JPH02282209A - 光ファイバ - Google Patents
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- JPH02282209A JPH02282209A JP1104013A JP10401389A JPH02282209A JP H02282209 A JPH02282209 A JP H02282209A JP 1104013 A JP1104013 A JP 1104013A JP 10401389 A JP10401389 A JP 10401389A JP H02282209 A JPH02282209 A JP H02282209A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
- C03C25/10—Coating
- C03C25/104—Coating to obtain optical fibres
- C03C25/106—Single coatings
- C03C25/1061—Inorganic coatings
- C03C25/1062—Carbon
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野コ
この発明は、炭素被膜を有する光ファイバに関し、炭素
被膜の電気抵抗値を特定することにより、光ファイバの
機械的強度と耐水素特性とを向上せしめたものである。
被膜の電気抵抗値を特定することにより、光ファイバの
機械的強度と耐水素特性とを向上せしめたものである。
[従来技術とその課題]
石英系光ファイバは、水素と接触するとファイバ内に拡
散した水素分子の分子振動に起因する吸収損失が増大し
、さらにドーパントとして含有されているP、○s、G
eo 2.B 203などが水素と反応しOH基とし
てファイバガラス中に取り込まれるため、01(基の吸
収による伝送損失も増大してしまう問題があった。
散した水素分子の分子振動に起因する吸収損失が増大し
、さらにドーパントとして含有されているP、○s、G
eo 2.B 203などが水素と反応しOH基とし
てファイバガラス中に取り込まれるため、01(基の吸
収による伝送損失も増大してしまう問題があった。
このような弊害に対処するため、水素吸収能を有する液
状の組成物を光ケーブル内に充填する方法(特願昭61
−251808号)などが考えられているが、その効果
が不十分であるうえ、構造が複雑となって経済的にも問
題がある。
状の組成物を光ケーブル内に充填する方法(特願昭61
−251808号)などが考えられているが、その効果
が不十分であるうえ、構造が複雑となって経済的にも問
題がある。
このような問題を解決するため、最近化学気相成長法(
以下、CVD法と略称する)によって光フアイバ表面に
炭素被膜を形成し、これによって光ファイバの耐水素性
を向」ニさせうろことが発表されている。
以下、CVD法と略称する)によって光フアイバ表面に
炭素被膜を形成し、これによって光ファイバの耐水素性
を向」ニさせうろことが発表されている。
ところがこのような炭素被膜は必ずしも実用に適したも
のばかりではなく、耐水素特性と機械的強度とにばらつ
きがあるという不都合があった。
のばかりではなく、耐水素特性と機械的強度とにばらつ
きがあるという不都合があった。
この発明は上記課題を解決するためになされたものであ
って、炭素被膜の電気抵抗値を特定することにより、充
分な耐水素特性と機械的強度とを示す光ファイバを提供
することを目的としている。
って、炭素被膜の電気抵抗値を特定することにより、充
分な耐水素特性と機械的強度とを示す光ファイバを提供
することを目的としている。
[課題を解決するための手段]
この発明の光ファイバは、電気抵抗値が5にΩ/ cm
以J: 20 kΩ/cm未謂の炭素被膜を有してなる
ことをその解決手段とした。
以J: 20 kΩ/cm未謂の炭素被膜を有してなる
ことをその解決手段とした。
[作用 ]
炭素被膜の電気抵抗値が小さくなるに従って、光ファイ
バの耐水素特性は向上することが判明した。一方、炭素
被膜の電気抵抗値が大きくなるに従って、光ファイバの
機械的強度も向上することが判明した。
バの耐水素特性は向上することが判明した。一方、炭素
被膜の電気抵抗値が大きくなるに従って、光ファイバの
