JPH0233947A - 赤外光散乱を用いたイオン注入量測定方法 - Google Patents
赤外光散乱を用いたイオン注入量測定方法Info
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- JPH0233947A JPH0233947A JP18393988A JP18393988A JPH0233947A JP H0233947 A JPH0233947 A JP H0233947A JP 18393988 A JP18393988 A JP 18393988A JP 18393988 A JP18393988 A JP 18393988A JP H0233947 A JPH0233947 A JP H0233947A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハー等へのイオン注入量を測定し、
かつ注入層を評価する技術に関するものであり、特に赤
外光を照射したときの散乱による吸収がイオン注入量と
一定の関係があることを見出し、この関係を利用してイ
オン注入量を測定し、かつイオン注入層の評価を行うこ
とが可能な赤外光散乱を用いたイオン注入量測定方法お
よび装置に関するものである。
かつ注入層を評価する技術に関するものであり、特に赤
外光を照射したときの散乱による吸収がイオン注入量と
一定の関係があることを見出し、この関係を利用してイ
オン注入量を測定し、かつイオン注入層の評価を行うこ
とが可能な赤外光散乱を用いたイオン注入量測定方法お
よび装置に関するものである。
一般にイオン注入は半導体デバイスにおける重要な技術
の１つであるが、従来、このような半導体ウェハーへ注
入されたイオンドーズ（イオン注入量）の測定は、電流
積分器によっており、この方法はイオン注入電流を測定
し、その積分値から半導体ウェハーへ注入されたイオン
ドーズを求めるものである。
の１つであるが、従来、このような半導体ウェハーへ注
入されたイオンドーズ（イオン注入量）の測定は、電流
積分器によっており、この方法はイオン注入電流を測定
し、その積分値から半導体ウェハーへ注入されたイオン
ドーズを求めるものである。
しかしながら、注入されるイオンは高エネルギーを存す
る荷電粒子であるために、ウェハー表面からイオンや電
子の２次放出が発生し、またイオン注入装置内の真空中
においてイオンの放電が生ずるため、単にイオン電流を
積分したのでは正確なイオン注入量の測定は困難である
。
る荷電粒子であるために、ウェハー表面からイオンや電
子の２次放出が発生し、またイオン注入装置内の真空中
においてイオンの放電が生ずるため、単にイオン電流を
積分したのでは正確なイオン注入量の測定は困難である
。
本発明は上記問題点を解決するだめのもので、高エネル
ギー荷電粒子の影響を受けず、正確、かつ容易に半導体
ウェハー等へのイオン注入量を測定し、か一つイオン注
入領域の評価をおこなうことのできる赤外光散乱を用い
たイオン注入量測定方法および装置を提供することを目
的とする。
ギー荷電粒子の影響を受けず、正確、かつ容易に半導体
ウェハー等へのイオン注入量を測定し、か一つイオン注
入領域の評価をおこなうことのできる赤外光散乱を用い
たイオン注入量測定方法および装置を提供することを目
的とする。
本発明は、半導体ウェハー等にイオン注入した場合に、
高エネルギーイオン粒子のトラック、すなわちイオン注
入によってイオンと原子間の衝突により原子配列が局所
的に乱され、通常結晶と異なる部分、即ちイオントラッ
クが生して屈折率が変化する。このイオントランクは注
入イオンのエネルギーやイオン種に依存して変化するが
、トラック数はイオン注入量に比例し、これがレイリー
散乱中心として作用することを利用したもので、赤外光
を照射したときの散乱による吸収がイオン注入量と一定
の関係があることを見出し、赤外光の散乱により生ずる
透過率の変化からイオン注入量を測定するようにしたも
