JPH0235404A - 光ファイバ - Google Patents
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- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 title claims abstract description 66
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 23
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 10
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 claims description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 24
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 23
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 22
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 6
- -1 hydrocarbon halide Chemical class 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 20
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical group ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N bromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1 QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 1-vinylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C=C)=CC=CC2=C1 IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- GZUXJHMPEANEGY-UHFFFAOYSA-N bromomethane Chemical compound BrC GZUXJHMPEANEGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- KFUSEUYYWQURPO-OWOJBTEDSA-N trans-1,2-dichloroethene Chemical group Cl\C=C\Cl KFUSEUYYWQURPO-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明は、炭素被膜を形成した光ファイバに関し、炭
素被膜の原料化合物およびその熱分解条件を特定するこ
とにより、耐水素特性を大幅に向上せしめるようにした
ものである。
素被膜の原料化合物およびその熱分解条件を特定するこ
とにより、耐水素特性を大幅に向上せしめるようにした
ものである。
[従来の技術]
石英系光ファイバは、水素と接触するとファイバ内に拡
散した水素分子の分子振動に起因する吸収損失が増大し
、さらにドーパントとして含有されているP、OいG6
0 tsB to zなどが水素と反応しO■(基とし
てファイバガラス内に取り込まれるため、OH基の吸収
による伝送損失も増大してしまう問題があった。
散した水素分子の分子振動に起因する吸収損失が増大し
、さらにドーパントとして含有されているP、OいG6
0 tsB to zなどが水素と反応しO■(基とし
てファイバガラス内に取り込まれるため、OH基の吸収
による伝送損失も増大してしまう問題があった。
このような弊害に対処するため、水素吸収能を有する液
状の組成物を光ケーブル内に充填する方法(特願昭61
−251808号)などが考えられているが、その効果
が不十分であるうえ、構造が複雑となって経済的にも問
題がある。
状の組成物を光ケーブル内に充填する方法(特願昭61
−251808号)などが考えられているが、その効果
が不十分であるうえ、構造が複雑となって経済的にも問
題がある。
ところで、最近CVD法によって光フアイバ表面に炭素
被膜を形成し、これによって光ファイバの耐水素特性を
向上させうろことが発表されている。
被膜を形成し、これによって光ファイバの耐水素特性を
向上させうろことが発表されている。
r発明が解決しようとする課題]
しかしながら、炭素被膜の原料となる炭素化合物の種類
、熱分解条件などによって、得られる炭素被膜の水素透
過阻止作用やファイバの機械的強度が大きく左右され、
現状では充分実用に耐えうる耐水素特性を有する炭素被
覆ファイバを得るには至っていない。