機械的強度も向上することが判明した。
よって、炭素被膜の電気抵抗値を一定に保つことにより
、耐水素特性と機械的強度とを兼ね備えた光ファイバと
することができる。
、耐水素特性と機械的強度とを兼ね備えた光ファイバと
することができる。
以下、この発明の詳細な説明する。
第1図はこの発明の光ファイバの一例を示すもので、図
中符号lは光ファイバ裸線である。この光ファイバ裸線
1は石英系ガラス、多成分系ガラスなどのガラスからな
るものである。この光ファイバ裸線1」二には炭素被膜
2が設(プられている。
中符号lは光ファイバ裸線である。この光ファイバ裸線
1は石英系ガラス、多成分系ガラスなどのガラスからな
るものである。この光ファイバ裸線1」二には炭素被膜
2が設(プられている。
この炭素被膜2上にはさらに必要に応じて樹脂被膜3が
設けられている。
設けられている。
炭素被膜2は炭化水素を分解して得られたちのなどであ
り、その電気抵抗値か5kΩ/cm以上20にΩ/cm
未八となへものである。炭素被膜2の電気抵抗値が小さ
くケるにつれて、光ファイバの耐水素特性は向上する一
方で機械的強度は低Fするので、炭素被膜2の電気抵抗
値を一定範囲に限定することにより、機械的強度と耐水
素特性とに優れた光ファイバとすることができる。そし
て後に実施例にて詳細に説明するように、炭素被膜2の
電気抵抗値が5にΩ/cm以120 kΩ/cm未満の
ものが耐水素特性に優れることが判明した。電気抵抗値
が20にΩ/cII+以」二となると、機械的強度は充
分であるものの、耐水素特性が低下するので好ましくな
い。また電気抵抗値か5にΩ/ cm未満であると、耐
水素特性は充分であるものの、機械的強度が低下するの
で好ましくない。よって炭素被膜2が耐水素特性と機械
的強度とを兼)′″L備えるようにするには、その電気
抵抗値が5kΩ/cm以上20kΩ/cm未満となるよ
うにずろことが必要である。
り、その電気抵抗値か5kΩ/cm以上20にΩ/cm
未八となへものである。炭素被膜2の電気抵抗値が小さ
くケるにつれて、光ファイバの耐水素特性は向上する一
方で機械的強度は低Fするので、炭素被膜2の電気抵抗
値を一定範囲に限定することにより、機械的強度と耐水
素特性とに優れた光ファイバとすることができる。そし
て後に実施例にて詳細に説明するように、炭素被膜2の
電気抵抗値が5にΩ/cm以120 kΩ/cm未満の
ものが耐水素特性に優れることが判明した。電気抵抗値
が20にΩ/cII+以」二となると、機械的強度は充
分であるものの、耐水素特性が低下するので好ましくな
い。また電気抵抗値か5にΩ/ cm未満であると、耐
水素特性は充分であるものの、機械的強度が低下するの
で好ましくない。よって炭素被膜2が耐水素特性と機械
的強度とを兼)′″L備えるようにするには、その電気
抵抗値が5kΩ/cm以上20kΩ/cm未満となるよ
うにずろことが必要である。
炭素被膜2の電気抵抗値を測定するに(J、たとえば四
端子法などの通常電気抵抗値測定方法を用いることがで
きる。
端子法などの通常電気抵抗値測定方法を用いることがで
きる。
また光フアイバ裸線1表面にこのような炭素被膜2を形
成する方法としては、たとえば炭化水素化合物を熱分解
してラジカルまたはイオンとし、これを炭素被膜2とし
て析出させる熱CVD法などを用いることができる。第
2図はこの熱CVD法に好適に用いられる光ファイバの
製造装置の一例を示したものである。
成する方法としては、たとえば炭化水素化合物を熱分解
してラジカルまたはイオンとし、これを炭素被膜2とし
て析出させる熱CVD法などを用いることができる。第
2図はこの熱CVD法に好適に用いられる光ファイバの
製造装置の一例を示したものである。
第2図中、符号1は光ファイバ裸線である。光ファイバ
裸線1は、光フアイバ母材(図示せず)を光フアイバ紡
糸炉4内で加熱紡糸したもので、光ファイバ裸線1は紡
糸されると共に、光フアイバ紡糸炉4の下段に設+:l
られた加熱炉5内へ供給されるようになっている。この
加熱炉5は、」下段の光フアイバ紡糸炉4内で紡糸され
た光フアイバ裸線1表面に炭素被膜2を熱CVD法によ
って形成するだめのものであって、その内部にてCVD
反応を進行させる概略円筒状の反応管6と、この反応管
6を加熱する発熱体7とから構成されている。