のである。
高エネルギーイオン粒子のトラック、すなわちイオン注
入によってイオンと原子間の衝突により原子配列が局所
的に乱され、通常結晶と異なる部分、即ちイオントラッ
クが生して屈折率が変化する。このイオントランクは注
入イオンのエネルギーやイオン種に依存して変化するが
、トラック数はイオン注入量に比例し、これがレイリー
散乱中心として作用することを利用したもので、赤外光
を照射したときの散乱による吸収がイオン注入量と一定
の関係があることを見出し、赤外光の散乱により生ずる
透過率の変化からイオン注入量を測定するようにしたも
のである。
第１図は本発明の赤外光散乱を用いたイオン注入量測定
ならびに注入層評価の方法を説明するための図で、１０
１はサンプル、１０１ａはイオン注入領域、１０１ｂは
非イオン注入領域、１０３は光源、１０５は集光レンズ
、１０７はプリズム、１０９ａ、１０９ｂ、１１１は反
射ミラー、１１３は集光レンズ、１１５は検出器である
。
ならびに注入層評価の方法を説明するための図で、１０
１はサンプル、１０１ａはイオン注入領域、１０１ｂは
非イオン注入領域、１０３は光源、１０５は集光レンズ
、１０７はプリズム、１０９ａ、１０９ｂ、１１１は反
射ミラー、１１３は集光レンズ、１１５は検出器である
。
サンプル１０１はイオン注入領域と非イオン注入領域間
における赤外光の透過率の相違を明確にするために、第
２図に示すようなマスク１２］を使用してイオン注入を
行ったものである。マスク１２１において、１２３はイ
オン注入領域、１２５は非イオン注入領域を示している
。実用に際しては、非注入の標準試料をこれにあてる。
における赤外光の透過率の相違を明確にするために、第
２図に示すようなマスク１２］を使用してイオン注入を
行ったものである。マスク１２１において、１２３はイ
オン注入領域、１２５は非イオン注入領域を示している
。実用に際しては、非注入の標準試料をこれにあてる。
例えば、光ｆｉ１０３を白色光源とし、これをレンズ１
０５で平行光束とし、プリズム１０７で２光束に分けて
一方をイオン注入領域１０１ａに照射し、他方を非イオ
ン注入領域１０１ｂ （標準試料）に照射する。ミラー
１１１は２光束のうちの一方を選択的に反射できるよう
に矢印方向に可動になっており、図の実線位置にある場
合には非イオン注入領域１０１ｂの透過光を反射し、反
射光は集光レンズ１１３を通って検出器１１５で検出さ
れる。なお、実際には光学系は光ファイ１バーを用いて
構成してもよい。また図の斜線位置にある場合にはイオ
ン注入領域１０１ａを透過した光が反射されて検出器１
１５で検出される。検出器１１５は赤外領域の光に感応
するような特性を有しており、各透過光Ｔ、Ｔ、がそれ
ぞれ検出される。
０５で平行光束とし、プリズム１０７で２光束に分けて
一方をイオン注入領域１０１ａに照射し、他方を非イオ
ン注入領域１０１ｂ （標準試料）に照射する。ミラー
１１１は２光束のうちの一方を選択的に反射できるよう
に矢印方向に可動になっており、図の実線位置にある場
合には非イオン注入領域１０１ｂの透過光を反射し、反
射光は集光レンズ１１３を通って検出器１１５で検出さ
れる。なお、実際には光学系は光ファイ１バーを用いて
構成してもよい。また図の斜線位置にある場合にはイオ
ン注入領域１０１ａを透過した光が反射されて検出器１
１５で検出される。検出器１１５は赤外領域の光に感応
するような特性を有しており、各透過光Ｔ、Ｔ、がそれ
ぞれ検出される。
なお、光源は白色光源でなく、赤外光源を用いるように
してもよいことは言うまでもない。
してもよいことは言うまでもない。
第３図に示すように、サンプルの厚みがｔ＋δ、イオン
注入領域の厚みをδとすると、 そして、δは非常に薄いので、 崎１− （α−β）δ ・・・・・・・・
・・・・（１）となる。ここに、αとβはそれぞれイオ
ン注入領域、非注入領域における光の吸収系数、■。は
入射光強度である。
