JPH0234921A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0234921A JPH0234921A JP18498688A JP18498688A JPH0234921A JP H0234921 A JPH0234921 A JP H0234921A JP 18498688 A JP18498688 A JP 18498688A JP 18498688 A JP18498688 A JP 18498688A JP H0234921 A JPH0234921 A JP H0234921A
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- insulating film
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はコンタクト窓部の傾斜をゆるやかにした半導体
装置の製造方法に関するものである。
装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、半導体装置製造のコンタクト窓形成工程は、素子
の微細化に伴い、サイドエツチングの少ないドライエツ
チングという方法が、一般に利用されている。
の微細化に伴い、サイドエツチングの少ないドライエツ
チングという方法が、一般に利用されている。
以下に従来の半導体装置の製造方法について、説明する
。
。
第２図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体装置の製造方法を
説明するための工程順断面図であり、同図中、１１はシ
リコン基板、１２は熱酸化膜、１３は層間絶縁膜、１４
はホトレジストである。
説明するための工程順断面図であり、同図中、１１はシ
リコン基板、１２は熱酸化膜、１３は層間絶縁膜、１４
はホトレジストである。
第２図（ａ）は、シリコン基板１１上に、熱酸化膜１２
を成長させ、その上に、リンケイ酸被膜等の層間絶縁膜
１３を被着差制御データ、コンタクト窓形成領域をホト
レジスト１４によって決定４、図面の簡単な説明第物で
ある。
を成長させ、その上に、リンケイ酸被膜等の層間絶縁膜
１３を被着差制御データ、コンタクト窓形成領域をホト
レジスト１４によって決定４、図面の簡単な説明第物で
ある。
第２図（ｂ）は、このホトレジスと１４をマスクとして
、ドライエツチングで層間絶縁膜１３と熱酸化膜１２と
をエツチングし、ホトレジスト１４を除去した状態であ
る。
、ドライエツチングで層間絶縁膜１３と熱酸化膜１２と
をエツチングし、ホトレジスト１４を除去した状態であ
る。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の構成では、コンタクト窓部の
ドライエツチング後の形状が急峻なため、層間絶縁膜１
３上に形成される配線層が、コンタクト窓部で断線した
り、コンタクト窓部の配線層のステップカバレッジが悪
いといった問題があった。
ドライエツチング後の形状が急峻なため、層間絶縁膜１
３上に形成される配線層が、コンタクト窓部で断線した
り、コンタクト窓部の配線層のステップカバレッジが悪
いといった問題があった。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、配線層の
断線を防止し、コンタクト窓部の配線層のステップカバ
レッジを良好にする半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
断線を防止し、コンタクト窓部の配線層のステップカバ
レッジを良好にする半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明の半導体装置の製造
方法は、被着させた層間絶縁膜にイオン注入したのち、
ホトレジストマスクを用いて、コンタクト窓を形成する
よう構成されている。
方法は、被着させた層間絶縁膜にイオン注入したのち、
ホトレジストマスクを用いて、コンタクト窓を形成する
よう構成されている。
作用
この構成によって、層間絶縁膜にイオン注入のダメージ
が残り、ドライエツチング時に、ダメージの多い層間絶
縁膜の表面近傍では、ラジカルやイオンが横方向にも侵
入し、大きいサイドエッチが発生するが、層間絶縁膜の
内部ではイオン注入のダメージが少ないため、ラジカル
やイオンの横方向への侵入が少なく、サイドエッチのほ
とんどないエツチング形状が得られる。
が残り、ドライエツチング時に、ダメージの多い層間絶
縁膜の表面近傍では、ラジカルやイオンが横方向にも侵
入し、大きいサイドエッチが発生するが、層間絶縁膜の
内部ではイオン注入のダメージが少ないため、ラジカル
やイオンの横方向への侵入が少なく、サイドエッチのほ
とんどないエツチング形状が得られる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例半導体装置の
製造方法を説明するための工程順断面図である。
製造方法を説明するための工程順断面図である。
第１図において、ｌはシリコン基板、２は熱酸化膜、３
は層間絶縁膜、４はイオン注入領域、５はホトレジスト
である。
は層間絶縁膜、４はイオン注入領域、５はホトレジスト
である。
第１図（ａ）は、シリコン基板１上に、熱酸化膜２を成
長させ、その上にリンケイ酸ガラス被膜等の層間絶縁膜
３を被着したのち、リンイオンを加速電圧８０ｋｅＶで
３ Ｘ １０ ”’ｃｍ−２注入し、上記層間絶縁ＩＩ