裸線1は、光フアイバ母材(図示せず)を光フアイバ紡
糸炉4内で加熱紡糸したもので、光ファイバ裸線1は紡
糸されると共に、光フアイバ紡糸炉4の下段に設+:l
られた加熱炉5内へ供給されるようになっている。この
加熱炉5は、」下段の光フアイバ紡糸炉4内で紡糸され
た光フアイバ裸線1表面に炭素被膜2を熱CVD法によ
って形成するだめのものであって、その内部にてCVD
反応を進行させる概略円筒状の反応管6と、この反応管
6を加熱する発熱体7とから構成されている。
この反応管6の上部には、反応管6内へ原木」化合物を
供給する原料化合物供給管6aが、下部には未反応ガス
等を排気するυF気管6bが、それぞれ取り付けられて
いる。反応管6と、これを加熱する発熱体7とは、加熱
温度等によって適宜選択i−ることかでき、抵抗加熱炉
、誘導加熱炉、赤外線加熱炉等を用いることができるほ
か、発熱体7には高周波またはマイクロ波を用いてプラ
ズマを発生さけて原料化合物をイオン分解させるような
ものを用いることもできる。またこの加熱炉5の下段に
は、樹脂液塗布装置8と硬化装置9とが連続して設けら
れており、上記加熱炉5内で光フアイバ裸線1表面に形
成された炭素被膜2十、に樹脂被膜3が形成できるよう
になっている。
供給する原料化合物供給管6aが、下部には未反応ガス
等を排気するυF気管6bが、それぞれ取り付けられて
いる。反応管6と、これを加熱する発熱体7とは、加熱
温度等によって適宜選択i−ることかでき、抵抗加熱炉
、誘導加熱炉、赤外線加熱炉等を用いることができるほ
か、発熱体7には高周波またはマイクロ波を用いてプラ
ズマを発生さけて原料化合物をイオン分解させるような
ものを用いることもできる。またこの加熱炉5の下段に
は、樹脂液塗布装置8と硬化装置9とが連続して設けら
れており、上記加熱炉5内で光フアイバ裸線1表面に形
成された炭素被膜2十、に樹脂被膜3が形成できるよう
になっている。
」二紀装置を用いて光ファイバ裸M1表面に炭素被膜2
と樹脂被膜3とを形成するには、以下の工程による。
と樹脂被膜3とを形成するには、以下の工程による。
光ファイバ母料を光フアイバ紡糸炉4内で加熱紡糸する
と共に、光フアイバ紡糸炉4の下段に設けられた加熱炉
5、樹脂液塗布装置8、硬化装置9内へ挿通し、これら
の中心軸」二を所定の線速で走行するように供給する。
と共に、光フアイバ紡糸炉4の下段に設けられた加熱炉
5、樹脂液塗布装置8、硬化装置9内へ挿通し、これら
の中心軸」二を所定の線速で走行するように供給する。
ついで発熱体7を発熱させて反応管6内を所定温度に加
熱すると共に、原料化合物供給管6aより原料化合物を
反応管6内へ供給する。この原料化合物としては、その
分丘中に炭素原子を含有する化合物であり、熱分解等に
よって炭素被膜を析出するものを用いることができる。
熱すると共に、原料化合物供給管6aより原料化合物を
反応管6内へ供給する。この原料化合物としては、その
分丘中に炭素原子を含有する化合物であり、熱分解等に
よって炭素被膜を析出するものを用いることができる。
またこの原料化合物はガス状態にして反応管6内へ供給
するほか、不活性ガス等によって希釈して供給すること
ができる。
するほか、不活性ガス等によって希釈して供給すること
ができる。
反応管6内で原料化合物を熱分解させて、ラジカルある
いはイオンとし、これを光フアイバ裸線表面に析出させ
ることにより、炭素被膜を形成することができる。
いはイオンとし、これを光フアイバ裸線表面に析出させ
ることにより、炭素被膜を形成することができる。
このようにして、その表面に炭素被膜2が形成されノコ
光ファイバを、下段に設()られた樹脂液塗布装置S内
へ導入17、ついで樹脂液を硬化させる硬化装置9内へ
挿通ずる。樹脂液塗布装置8内へ挿通された光ファイバ
裸線1に、保護被覆層を形成するための紫外線硬化型樹
脂液あるいは熱硬化型樹脂液等を塗布し、ついで塗布さ
れた樹脂液に好適な硬化条件を有する硬化装置9内で硬
化して樹脂波膜3を形成する。
光ファイバを、下段に設()られた樹脂液塗布装置S内
へ導入17、ついで樹脂液を硬化させる硬化装置9内へ
挿通ずる。樹脂液塗布装置8内へ挿通された光ファイバ
裸線1に、保護被覆層を形成するための紫外線硬化型樹
脂液あるいは熱硬化型樹脂液等を塗布し、ついで塗布さ
れた樹脂液に好適な硬化条件を有する硬化装置9内で硬