注入領域の厚みをδとすると、 そして、δは非常に薄いので、 崎１− （α−β）δ ・・・・・・・・
・・・・（１）となる。ここに、αとβはそれぞれイオ
ン注入領域、非注入領域における光の吸収系数、■。は
入射光強度である。
（１）式における吸収係数の差（α−β）は、イオン注
入領域における光の散乱によって生じ、α−βｏｔＮ
Ｓ” ／λ４ ・・・・・・・・・・・・（
２）で与えられ、Ｓはイオントランクの散乱断面積、Ｎ
は単位体積当たりのイオントラック数、λは以下で定義
される限界波長より長い光の波長である。
入領域における光の散乱によって生じ、α−βｏｔＮ
Ｓ” ／λ４ ・・・・・・・・・・・・（
２）で与えられ、Ｓはイオントランクの散乱断面積、Ｎ
は単位体積当たりのイオントラック数、λは以下で定義
される限界波長より長い光の波長である。
（１）式および（２）式から分かるように、Ｔ／Ｔ、は
１／λ４とリニアーな関係にあり、３Ｘ１０”ドーズ（
イオン／ ｃｄ ） 、Ｉ Ｘ １０ ’ ”ドーズ、
３×１０１１ドーズに対して、それぞれ加速電圧が６０
に■、２００ｋＶでイオン注入した場合の特性は第４図
に示すようなものが得られた。ここで、波長は９５０ｎ
ｍより長い波長であり、イオン注入量は３Ｘ１０Ｉｚド
ーズ／Ｃ！！より大きいもので、これ以下のドーズのサ
ンプルにおいてはＴ ／ Ｔ、の比を得ることができな
かった。しかし測定感度の改良により、低ドーズ量の正
確な測定が期待される。
１／λ４とリニアーな関係にあり、３Ｘ１０”ドーズ（
イオン／ ｃｄ ） 、Ｉ Ｘ １０ ’ ”ドーズ、
３×１０１１ドーズに対して、それぞれ加速電圧が６０
に■、２００ｋＶでイオン注入した場合の特性は第４図
に示すようなものが得られた。ここで、波長は９５０ｎ
ｍより長い波長であり、イオン注入量は３Ｘ１０Ｉｚド
ーズ／Ｃ！！より大きいもので、これ以下のドーズのサ
ンプルにおいてはＴ ／ Ｔ、の比を得ることができな
かった。しかし測定感度の改良により、低ドーズ量の正
確な測定が期待される。
第５図は３Ｘ１０”／ｃ＋ＪドーズにおけるＴ ／ ”
Ｉ” 。
Ｉ” 。
と１／λ４との測定結果を示す図で、８７Ｏｎｍ付近に
最大の吸収点があり、それより長波長側では１／λ４に
比例して減少し、短波長側において、Ｔ／′ｒ０は１／
λ４に比例して増加していることが分かる。この吸収の
一番大きい点が限界波長であり、限界波長λＣはｈｃ／
Ｅｇ（ｃは光速、１１はブランク乗数、Ｅｇは半導体の
バンドギャップエネルギー）で与えられ、ＧａＡｓウェ
ハーの場合には８７０ｎｍである。そして、限界波長の
短波長側はバンド間励起による吸収であり、限界波長よ
り長波長側はバンド間励起による吸収はないので、限界
波長より長波長側の吸収はイオントランクによるレイリ
ー散乱によるものであり、イオントラックがレイリー散
乱中心として機能していることが分かる。バンドキャン
プずなわちλゎ一８７０ｎｍの近くではＴ／Ｔ、のカー
ブは第５図に示すように不規則に現れている。なお、Ｅ
ｇよりも高エネルギーの波長領域ではＴ／Ｔ、が１／λ
４に比例して増加しているが、この現象は、ＧａＡｓに
おける価電子帯と伝導帯との間の遷移確率が大きく増大
するため、イオン注入による衝撃領域における遷移確率
のわずかな減少がαとβの反転となってあられれてくる
。
最大の吸収点があり、それより長波長側では１／λ４に
比例して減少し、短波長側において、Ｔ／′ｒ０は１／
λ４に比例して増加していることが分かる。この吸収の
一番大きい点が限界波長であり、限界波長λＣはｈｃ／
Ｅｇ（ｃは光速、１１はブランク乗数、Ｅｇは半導体の
バンドギャップエネルギー）で与えられ、ＧａＡｓウェ
ハーの場合には８７０ｎｍである。そして、限界波長の
短波長側はバンド間励起による吸収であり、限界波長よ
り長波長側はバンド間励起による吸収はないので、限界
波長より長波長側の吸収はイオントランクによるレイリ
ー散乱によるものであり、イオントラックがレイリー散
