JPH0232709B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0232709B2 JPH0232709B2 JP57078275A JP7827582A JPH0232709B2 JP H0232709 B2 JPH0232709 B2 JP H0232709B2 JP 57078275 A JP57078275 A JP 57078275A JP 7827582 A JP7827582 A JP 7827582A JP H0232709 B2 JPH0232709 B2 JP H0232709B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- transistors
- transistor
- current
- drive circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/085—Generating magnetic fields therefor, e.g. uniform magnetic field for magnetic domain stabilisation
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブル記憶素子の回転磁界発生用
コイル駆動回路に係り、特に低消費電力駆動回路
に好適なスイツチング素子にMOSトランジスタ
を使用したコイル駆動回路に関する。
コイル駆動回路に係り、特に低消費電力駆動回路
に好適なスイツチング素子にMOSトランジスタ
を使用したコイル駆動回路に関する。
従来のコイル駆動回路では、スイツチング素子
にバイポーラトランジスタやダイオードを使用
し、回転磁界発生用コイルに一定期間、正負の直
流電圧を加えたり、短絡を行なつて、コイルに台
形波電流又は三角波電流を流していた。
にバイポーラトランジスタやダイオードを使用
し、回転磁界発生用コイルに一定期間、正負の直
流電圧を加えたり、短絡を行なつて、コイルに台
形波電流又は三角波電流を流していた。
しかし、バイポーラトランジスタでは飽和電圧
による損失や、ベース中のキヤリアの蓄積効果に
よるカツトオフ損失が大きいため、低回路損失の
駆動回路を実現することは困難であつた。
による損失や、ベース中のキヤリアの蓄積効果に
よるカツトオフ損失が大きいため、低回路損失の
駆動回路を実現することは困難であつた。
この欠点を解消するため、スイツチング素子に
MOSトランジスタを使用した駆動回路が案出さ
れていたが、MOSトランジスタでは寄生の出力
容量が大きいため、コイル電流を停止する時点で
コイル電流が減衰振動を起し、磁気バブルを正常
な位置で安定に停止させることが出来ない欠点が
あつた。
MOSトランジスタを使用した駆動回路が案出さ
れていたが、MOSトランジスタでは寄生の出力
容量が大きいため、コイル電流を停止する時点で
コイル電流が減衰振動を起し、磁気バブルを正常
な位置で安定に停止させることが出来ない欠点が
あつた。
本発明の目的は低回路損失を実現し、さらに磁
気バブルを安定に正常な位置で停止させうる回転
磁界発生用コイル駆動回路の駆動方法を提供する
ものである。そして、本発明はMOSトランジス
タをスイツチング素子に使用した駆動回路におい
て、コイル電流停止時に生ずる減衰振動の発生メ
カニズムを明らかにし、その原因を取除いたもの
である。
気バブルを安定に正常な位置で停止させうる回転
磁界発生用コイル駆動回路の駆動方法を提供する
ものである。そして、本発明はMOSトランジス
タをスイツチング素子に使用した駆動回路におい
て、コイル電流停止時に生ずる減衰振動の発生メ
カニズムを明らかにし、その原因を取除いたもの
である。
以下、本発明の一実施例を第１，第２図及び第
３図を用いて説明する。第１図はスイツチング素
子にMOSトランジスタを用いたコイル駆動回路
の回路図である。回転磁界発生用コイル１は
MOSトランジスタQ1，Q2（Ｐチヤンネル）およ
びQ2，Q4（Ｎチヤンネル）のドレインに接続さ
れ、MOSトランジスタQ1，Q3のソースには直流
電源６が接続され、MOSトランジスタQ2，Q4の
ソース側はアースに接地されている。点線で示し
たC1，C2，C3，C4のコンデンサはそれぞれMOS
トランジスタQ1，Q2，Q3，Q4の寄生出力容量で
ある。
３図を用いて説明する。第１図はスイツチング素
子にMOSトランジスタを用いたコイル駆動回路
の回路図である。回転磁界発生用コイル１は
MOSトランジスタQ1，Q2（Ｐチヤンネル）およ
びQ2，Q4（Ｎチヤンネル）のドレインに接続さ
れ、MOSトランジスタQ1，Q3のソースには直流
電源６が接続され、MOSトランジスタQ2，Q4の
ソース側はアースに接地されている。点線で示し
たC1，C2，C3，C4のコンデンサはそれぞれMOS
トランジスタQ1，Q2，Q3，Q4の寄生出力容量で
ある。
第２図は定常時から停止時に至るコイル電流の
波形ａとQ1，Q2の入力信号ｂ及びQ3，Q4の入力
信号ｃである。
波形ａとQ1，Q2の入力信号ｂ及びQ3，Q4の入力
信号ｃである。
第１図と第２図を用いて減衰振動が生ずる理由
を説明する。期間T1においてはQ1とQ2の入力に
信号が入り、Q1とQ2は導通する。この期間、コ
イル１には直流電源６が正極性（Q1，Q4のドレ
インに接続されている側のコイル端子電圧がもう
一方の端子電圧よりも大きい場合を正極性とす
る。）に加わりコイル電流は増大する。T2では
Q1，Q2は非導通となり、Q3，Q4がコイルの自己
誘起電圧により逆方向に導通し（ドレイン−サブ
ストレイト間のダイオード特性による）、コイル
電流は電源６に押しもどされて減少を始める。
T3，T4においても極性は異なるが同様の動作が
行なわれる。T4においては、Q1，Q2が逆方向に
導通しQ3，Q4は入力信号がないため、非導通状
態になつている。この時、C1，C2はほぼOVに放
電しており、C3，C4は電源電圧まで充電されて
いる。コイル電流が負のピークから減少して０に
なつた瞬間にQ1，Q2は非導通になり、Q3，Q4は
元々非導通であるため、すべてのトランジスタは
非導通となる。この時点の等価回路を第３図に示
す。T4以後は第３図の等価回路における過渡現
象となり、C3，C4に充電された電荷はそれぞれ
コイル１を経由してC1，C2を充電し始めるため、
コイル１に振動電流が流れる。コイル１には抵抗
成分も含まれるため、この振動は第２図ａに示し
たような減衰振動となる、該振動電流は磁気バブ
ルを正常な位置で停止させることに擾乱を与え、
磁気バブル記憶装置の読出しや、書きこみエラー
の原因となり、該装置の信頼性を低下させる不都
合があつた。
を説明する。期間T1においてはQ1とQ2の入力に
信号が入り、Q1とQ2は導通する。この期間、コ
イル１には直流電源６が正極性（Q1，Q4のドレ
インに接続されている側のコイル端子電圧がもう
一方の端子電圧よりも大きい場合を正極性とす
る。）に加わりコイル電流は増大する。T2では
Q1，Q2は非導通となり、Q3，Q4がコイルの自己
誘起電圧により逆方向に導通し（ドレイン−サブ
ストレイト間のダイオード特性による）、コイル
電流は電源６に押しもどされて減少を始める。
T3，T4においても極性は異なるが同様の動作が
行なわれる。T4においては、Q1，Q2が逆方向に
導通しQ3，Q4は入力信号がないため、非導通状
態になつている。この時、C1，C2はほぼOVに放
電しており、C3，C4は電源電圧まで充電されて
いる。コイル電流が負のピークから減少して０に
なつた瞬間にQ1，Q2は非導通になり、Q3，Q4は
元々非導通であるため、すべてのトランジスタは
非導通となる。この時点の等価回路を第３図に示
す。T4以後は第３図の等価回路における過渡現
象となり、C3，C4に充電された電荷はそれぞれ
コイル１を経由してC1，C2を充電し始めるため、
コイル１に振動電流が流れる。コイル１には抵抗
成分も含まれるため、この振動は第２図ａに示し
たような減衰振動となる、該振動電流は磁気バブ
ルを正常な位置で停止させることに擾乱を与え、
磁気バブル記憶装置の読出しや、書きこみエラー
の原因となり、該装置の信頼性を低下させる不都
合があつた。
本発明はこの点に鑑み、低消費駆動回路を実現
しうるMOSトランジスタ駆動回路においても、
磁気バブル記憶装置の読出しや書きこみエラーの
原因となるコイル電流停止時の減衰振動を防止す
る回転磁界発生用コイルの駆動方法を提供する。
しうるMOSトランジスタ駆動回路においても、
磁気バブル記憶装置の読出しや書きこみエラーの
原因となるコイル電流停止時の減衰振動を防止す
る回転磁界発生用コイルの駆動方法を提供する。
本発明によるコイル駆動方法を以下詳細に説明
する。期間T4においては前述した如く、Q1，Q2
が逆方向に導通し、Q3，Q4は非導通であるため、
C1，C2は0Vに放電し、C3，C4は電源電圧まで充
電されている。該期間のコイル電流が0Aになる
直前に、第４図に示す如く再度、Q4を導通状態
にすることにより、コイル電流はQ4を通り、Q2
を逆方向に導通させて流れるため、電流は指数関
数状の減衰電流となる。なお、ａはコイル電流、
ｂはQ1，Q2の入力信号、ｃはQ3の入力信号、ｄ
はQ4の入力信号の各波形である。期間T5ではQ1，
Q3は非導通であり、Q2，Q4は導通しているため、
C1，C3は電源電圧に充電され、C2，C4は0Vに放
電している。T5の期間中、コイル電流はOAとな
り、Q4は非導通となるが、この時点ではコイル
１を含むC1，C3のループとC2，C4のループは定
常状態となつているため、過渡現象は起らない。
期間T5の終了時点でQ4が非導通状態となるが、
この時点でも前の状態と同様に定常状態であるた
めに過渡電流は流れない。従つて、本発明による
コイル駆動方法によれば寄生出力容量の大きな
MOSトランジスタをスイツチング素子に用いて
も磁気バブル記憶装置の読出しや書きこみエラー
の原因となるコイル電流停止時の減衰振動を防止
でき、MOSトランジスタをスイツチング素子に
用いた駆動回路特有の低損失駆動回路を実現しう
る。
する。期間T4においては前述した如く、Q1，Q2
が逆方向に導通し、Q3，Q4は非導通であるため、
C1，C2は0Vに放電し、C3，C4は電源電圧まで充
電されている。該期間のコイル電流が0Aになる
直前に、第４図に示す如く再度、Q4を導通状態
にすることにより、コイル電流はQ4を通り、Q2
を逆方向に導通させて流れるため、電流は指数関
数状の減衰電流となる。なお、ａはコイル電流、
ｂはQ1，Q2の入力信号、ｃはQ3の入力信号、ｄ
はQ4の入力信号の各波形である。期間T5ではQ1，
Q3は非導通であり、Q2，Q4は導通しているため、
C1，C3は電源電圧に充電され、C2，C4は0Vに放
電している。T5の期間中、コイル電流はOAとな
り、Q4は非導通となるが、この時点ではコイル
１を含むC1，C3のループとC2，C4のループは定
常状態となつているため、過渡現象は起らない。
期間T5の終了時点でQ4が非導通状態となるが、
この時点でも前の状態と同様に定常状態であるた
めに過渡電流は流れない。従つて、本発明による
コイル駆動方法によれば寄生出力容量の大きな
MOSトランジスタをスイツチング素子に用いて
も磁気バブル記憶装置の読出しや書きこみエラー
の原因となるコイル電流停止時の減衰振動を防止
でき、MOSトランジスタをスイツチング素子に
用いた駆動回路特有の低損失駆動回路を実現しう
る。
又、本実施例では三角波電流の場合について説
明したが、台形波状電流を流す場合についても同
様の効果が得られることは明らかである。
明したが、台形波状電流を流す場合についても同
様の効果が得られることは明らかである。
このように、本発明によれば寄生出力容量の大
きなMOSトランジスタを回転磁界発生用コイル
の駆動回路に用いても、磁気バブル記憶装置の読
出しや書きこみエラーの原因となるコイル電流停
止時の減衰振動を起こすことなく、MOSトラン
ジスタを用いた駆動回路特有の低損失駆動回路を
実現しうる効果がある。
きなMOSトランジスタを回転磁界発生用コイル
の駆動回路に用いても、磁気バブル記憶装置の読
出しや書きこみエラーの原因となるコイル電流停
止時の減衰振動を起こすことなく、MOSトラン
ジスタを用いた駆動回路特有の低損失駆動回路を
実現しうる効果がある。
第１図はMOSトランジスタをスイツチング素
子に用いた回転磁界発生用コイル駆動回路の回路
図、第２図は該コイルに流れる電流とQ1，Q2お
よびQ3，Q4の入力信号のタイミング図、第３図
はコイル電流停止時の振動開始直前の駆動回路の
等価回路、第４図は本発明によるコイル電流の振
動を防止することのできるコイル駆動方法を実現
する入力信号のタイミング図である。 １……回転磁界発生用コイル、２……Ｐチヤン
ネルMOSトランジスタQ1、３……Ｎチヤンネル
MOSトランジスタQ2、４……ＰチヤンネルMOS
トランジスタQ3、５……ＮチヤンネルMOSトラ
ンジスタQ4、６……直流電源、７，８，９，１
０……Q1，Q2，Q3，Q4の寄生出力容量。
子に用いた回転磁界発生用コイル駆動回路の回路
図、第２図は該コイルに流れる電流とQ1，Q2お
よびQ3，Q4の入力信号のタイミング図、第３図
はコイル電流停止時の振動開始直前の駆動回路の
等価回路、第４図は本発明によるコイル電流の振
動を防止することのできるコイル駆動方法を実現
する入力信号のタイミング図である。 １……回転磁界発生用コイル、２……Ｐチヤン
ネルMOSトランジスタQ1、３……Ｎチヤンネル
MOSトランジスタQ2、４……ＰチヤンネルMOS
トランジスタQ3、５……ＮチヤンネルMOSトラ
ンジスタQ4、６……直流電源、７，８，９，１
０……Q1，Q2，Q3，Q4の寄生出力容量。
Claims (1)
- １ ４個のMOSトランジスタをスイツチング素
子に用い、第１，第２のＰチヤンネルトランジス
タのドレインと第３，第４のＮチヤンネルトラン
ジスタのドレインに回転磁界発生用コイルを接続
し、該第１，第２のトランジスタのソースを直流
電源に接続し上記第１及び第２のトランジスタの
各ドレインと上記直流電源との間には各トランジ
スタ自体が持つダイオードが存在し、第３，第４
のトランジスタのソースを接地し、上記第３及び
第４のトランジスタの各ドレインと上記接地点と
の間には各トランジスタ自体が持つダイオードが
存在し該コイルに三角波又は台形波状の電流を供
給する駆動回路において、該コイル電流停止時の
コイル電流が０になる直前に、該コイルの自己誘
起電圧により逆極性に導通している２個のトラン
ジスタ以外の２個のトランジスタのどちらか一方
を導通状態にさせることにより、該MOSトラン
ジスタの寄生出力容量と該コイルのインダクタン
スによつて生ずる過渡振動電流を抑止したことを
特徴とする回転磁界発生用コイルの駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57078275A JPS58196684A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 回転磁界発生用コイルの駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57078275A JPS58196684A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 回転磁界発生用コイルの駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58196684A JPS58196684A (ja) | 1983-11-16 |
| JPH0232709B2 true JPH0232709B2 (ja) | 1990-07-23 |
Family
ID=13657421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57078275A Granted JPS58196684A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 回転磁界発生用コイルの駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58196684A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503542A (ja) * | 1973-04-12 | 1975-01-14 | ||
| JPS50139634A (ja) * | 1974-04-11 | 1975-11-08 | ||
| JPS5227224A (en) * | 1975-08-25 | 1977-03-01 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble drive circuit |
-
1982
- 1982-05-12 JP JP57078275A patent/JPS58196684A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503542A (ja) * | 1973-04-12 | 1975-01-14 | ||
| JPS50139634A (ja) * | 1974-04-11 | 1975-11-08 | ||
| JPS5227224A (en) * | 1975-08-25 | 1977-03-01 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble drive circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58196684A (ja) | 1983-11-16 |
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