、熱分解条件などによって、得られる炭素被膜の水素透
過阻止作用やファイバの機械的強度が大きく左右され、
現状では充分実用に耐えうる耐水素特性を有する炭素被
覆ファイバを得るには至っていない。
[課題を解決するための手段]
この発明においては、炭素数15以下の炭化水素あるい
はハロゲン化炭化水素を原料化合物として用いること、
もしくは炭化水素あるいはハロゲン化炭化水素を温度4
00〜1100℃で熱分解することをその解決手段とし
た。
はハロゲン化炭化水素を原料化合物として用いること、
もしくは炭化水素あるいはハロゲン化炭化水素を温度4
00〜1100℃で熱分解することをその解決手段とし
た。
[作用]
このような条件の下で得られた炭素被膜はいずれも緻密
な構造を有し、極めて高い水素透過阻止作用を発揮する
とともに光フアイバ自体を補強し、光ファイバの機械的
強度も高めることができる。
な構造を有し、極めて高い水素透過阻止作用を発揮する
とともに光フアイバ自体を補強し、光ファイバの機械的
強度も高めることができる。
以下、この発明の詳細な説明する。
第1図はこの発明の光ファイバの一例を示すしので、図
中符号lは光ファイバ裸線である。この光ファイバ裸線
!は石英系ガラス、多成分系ガラスなどのガラスからな
るものである。この光フアイバ裸線1上には炭素被膜2
が設けられている。
中符号lは光ファイバ裸線である。この光ファイバ裸線
!は石英系ガラス、多成分系ガラスなどのガラスからな
るものである。この光フアイバ裸線1上には炭素被膜2
が設けられている。
この炭素被膜2上にはさらに樹脂波11!f[3が設け
られている。
られている。
ここでの炭素被膜2は、炭素数が15個以下の炭化水素
あるいは炭素数が15個以下のハロゲン化炭化水素を原
料化合物としてこれを熱分解して得られたものである。
あるいは炭素数が15個以下のハロゲン化炭化水素を原
料化合物としてこれを熱分解して得られたものである。
炭素数15個以下の炭化水素としては、常温で気体のガ
ス、例えばエタン、プロパン、エチレン、メタン、アセ
チレンなどやこれら混合気体、常温で液体のペンタン、
ヘキサン、オクタン、ベンゼン、トルエンなどやこれら
混合溶液、常温で固体のナフタリンなどが挙げられる。
ス、例えばエタン、プロパン、エチレン、メタン、アセ
チレンなどやこれら混合気体、常温で液体のペンタン、
ヘキサン、オクタン、ベンゼン、トルエンなどやこれら
混合溶液、常温で固体のナフタリンなどが挙げられる。
また炭素数15個以下のハロゲン化炭化水素としては、
例えばテトラフルオロメタン、ジクロルメタン、ジクロ
ルエタン、ジクロルエチレン、ジクロルベンゼン、トリ
クロルエタン、ブロムベンゼン、ブロムメタンなど種々
のものが挙げられるが、毒性などの取り扱いの観点から
ハロゲンとして塩素を用いたものが好ましい。特に炭素
数が2である塩素化炭化水素は、炭素被膜析出速度が速
いため所定の膜厚を得るまでの接触時間を短くすること
ができ、光ファイバの紡糸速度を向上させることができ
るので好適である。
例えばテトラフルオロメタン、ジクロルメタン、ジクロ
ルエタン、ジクロルエチレン、ジクロルベンゼン、トリ
クロルエタン、ブロムベンゼン、ブロムメタンなど種々
のものが挙げられるが、毒性などの取り扱いの観点から
ハロゲンとして塩素を用いたものが好ましい。特に炭素
数が2である塩素化炭化水素は、炭素被膜析出速度が速
いため所定の膜厚を得るまでの接触時間を短くすること
ができ、光ファイバの紡糸速度を向上させることができ
るので好適である。
炭素被膜2を形成する炭化水素またはハロゲン化炭化水
素の炭素数が16個以上となると原料化合物が炭素化す
る分解速度が非常に遅くなるため、原料化合物を気相化
し分解することにより炭素をファイバ裸線1表面に析出
させるCVD法が利用できなくなり、光ファイバの紡糸
工程に連続して炭素被膜2の被覆工程を行うことが困難
となる。
素の炭素数が16個以上となると原料化合物が炭素化す
る分解速度が非常に遅くなるため、原料化合物を気相化
し分解することにより炭素をファイバ裸線1表面に析出
させるCVD法が利用できなくなり、光ファイバの紡糸
工程に連続して炭素被膜2の被覆工程を行うことが困難
となる。
またアルコール類、ケトン類、エステル類などの酸素原
子をその構造中に有した炭素化合物は、分解によって炭
素化する効率が非常に低いとともに、煤状物質が形成さ
れ易く、炭素線膜2を形成しにくい。
子をその構造中に有した炭素化合物は、分解によって炭
素化する効率が非常に低いとともに、煤状物質が形成さ
れ易く、炭素線膜2を形成しにくい。
よって光フアイバ裸線表面に炭素被膜を形成する原料と
しては炭素数が15以下の炭化水素またはハロゲン化炭
化水素でなければならない。
しては炭素数が15以下の炭化水素またはハロゲン化炭
化水素でなければならない。
これら炭素数が15以下の炭化水素またはハロゲン化炭
化水素の分解の方法としては、抵抗加熱炉、誘導加熱炉
、赤外線加熱炉などで加熱分解する方法、あるいは原料
をガス状に気化させた後、窒素、ヘリウム、アルゴンな