乱中心として機能していることが分かる。バンドキャン
プずなわちλゎ一８７０ｎｍの近くではＴ／Ｔ、のカー
ブは第５図に示すように不規則に現れている。なお、Ｅ
ｇよりも高エネルギーの波長領域ではＴ／Ｔ、が１／λ
４に比例して増加しているが、この現象は、ＧａＡｓに
おける価電子帯と伝導帯との間の遷移確率が大きく増大
するため、イオン注入による衝撃領域における遷移確率
のわずかな減少がαとβの反転となってあられれてくる
。
ところで、各イオントラックが光散乱の各中心となり得
ることを明らかにするために、次のような計算をしてみ
た。
ることを明らかにするために、次のような計算をしてみ
た。
ＧａＡｓ （１００）面における原子の表面密度は８
Ｘ Ｉ Ｏ１４／ｃ４と計算されるので、３Ｘ１０′３
イオン／ ｃｔＡのドーズは５原子間隔平方の面積当た
り１個のイオンがあることに相当するので、この程度の
イオンドーズの場合にはすべての注入イオンが独立した
中心として作用するに十分な数で、従ってＴ／Ｔ、の比
は注入ドーズに対して非常に良いリニアリティーを示す
ことになる。第６図に示した直線性はほとんど全てのイ
オンドーラツクが独立した散乱中心として作用すること
を示している。
Ｘ Ｉ Ｏ１４／ｃ４と計算されるので、３Ｘ１０′３
イオン／ ｃｔＡのドーズは５原子間隔平方の面積当た
り１個のイオンがあることに相当するので、この程度の
イオンドーズの場合にはすべての注入イオンが独立した
中心として作用するに十分な数で、従ってＴ／Ｔ、の比
は注入ドーズに対して非常に良いリニアリティーを示す
ことになる。第６図に示した直線性はほとんど全てのイ
オンドーラツクが独立した散乱中心として作用すること
を示している。
第６図は１１０５０ｎ、加速電圧２００ｋＶ、６０ｋＶ
（７）場合の（１−′ｒ／Ｔ、）とドーズとの関係を示
し、この関係からＴ／Ｔ、を求めることによりドーズを
求めることができる。また、（２）弐でＮが測定したド
ーズに等しいという仮定のもとで、′ｒ ／ Ｔ Ｏと
ｌ／λ４との傾きとから光散乱断面積Ｓを求めることが
でき、これをプロットしたのが第７図である。
（７）場合の（１−′ｒ／Ｔ、）とドーズとの関係を示
し、この関係からＴ／Ｔ、を求めることによりドーズを
求めることができる。また、（２）弐でＮが測定したド
ーズに等しいという仮定のもとで、′ｒ ／ Ｔ Ｏと
ｌ／λ４との傾きとから光散乱断面積Ｓを求めることが
でき、これをプロットしたのが第７図である。
第７図に示すように光散乱断面積はイオンドーズの増加
と共に僅かに減少し、約３ Ｘ ｌ Ｏ”／ｃ＋１にお
いて、１５％の減少があるが、これはここで用いた電流
積分器がウェハーからの２次放出あるいは自己アニール
によって誤差を生じたためである。
と共に僅かに減少し、約３ Ｘ ｌ Ｏ”／ｃ＋１にお
いて、１５％の減少があるが、これはここで用いた電流
積分器がウェハーからの２次放出あるいは自己アニール
によって誤差を生じたためである。
以上のように赤外光の散乱による吸収を利用することに
より、イオン注入量を正確に測定することが可能となる
。
より、イオン注入量を正確に測定することが可能となる
。
〔作用］
本発明はＧａＡｓウェハーと″４′−導体ウエバーのイ
オン注入領域によって生ずる赤外光の光散乱が赤外光波
長の４乗の逆比例することを見出し、この散乱強度はイ
オン加速電圧を一定に保ったとき注入イオンドーズの増
加と共に増加し、またドーズ量を一定に保つと加速電圧
の増加と共に増加する。そして、高エネルギーイオン粒
子のトラック、すなわちイオン注入によってイオンと原
子間の衝突により原子配列が局所的に乱され、通常結晶
と異なる部分が生じ、このイオントラックが注入イオン
のエネルギーやイオン種に依存して変化するが、イオン
トラック数はイオン注入数に比例し、レイリー散乱とし
て作用することを利用したもので、この原理を利用する
ことによりイオン注入装置の動作中にけるその場観察な