Ｉ ３の上方にイオン注入領域４を形成した図である。
長させ、その上にリンケイ酸ガラス被膜等の層間絶縁膜
３を被着したのち、リンイオンを加速電圧８０ｋｅＶで
３ Ｘ １０ ”’ｃｍ−２注入し、上記層間絶縁ＩＩ
Ｉ ３の上方にイオン注入領域４を形成した図である。
次に、ホトレジスト５を用いて、コンタクト窓形成領域
を決定したものが第１図（ｂ）である。
を決定したものが第１図（ｂ）である。
第１図（Ｃ）は上記ホトレジスト５をマスクとしてドラ
イエツチングで上記層間ＩＰ！縁膜３と熱酸化膜２をエ
ツチングし、ホトレジスト５を除去したものである。
イエツチングで上記層間ＩＰ！縁膜３と熱酸化膜２をエ
ツチングし、ホトレジスト５を除去したものである。
このドライエツチング時に層間絶縁膜３中のリンイオン
注入領域４ではエツチングが縦方向のみならず、横方向
にも行なわれるが、イオン注入がなされていない層間絶
縁膜３の下方では縦方向のみがエツチングされる。
注入領域４ではエツチングが縦方向のみならず、横方向
にも行なわれるが、イオン注入がなされていない層間絶
縁膜３の下方では縦方向のみがエツチングされる。
上述の実施例では、イオン種をリンとしたが、これをボ
ロンやヒ素などに代えることもできる。
ロンやヒ素などに代えることもできる。
また、イオン注入量や、加速電圧を代えることにより、
横方向へのエツチング量の調節、すなわち、コンタクト
窓のテーパー角を変えることが可能である。
横方向へのエツチング量の調節、すなわち、コンタクト
窓のテーパー角を変えることが可能である。
発明の効果
本発明によれば、従来の工程に一回のイオン注入工程を
付加することにより、コンタクト窓部における配線層の
断線を防止し、ステップカバレッジを良好にすることの
できる優れた半導体装置の製造方法を実現できるもので
ある。
付加することにより、コンタクト窓部における配線層の
断線を防止し、ステップカバレッジを良好にすることの
できる優れた半導体装置の製造方法を実現できるもので
ある。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例半導体装置の
製造方法の工程順断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）は従
来の半導体装置の製造方法の工程順断面図である。 １．１１・・・・・・シリコン基板、２，１２・・・・
・・熱酸化膜、３，１３・・・・・・層間Ｉ／！縁膜、
４・・・・・・不純物イオン注入領域、５，１４・・・
・・・ホトレジスト。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名（・ シリコ−）Ｓ扱 第 図 斗−一一下世別辺ｆλソオ入ｄｔＩＬ 番 番 ↓ ↓ ↓ ボ、ｋレジ又■
製造方法の工程順断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）は従
来の半導体装置の製造方法の工程順断面図である。 １．１１・・・・・・シリコン基板、２，１２・・・・
・・熱酸化膜、３，１３・・・・・・層間Ｉ／！縁膜、
４・・・・・・不純物イオン注入領域、５，１４・・・
・・・ホトレジスト。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名（・ シリコ−）Ｓ扱 第 図 斗−一一下世別辺ｆλソオ入ｄｔＩＬ 番 番 ↓ ↓ ↓ ボ、ｋレジ又■
Claims (1)
- 半導体基板上の所定絶縁膜にイオン注入処理を行ったの
ち、コンタクト窓となる所定の領域を開孔したホトレジ
ストマスクを形成し、ドライエッチングによって、前記
領域を開口することを特徴とする半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18498688A JPH0234921A (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18498688A JPH0234921A (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0234921A true JPH0234921A (ja) | 1990-02-05 |
Family
ID=16162797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18498688A Pending JPH0234921A (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0234921A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005183919A (ja) * | 2003-12-23 | 2005-07-07 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-25 JP JP18498688A patent/JPH0234921A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005183919A (ja) * | 2003-12-23 | 2005-07-07 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
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