どの不活性ガスで希釈し、高周波またはマイクロ波を用
いてプラズマを発生させて、イオン分解する方法などが
挙げられる。
化水素の分解の方法としては、抵抗加熱炉、誘導加熱炉
、赤外線加熱炉などで加熱分解する方法、あるいは原料
をガス状に気化させた後、窒素、ヘリウム、アルゴンな
どの不活性ガスで希釈し、高周波またはマイクロ波を用
いてプラズマを発生させて、イオン分解する方法などが
挙げられる。
またこの発明にあっては、炭化水素またはハロゲン化炭
化水素を400〜1100℃の温度範囲で熱分解させて
得られた炭素被膜を形成することもできる。この熱分解
温度としては、原料化合物が炭素化する温度である40
0℃が少なくとも必要であるが、t too℃以上にな
ると原料化合物が分解されて炭素化する際の構造が黒鉛
構造に近くなり、形成された炭素被膜が脆くなる。この
ため光ファイバに歪が生じ、伝送損失の増加や機械的強
度の低下を招くので好ましくない。さらに光ファイバ裸
線lを構成する石英の徐冷点が1170℃付近にあるこ
とから、紡糸された石英ファイバが再び加熱され、結晶
構造の変化を起こし、ファイバ表面に作用していた収縮
応力が解放されるため弾性力が低下するので非常に脆く
なる。
化水素を400〜1100℃の温度範囲で熱分解させて
得られた炭素被膜を形成することもできる。この熱分解
温度としては、原料化合物が炭素化する温度である40
0℃が少なくとも必要であるが、t too℃以上にな
ると原料化合物が分解されて炭素化する際の構造が黒鉛
構造に近くなり、形成された炭素被膜が脆くなる。この
ため光ファイバに歪が生じ、伝送損失の増加や機械的強
度の低下を招くので好ましくない。さらに光ファイバ裸
線lを構成する石英の徐冷点が1170℃付近にあるこ
とから、紡糸された石英ファイバが再び加熱され、結晶
構造の変化を起こし、ファイバ表面に作用していた収縮
応力が解放されるため弾性力が低下するので非常に脆く
なる。
また光ファイバ裸線1表面に形成される炭素被膜2の構
造は原料化合物の熱分解温度により変化し、その構造の
相異により水素透過阻止能力がそれぞれ異なる。すなわ
ち、熱分解温度が1100°Cを越えると、熱分解する
原料化合物中の炭素含有率が低下するため、炭素被膜2
の気孔率が高くなり、水素分子の拡散が容易となる。よ
って光フアイバ裸線1表面に達する水素透過量が増加し
、光ファイバの吸収損失が増加する。このことより光フ
ァイバの耐水素特性および機械的強度を共に向上させる
ための原料化合物の熱分解温度は、400〜1100℃
でなければならない。なおこの場合の原料化合物として
は特に限定されないが、炭素数が15以下の炭化水素ま
たはハロゲン化炭化水素が好ましい。
造は原料化合物の熱分解温度により変化し、その構造の
相異により水素透過阻止能力がそれぞれ異なる。すなわ
ち、熱分解温度が1100°Cを越えると、熱分解する
原料化合物中の炭素含有率が低下するため、炭素被膜2
の気孔率が高くなり、水素分子の拡散が容易となる。よ
って光フアイバ裸線1表面に達する水素透過量が増加し
、光ファイバの吸収損失が増加する。このことより光フ
ァイバの耐水素特性および機械的強度を共に向上させる
ための原料化合物の熱分解温度は、400〜1100℃
でなければならない。なおこの場合の原料化合物として
は特に限定されないが、炭素数が15以下の炭化水素ま
たはハロゲン化炭化水素が好ましい。
さらにこの発明では炭素数が15以下の炭化水素または
ハロゲン化炭化水素を400〜1■00℃で熱分解させ
ると、光ファイバ裸線1表面にピンホール等のない良質
の炭素被@2を高速度で得ることかできる。
ハロゲン化炭化水素を400〜1■00℃で熱分解させ
ると、光ファイバ裸線1表面にピンホール等のない良質
の炭素被@2を高速度で得ることかできる。
また光フアイバ表面に形成された炭素被膜2の膜厚は、
水素透過による光ファイバの伝送損失の低減および機械
的強度の向上の見地より0.1μm以上0.6μm未満
が好ましい。膜厚が0.1μm未満であると、局部的に
薄い部分やピンホールが形成されやすく、その部分から
水素が透過し、光ファイバの伝送損失が増大するので好
ましくない。また膜厚を0.6μm以上にしても、炭素
披H2の水素透過阻止能力が際立って向上しないばかり
か形成された炭素被膜2にクラックが生じたり、光ファ
イバ裸線1表面からの炭素被膜2の剥離が起こり易くな
るので、好ましくない。
水素透過による光ファイバの伝送損失の低減および機械
的強度の向上の見地より0.1μm以上0.6μm未満
が好ましい。膜厚が0.1μm未満であると、局部的に
薄い部分やピンホールが形成されやすく、その部分から
水素が透過し、光ファイバの伝送損失が増大するので好
ましくない。また膜厚を0.6μm以上にしても、炭素
披H2の水素透過阻止能力が際立って向上しないばかり
か形成された炭素被膜2にクラックが生じたり、光ファ
イバ裸線1表面からの炭素被膜2の剥離が起こり易くな
るので、好ましくない。
また光ファイバの用途により、炭素被膜2の表面に種々
の樹脂被膜3を形成して用いることができる。