化して樹脂波膜3を形成する。
なお、光フアイバ裸線1表面に炭素被膜2を被覆するに
は、上記のようにMCVD法を用いる他にも、プラズマ
CVD法等により炭化水素化合物を分解し、ラジカルま
たはイオンとし、炭素被膜2として堆積させる方法なと
を用いることができ、光フアイバ裸線1表面に炭素被膜
2を析出できものであれば、その方法に関しては特?こ
限定されるものではない。
は、上記のようにMCVD法を用いる他にも、プラズマ
CVD法等により炭化水素化合物を分解し、ラジカルま
たはイオンとし、炭素被膜2として堆積させる方法なと
を用いることができ、光フアイバ裸線1表面に炭素被膜
2を析出できものであれば、その方法に関しては特?こ
限定されるものではない。
以下、炭素被膜2の電気抵抗値の適正範囲を限定するた
めの実施例について述べる。
めの実施例について述べる。
[実施例1
炭素被膜の電気抵抗値の適正範囲を限定するノコめに光
フアイバ裸線表面に種々の条件にて炭素被膜を形成し、
得られた光ファイバの電気抵抗値と、耐水素特性および
機械的強度との関係を調べた。
フアイバ裸線表面に種々の条件にて炭素被膜を形成し、
得られた光ファイバの電気抵抗値と、耐水素特性および
機械的強度との関係を調べた。
(実施例1)
第2図に示したと同様の光ファイバの製造装置を用意し
、この製造装置内1こG e O2がドープ剤として含
浸されたコア部を有4−る外径30mmの光フアイバ母
材を設置した。この光フアイバ母材を2゜00°Cに加
熱して、30m/分の紡糸速度で外径125μmの単一
・モートファイバに紡糸した。次に反応管内を1200
℃に加熱しつつ、炭素被膜を形成する原料化合物として
約5vo1%にアルゴンガスで希釈した1、1.1 ト
リクロロエタンガスを約512/分の流量で供給し、排
気口より排気圧4mmr−izOで排気し、未反応ガス
および副生成物を除去しつつ、光フアイバ裸線表面に炭
素被膜を形成した。
、この製造装置内1こG e O2がドープ剤として含
浸されたコア部を有4−る外径30mmの光フアイバ母
材を設置した。この光フアイバ母材を2゜00°Cに加
熱して、30m/分の紡糸速度で外径125μmの単一
・モートファイバに紡糸した。次に反応管内を1200
℃に加熱しつつ、炭素被膜を形成する原料化合物として
約5vo1%にアルゴンガスで希釈した1、1.1 ト
リクロロエタンガスを約512/分の流量で供給し、排
気口より排気圧4mmr−izOで排気し、未反応ガス
および副生成物を除去しつつ、光フアイバ裸線表面に炭
素被膜を形成した。
さらに紫外線硬化型樹脂コート用ダイスポット内にウレ
タンアクリレート樹脂液(ヤング率70kg/n+m2
、伸び60%)を封入し、上記光フアイバ表面に樹脂液
を塗布した後、紫外線ランプにより樹脂液を硬化させ、
外径が約250 pmの光ファイバをlkm得た。
タンアクリレート樹脂液(ヤング率70kg/n+m2
、伸び60%)を封入し、上記光フアイバ表面に樹脂液
を塗布した後、紫外線ランプにより樹脂液を硬化させ、
外径が約250 pmの光ファイバをlkm得た。
このようにして得られた光ファイバの紡糸開始端お、及
び終了端から1mずつを試料として採取し、これら試料
ファイバの樹H斤被膜を除去した後、デジタルマルヂメ
ータにて炭素被膜の電気抵抗値を測定したところ、いず
れの試料ファイバもIOkΩ/ amであった3、 (実施例2) 原料化合物をベンゼンとした以外は実施例1と全く同様
にして光ファイバを製造した。
び終了端から1mずつを試料として採取し、これら試料
ファイバの樹H斤被膜を除去した後、デジタルマルヂメ
ータにて炭素被膜の電気抵抗値を測定したところ、いず
れの試料ファイバもIOkΩ/ amであった3、 (実施例2) 原料化合物をベンゼンとした以外は実施例1と全く同様
にして光ファイバを製造した。
そして実施例1と全く同様にして炭素被膜の電気抵抗値
を測定したところ、開始端、終了端」(に、18にΩ/
cmであった。1 (実施例3) 原料化合物としてエタンを用い、反応管内の晶11度を
1300°Cとした以外は実施例1と全く同様にして光
ファイバを製造した。
を測定したところ、開始端、終了端」(に、18にΩ/
cmであった。1 (実施例3) 原料化合物としてエタンを用い、反応管内の晶11度を