らびに同時にドーズ測定を行うこと、さらにイオン注入
層の評価を行うことが可能となる。
オン注入領域によって生ずる赤外光の光散乱が赤外光波
長の４乗の逆比例することを見出し、この散乱強度はイ
オン加速電圧を一定に保ったとき注入イオンドーズの増
加と共に増加し、またドーズ量を一定に保つと加速電圧
の増加と共に増加する。そして、高エネルギーイオン粒
子のトラック、すなわちイオン注入によってイオンと原
子間の衝突により原子配列が局所的に乱され、通常結晶
と異なる部分が生じ、このイオントラックが注入イオン
のエネルギーやイオン種に依存して変化するが、イオン
トラック数はイオン注入数に比例し、レイリー散乱とし
て作用することを利用したもので、この原理を利用する
ことによりイオン注入装置の動作中にけるその場観察な
らびに同時にドーズ測定を行うこと、さらにイオン注入
層の評価を行うことが可能となる。
以下、実施例を図面を参照して説明する。
第８図はイオン注入量測定ならびに評価装置の一実施例
を示すもので、図中、２０１は光源、２０３はモノクロ
メータ、２０５は遮光部材、２０７は移動ステージ、２
０９は試料、２１１はレンズ、２１３はカメラ、２１５
はフレームメモリ、２１７はカラーユニット、２１９は
ヒ゛デオモニタ、２２１はＣＲＴ、２２３はカラーイメ
ージレコーダ、２２５はパーソナルコンピュータ、２２
７はフロッピーディスク、２２９はプリンタ、２３１は
キーボード、２３３はビデオモニタ、２３５はパルスモ
ータである。
を示すもので、図中、２０１は光源、２０３はモノクロ
メータ、２０５は遮光部材、２０７は移動ステージ、２
０９は試料、２１１はレンズ、２１３はカメラ、２１５
はフレームメモリ、２１７はカラーユニット、２１９は
ヒ゛デオモニタ、２２１はＣＲＴ、２２３はカラーイメ
ージレコーダ、２２５はパーソナルコンピュータ、２２
７はフロッピーディスク、２２９はプリンタ、２３１は
キーボード、２３３はビデオモニタ、２３５はパルスモ
ータである。
図において、パーソナルコンピュータ２２５を利用し、
フロッピーディスク２２７のソフトを利用してキーボー
ド２３１等からデータを入力することによりパルスモー
タ２３５で移動ステージ２０７を移動させ、試料２０９
の適当な位置に対して光源２０１からのモノクロメータ
２０３を通した単色光を照射する。この照射領域は例え
ばビデオモニタ２３３により選択可能になっている。そ
して試料２０９からの透過光をカメラ２１３で盪影し、
その画像データをフレームメモリ２１５に取り込むこと
により透過光強度データを得る。そしてこの透過光強度
データをカラーユニット２１７で所定のレベル毎に色分
けする等の画像処理を施すことによりビデオモニタ２１
９で透過光強度、即ちイオン注入量に応じた色分は表示
をしたものを観察することができ、またこれをＣＲＴ２
２１、イメージカラーレコーダ２２３により記録するこ
ともできる。なお、ここでは白色光源をモノクロメータ
２０３を通して単色化するようにしたが、遮光部材２０
５を取り除いて白色光で照射し、カメラ側にフィルタを
設けて透過赤外光を検出するようにしても良い。また、
結晶自体が赤外線透過フィルターとしての働きをするの
で、フィルターをかけなくてもよい。即ち、第１図に示
したような簡単な方法で充分である。また、必要に応じ
てフレームメモリのデータをプリントアウトするように
し、あるいはフロッピディスクにデータを保存すること
もできる。
フロッピーディスク２２７のソフトを利用してキーボー
ド２３１等からデータを入力することによりパルスモー
タ２３５で移動ステージ２０７を移動させ、試料２０９
の適当な位置に対して光源２０１からのモノクロメータ
２０３を通した単色光を照射する。この照射領域は例え
ばビデオモニタ２３３により選択可能になっている。そ
して試料２０９からの透過光をカメラ２１３で盪影し、
その画像データをフレームメモリ２１５に取り込むこと
により透過光強度データを得る。そしてこの透過光強度
データをカラーユニット２１７で所定のレベル毎に色分
けする等の画像処理を施すことによりビデオモニタ２１
９で透過光強度、即ちイオン注入量に応じた色分は表示
をしたものを観察することができ、またこれをＣＲＴ２
２１、イメージカラーレコーダ２２３により記録するこ
ともできる。なお、ここでは白色光源をモノクロメータ
２０３を通して単色化するようにしたが、遮光部材２０
５を取り除いて白色光で照射し、カメラ側にフィルタを
設けて透過赤外光を検出するようにしても良い。また、
結晶自体が赤外線透過フィルターとしての働きをするの
で、フィルターをかけなくてもよい。即ち、第１図に示
したような簡単な方法で充分である。また、必要に応じ
てフレームメモリのデータをプリントアウトするように
し、あるいはフロッピディスクにデータを保存すること
もできる。
〔発明の効果］
以上のような本発明によれば、赤外光を照射し、その透
過光を測定することによりイオン注入゛量を測定するこ
とが可能であるので、従来の電流積分型検出器のように
高エネルギーイオン等の荷電粒子による影響やその放電
の影響に関係なく測定することができ、またイオン注入
装置の動作中においてその場観察でイオン注入層を測定
すると共に、適当な基準を設定して良、不良の判別を行
う等イオン注入層の評価を行うことができ、また注入量
の正確なコントロール等にも応用することができる。
過光を測定することによりイオン注入゛量を測定するこ
とが可能であるので、従来の電流積分型検出器のように
高エネルギーイオン等の荷電粒子による影響やその放電
の影響に関係なく測定することができ、またイオン注入
装置の動作中においてその場観察でイオン注入層を測定
すると共に、適当な基準を設定して良、不良の判別を行
う等イオン注入層の評価を行うことができ、また注入量
の正確なコントロール等にも応用することができる。
第１図は本発明のイオン注入量測定方法を説明するため
の図、第２図はイオン注入領域と非注入領域との差を明
確にするためのマスクを示す図、第３図は被測定ウェハ
ーの断面図、第４図は加速電圧とドーズをパラメータと
した時のＴ／Ｔ、と１／λ４との関係を示す図、第５図
はイオンドーズ３ Ｘ ｌ Ｏ”／ｄにおけるＴ／Ｔ、
と１／λ４との関係を示す図、第６図はドーズとｌ
Ｔ／Ｔ。 との関係を示す図、第７図は光散乱断面積とドーズとの
関係を示す図、第８図は第４〜６図を測定した除用いた
装置を示す図である。 １０１・・・サンプル、１０１ａ・・・イオン注入領域
、１０１ｂ・・・非イオン注入領域、１０３・・・光源
、１０５・・・集光レンズ、１０７・・・プリズム、１
０９ａ。 １０９ｂ、１１１・・・反射ミラー、１１３・・・集光
レンズ、１１５・・・検出器。 を十δ 第１図 第３図 Ｔ／Ｔ。 第４ 図 第５図 Ｗａｖｅ／ｅｎｇｔｈ（ｎｍ ） Ｖ′Ｘ４ １− Ｔ／”ｒｏ 第 図 ｏｓｅ
の図、第２図はイオン注入領域と非注入領域との差を明
確にするためのマスクを示す図、第３図は被測定ウェハ
ーの断面図、第４図は加速電圧とドーズをパラメータと
した時のＴ／Ｔ、と１／λ４との関係を示す図、第５図
はイオンドーズ３ Ｘ ｌ Ｏ”／ｄにおけるＴ／Ｔ、
と１／λ４との関係を示す図、第６図はドーズとｌ
Ｔ／Ｔ。 との関係を示す図、第７図は光散乱断面積とドーズとの
関係を示す図、第８図は第４〜６図を測定した除用いた
装置を示す図である。 １０１・・・サンプル、１０１ａ・・・イオン注入領域
、１０１ｂ・・・非イオン注入領域、１０３・・・光源
、１０５・・・集光レンズ、１０７・・・プリズム、１
０９ａ。 １０９ｂ、１１１・・・反射ミラー、１１３・・・集光
レンズ、１１５・・・検出器。 を十δ 第１図 第３図 Ｔ／Ｔ。 第４ 図 第５図 Ｗａｖｅ／ｅｎｇｔｈ（ｎｍ ） Ｖ′Ｘ４ １− Ｔ／”ｒｏ 第 図 ｏｓｅ
Claims (4)
- （１）被測定半導体を透過した赤外光の透過率から被測
定半導体中のイオン注入量を求めることを特徴とするイ