の樹脂被膜3を形成して用いることができる。
[実施例コ
(実施例1)
光フアイバ母材から光ファイバ裸線を紡糸する紡糸装置
内に、内径40m1tlの石英管を通した抵抗加熱炉を
取り付けた。次にこの紡糸装置内に、Ge01がドープ
剤として含浸されたコア部を有する外径30mmの光フ
アイバ母材を設置した。この光フアイバ母材を2000
℃に加熱して、30m/分の紡糸速度で外径125μm
の光ファイバに紡糸するとともに、上記抵抗加熱炉内を
+000°Cに加熱しつつ、炭素被膜を形成する原料化
合物として、約1vo1%にアルゴンガスで希釈したベ
ンゼン蒸気を約512/分の流1で供給して紡糸された
光ファイバ裸線に炭素被膜を形成した。
内に、内径40m1tlの石英管を通した抵抗加熱炉を
取り付けた。次にこの紡糸装置内に、Ge01がドープ
剤として含浸されたコア部を有する外径30mmの光フ
アイバ母材を設置した。この光フアイバ母材を2000
℃に加熱して、30m/分の紡糸速度で外径125μm
の光ファイバに紡糸するとともに、上記抵抗加熱炉内を
+000°Cに加熱しつつ、炭素被膜を形成する原料化
合物として、約1vo1%にアルゴンガスで希釈したベ
ンゼン蒸気を約512/分の流1で供給して紡糸された
光ファイバ裸線に炭素被膜を形成した。
このようにして得られた光ファイバの炭素被膜の膜厚は
、ファイバ長さIkIQにわたって0.1〜0.3μm
で均一であることを電子顕微鏡により確認した。
、ファイバ長さIkIQにわたって0.1〜0.3μm
で均一であることを電子顕微鏡により確認した。
(実施例2)
原料化合物として約10vo1%にアルゴンガスで希釈
したベンゼン蒸気を用いた以外は実施例1と全く同様に
して炭素被膜が形成された光ファイバを製造した。
したベンゼン蒸気を用いた以外は実施例1と全く同様に
して炭素被膜が形成された光ファイバを製造した。
得られた光ファイバの炭素被膜の膜厚はファイバ長1k
mにわたって0.6〜1.0μmであった。
mにわたって0.6〜1.0μmであった。
(実施例3)
炭素被膜を形成する原料化合物として約1 vo1%に
アルゴンガスで希釈した1、2ジクロルエタンを用いた
以外は実施例1と全く同様にして炭素被膜が形成された
光ファイバを得た。
アルゴンガスで希釈した1、2ジクロルエタンを用いた
以外は実施例1と全く同様にして炭素被膜が形成された
光ファイバを得た。
(実施例4)
抵抗加熱炉の加熱温度を500℃、原料化合物として約
1 vo1%にアルゴンガスで希釈した■、1、Il−
リクロルエタンを用いた以外は実施例1と全くと同様に
して炭素被膜が形成された光ファイバを製造した。
1 vo1%にアルゴンガスで希釈した■、1、Il−
リクロルエタンを用いた以外は実施例1と全くと同様に
して炭素被膜が形成された光ファイバを製造した。
得られた光ファイバの炭素被膜の膜厚は、ファイバ長さ
Ik+nにわたって、0.1〜0.3μ−と均一である
ことを電子顕微鏡により確認した。
Ik+nにわたって、0.1〜0.3μ−と均一である
ことを電子顕微鏡により確認した。
(実施例5)
抵抗加熱炉の加熱温度を600 ”C1原料化合物とし
て約1vo1%にアルゴンガスで希釈したトランス1,
2ジクロルエチレンを用いた以外は実施例1と全くと同
様にして炭素被膜が形成された光ファイバを製造した。
て約1vo1%にアルゴンガスで希釈したトランス1,
2ジクロルエチレンを用いた以外は実施例1と全くと同
様にして炭素被膜が形成された光ファイバを製造した。
(実施例6)
抵抗加熱炉の加熱温度を800℃、原料化合物として約
1 vo1%にアルゴンガスで希釈したジクロルメタン
を用いた以外は実施例1と全くと同様にして炭素被膜が
形成された光ファイバを得た。
1 vo1%にアルゴンガスで希釈したジクロルメタン
を用いた以外は実施例1と全くと同様にして炭素被膜が
形成された光ファイバを得た。
得られた光ファイバの炭素被膜の膜厚は、ファイバ長さ
lk+aにわたって、0.1〜0.2μmと均一である
ことを電子顕微鏡により確認した。
lk+aにわたって、0.1〜0.2μmと均一である
ことを電子顕微鏡により確認した。
(実施例7)
抵抗加熱炉の加熱温度を1100℃、原料化合物として
約1 vo1%にアルゴンガスで希釈したビニルナフタ
レンを用いた以外は実施例Iと全くと同様にして炭素被
膜が形成された光ファイバを製造した。
約1 vo1%にアルゴンガスで希釈したビニルナフタ
レンを用いた以外は実施例Iと全くと同様にして炭素被
膜が形成された光ファイバを製造した。
(実施例8)
実施例!で製造された光ファイバを、ウレタンアクリレ
ート樹脂液(ヤング率50 kg7 am”、伸び10
%)を封入したダイスポット内を線速度60a+/分で
通過させて、ウレタンアクリレート樹脂液を炭素被膜上
に塗布したのち、紫外線照射装置内にて上記樹脂液を硬
化させ、外径が約250μmの光ファイバとした。
ート樹脂液(ヤング率50 kg7 am”、伸び10
%)を封入したダイスポット内を線速度60a+/分で
通過させて、ウレタンアクリレート樹脂液を炭素被膜上
に塗布したのち、紫外線照射装置内にて上記樹脂液を硬
化させ、外径が約250μmの光ファイバとした。
(実施例9)
抵抗加熱炉の加熱温度を1200 ’Cとした以外は実
施例1と全く同様にして炭素被膜が形成された光ファイ
バを製造した。
施例1と全く同様にして炭素被膜が形成された光ファイ
バを製造した。
(実施例10)
原料化合物として約1vo1%にアルゴンガスで希釈し
たn−ヘキサノールを用いた以外は実施例1と全く同様
にして炭素被膜が形成された光ファイバを製造した。
たn−ヘキサノールを用いた以外は実施例1と全く同様
にして炭素被膜が形成された光ファイバを製造した。
(実施例11)
抵抗加熱炉内での加熱温度を1100 ’C1原料化合
物として約1 vo1%にアルゴンガスで希釈したナフ
タセンを用いた以外は実施例1と全くと同様にして炭素
被膜が形成された光ファイバを製造したところ、光フア
イバ表面に薄い炭素被膜が形成さた。
物として約1 vo1%にアルゴンガスで希釈したナフ
タセンを用いた以外は実施例1と全くと同様にして炭素
被膜が形成された光ファイバを製造したところ、光フア
イバ表面に薄い炭素被膜が形成さた。
(実施例12)
抵抗加熱炉の加熱温度を400℃、原料化合物として約
1 vo1%にアルゴンガスで希釈した112トランス
ジクロルエチレンを用いた以外は実施例1と全くと同様
にして炭素被膜が形成された光ファイバを製造した。
1 vo1%にアルゴンガスで希釈した112トランス
ジクロルエチレンを用いた以外は実施例1と全くと同様
にして炭素被膜が形成された光ファイバを製造した。
(比較例13)
コア材にGem、をドープ剤として含有させた外径30
mmの光フアイバ母材を2000℃に加熱し、30m/
分の速度で外径125μmの光ファイバを紡糸した。
mmの光フアイバ母材を2000℃に加熱し、30m/
分の速度で外径125μmの光ファイバを紡糸した。
上記実施例!ないし比較例13で得られた各光ファイバ
をそれぞれ500+n取り出し、1.24μm波長帯お
よび1.39μm波長帯の各波長帯における光伝送損失
を測定した。この後、各光ファイバを、温度150℃、
水素分圧がI atmの密閉容器内に24時間放置し、
1.24μl波長帯および1.39μm波長帯の各光伝
送波長特性を測定し、水素による伝送損失の増加量を比
較した。
をそれぞれ500+n取り出し、1.24μm波長帯お
よび1.39μm波長帯の各波長帯における光伝送損失
を測定した。この後、各光ファイバを、温度150℃、
水素分圧がI atmの密閉容器内に24時間放置し、
1.24μl波長帯および1.39μm波長帯の各光伝
送波長特性を測定し、水素による伝送損失の増加量を比
較した。
この結果を第1表に示した。
さらに上記実施例!ないし比較例13で得られた各光フ
ァイバをそれぞれ20本ずつ用意し、ゲージ長30cm
、歪速度10%7分の条件下で引っ張り、破断確率と引
っ張り強度のワイブルプロットを行い、50%破断確率
での引っ張り強度を測定した。この結果を第1表に併せ
て示した。
ァイバをそれぞれ20本ずつ用意し、ゲージ長30cm
、歪速度10%7分の条件下で引っ張り、破断確率と引
っ張り強度のワイブルプロットを行い、50%破断確率
での引っ張り強度を測定した。この結果を第1表に併せ
て示した。
以上の実験結果より、その表面に炭素被膜が形成された
実施例1ないし12の光ファイバは、その表面に炭素被
膜が形成されていない比較例13に比べて、いずれも水
素の透過による伝送損失の増加量が少なく、引っ張り強
度の高いものであることが確認された。
実施例1ないし12の光ファイバは、その表面に炭素被
膜が形成されていない比較例13に比べて、いずれも水
素の透過による伝送損失の増加量が少なく、引っ張り強
度の高いものであることが確認された。
[発明の効果]
以上説明したように、この発明の光ファイバは、炭素数
が15以下の炭化水素あるいはハロゲン化炭化水素を原
料化合物として用いること、もしくは炭化水素あるいは
ハロゲン化炭化水素を温度400〜1100℃で熱分解
させて得られた炭素被膜を有してなるものであるので、
炭素被膜が水素の透過を阻止し、水素が光ファイバ裸線
に透過することかなく、光伝送損失が少ない光ファイバ
となる。また炭素被膜が光フアイバ自体を補強するので
、機械的強度も高いものとなる。
が15以下の炭化水素あるいはハロゲン化炭化水素を原
料化合物として用いること、もしくは炭化水素あるいは
ハロゲン化炭化水素を温度400〜1100℃で熱分解
させて得られた炭素被膜を有してなるものであるので、
炭素被膜が水素の透過を阻止し、水素が光ファイバ裸線
に透過することかなく、光伝送損失が少ない光ファイバ
となる。また炭素被膜が光フアイバ自体を補強するので
、機械的強度も高いものとなる。
第1図はこの発明の光ファイバの概略断面図である。
l・・・光ファイバ裸線、
2・・・炭素被膜、
3・・・樹脂被膜。
Claims (3)
- (1)炭素数が15以下の炭化水素またはハロゲン化炭
化水素を熱分解させて得られた炭素被膜を有してなる光