1300°Cとした以外は実施例1と全く同様にして光
ファイバを製造した。
そして実施例1と全く同様にして炭素被膜の電気抵抗値
を測定したところ、開始端、終了端共に、7にΩ/cm
であった。
を測定したところ、開始端、終了端共に、7にΩ/cm
であった。
(実施例4)
紡糸速度を50m/分とした以外は実施例1と全く同様
にして光ファイバを製造した。
にして光ファイバを製造した。
そして実施例1と全く同様にして炭素被膜の電気抵抗値
を測定したところ、開始端、終了端共に、18kΩ/c
mであった。
を測定したところ、開始端、終了端共に、18kΩ/c
mであった。
(比較例1)
紡糸速度を60m/分とし、かつ反応管内の温度を11
00℃とした以外は実施例1と全く同様にして光ファイ
バを製造した。
00℃とした以外は実施例1と全く同様にして光ファイ
バを製造した。
そして実施例1と全く同様にして炭素被膜の電気抵抗値
を測定したところ、開始端、終了端共に、22にΩ/a
mであった。
を測定したところ、開始端、終了端共に、22にΩ/a
mであった。
(比較例2)
原料化合物をジクロロメタンとし、反応管内の温度を1
100°Cとした以外は実施例1と全く同様にして光フ
ァイバを製造した。
100°Cとした以外は実施例1と全く同様にして光フ
ァイバを製造した。
そして実施例1と全く同様にして炭素被膜の電気抵抗値
を測定したところ、開始端、終了端共に、30にΩ/
cmであった。
を測定したところ、開始端、終了端共に、30にΩ/
cmであった。
(比較例3)
紡糸速度を10m/分とし、かつ反応管内の温度を13
00℃とした以外は実施例1と全く同様にして光ファイ
バを製造した。
00℃とした以外は実施例1と全く同様にして光ファイ
バを製造した。
そして実施例Iど全く同様にして炭素被膜の電気抵抗値
を測定したところ、開始端、終了端共に、3kΩ/cm
であった。
を測定したところ、開始端、終了端共に、3kΩ/cm
であった。
(試験例1)
上記実施例1ないし4、および比較例1ないし3で得ら
れた各光ファイバを700m採取し、これら試料ファイ
バの波長124μmにおりる光伝送損失を測定した。そ
の後、これら各試料ファイバを水素分圧+ atm、
’lfA度80℃の水素加圧容器内に100時間放置し
た後、再度波長124μmにおける光伝送損失を測定し
、その伝送損失の増加量を測定した。
れた各光ファイバを700m採取し、これら試料ファイ
バの波長124μmにおりる光伝送損失を測定した。そ
の後、これら各試料ファイバを水素分圧+ atm、
’lfA度80℃の水素加圧容器内に100時間放置し
た後、再度波長124μmにおける光伝送損失を測定し
、その伝送損失の増加量を測定した。
この結果を第1表に示した。
(試験例2)
実施例1ないし4、および比較例1ないし3で得られた
各光ファイバを、試験本数20本、ゲージ長さ3m、歪
速度300m1分の条件下で引っ張り破断確率と引っ張
り強度のワイブルプロットを行い、50%破断確率での
引っ張り強度を測定した。この結果を第1表に併せて示
した。
各光ファイバを、試験本数20本、ゲージ長さ3m、歪
速度300m1分の条件下で引っ張り破断確率と引っ張
り強度のワイブルプロットを行い、50%破断確率での
引っ張り強度を測定した。この結果を第1表に併せて示
した。
また種々条件を変えて光フアイバ裸線表面に炭素被膜を
形成し、この炭素被膜の電気抵抗値とその耐水素特性と
の関係をプロットし、第3図にグラフとして、上記実施
例1ないし4および比較例■ないし3の結果と共に示し
た。
形成し、この炭素被膜の電気抵抗値とその耐水素特性と
の関係をプロットし、第3図にグラフとして、上記実施
例1ないし4および比較例■ないし3の結果と共に示し
た。
さらに第4図に炭素被膜の電気抵抗値と光ファイバの機
械的強度との関係をグラフとして示した。
械的強度との関係をグラフとして示した。
(以下、余白)
第1表
第1表および第3図より、電気抵抗値が20にΩ/cm
未への炭素被膜を有する光ファイバは伝送損失増加量が
少なく、耐水素特性に優れていることが確認できた。
未への炭素被膜を有する光ファイバは伝送損失増加量が
少なく、耐水素特性に優れていることが確認できた。
また第1表および第4図より、電気抵抗値が5にΩ/c
m以」二の炭素被膜を有する光ファイバは破断強度が高
