JPH03131916A - 定電圧回路 - Google Patents
定電圧回路Info
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- JPH03131916A JPH03131916A JP27076189A JP27076189A JPH03131916A JP H03131916 A JPH03131916 A JP H03131916A JP 27076189 A JP27076189 A JP 27076189A JP 27076189 A JP27076189 A JP 27076189A JP H03131916 A JPH03131916 A JP H03131916A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野〕
本発明は、各種電子機器等に用いられる定電圧回路に関
する。
する。
[従来の技術]
従来の定電圧回路は、電源投入時において直接電源電圧
を印加し、動作安定後、最適な電圧に切り替えるもので
あった。すなわちこれは、第2図に示すように、選択ゲ
ート6を操作することにより、pチャンネルMO8型ト
ランジスタ(以下p−MOSという)9をオン・オフさ
せることによって、負荷5にかける電圧を切り替えるも
のであった。
を印加し、動作安定後、最適な電圧に切り替えるもので
あった。すなわちこれは、第2図に示すように、選択ゲ
ート6を操作することにより、pチャンネルMO8型ト
ランジスタ(以下p−MOSという)9をオン・オフさ
せることによって、負荷5にかける電圧を切り替えるも
のであった。
〔発明が解決しようとするi;III![1しかし前述
の従来技術では、低電圧動作仕様の回路、例えば時計用
の水晶発信器などの場合は、回路構成上の制約により直
接を源電圧を印加させても起動しないという問題点があ
る。
の従来技術では、低電圧動作仕様の回路、例えば時計用
の水晶発信器などの場合は、回路構成上の制約により直
接を源電圧を印加させても起動しないという問題点があ
る。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、電源電圧源の電圧を変えずに電
源投入時の負荷にかける電圧を適度な値にし、もって負
荷回路を安定に起動させるところにある。
の目的とするところは、電源電圧源の電圧を変えずに電
源投入時の負荷にかける電圧を適度な値にし、もって負
荷回路を安定に起動させるところにある。
[課題を解決するための手段〕
本発明の定電圧回路は、回路の駆動力となる電源電圧源
、基準電位を作る基準電圧源、一定電流を流す定電流源
、前記基準電圧源と前記定電流源が入力端子に接続して
いる演算増幅器、前記演算増幅器の出力に応じてスイッ
チング動作を行ない前記電源電圧源に接続する第1導電
素子、抵抗の役割をし、前記第1導電素子に直列接続す
る第2導電素子、抵抗の役割をし、前記第2導電素子及
び前記定電流源に接続する第3導電素子、前記第3導電
素子に並列接続し、選択ゲートを有する第4導電素子よ
りからなることを特徴とする。
、基準電位を作る基準電圧源、一定電流を流す定電流源
、前記基準電圧源と前記定電流源が入力端子に接続して
いる演算増幅器、前記演算増幅器の出力に応じてスイッ
チング動作を行ない前記電源電圧源に接続する第1導電
素子、抵抗の役割をし、前記第1導電素子に直列接続す
る第2導電素子、抵抗の役割をし、前記第2導電素子及
び前記定電流源に接続する第3導電素子、前記第3導電
素子に並列接続し、選択ゲートを有する第4導電素子よ
りからなることを特徴とする。
[作用]
本発明の上記の構成によれば、抵抗の役割をしている第
3導電素子は第4導電素子と並列に接続されているので
、選択ゲートを操作することによって第3導電素子に現
われる電圧の有無を制御することができる。一方、演算
増幅器と第1導電素子は、演算増幅器の入力端子を同電
位にする働きがある。また定電流源の存在により、抵抗
の役割をしている第2導電素子に現われる電圧は常に一
定である。
3導電素子は第4導電素子と並列に接続されているので
、選択ゲートを操作することによって第3導電素子に現
われる電圧の有無を制御することができる。一方、演算
増幅器と第1導電素子は、演算増幅器の入力端子を同電
位にする働きがある。また定電流源の存在により、抵抗
の役割をしている第2導電素子に現われる電圧は常に一
定である。
以上のことより本発明によれば、選択ゲートを操作する
ことによって、負荷にかける電圧を切り替えることがで
きる。
ことによって、負荷にかける電圧を切り替えることがで
きる。
[実施例]
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第1
図は、本発明の実施例における回路図である。1は、2
つの入力端子の電位を比較出力する演算増幅器である。
図は、本発明の実施例における回路図である。1は、2
つの入力端子の電位を比較出力する演算増幅器である。
2は回路の駆動力となる電源電圧源である。3は基準電
位をつくる基準電圧源である。4は一定電流を流す定電
流源である。
位をつくる基準電圧源である。4は一定電流を流す定電
流源である。
5は負荷である。6は選択ゲートである。7は第1導電
素子であるp−MOSである。8は第2導電素子である
p−MOSである。9は第4導電素子であるp−MOS
である。10は第3導電素子であるp−MOSである。
素子であるp−MOSである。8は第2導電素子である
p−MOSである。9は第4導電素子であるp−MOS
である。10は第3導電素子であるp−MOSである。
演算増幅器1は基準電圧源3の電位■2゜、とp−MO
S 10のドレインの電位V、を比較出力するものであ
る。
S 10のドレインの電位V、を比較出力するものであ
る。
V r * r > V lのとき、演算増幅!11の
出力電位v2は負となり、p−MOS7はオン状態とな
る。
出力電位v2は負となり、p−MOS7はオン状態とな
る。
その結果、回路は電!!電圧源2と導通状態となり、電
荷が供給されるため、電位V、は上がることになる。
荷が供給されるため、電位V、は上がることになる。
■r、、くvlのとき、演算増幅器1の出力電位v2は
正となり、p−MOS7はオフ状態となる。
正となり、p−MOS7はオフ状態となる。
その結果、回路は電1tJEi2と絶縁状態となり、電
荷が負荷5へ移動するため、電位v1は下がることにな
る。
荷が負荷5へ移動するため、電位v1は下がることにな
る。
結局、演算増幅器1は’/ r e fとV、を同電位
にする働きがある。
にする働きがある。
次に選択ゲート6の働きについて説明する。選択ゲート
6の電位がハイレベルの場合、p−MOS9はオフ状態
となり、l)−MOS8とp−MOS10は直列に接続
されることになる。この時負荷にかかる電圧V、。。は
、p−MOS 10のドレインの電位V、と1)−MO
S8のソース・ドレイン間の電圧vt3、及びp−MO
S 10の’/−スートレイン間の電圧v、2の和であ
る。すなわち式7式% 選択ゲート6の電位がローレベルの場合、p−M OS
9 ハオン状態となり、’P−MO610はソース・
ドレイン間が短絡され、り−MO58のみの接続となる
。このとき負荷5にかかる電圧V1.。
6の電位がハイレベルの場合、p−MOS9はオフ状態
となり、l)−MOS8とp−MOS10は直列に接続
されることになる。この時負荷にかかる電圧V、。。は
、p−MOS 10のドレインの電位V、と1)−MO
S8のソース・ドレイン間の電圧vt3、及びp−MO
S 10の’/−スートレイン間の電圧v、2の和であ
る。すなわち式7式% 選択ゲート6の電位がローレベルの場合、p−M OS
9 ハオン状態となり、’P−MO610はソース・
ドレイン間が短絡され、り−MO58のみの接続となる
。このとき負荷5にかかる電圧V1.。
、は、p−MO8IOのドレインの電位v1 とp−M
OS8のソース・ドレイン間の電圧v1.の和である。
OS8のソース・ドレイン間の電圧v1.の和である。
すなわち式
%式%
ところで、p−MOS8のソース・ドレイン間に流れる
電流は定電流′s4の存在により常に一定なので、選択
ゲート6の電位の高低にががわらずp−MOS8のソー
ス・ドレイン間の電圧v7.は一定である。 以上のこ
とより選択ゲート6の電位がハイレベルのとき、 v rag” v r書1+Vtl+Vt2選択ゲート
6の電位がローレベルのとき、V 0.4− = V
r@ H+ V tIとなる。
電流は定電流′s4の存在により常に一定なので、選択
ゲート6の電位の高低にががわらずp−MOS8のソー
ス・ドレイン間の電圧v7.は一定である。 以上のこ
とより選択ゲート6の電位がハイレベルのとき、 v rag” v r書1+Vtl+Vt2選択ゲート
6の電位がローレベルのとき、V 0.4− = V
r@ H+ V tIとなる。
従って、電源投入時は選択ゲート6の電位をハイレベル
に、動作安定後はローレベルにすればよい。
に、動作安定後はローレベルにすればよい。
第2図は従来の定電圧回路図である。図中の番号の説明
は、第1図に準する。
は、第1図に準する。
なお第1図の回路中ではp−MOSを使用しているが、
n−MOSを使っても回路が構成できる。
n−MOSを使っても回路が構成できる。
以上本発明の実施例を、MOS型トランジスタを使って
説明してきたが、これに限らず接合型トランジスタ等地
の導電素子を使っても回路が構成できる。
説明してきたが、これに限らず接合型トランジスタ等地
の導電素子を使っても回路が構成できる。
[発明の効果]
本発明は、以上説明したように、第1図のp−MOS
10の諸特性値を変えることによって、電源投入時、す
なわち選択ゲート6の電位をハイレベルにしたときの負
荷5にかける電圧を適度な値にすることができ、負荷回
路を安定に起動できるという効果を有する。
10の諸特性値を変えることによって、電源投入時、す
なわち選択ゲート6の電位をハイレベルにしたときの負
荷5にかける電圧を適度な値にすることができ、負荷回
路を安定に起動できるという効果を有する。
第1図は本発明の定電圧回路図。
第2図は従来の定電圧回路図。
1 ・ ・ ・
2 ・ ・ ・
3 ・ ・ ・
4 ・ n
5 ・ ・ ・
6 ・ ・ ・
7、8、
演算増幅器
電源電圧源
基準電圧源
定電流源
負荷
選択ゲート
9.10・・・pチャンネルM。
S型トランジスタ
以上
Claims (1)
- 回路の駆動力となる電源電圧源、基準電位を作る基準電
圧源、一定電流を流す定電流源、前記基準電圧源と前記
定電流源が入力端子に接続している演算増幅器、前記演
算増幅器の出力に応じてスイッチング動作を行ない、前
記電源電圧源に接続する第1導電素子、抵抗の役割をし
、前記第1導電素子に直列接続する第2導電素子、抵抗
の役割をし、前記第2導電素子及び前記定電流源に接続
する第3導電素子、前記第3導電素子に並列接続し、選
択ゲートを有する第4導電素子よりからなることを特徴
とする定電圧回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27076189A JPH03131916A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 定電圧回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27076189A JPH03131916A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 定電圧回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03131916A true JPH03131916A (ja) | 1991-06-05 |
Family
ID=17490624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27076189A Pending JPH03131916A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 定電圧回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03131916A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0554673A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Nec Corp | 基準電位発生回路 |
WO2010144557A1 (en) | 2009-06-10 | 2010-12-16 | Microchip Technology Incorporated | Data retention secondary voltage regulator |
FR2965130A1 (fr) * | 2010-09-17 | 2012-03-23 | Thales Sa | Generateur de courant, notamment de l'ordre des nano-amperes et regulateur de tension utilisant un tel generateur |
CN115102395A (zh) * | 2022-08-22 | 2022-09-23 | 华海通信技术有限公司 | 一种功率调整电路、调整电压的方法及海底观测网系统 |
-
1989
- 1989-10-18 JP JP27076189A patent/JPH03131916A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0554673A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Nec Corp | 基準電位発生回路 |
WO2010144557A1 (en) | 2009-06-10 | 2010-12-16 | Microchip Technology Incorporated | Data retention secondary voltage regulator |
US8362757B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-01-29 | Microchip Technology Incorporated | Data retention secondary voltage regulator |
US8536853B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-09-17 | Microchip Technology Incorporated | Data retention secondary voltage regulator |
FR2965130A1 (fr) * | 2010-09-17 | 2012-03-23 | Thales Sa | Generateur de courant, notamment de l'ordre des nano-amperes et regulateur de tension utilisant un tel generateur |
EP2434364A1 (fr) * | 2010-09-17 | 2012-03-28 | Thales | Générateur de courant, notamment de l'ordre des nano-ampères et régulateur de tension utilisant un tel générateur |
US9058045B2 (en) | 2010-09-17 | 2015-06-16 | Thales | Current generator, notably for current of the order of nano-amperes, and voltage regulator using such a generator |
CN115102395A (zh) * | 2022-08-22 | 2022-09-23 | 华海通信技术有限公司 | 一种功率调整电路、调整电压的方法及海底观测网系统 |
CN115102395B (zh) * | 2022-08-22 | 2022-11-08 | 华海通信技术有限公司 | 一种功率调整电路、调整电压的方法及海底观测网系统 |
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