ファイバ - (2)炭化水素またはハロゲン化炭化水素を400〜1
100℃で熱分解させて得られた炭素被膜を有してなる
光ファイバ - (3)炭素数が15以下の炭化水素またはハロゲン化炭
化水素を400〜1100℃で熱分解させて得られた炭
素被膜を有してなる光ファイバ
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63186467A JPH0235404A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 光ファイバ |
US07/380,961 US4964694A (en) | 1988-07-26 | 1989-07-17 | Optical fiber and apparatus for producing same |
EP89307566A EP0353934B1 (en) | 1988-07-26 | 1989-07-25 | Method of producing an optical fibre |
DE68929009T DE68929009T2 (de) | 1988-07-26 | 1989-07-25 | Verfahren zur Herstellung einer optischen Faser |
CA000606541A CA1328757C (en) | 1988-07-26 | 1989-07-25 | Optical fiber and apparatus for producing same |
EP19910203051 EP0481570A3 (en) | 1988-07-26 | 1989-07-25 | Optical fiber and apparatus for producing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63186467A JPH0235404A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 光ファイバ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0235404A true JPH0235404A (ja) | 1990-02-06 |
Family
ID=16188980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63186467A Pending JPH0235404A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 光ファイバ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0235404A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03153549A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | カーボンコート光ファイバの製造方法 |
JP2014222353A (ja) * | 2008-01-22 | 2014-11-27 | コーニング インコーポレイテッド | アルミニウムドープト光ファイバ |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5983107A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ− |
JPS61267711A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-27 | Fujikura Ltd | 光フアイバ |
JPH01241505A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 耐放射線光フアイバ |
JPH0227308A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバ及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-07-26 JP JP63186467A patent/JPH0235404A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5983107A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ− |
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JP2014222353A (ja) * | 2008-01-22 | 2014-11-27 | コーニング インコーポレイテッド | アルミニウムドープト光ファイバ |
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