オン注入量測定方法。 - （２）赤外光は被測定半導体のバンドキャップエネルギ
ーよりも小さいエネルギーの波長域である請求項１記載
の赤外光散乱を用いたイオン注入量測定方法。 - （３）透過率はイオン注入領域と非イオン注入領域との
透過光の比により求める請求項１記載の赤外光散乱を用
いたイオン注入量測定方法。 - （４）光源と試料を移動させる移動ステージと、試料か
らの赤外透過光を検出するカメラと、カメラからの画像
データを取り込んで処理する画像処理手段と、画像処理
手段および移動ステージをコントロールするコントロー
ル手段と、画像処理結果を表示する表示手段とを備えた
赤外光散乱を用いたイオン注入量測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63183939A JP2825499B2 (ja) | 1988-07-23 | 1988-07-23 | 赤外光散乱を用いたイオン注入量測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP63183939A JP2825499B2 (ja) | 1988-07-23 | 1988-07-23 | 赤外光散乱を用いたイオン注入量測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0233947A true JPH0233947A (ja) | 1990-02-05 |
| JP2825499B2 JP2825499B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=16144448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63183939A Expired - Fee Related JP2825499B2 (ja) | 1988-07-23 | 1988-07-23 | 赤外光散乱を用いたイオン注入量測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2825499B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521564A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Toshiba Corp | 拡散層深さ測定装置 |
| JP2006120901A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Sumco Corp | シリコン半導体基板の水素イオン注入量測定方法及び標準試料用基板 |
| JP2011517849A (ja) * | 2008-03-14 | 2011-06-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマイオン注入中にドーパント濃度を測定するための方法 |
Citations (5)
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-
1988
- 1988-07-23 JP JP63183939A patent/JP2825499B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2012129530A (ja) * | 2008-03-14 | 2012-07-05 | Applied Materials Inc | プラズマイオン注入中にドーパント濃度を測定するための方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2825499B2 (ja) | 1998-11-18 |
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