Vppとを入力電
    源とする回路を内蔵してなる集積回路において、 集積回路の入力端子に印加されるVcc、Vpp及びG
    NDレベルを入力とし、これら3種のレベルの内1つの
    レベルの電源電圧が入力された状態で他のレベルの電源
    電圧を形成して上記内蔵回路に出力することを特徴とす
    る集積回路の電源電圧切換回路。
JP19116888A 1988-07-29 1988-07-29 集積回路の電源電圧切換回路 Expired - Fee Related JPH0748651B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5398208A (en) * 1993-07-28 1995-03-14 Sharp Kabushiki Kaisha One-time PROM microcomputer

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56111320A (en) * 1980-02-08 1981-09-03 Nec Corp Voltage switching control circuit

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JPH0748651B2 (ja) 1995-05-24

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