JP2825499B2 - 赤外光散乱を用いたイオン注入量測定方法 - Google Patents
赤外光散乱を用いたイオン注入量測定方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハー等へのイオン注入量を測定
し、かつ注入層を評価する技術に関するものであり、特
に赤外光を照射したときの散乱による吸収がイオン注入
量と一定の関係があることを見出し、この関係を利用し
てイオン注入量を測定し、かつイオン注入層の評価を行
うことが可能な赤外線散乱を用いたイオン注入量測定方
法に関するものである。
し、かつ注入層を評価する技術に関するものであり、特
に赤外光を照射したときの散乱による吸収がイオン注入
量と一定の関係があることを見出し、この関係を利用し
てイオン注入量を測定し、かつイオン注入層の評価を行
うことが可能な赤外線散乱を用いたイオン注入量測定方
法に関するものである。
一般にイオン注入は半導体デバイスにおける重要な技
術の１つであるが、従来、このような半導体ウェハーへ
注入されたイオンドーズ（イオン注入量）の測定は、電
流積分器によっており、この方法はイオン注入電流を測
定し、その積分値から半導体ウェハーへ注入されたイオ
ンドーズを求めるものである。
術の１つであるが、従来、このような半導体ウェハーへ
注入されたイオンドーズ（イオン注入量）の測定は、電
流積分器によっており、この方法はイオン注入電流を測
定し、その積分値から半導体ウェハーへ注入されたイオ
ンドーズを求めるものである。
しかしながら、注入されるイオンは高エネルギーを有
する荷電粒子であるために、ウェハー表面からイオンや
電子の２次放出が発生し、またイオン注入装置内の真空
中においてイオンの放電が生ずるため、単にイオン電流
を積分したのでは正確なイオン注入量の測定は困難であ
る。
する荷電粒子であるために、ウェハー表面からイオンや
電子の２次放出が発生し、またイオン注入装置内の真空
中においてイオンの放電が生ずるため、単にイオン電流
を積分したのでは正確なイオン注入量の測定は困難であ
る。
本発明は上記問題点を解決するためのもので、高エネ
ルギー荷電粒子の影響を受けず、正確、かつ容易に半導
体ウェハー等へのイオン注入量を測定し、かつイオン注
入領域の評価をおこなうことのできる赤外光散乱用いた
イオン注入量測定方法を提供することを目的とする。
ルギー荷電粒子の影響を受けず、正確、かつ容易に半導
体ウェハー等へのイオン注入量を測定し、かつイオン注
入領域の評価をおこなうことのできる赤外光散乱用いた
イオン注入量測定方法を提供することを目的とする。
本発明は、半導体ウエハー等にイオン注入した場合
に、高エネルギーイオン粒子のトラック、すなわちイオ
ン注入によってイオンと原子間の衝突により原子配列が
局所的に乱され、通常結晶と異なる部分、即ちイオント
ラックが生じて屈折率が変化する。このイオントラック
は注入イオンのエネルギーやイオン種に依存して変化す
るが、トラック数はイオン注入量に比例し、これがレイ
リー散乱中心として作用することを利用したもので、赤
外光を照射したときの散乱による吸収がイオン注入量と
一定の関係があることを見出し、赤外光の散乱により生
ずる透過率の変化からイオン注入量を測定するようにし
たものである。
に、高エネルギーイオン粒子のトラック、すなわちイオ
ン注入によってイオンと原子間の衝突により原子配列が
局所的に乱され、通常結晶と異なる部分、即ちイオント
ラックが生じて屈折率が変化する。このイオントラック
は注入イオンのエネルギーやイオン種に依存して変化す
るが、トラック数はイオン注入量に比例し、これがレイ
リー散乱中心として作用することを利用したもので、赤
外光を照射したときの散乱による吸収がイオン注入量と
一定の関係があることを見出し、赤外光の散乱により生
ずる透過率の変化からイオン注入量を測定するようにし
たものである。
第１図は本発明の赤外光散乱を用いたイオン注入量測
定ならびに注入層評価の方法を説明するための図で、10
1はサンプル、101aはイオン注入領域、101bは非イオン
注入領域、103は光源、105は集光レンズ、107はプリズ
ム、109a,109b,111は反射ミラー、113は集光レンズ、11
5を検出器である。
定ならびに注入層評価の方法を説明するための図で、10
1はサンプル、101aはイオン注入領域、101bは非イオン
注入領域、103は光源、105は集光レンズ、107はプリズ
ム、109a,109b,111は反射ミラー、113は集光レンズ、11
5を検出器である。
サンプル101はイオン注入領域と非イオン注入領域間
における赤外光の透過率の相違を明確にするため、第２
図に示すようなマスク121を使用してイオン注入を行っ
たものである。マスク121において、123はイオン注入領
域、125は非イオン注入領域を示している。実用に際し
ては、非注入の標準試料をこれにあてる。
における赤外光の透過率の相違を明確にするため、第２
図に示すようなマスク121を使用してイオン注入を行っ
たものである。マスク121において、123はイオン注入領
域、125は非イオン注入領域を示している。実用に際し
ては、非注入の標準試料をこれにあてる。
例えば、光源103を白色光源とし、これをレンズ105で
平行光束とし、プリズム107で２光束に分けて一方をイ
オン注入領域101aに照射し、他方を非イオン注入領域10
1b（標準試料）に照射する。ミラー111は２光束のうち
の一方を選択的に反射できるように矢印方向に可動にな
っており、図の実線位置にある場合には非イオン注入領
域101bの透過光を反射し、反射光は集光レンズ113を通
って検出器115で検出される。なお、実際には光学系は
光ファイバーを用いて構成してもよい。また図の斜線位
置にある場合にはイオン注入領域101aを透過した光が反
射されて検出器115で検出される。検出器115は赤外領域
の光に感応するような特性を有しており、各透過光T,T0
がそれぞれ検出される。なお、光源は白色光源でなく、
赤外光源を用いるようにしてもよいことは言うまでもな
い。
平行光束とし、プリズム107で２光束に分けて一方をイ
オン注入領域101aに照射し、他方を非イオン注入領域10
1b（標準試料）に照射する。ミラー111は２光束のうち
の一方を選択的に反射できるように矢印方向に可動にな
っており、図の実線位置にある場合には非イオン注入領
域101bの透過光を反射し、反射光は集光レンズ113を通
って検出器115で検出される。なお、実際には光学系は
光ファイバーを用いて構成してもよい。また図の斜線位
置にある場合にはイオン注入領域101aを透過した光が反
射されて検出器115で検出される。検出器115は赤外領域
の光に感応するような特性を有しており、各透過光T,T0
がそれぞれ検出される。なお、光源は白色光源でなく、
赤外光源を用いるようにしてもよいことは言うまでもな
い。
第３図に示すように、サンプルの厚みがｔ＋δ、イオ
ン注入領域の厚みをδとすると、 そして、δは非常に薄いので、 となる。ここに、αとβはそれぞれイオン注入領域、非
注入領域における光の吸収系数、I0は入射光強度であ
る。
ン注入領域の厚みをδとすると、 そして、δは非常に薄いので、 となる。ここに、αとβはそれぞれイオン注入領域、非
注入領域における光の吸収系数、I0は入射光強度であ
る。
（１）式における吸収係数の差（α−β）は、イオン
注入領域における光の散乱によって生じ、 α−β∝NS2/λ４ ……（２） で与えられ、Ｓはイオントラックの散乱断面積、Ｎは単
位体積当たりのイオントラック数、λは以下で定義され
る限界波長より長い光の波長である。
注入領域における光の散乱によって生じ、 α−β∝NS2/λ４ ……（２） で与えられ、Ｓはイオントラックの散乱断面積、Ｎは単
位体積当たりのイオントラック数、λは以下で定義され
る限界波長より長い光の波長である。
（１）式および（２）式から分かるように、T/T0は1/
λ４とリニアーな関係にあり、３×1012ドーズ（イオン
/cm2）、１×1013ドーズ、３×0113ドーズに対して、そ
れぞれ加速電圧が60kV、200kVでイオン注入した場合の
特性は第４図に示すようなものが得られた。ここで、波
長は950nmより長い波長であり、イオン注入量は３×10
12ドーズ/cm2より大きいもので、これ以下のドーズのサ
ンプルにおいてはT/T0の比を得ることができなかった。
しかし測定感度の改良により、低ドーズ量の正確な測定
が期待される。
λ４とリニアーな関係にあり、３×1012ドーズ（イオン
/cm2）、１×1013ドーズ、３×0113ドーズに対して、そ
れぞれ加速電圧が60kV、200kVでイオン注入した場合の
特性は第４図に示すようなものが得られた。ここで、波
長は950nmより長い波長であり、イオン注入量は３×10
12ドーズ/cm2より大きいもので、これ以下のドーズのサ
ンプルにおいてはT/T0の比を得ることができなかった。
しかし測定感度の改良により、低ドーズ量の正確な測定
が期待される。
第５図は３×1012/cm2ドーズにおけるT/T0と1/λ４と
の測定結果を示す図で、870nm付近に最大の吸収点があ
り、それより長波長側で1/λ４に比例して減少し、短波
長側において、T/T0は1/λ４に比例して増加しているこ
とが分かる。この吸収の一番大きい点が限界波長であ
り、限界波長λｃはhc/Eg（ｃは光速、ｈはプランク乗
数、Egは半導体のバンドギャップエネルギー）で与えら
れ、GaAsウェハーの場合には870nmである。そして、限
界波長の短波長側はバンド間励起による吸収であり、限
界波長より長波長側はバンド間励起による吸収はないの
で限界波長より長波長側の吸収イオントラックによるレ
イリー散乱によるものであり、イオントラックがレイリ
ー散乱中心として機能していることが分かる。バンドギ
ャップすなわちλｃ＝870nmの近くではT/T0のカーブは
第５図に示すように不規則に現れている。なお、Egより
も高エネルギーの波長領域ではT/T0が1/λ４に比例して
増加しているが、この現象は、GaAsにおける価電子帯と
伝導帯との間の遷移確率が大きく増大するため、イオン
注入による衝撃領域における遷移確率のわずかな減少が
αとβの反転となってあらわれてくる。
の測定結果を示す図で、870nm付近に最大の吸収点があ
り、それより長波長側で1/λ４に比例して減少し、短波
長側において、T/T0は1/λ４に比例して増加しているこ
とが分かる。この吸収の一番大きい点が限界波長であ
り、限界波長λｃはhc/Eg（ｃは光速、ｈはプランク乗
数、Egは半導体のバンドギャップエネルギー）で与えら
れ、GaAsウェハーの場合には870nmである。そして、限
界波長の短波長側はバンド間励起による吸収であり、限
界波長より長波長側はバンド間励起による吸収はないの
で限界波長より長波長側の吸収イオントラックによるレ
イリー散乱によるものであり、イオントラックがレイリ
ー散乱中心として機能していることが分かる。バンドギ
ャップすなわちλｃ＝870nmの近くではT/T0のカーブは
第５図に示すように不規則に現れている。なお、Egより
も高エネルギーの波長領域ではT/T0が1/λ４に比例して
増加しているが、この現象は、GaAsにおける価電子帯と
伝導帯との間の遷移確率が大きく増大するため、イオン
注入による衝撃領域における遷移確率のわずかな減少が
αとβの反転となってあらわれてくる。
ところで、各イオントラックが光散乱の各中心となり
得ることを明らかにするために、次のような計算をして
みた。
得ることを明らかにするために、次のような計算をして
みた。
GaAs（100）面における原子の表面密度は８×1014/cm
2と計算されるので、３×1013イオン/cm2のドーズは５
原子間隔平方の面積当たり１個のイオンがあることに相
当するので、この程度のイオンドーズの場合にはすべて
の注入イオンが独立した中心として作用するに十分な数
で、従ってT/T0の比は注入ドーズに対して非常に良いリ
ニアリティーを示すことになる。第６図に示した直線性
はほとんど全てのイオントラックが独立した散乱中心と
して作用することを示している。
2と計算されるので、３×1013イオン/cm2のドーズは５
原子間隔平方の面積当たり１個のイオンがあることに相
当するので、この程度のイオンドーズの場合にはすべて
の注入イオンが独立した中心として作用するに十分な数
で、従ってT/T0の比は注入ドーズに対して非常に良いリ
ニアリティーを示すことになる。第６図に示した直線性
はほとんど全てのイオントラックが独立した散乱中心と
して作用することを示している。
第６図は1050nm、加速電圧200kV、60kVの場合の（１
−T/T0）とドーズとの関係を示し、この関係からT/T0を
求めることによりドーズを求めることができる。また、
（２）式でＮが測定したドーズに等しいという仮定のも
とで、T/T0と1/λ４との傾きとから光散乱断面積Ｓを求
めることができ、これをプロットしたのが第７図であ
る。
−T/T0）とドーズとの関係を示し、この関係からT/T0を
求めることによりドーズを求めることができる。また、
（２）式でＮが測定したドーズに等しいという仮定のも
とで、T/T0と1/λ４との傾きとから光散乱断面積Ｓを求
めることができ、これをプロットしたのが第７図であ
る。
第７図に示すように光散乱断面積はイオンドーズの増
加と共に僅かに減少し、約３×1013/cm2において、15％
の減少があるが、これはここで用いた電流積分器がウェ
ハーからの２次放出あるいは自己アニールによって誤差
を生じたためである。
加と共に僅かに減少し、約３×1013/cm2において、15％
の減少があるが、これはここで用いた電流積分器がウェ
ハーからの２次放出あるいは自己アニールによって誤差
を生じたためである。
以上のように赤外光の散乱による吸収を利用すること
により、イオン注入量を正確に測定することが可能とな
る。
により、イオン注入量を正確に測定することが可能とな
る。
本発明はGaAsウェハーと半導体ウェハーのイオン注入
領域によって生ずる赤外光の光散乱が赤外光波長の４乗
の逆比例することを見出し、この散乱強度はイオン加速
電圧を一定に保ったとき注入イオンドーズの増加と共に
増加し、またドーズ量を一定に保つと加速電圧の増加と
共に増加する。そして、高エネルギーイオン粒子のトラ
ック、すなわちイオン注入によってイオンと原子間の衝
突により原子配列が局所的に乱され、通常結晶と異なる
部分が生じ、このイオントラックが注入イオンのエネル
ギーやイオン種に依存して変化するが、イオントラック
数はイオン注入数に比例し、レイリー散乱として作用す
ることを利用したもので、この原理を利用することによ
り、イオン注入装置の動作中にけるその場観察ならびに
同時にドーズ測定を行うこと、さらにイオン注入層の評
価を行うことが可能となる。
領域によって生ずる赤外光の光散乱が赤外光波長の４乗
の逆比例することを見出し、この散乱強度はイオン加速
電圧を一定に保ったとき注入イオンドーズの増加と共に
増加し、またドーズ量を一定に保つと加速電圧の増加と
共に増加する。そして、高エネルギーイオン粒子のトラ
ック、すなわちイオン注入によってイオンと原子間の衝
突により原子配列が局所的に乱され、通常結晶と異なる
部分が生じ、このイオントラックが注入イオンのエネル
ギーやイオン種に依存して変化するが、イオントラック
数はイオン注入数に比例し、レイリー散乱として作用す
ることを利用したもので、この原理を利用することによ
り、イオン注入装置の動作中にけるその場観察ならびに
同時にドーズ測定を行うこと、さらにイオン注入層の評
価を行うことが可能となる。
以下、実施例を図面を参照して説明する。
第８図はイオン注入量測定ならびに評価装置の一実施
例を示すもので、図中、201は光源、203はモノクロメー
タ、205は遮光部材、207は移動ステージ、209は試料、2
11はレンズ、213はカメラ、215はフレームメモリ、217
はカラーユニット、219はビデオモニター、221はCRT、2
23はカラーイメージレコーダ、225はパーソナルコンピ
ュータ、227はフロッピーディスク、229はプリンタ、23
1はキーボード、233はビデオモニタ、235はパルスモー
タである。
例を示すもので、図中、201は光源、203はモノクロメー
タ、205は遮光部材、207は移動ステージ、209は試料、2
11はレンズ、213はカメラ、215はフレームメモリ、217
はカラーユニット、219はビデオモニター、221はCRT、2
23はカラーイメージレコーダ、225はパーソナルコンピ
ュータ、227はフロッピーディスク、229はプリンタ、23
1はキーボード、233はビデオモニタ、235はパルスモー
タである。
図において、パーソナルコンピュータ225を利用し、
フロッピーディスク227のソフトを利用してキーボード2
31等からデータを入力することによりパルスモータ235
で移動ステージ207を移動させ、試料209の適当な位置に
対して光源201からのモノクロメータ203を通した単色光
を照射する。この照射領域は例えばビデオモニタ233に
より選択可能になっている。そして試料209からの透過
光をカメラ213で撮影し、その画像データをフレームメ
モリ215に取り込むことにより透過光強度データを得
る。そしてこの透過光強度データをカラーユニット217
で所定のレベル毎に色分けする等の画像処理を施すこと
によりビデオモニタ219で透過光強度、即ちイオン注入
量に応じた色分け表示をしたものを観察することがで
き、またこれをCRT221、イメージカラーレコーダ223に
より記録することもできる。なお、ここでは白色光源を
モノクロメータ203を通して単色化するようにしたが、
遮光部材205を取り除いて白色光で照射し、カメラ側に
フィルタを設けて透過赤外光を検出するようにしても良
い。また、結晶自体が赤外線透過フィルターとしての働
きをするので、フィルターをかけなくてもよい。即ち、
第１図に示したような簡単な方法で充分である。また、
必要に応じてフレームメモリのデータをプリントアウト
するようにし、あるいはフロッピディスクにデータを保
存することもできる。
フロッピーディスク227のソフトを利用してキーボード2
31等からデータを入力することによりパルスモータ235
で移動ステージ207を移動させ、試料209の適当な位置に
対して光源201からのモノクロメータ203を通した単色光
を照射する。この照射領域は例えばビデオモニタ233に
より選択可能になっている。そして試料209からの透過
光をカメラ213で撮影し、その画像データをフレームメ
モリ215に取り込むことにより透過光強度データを得
る。そしてこの透過光強度データをカラーユニット217
で所定のレベル毎に色分けする等の画像処理を施すこと
によりビデオモニタ219で透過光強度、即ちイオン注入
量に応じた色分け表示をしたものを観察することがで
き、またこれをCRT221、イメージカラーレコーダ223に
より記録することもできる。なお、ここでは白色光源を
モノクロメータ203を通して単色化するようにしたが、
遮光部材205を取り除いて白色光で照射し、カメラ側に
フィルタを設けて透過赤外光を検出するようにしても良
い。また、結晶自体が赤外線透過フィルターとしての働
きをするので、フィルターをかけなくてもよい。即ち、
第１図に示したような簡単な方法で充分である。また、
必要に応じてフレームメモリのデータをプリントアウト
するようにし、あるいはフロッピディスクにデータを保
存することもできる。
以上のような本発明によれば、赤外光を照射し、その
透過光を測定することによりイオン注入量を測定するこ
とが可能であるので、従来の電流積分型検出器のように
高エネルギーイオン等の荷電粒子による影響やその放電
の影響に関係なく測定することができ、またイオン注入
装置の動作中においてその場観察でイオン注入層を測定
すると共に、適当な基準を設定して良、不良の判別を行
う等イオン注入層の評価を行うことができ、また注入量
の正確なコントロール等にも応用することができる。
透過光を測定することによりイオン注入量を測定するこ
とが可能であるので、従来の電流積分型検出器のように
高エネルギーイオン等の荷電粒子による影響やその放電
の影響に関係なく測定することができ、またイオン注入
装置の動作中においてその場観察でイオン注入層を測定
すると共に、適当な基準を設定して良、不良の判別を行
う等イオン注入層の評価を行うことができ、また注入量
の正確なコントロール等にも応用することができる。
第１図は本発明のイオン注入量測定方法を説明するため
の図、第２図はイオン注入領域と非注入領域との差を明
確にするためのマスクを示す図、第３図は被測定ウェハ
ーの断面図、第４図は加速電圧とドーズをパラメータと
した時のT/T0と1/λ４との関係を示す図、第５図はイオ
ンドーズ３×1012/cm2におけるT/T0と1/λ４との関係を
示す図、第６図はドーズと１−T/T0との関係を示す図、
第７図は光散乱断面積とドーズとの関係を示す図、第８
図は第４〜６図を測定した際用いた装置を示す図であ
る。 101……サンプル、101a……イオン注入領域、101b……
非イオン注入領域、103……光源、105……集光レンズ、
107……プリズム、109a,109b,111……反射ミラー、113
……集光レンズ、115……検出器。
の図、第２図はイオン注入領域と非注入領域との差を明
確にするためのマスクを示す図、第３図は被測定ウェハ
ーの断面図、第４図は加速電圧とドーズをパラメータと
した時のT/T0と1/λ４との関係を示す図、第５図はイオ
ンドーズ３×1012/cm2におけるT/T0と1/λ４との関係を
示す図、第６図はドーズと１−T/T0との関係を示す図、
第７図は光散乱断面積とドーズとの関係を示す図、第８
図は第４〜６図を測定した際用いた装置を示す図であ
る。 101……サンプル、101a……イオン注入領域、101b……
非イオン注入領域、103……光源、105……集光レンズ、
107……プリズム、109a,109b,111……反射ミラー、113
……集光レンズ、115……検出器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/66
Claims (2)
- 【請求項１】被測定半導体を透過した赤外光の透過率か
ら被測定半導体中のイオン注入量を測定する方法であっ
て、該被測定半導体はイオン注入により形成されたイオ
ントラツクを内包し、かつ該赤外光は被測定半導体のバ
ンドギャップエネルギーよりも小さいエネルギーの波長
域であることを特徴とする赤外光散乱を用いたイオン注
入量測定方法。 - 【請求項２】透過率はイオン注入領域と非イオン注入領
域との透過光の比により求める請求項１記載の赤外光散
乱を用いたイオン注入量測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63183939A JP2825499B2 (ja) | 1988-07-23 | 1988-07-23 | 赤外光散乱を用いたイオン注入量測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63183939A JP2825499B2 (ja) | 1988-07-23 | 1988-07-23 | 赤外光散乱を用いたイオン注入量測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0233947A JPH0233947A (ja) | 1990-02-05 |
| JP2825499B2 true JP2825499B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=16144448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63183939A Expired - Fee Related JP2825499B2 (ja) | 1988-07-23 | 1988-07-23 | 赤外光散乱を用いたイオン注入量測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2825499B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2937557B2 (ja) * | 1991-07-12 | 1999-08-23 | 株式会社東芝 | 拡散層深さ測定装置 |
| JP2006120901A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Sumco Corp | シリコン半導体基板の水素イオン注入量測定方法及び標準試料用基板 |
| US7713757B2 (en) * | 2008-03-14 | 2010-05-11 | Applied Materials, Inc. | Method for measuring dopant concentration during plasma ion implantation |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5950217B2 (ja) * | 1978-05-26 | 1984-12-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体の不純物ド−ピング量評価法 |
| JPH0648380B2 (ja) * | 1985-06-13 | 1994-06-22 | 株式会社東芝 | マスク検査方法 |
| JPS63124940A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ピンホ−ル検出方式 |
| JPS63140543A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Toshiba Corp | 半導体基板の欠陥検査装置 |
| JPS63139237A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-11 | Toshiba Corp | 半導体基板の欠陥検査装置 |
-
1988
- 1988-07-23 JP JP63183939A patent/JP2825499B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0233947A (ja) | 1990-02-05 |
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