く、機械的強度が高いことが確認できた。
m以」二の炭素被膜を有する光ファイバは破断強度が高
く、機械的強度が高いことが確認できた。
これらの結果から電気抵抗値が5に97cm以上20に
Ω/cm未溝の炭素被膜を有してなる光ファイバは、耐
水素特性と機械的強度とに優れることが確認できた。
Ω/cm未溝の炭素被膜を有してなる光ファイバは、耐
水素特性と機械的強度とに優れることが確認できた。
[発明の効果]
以上説明したように、この発明の光ファイバは、電気抵
抗値が5に97cm以上20に97cm未満の炭素被膜
を有してなるものであるので実用に十分な耐水素特性と
機械的強度とを示すものとなる。
抗値が5に97cm以上20に97cm未満の炭素被膜
を有してなるものであるので実用に十分な耐水素特性と
機械的強度とを示すものとなる。
第1図はこの発明の光ファイバの一例を示した概略断面
図、第2図はこの発明の光ファイバの製造に好適に用い
られる光ファイバの製造装置の一例を示した概略構成図
、第3図は炭素被膜の電気抵抗値と光ファイバの耐水素
特性との関係を示したグラフ、第4図は炭素被膜の電気
抵抗値と光ファイバの機械的強度との関係を示したグラ
フである。 I・・・光ファイバ裸線、 2・・・炭素被膜。
図、第2図はこの発明の光ファイバの製造に好適に用い
られる光ファイバの製造装置の一例を示した概略構成図
、第3図は炭素被膜の電気抵抗値と光ファイバの耐水素
特性との関係を示したグラフ、第4図は炭素被膜の電気
抵抗値と光ファイバの機械的強度との関係を示したグラ
フである。 I・・・光ファイバ裸線、 2・・・炭素被膜。
Claims (1)
- 電気抵抗値が5kΩ/cm以上20kΩ/cm未満の
炭素被膜を有してなる光フアイバ
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1104013A JP2825843B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | 光ファイバ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1104013A JP2825843B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | 光ファイバ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02282209A true JPH02282209A (ja) | 1990-11-19 |
JP2825843B2 JP2825843B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=14369384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1104013A Expired - Fee Related JP2825843B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | 光ファイバ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2825843B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61267711A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-27 | Fujikura Ltd | 光フアイバ |
-
1989
- 1989-04-24 JP JP1104013A patent/JP2825843B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61267711A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-27 | Fujikura Ltd | 光フアイバ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2825843B2 (ja) | 1998-11-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |