JPH02311446A - 光学活性アミン類の製造方法 - Google Patents
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は光学活性アミン類の製造方法に関し、詳しくは
一般式(IV) (式中、R,、R,はアルキル基、アリール基またはア
ラルキル基を表し、同一であることはない、*は不斉炭
素を表す、) で示される光学活性アミン類の製造方法に関するもので
ある。
一般式(IV) (式中、R,、R,はアルキル基、アリール基またはア
ラルキル基を表し、同一であることはない、*は不斉炭
素を表す、) で示される光学活性アミン類の製造方法に関するもので
ある。
〈従来の技術、発明が解決しようとする課題〉一般式(
TV)で示される光学活性アミン類は医薬、農薬あるい
はその中間体などの光学分割剤等として重要な化合物で
あり、従来よりラセミ体を。
TV)で示される光学活性アミン類は医薬、農薬あるい
はその中間体などの光学分割剤等として重要な化合物で
あり、従来よりラセミ体を。
一旦製造し、次いでこれを光学活性な酸等を用いて光学
分割することにより製造されることも良く知られている
゛(例えば0ptical Re5olution P
roce−dures for Chemical C
ompounds Vol、1) *光学分割により光
学活性アミン類を製造するという従来法は、一旦ラセミ
体を製造し、次いでこれに光学活性なMHを作用させて
塩を形成せしめ、生成したジアステレオマー塩の溶解度
差を利用して一方のジアステレオマー塩を晶析させ、次
いで咳塩を分離し、しかる後にアルカリを作用させて酸
塩を分解することによって一方の対掌体である光学活性
アミン類を分離回収するという方法であり、操作が煩雑
で効率が悪いという問題があった。
分割することにより製造されることも良く知られている
゛(例えば0ptical Re5olution P
roce−dures for Chemical C
ompounds Vol、1) *光学分割により光
学活性アミン類を製造するという従来法は、一旦ラセミ
体を製造し、次いでこれに光学活性なMHを作用させて
塩を形成せしめ、生成したジアステレオマー塩の溶解度
差を利用して一方のジアステレオマー塩を晶析させ、次
いで咳塩を分離し、しかる後にアルカリを作用させて酸
塩を分解することによって一方の対掌体である光学活性
アミン類を分離回収するという方法であり、操作が煩雑
で効率が悪いという問題があった。
本発明者等は、かかる問題点を解決すべく不斉合成によ
る方法について鋭意検討を重ねた結果、光学活性アミン
誘導体と水素化ホウ素化合物から得られる不斉還元剤を
、オキシム誘導体に反応せしめて一挙に光学活性アミン
類を製造する方法を見出すとともに、オキシム誘導体の
アンチ体とシン体を使い分けることにより任意の絶対立
体配置を有する光学活性アミン類を製・遺し得ることを
見出し、既に提案している(特開昭63−99041号
公報、Tetrahedron Lett、、2922
3(I98B)) 。
る方法について鋭意検討を重ねた結果、光学活性アミン
誘導体と水素化ホウ素化合物から得られる不斉還元剤を
、オキシム誘導体に反応せしめて一挙に光学活性アミン
類を製造する方法を見出すとともに、オキシム誘導体の
アンチ体とシン体を使い分けることにより任意の絶対立
体配置を有する光学活性アミン類を製・遺し得ることを
見出し、既に提案している(特開昭63−99041号
公報、Tetrahedron Lett、、2922
3(I98B)) 。
その後、本発明者等は水素化ホウ素化合物として、より
取り扱いが容易でしかも安価な水素化ホウ素金属を用い
る方法について更に検討を続けた結果、これを特定のル
イス酸と組み合わせて使用すれば、目的物の収率の向上
、水素化ホウ素金属の使用量の削減等を計り得ることを
見出すとともに、さらに種々の検討を加えて本発明を完
成した。
取り扱いが容易でしかも安価な水素化ホウ素金属を用い
る方法について更に検討を続けた結果、これを特定のル
イス酸と組み合わせて使用すれば、目的物の収率の向上
、水素化ホウ素金属の使用量の削減等を計り得ることを
見出すとともに、さらに種々の検討を加えて本発明を完
成した。
く課題を解決するための手段〉
すなわち本発明は、一般式(I)
(式中、R,、R,は水素原子、アルキル基またはアル
コキシ基を、R1は水素原子またはアルキル基を、R4
はアルキル基を表し、水は不斉炭素を表す、) (式中、R,は水素原子、アルキル基またはアルコキシ
基を、R1はアルキル基を表わす、*は不斉炭素を表す
、) で示される光学活性アミン誘導体と水素化ホウ素金属と
ハロゲン化アルミニウム、ハロゲン化チタン、ハロゲン
化スズ、ハロゲン化銅、ハロゲン化コバルトから選ばれ
る少なくとも一種のルイス酸とから得られる不斉還元剤
を、−M式(III)(式中、R1はアルキル基、アラ
ルキル基ままたはアルキル置換シリル基を表す。R*、
R−はアルキル基、アリール基またはアラルキル基を表
し、同一であることはない、) で示されるオキシム誘導体のシン体またはアンチ体の一
方、もしくはそれらのいずれかに冨んだ混合物に反応さ
せることを特徴とする一般式(IV)(式中、R,、R
,、*は前記と同じ意味を表す、)で示される光学活性
アミン類の工業的に優れた製造方法を提供するものであ
る。
コキシ基を、R1は水素原子またはアルキル基を、R4
はアルキル基を表し、水は不斉炭素を表す、) (式中、R,は水素原子、アルキル基またはアルコキシ
基を、R1はアルキル基を表わす、*は不斉炭素を表す
、) で示される光学活性アミン誘導体と水素化ホウ素金属と
ハロゲン化アルミニウム、ハロゲン化チタン、ハロゲン
化スズ、ハロゲン化銅、ハロゲン化コバルトから選ばれ
る少なくとも一種のルイス酸とから得られる不斉還元剤
を、−M式(III)(式中、R1はアルキル基、アラ
ルキル基ままたはアルキル置換シリル基を表す。R*、
R−はアルキル基、アリール基またはアラルキル基を表
し、同一であることはない、) で示されるオキシム誘導体のシン体またはアンチ体の一
方、もしくはそれらのいずれかに冨んだ混合物に反応さ
せることを特徴とする一般式(IV)(式中、R,、R
,、*は前記と同じ意味を表す、)で示される光学活性
アミン類の工業的に優れた製造方法を提供するものであ
る。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明は、光学活性アミン誘導体と水素化ホウ素金属と
特定のルイス酸とから得られる不斉還元剤を用いる点に
大きな特徴を有するものであるが、光学活性アミン誘導
体としては、例えば一般式(I)で示される光学活性ア
ミノアルコール、−a式(II)で示される光学活性ヒ
ドロキシベンジルアミン等が挙げられる。
特定のルイス酸とから得られる不斉還元剤を用いる点に
大きな特徴を有するものであるが、光学活性アミン誘導
体としては、例えば一般式(I)で示される光学活性ア
ミノアルコール、−a式(II)で示される光学活性ヒ
ドロキシベンジルアミン等が挙げられる。
一般式(I)における置換基R1およびR2としては、
例えば水素原子、メチル、エチル、プロピル、ブチル、
ペンチル、ヘキシル等の低級アルキル基、メトキシ、エ
トキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキ
シルオキシ等の低級アルコキシ基などを挙げることがで
きる。その置換位置は特に限定されない。
例えば水素原子、メチル、エチル、プロピル、ブチル、
ペンチル、ヘキシル等の低級アルキル基、メトキシ、エ
トキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキ
シルオキシ等の低級アルコキシ基などを挙げることがで
きる。その置換位置は特に限定されない。
置換基R3としては、例えば水素原子、R−、と同様の
低級アルキル基を例示することができ、R1としてはR
,と同様の低級アルキル基を例示することができる。
低級アルキル基を例示することができ、R1としてはR
,と同様の低級アルキル基を例示することができる。
より具体的な化合物としては、光学活性なノルエフェド
リン、エフェドリン、2−アミノ−1−(2−メチルフ
ェニル)−1−プロパツール、2−アミノ−1−(2−
エチルフェニル)−1−プロパツール、2−アミノ−1
−(2−メトキシフェニル)−1−プロパツール、2−
アミノ−1−(2−エトキシフェニル)−1−プロパツ
ール、2゜アミノ−1−(2,5−ジメチルフェニル)
−1−プロパツール、2−アミノ−1−(2,5−ジエ
チルフェニル)−1−プロパツール、2−アミノ−1−
(2,5−ジメトキシフェニル)−1−プロパツール、
2−アミノ−1−(2,5−ジェトキシフェニル)−1
−プロパツール、2−アミノ−1−(2−メトキシ−5
−メチルフェニルLl−プロパツール、2−アミノ−1
−フェニル−1−ブタノール、2−アミノ−1−(2−
メチルフェニル)−1−ブタノール、2−アミノ−1−
(2−エチルフェニル)−1−ブタノール、2−アミノ
−1−フェニル−1−ペンタノール、2−アミノ−1−
(2,5−ジメトキシフェニル)−1−ペンタノール、
2−アミノ−1−フェニル−1−ヘキサノール、2−ア
ミノ−1−フェニル−!−ヘプクノール、2−アミノ−
1−7エニルー1−オククノール等を例示できる。
リン、エフェドリン、2−アミノ−1−(2−メチルフ
ェニル)−1−プロパツール、2−アミノ−1−(2−
エチルフェニル)−1−プロパツール、2−アミノ−1
−(2−メトキシフェニル)−1−プロパツール、2−
アミノ−1−(2−エトキシフェニル)−1−プロパツ
ール、2゜アミノ−1−(2,5−ジメチルフェニル)
−1−プロパツール、2−アミノ−1−(2,5−ジエ
チルフェニル)−1−プロパツール、2−アミノ−1−
(2,5−ジメトキシフェニル)−1−プロパツール、
2−アミノ−1−(2,5−ジェトキシフェニル)−1
−プロパツール、2−アミノ−1−(2−メトキシ−5
−メチルフェニルLl−プロパツール、2−アミノ−1
−フェニル−1−ブタノール、2−アミノ−1−(2−
メチルフェニル)−1−ブタノール、2−アミノ−1−
(2−エチルフェニル)−1−ブタノール、2−アミノ
−1−フェニル−1−ペンタノール、2−アミノ−1−
(2,5−ジメトキシフェニル)−1−ペンタノール、
2−アミノ−1−フェニル−1−ヘキサノール、2−ア
ミノ−1−フェニル−!−ヘプクノール、2−アミノ−
1−7エニルー1−オククノール等を例示できる。
また一般式(It)で示される光学活性ヒドロキシベン
ジルアミンにおける置換基R1としては例えば、水素原
子、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘ
キシル等の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等
の低級アルコキシ基などを挙げることができる。
R,とじては、例えばR1と同様の低級アルキル基が挙
げられる。
ジルアミンにおける置換基R1としては例えば、水素原
子、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘ
キシル等の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等
の低級アルコキシ基などを挙げることができる。
R,とじては、例えばR1と同様の低級アルキル基が挙
げられる。
具体化合物としては、例えば光学活性な1−(2−ヒド
ロキシフェニル)エチルアミン、1−(2−ヒドロキシ
−3−メチルフェニル)エチルアミン、1−(2−ヒド
ロキシ−3−エチルフェニル)エチルアミン、1−(2
−ヒドロキシ−3−メトキシフェニル)エチルアミン、
1−(2−ヒドロキシ−3−エトキシフェニル)エチル
アミン、1−(2−ヒドロキシ−5−メトキシフェニル
)エチルアミン、1−(2−ヒドロ°キシー5−エトキ
シフェニル)エチルアミン、1−(2−ヒドロキシ−4
−メチルフェニル)エチルアミン、1−(2−ヒドロキ
シ−5−メチルフェニル)エチルアミン、1−(2−ヒ
ドロキシフェニル)プロピルアミン、1−(2−ヒドロ
キシ−3−エチルフェニル)プロピルアミン、1、(2
−ヒドロキシ−3−メトキシフェニル)プロピルアミン
、 1−(2−ヒドロキシ−5−メトキシフェニル)プ
ロピルアミン、1−(2−ヒドロキシ−6−メチルフェ
ニル)エチルアミン、 1−(2−ヒドロキシ−3−エ
チルフェニル)エチルアミン、1−(2−ヒドロキシ−
6−メトキシフェニル)プロピルアミン等が例示できる
。またかかる光学活性ヒドロキシベンジルアミン誘導体
は、例えば対応するケトン化合物のオキシム誘導体を不
斉還元することにより製造することができる(特願昭6
3−252773号および63−249528号)。
ロキシフェニル)エチルアミン、1−(2−ヒドロキシ
−3−メチルフェニル)エチルアミン、1−(2−ヒド
ロキシ−3−エチルフェニル)エチルアミン、1−(2
−ヒドロキシ−3−メトキシフェニル)エチルアミン、
1−(2−ヒドロキシ−3−エトキシフェニル)エチル
アミン、1−(2−ヒドロキシ−5−メトキシフェニル
)エチルアミン、1−(2−ヒドロ°キシー5−エトキ
シフェニル)エチルアミン、1−(2−ヒドロキシ−4
−メチルフェニル)エチルアミン、1−(2−ヒドロキ
シ−5−メチルフェニル)エチルアミン、1−(2−ヒ
ドロキシフェニル)プロピルアミン、1−(2−ヒドロ
キシ−3−エチルフェニル)プロピルアミン、1、(2
−ヒドロキシ−3−メトキシフェニル)プロピルアミン
、 1−(2−ヒドロキシ−5−メトキシフェニル)プ
ロピルアミン、1−(2−ヒドロキシ−6−メチルフェ
ニル)エチルアミン、 1−(2−ヒドロキシ−3−エ
チルフェニル)エチルアミン、1−(2−ヒドロキシ−
6−メトキシフェニル)プロピルアミン等が例示できる
。またかかる光学活性ヒドロキシベンジルアミン誘導体
は、例えば対応するケトン化合物のオキシム誘導体を不
斉還元することにより製造することができる(特願昭6
3−252773号および63−249528号)。
本発明は、上記のような光学活性アミンFAR体と水素
化ホウ素金属と特定のルイス酸から得られる不斉還元剤
を用いるものであるが、水素化ホウ素金属としては例え
ば、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、
水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素亜鉛等が挙げられ
る0通常は水素化ホウ素ナトリウムが用いられる。 水
素化ホウ素金属の使用量は光学活性アミン誘導体に対し
て、ボラン換算で通常0.3〜10モル倍程度、好まし
くは約0.5〜8モル倍である。
化ホウ素金属と特定のルイス酸から得られる不斉還元剤
を用いるものであるが、水素化ホウ素金属としては例え
ば、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、
水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素亜鉛等が挙げられ
る0通常は水素化ホウ素ナトリウムが用いられる。 水
素化ホウ素金属の使用量は光学活性アミン誘導体に対し
て、ボラン換算で通常0.3〜10モル倍程度、好まし
くは約0.5〜8モル倍である。
ルイス酸としては、ハロゲン化アルミニウム、ハロゲン
化チタン、ハロゲン化スズ、ハロゲン化鋼、ハロゲン化
コバルト等が用いられる。 かかるルイス酸を用いるこ
とにより目的物の収率の向上、水素化ホウ素金属の使用
量の削減等を計ることができる。 本発明に使用される
ルイス酸の具体化合物としては、例えば塩化アルミニウ
ム、臭化アルミニウム、四塩化チタン、三塩化チタン、
四塩化スズ、二塩化スズ、二塩化洞、二塩化コバルト等
が挙げられる。これらの混合物も使用し得る。
化チタン、ハロゲン化スズ、ハロゲン化鋼、ハロゲン化
コバルト等が用いられる。 かかるルイス酸を用いるこ
とにより目的物の収率の向上、水素化ホウ素金属の使用
量の削減等を計ることができる。 本発明に使用される
ルイス酸の具体化合物としては、例えば塩化アルミニウ
ム、臭化アルミニウム、四塩化チタン、三塩化チタン、
四塩化スズ、二塩化スズ、二塩化洞、二塩化コバルト等
が挙げられる。これらの混合物も使用し得る。
ルイス酸の使用量は、光学活性アミン誘導体に対し、通
常0.3〜3モル倍程度、好ましくは0.6〜2モル倍
■倍変7ある。
常0.3〜3モル倍程度、好ましくは0.6〜2モル倍
■倍変7ある。
不斉還元剤を調製するにあたっては、溶媒として、例え
ばジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム等のエ
ーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素
類、クロルベンゼン、クロロホルム、1.2−ジクロロ
エタン等のハロゲン化炭化水素類、あるいはこれ等の混
合溶媒が用いられる。 光学活性アミン誘導体、水素化
ホウ素金属、ルイス酸等を加える順序は特に限定はない
が、光学活性アミン誘導体とルイス酸とを混合した後に
水素化ホウ素金属を加える、または水素化ホウ素金属に
光学活性アミン誘導体とルイス酸の混合物を加える方法
が光学収率の点で好ましい。 調製温度は、通常100
°C以下、好ましくは50°C以下である。
ばジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム等のエ
ーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素
類、クロルベンゼン、クロロホルム、1.2−ジクロロ
エタン等のハロゲン化炭化水素類、あるいはこれ等の混
合溶媒が用いられる。 光学活性アミン誘導体、水素化
ホウ素金属、ルイス酸等を加える順序は特に限定はない
が、光学活性アミン誘導体とルイス酸とを混合した後に
水素化ホウ素金属を加える、または水素化ホウ素金属に
光学活性アミン誘導体とルイス酸の混合物を加える方法
が光学収率の点で好ましい。 調製温度は、通常100
°C以下、好ましくは50°C以下である。
本発明は、かくして得られる不斉還元剤を前記一般式(
III)で示されるオキシム誘導体のアンチ体またはシ
ン体もしくはこれ等のいずれかに冨んだ混合物に反応さ
せるものであるが、該オキシム誘導体におけるR7とし
ては、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペン
チル、シクロヘプチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘ
プチル、シクロヘプチル、オクチル、シクロオクチル、
ノニル、デシル等炭素数]〜10のアルキル基、ベンジ
ル、β−フェネチル、ナフチル等炭素数7〜12のアラ
ルキル、トリメチルシリル、ジメチル−t−ブチルシリ
ル、トリー1−プロピルシリル、トリーローブチルシリ
ル等の炭素数3〜12のアルキルシリル基などが例示で
きる。
III)で示されるオキシム誘導体のアンチ体またはシ
ン体もしくはこれ等のいずれかに冨んだ混合物に反応さ
せるものであるが、該オキシム誘導体におけるR7とし
ては、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペン
チル、シクロヘプチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘ
プチル、シクロヘプチル、オクチル、シクロオクチル、
ノニル、デシル等炭素数]〜10のアルキル基、ベンジ
ル、β−フェネチル、ナフチル等炭素数7〜12のアラ
ルキル、トリメチルシリル、ジメチル−t−ブチルシリ
ル、トリー1−プロピルシリル、トリーローブチルシリ
ル等の炭素数3〜12のアルキルシリル基などが例示で
きる。
置換基R,,R,とじてはフェニル、o−、m−、p−
クロロフェニル、O−+ m−+ p−ブロモフェニル
、2.3−12.4−12.5−12.6−23.4−
13.5−ジクロロフェニルなどのハロゲン置換フェニ
ル、O−+1Il−+P−メチルフェニル・O−+ m
−1p−エチルフェニル、O−+n’−+p−ブチルフ
ェニル、2,3−12,4−12,5−12.6−13
,4−23.5−ジメチルフェニルなどの炭素数が1〜
6のアルキルが1換したフェニル、O−+ ”−+ p
−メトキシフェニル、O−+m−+1’−エトキシフェ
ニル、o−、m−、ρ−プロポキシフェニルなどの炭素
数2〜6のアルコキシが置換したフェニル、O−+Im
−+p−ベンジルオキシフェニル、2−ベンジルオキシ
ル3−メチルフェニル、2−ベンジルオキシ−4−メチ
ルフェニル、2−ヘンシルオキシ−5−メチルフェニル
、2−ベンジルオキシ−5−t−ブチルフェニル、2−
ベンジルオキシ−3−メトキシフェニル、2−ベンジル
オキシ−4−メトキシフェニル、2−ベンジルオキシ−
5−メトキシフェニル、2−ベンジルオキシ−3,5−
ジクロロフェニルなどのベンジルオキシが置換したフェ
ニル、O−、m−、ρ−シアノフェニル、2−.3−.
4−ピリジル、α−1β−ナフチル等の全炭素数が5〜
17のアリール基、 メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキ
シルなどの低級アルキル、クロロメチル、ジクロロメチ
ル、トリクロロメチル、トリブロモメチル、トリフルオ
ロメチル、2−クロロエチル、3−クロロプロピル、4
−クロロブチルなどのハロゲン化アルキル等の全炭素数
が1〜6のアルキル基、ベンジル、o−、m−。
クロロフェニル、O−+ m−+ p−ブロモフェニル
、2.3−12.4−12.5−12.6−23.4−
13.5−ジクロロフェニルなどのハロゲン置換フェニ
ル、O−+1Il−+P−メチルフェニル・O−+ m
−1p−エチルフェニル、O−+n’−+p−ブチルフ
ェニル、2,3−12,4−12,5−12.6−13
,4−23.5−ジメチルフェニルなどの炭素数が1〜
6のアルキルが1換したフェニル、O−+ ”−+ p
−メトキシフェニル、O−+m−+1’−エトキシフェ
ニル、o−、m−、ρ−プロポキシフェニルなどの炭素
数2〜6のアルコキシが置換したフェニル、O−+Im
−+p−ベンジルオキシフェニル、2−ベンジルオキシ
ル3−メチルフェニル、2−ベンジルオキシ−4−メチ
ルフェニル、2−ヘンシルオキシ−5−メチルフェニル
、2−ベンジルオキシ−5−t−ブチルフェニル、2−
ベンジルオキシ−3−メトキシフェニル、2−ベンジル
オキシ−4−メトキシフェニル、2−ベンジルオキシ−
5−メトキシフェニル、2−ベンジルオキシ−3,5−
ジクロロフェニルなどのベンジルオキシが置換したフェ
ニル、O−、m−、ρ−シアノフェニル、2−.3−.
4−ピリジル、α−1β−ナフチル等の全炭素数が5〜
17のアリール基、 メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキ
シルなどの低級アルキル、クロロメチル、ジクロロメチ
ル、トリクロロメチル、トリブロモメチル、トリフルオ
ロメチル、2−クロロエチル、3−クロロプロピル、4
−クロロブチルなどのハロゲン化アルキル等の全炭素数
が1〜6のアルキル基、ベンジル、o−、m−。
ρ−トリルメチル、O−+II+−+p−エチルヘンシ
ル、o−、m−。
ル、o−、m−。
p−メトキシベンジル、o−、m−、p−エトキシベン
ジル、2.3−52.4−12.5−12,6−13.
4−53.5−ジメチルベンジル、3−スルファモイル
−4−メトキシベンジル、(2,3−,2,4〜、2,
5−22.6−シメトキシフエニル)エチル、2−フェ
ニルエチル、2−(o−、m−、p−トリル)エチル、
(2,3−52,4−12,5−12,6−13,4−
13,5−ジメチルフェニル)エチル、3−フェニルプ
ロピル、ナフチルメチル等の全炭素数が7〜11のアラ
ルキル基などが例示できる。
ジル、2.3−52.4−12.5−12,6−13.
4−53.5−ジメチルベンジル、3−スルファモイル
−4−メトキシベンジル、(2,3−,2,4〜、2,
5−22.6−シメトキシフエニル)エチル、2−フェ
ニルエチル、2−(o−、m−、p−トリル)エチル、
(2,3−52,4−12,5−12,6−13,4−
13,5−ジメチルフェニル)エチル、3−フェニルプ
ロピル、ナフチルメチル等の全炭素数が7〜11のアラ
ルキル基などが例示できる。
代表的なオキシム誘導体としては、例えばアセトフェノ
ン、プロピオフェノン、ブチロフェノン、イソブチロフ
ェノン、クロロメチル(フェニル)ケトン、ブロモメチ
ル(フェニル)ケトン、2−アセチルピリジン、0−メ
トキシアセトフェノン、0−エトキシアセトフヱノン、
0−プロポキシアセトフェノン、0−ベンジルオキシア
セトフェノン、α−アセトナフトン、β−アセトナフト
ン、(p−クロルフェニル)メチルケトン、(p−ブロ
ムフェニル)メチルケトン、(p−シアノフェニル)メ
チルケトン、3−スルファモイル−4−メトキシベンジ
ルメチルケトン、フェニルベンジルケトン、フェニル(
0−トリルメチル)ケトン、フェニル(トリルメチル)
ケトン、フェニル(p−トリルメチル)ケトン、フェニ
ル(2−フェニルエチル)ケトン、2−ブタノン、2−
ペンタノン、2−ヘキサノン、2−ヘプタノン、2−オ
クタノン、3−ヘプタノン、3−オクタノン、シクロへ
キシルメチルケトン、シクロへキシルエチルケトン、シ
クロへキシルベンジルケトン、α−フェニルアセトン、
(2−フェニルエチル)メチルケトン、(2−フェニル
エチル)エチルケトン、(3−フェニルプロピル)メチ
ルケトンなどの0−メチル、0−オクチル、0−シクロ
ヘキシル、0−ベンジル、0−トリメチルシリル等のオ
キシム誘導体が挙げられ、これらのシン体、アンチ体も
しくはシン体、アンチ体のいずれか一方に冨んだ混合物
が用いられる。
ン、プロピオフェノン、ブチロフェノン、イソブチロフ
ェノン、クロロメチル(フェニル)ケトン、ブロモメチ
ル(フェニル)ケトン、2−アセチルピリジン、0−メ
トキシアセトフェノン、0−エトキシアセトフヱノン、
0−プロポキシアセトフェノン、0−ベンジルオキシア
セトフェノン、α−アセトナフトン、β−アセトナフト
ン、(p−クロルフェニル)メチルケトン、(p−ブロ
ムフェニル)メチルケトン、(p−シアノフェニル)メ
チルケトン、3−スルファモイル−4−メトキシベンジ
ルメチルケトン、フェニルベンジルケトン、フェニル(
0−トリルメチル)ケトン、フェニル(トリルメチル)
ケトン、フェニル(p−トリルメチル)ケトン、フェニ
ル(2−フェニルエチル)ケトン、2−ブタノン、2−
ペンタノン、2−ヘキサノン、2−ヘプタノン、2−オ
クタノン、3−ヘプタノン、3−オクタノン、シクロへ
キシルメチルケトン、シクロへキシルエチルケトン、シ
クロへキシルベンジルケトン、α−フェニルアセトン、
(2−フェニルエチル)メチルケトン、(2−フェニル
エチル)エチルケトン、(3−フェニルプロピル)メチ
ルケトンなどの0−メチル、0−オクチル、0−シクロ
ヘキシル、0−ベンジル、0−トリメチルシリル等のオ
キシム誘導体が挙げられ、これらのシン体、アンチ体も
しくはシン体、アンチ体のいずれか一方に冨んだ混合物
が用いられる。
オキシム誘導体は、対応するケトンより公知の方法で容
易に製造することができる。またシン体もしくはアンチ
体の一方を用いる場合は分離した残りの異性体を公知の
方法でシン体/アンチ体の異性化反応を行うことにより
、再び必要な異性体に変換でき、原料を有効に利用し得
る。
易に製造することができる。またシン体もしくはアンチ
体の一方を用いる場合は分離した残りの異性体を公知の
方法でシン体/アンチ体の異性化反応を行うことにより
、再び必要な異性体に変換でき、原料を有効に利用し得
る。
還元反応を行うにあたり、用いる溶媒としては例えば、
還元剤のtA製に用いられると同様のエーテル類、炭化
水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒およびこれらの
混合物を例示することができる。その使用量はオキシム
誘導体に対して通常2〜50重量倍程度である。
還元剤のtA製に用いられると同様のエーテル類、炭化
水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒およびこれらの
混合物を例示することができる。その使用量はオキシム
誘導体に対して通常2〜50重量倍程度である。
また還元剤は予め調製したものを用いても良いし、オキ
シム誘導体の存在下で調製することもできる。その使用
量はオキシム誘導体に対し、光学活性アミン誘導体換算
で通常0.2〜6モル倍、好ましくは0.3〜3モル倍
であり、ポラン換算で通常1〜5モル倍であり、2〜3
モル倍でも反応は十分進行する。
シム誘導体の存在下で調製することもできる。その使用
量はオキシム誘導体に対し、光学活性アミン誘導体換算
で通常0.2〜6モル倍、好ましくは0.3〜3モル倍
であり、ポラン換算で通常1〜5モル倍であり、2〜3
モル倍でも反応は十分進行する。
反応温度は、通常150 ’C以下である。好ましくは
一20〜60°Cであるが、必要に応じさらに加温する
ことができる。
一20〜60°Cであるが、必要に応じさらに加温する
ことができる。
反応の進行はガスクロマトグラフィー等の分析手段によ
り6mmすることができる。
り6mmすることができる。
反応終了後、例えば反応液に塩酸等の鉱酸を加えること
によって還元剤を失活させた後、不斉助剤として光学活
性アミノアルコール(+)を用いた場合は、例えば、ア
ルカリ性にしてトルエンのような溶媒を用いて抽出する
ことにより、有機層から目的とする光学活性アミン類お
よび該不斉助剤を得、次いで蒸留等の通常の分離手段を
用いることにより目的物、該不斉助剤をそれぞれ単離回
収することができる。ここで抽出溶媒としてヘキサンの
ような溶媒を用いると目的物と該不斉助剤との溶解度差
を利用することにより、有機層から目的物を、水層から
咳不斉助剤をそれぞれ単離回収できる。 また不斉助
剤として光学活性ヒドロキシヘンシルアミン(I+)を
用いた場合は、例えば還元剤を失活させた後、苛性ソー
ダ水)8液などでアルカリ性して有機溶媒で抽出するこ
とによりを機層から目的物を単離回収でき、水層を中和
することにより咳配位子を単離回収することができる。
によって還元剤を失活させた後、不斉助剤として光学活
性アミノアルコール(+)を用いた場合は、例えば、ア
ルカリ性にしてトルエンのような溶媒を用いて抽出する
ことにより、有機層から目的とする光学活性アミン類お
よび該不斉助剤を得、次いで蒸留等の通常の分離手段を
用いることにより目的物、該不斉助剤をそれぞれ単離回
収することができる。ここで抽出溶媒としてヘキサンの
ような溶媒を用いると目的物と該不斉助剤との溶解度差
を利用することにより、有機層から目的物を、水層から
咳不斉助剤をそれぞれ単離回収できる。 また不斉助
剤として光学活性ヒドロキシヘンシルアミン(I+)を
用いた場合は、例えば還元剤を失活させた後、苛性ソー
ダ水)8液などでアルカリ性して有機溶媒で抽出するこ
とによりを機層から目的物を単離回収でき、水層を中和
することにより咳配位子を単離回収することができる。
このようにして得られた目的とする光学活性アミン類は
さらに蒸留、カラムクロマトグラフィー等の精製手段に
より、更に一層精製することもできる。
さらに蒸留、カラムクロマトグラフィー等の精製手段に
より、更に一層精製することもできる。
〈発明の効果〉
かくして目的とする光学活性アミン類が製造されるが、
本発明の方法によれば、目的物の収率の向上、水素化ホ
ウ素金属の使用量の削減等を計ることができるので工業
的な光学活性アミン類の製造方法として有利である。
本発明の方法によれば、目的物の収率の向上、水素化ホ
ウ素金属の使用量の削減等を計ることができるので工業
的な光学活性アミン類の製造方法として有利である。
〈実施例〉
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例1
窒素雰囲気下、室温で(÷)−ノルエフェドリン3ミリ
モル(0,454g)と塩化アルミニウム 4ミリモル
(0,533g)とテトラヒドロフラン(THF)
4 dからなる混合物に、アンチ−フェニル(p−トリ
ルメチル)ケトン(0−メチルオキシム)1ミリモル(
0,239g)と丁HF0.5tdからなる溶液を加え
た。
モル(0,454g)と塩化アルミニウム 4ミリモル
(0,533g)とテトラヒドロフラン(THF)
4 dからなる混合物に、アンチ−フェニル(p−トリ
ルメチル)ケトン(0−メチルオキシム)1ミリモル(
0,239g)と丁HF0.5tdからなる溶液を加え
た。
次いで、これに水素化ホウ素ナトリウム3ミ1ItlL
(0,114g)とトリグライム1 、7 raftか
らなる混合物を加え25°Cで20時間撹拌した後、6
時間還流した。“′その後、室温まで冷却して10%塩
alOgを加え、同温度で1時間撹拌した後、反応液を
減圧濃縮した。 これに、カセイソーダ水?8液を加
えて塩基性にした後、ヘキサンで抽出し、分液したヘキ
サン層を濃縮してl−フェニル−2−(ρ−トリル)エ
チルアミン0.21 gとトリグライム0.19gの混
合物を得た。
(0,114g)とトリグライム1 、7 raftか
らなる混合物を加え25°Cで20時間撹拌した後、6
時間還流した。“′その後、室温まで冷却して10%塩
alOgを加え、同温度で1時間撹拌した後、反応液を
減圧濃縮した。 これに、カセイソーダ水?8液を加
えて塩基性にした後、ヘキサンで抽出し、分液したヘキ
サン層を濃縮してl−フェニル−2−(ρ−トリル)エ
チルアミン0.21 gとトリグライム0.19gの混
合物を得た。
ガスクロマトグラフィーにより分析したところ反応率は
100%であり、生成物の組成はアミン体99.8%で
あり、N−メトキシ体(C,N二重結合のみが還元され
たもの)0.2%であった。
100%であり、生成物の組成はアミン体99.8%で
あり、N−メトキシ体(C,N二重結合のみが還元され
たもの)0.2%であった。
光学活性カラムを用いた高速液体クロマトグラフィーに
より、アミン体のエナンチオマー比を求めたところ3体
95.2%、3体4.8%であった。
より、アミン体のエナンチオマー比を求めたところ3体
95.2%、3体4.8%であった。
実施例2
窒素雰囲気下、室温で水素化ホウ素す) IJウム3!
リモルとTHpt、s*の混合物に(+)−ノルエフェ
ドリン3ミリモルと塩化アルミニウム4ミリモ1岬とT
HF4mlからなる混合物を加え、次いでアンチ−フェ
ニル(p−トリルメチル)ケトン(0−メチルオキシム
)lミlItルとTHFo、7dからなる/8液を加え
た後、25°Cで19時間撹拌後、6時間還流した。
リモルとTHpt、s*の混合物に(+)−ノルエフェ
ドリン3ミリモルと塩化アルミニウム4ミリモ1岬とT
HF4mlからなる混合物を加え、次いでアンチ−フェ
ニル(p−トリルメチル)ケトン(0−メチルオキシム
)lミlItルとTHFo、7dからなる/8液を加え
た後、25°Cで19時間撹拌後、6時間還流した。
以後実施例1と同様に処理して、1−フェニル−2−(
p−トリル)エチルアミンを得た。
p−トリル)エチルアミンを得た。
反応率 100%、アミン体 100%であり、エナン
チオマー比は3体95.7%、3体4.3%であった。
チオマー比は3体95.7%、3体4.3%であった。
実施例3
窒素雰囲気下、室温で塩化アルミニウム3.2ミリ(ル
とTHF3dlの混合物に水素化ホウ素ナトリウム2.
4ミリモルとトリグライム1 、3 mlからなる混合
物を加え、次いで(+)−ノルエフェドリン2.4ミl
InとTHFII!1からなる溶液を加えて2時間撹拌
した。
とTHF3dlの混合物に水素化ホウ素ナトリウム2.
4ミリモルとトリグライム1 、3 mlからなる混合
物を加え、次いで(+)−ノルエフェドリン2.4ミl
InとTHFII!1からなる溶液を加えて2時間撹拌
した。
次いで、これにアンチ−フェニル(p−トリルメチル)
ケトン(0−メチルオキシム)1ミリモルとTHFo、
5dからなる?8に1を加え25°Cで23時間撹拌し
た後、4時間還流した。
ケトン(0−メチルオキシム)1ミリモルとTHFo、
5dからなる?8に1を加え25°Cで23時間撹拌し
た後、4時間還流した。
以後実施例1と同様に処理して、1−フェニル−2−(
p−トリル)エチルアミンを得た。
p−トリル)エチルアミンを得た。
反応率 100%、アミン体98.3%、N−メトキシ
体1.7%であり、アミン体のエナンチオマー比はR体
93%、5体7%であった。
体1.7%であり、アミン体のエナンチオマー比はR体
93%、5体7%であった。
実施例4
実施例1において、(+)−ノルエフェドリンを0.6
ミlJfル、塩化アルミニウムの代わりに四塩化チタン
1ミlH3を用い、反応を25°Cで36時間実施する
以外は実施例1に準拠し、実施して1−フェニル−2−
(叶トリル)エチルアミンを得た。
ミlJfル、塩化アルミニウムの代わりに四塩化チタン
1ミlH3を用い、反応を25°Cで36時間実施する
以外は実施例1に準拠し、実施して1−フェニル−2−
(叶トリル)エチルアミンを得た。
反応率 100%、アミン体100% であり、エナン
チオマー比はR体88%、5体12%であった。
チオマー比はR体88%、5体12%であった。
実施例5
実施例3において、塩化アルミニウムの代わりに臭化ア
ルミニウム3.3ミリ干ル、水素化ホウ素ナトリウム2
.5ミリ!ル、(+)−ノルエフェドリン2,5ミリモ
ルを用い、反応を25°Cで44時間、次いで還流を9
時間行う以外は実施例3に準拠して実施した。
ルミニウム3.3ミリ干ル、水素化ホウ素ナトリウム2
.5ミリ!ル、(+)−ノルエフェドリン2,5ミリモ
ルを用い、反応を25°Cで44時間、次いで還流を9
時間行う以外は実施例3に準拠して実施した。
反応率は72.4%、生成物の組成はアミン体100%
であり、アミン体のエナンチオマー比は、R体91.2
%、3体8.8%であった。
であり、アミン体のエナンチオマー比は、R体91.2
%、3体8.8%であった。
実施例6
実施例1において、丁HFの代わりにクロロホルムを用
いる以外は実施例1と同様に実施した。
いる以外は実施例1と同様に実施した。
反応率は91.6%、生成物の組成はアミン体98.6
%、N−メトキシ体1.4%であり、アミン体のエナン
チオマー比は、R体80.9%、3体19.1%であっ
た。
%、N−メトキシ体1.4%であり、アミン体のエナン
チオマー比は、R体80.9%、3体19.1%であっ
た。
実施例7
実施例4において、THFの代わりにジオキサンを用い
、四塩化チタンを1 、2 ミ9 を外用いて、反応を
25°Cで24時間実施する以外は、実施例4と同様に
実施した。
、四塩化チタンを1 、2 ミ9 を外用いて、反応を
25°Cで24時間実施する以外は、実施例4と同様に
実施した。
反応率は99%、生成物の組成はアミン体100%エナ
ンチオマー比は、R体87.2%、3体12.8%であ
った。
ンチオマー比は、R体87.2%、3体12.8%であ
った。
実施例日
実施例1において、(+)−ノルエフェドリンを0.6
ミリモル、塩化アルミニウムの代わりに四塩化スズH’
1モルを用い、反応を25°Cで19時間、次いで還流
〒5時間実施する以外は、実施例1に準拠して実施した
。
ミリモル、塩化アルミニウムの代わりに四塩化スズH’
1モルを用い、反応を25°Cで19時間、次いで還流
〒5時間実施する以外は、実施例1に準拠して実施した
。
反応率 100%、生成物中のアミン体100%であり
、アミン体のエナンチオマー比はR体89.9%、3体
10.1%であった。
、アミン体のエナンチオマー比はR体89.9%、3体
10.1%であった。
実施例9
実施例1において、(+)−ノルエフェドリンを0.6
ミリfル、塩化アルミニウムの代わりに三塩化チタン1
ミ+Jtルを用い、反応を25°Cで36時間実施する
以外は実施例1に準拠して実施した。
ミリfル、塩化アルミニウムの代わりに三塩化チタン1
ミ+Jtルを用い、反応を25°Cで36時間実施する
以外は実施例1に準拠して実施した。
反応率 97.4%、生成物中のアミン体100%、で
あり、アミン体のエナンチオマー比はR体87.6%、
3体12.4%であった。
あり、アミン体のエナンチオマー比はR体87.6%、
3体12.4%であった。
実施例10
実施例1において、(+)−ノルエフェドリンを0.6
ミリモル、塩化アルミニウムの代わりに二基化銅1ミリ
量露を用い、反応を25°Cで36時間、次いで還流下
に11時間実施する以外は実施例1に準拠して実施した
。
ミリモル、塩化アルミニウムの代わりに二基化銅1ミリ
量露を用い、反応を25°Cで36時間、次いで還流下
に11時間実施する以外は実施例1に準拠して実施した
。
反応率 77.2%、生成物中のアミン体100%、で
あり、アミン体のエナンチオマー比はR体67.3%、
5体32.7%であった。
あり、アミン体のエナンチオマー比はR体67.3%、
5体32.7%であった。
実施例11
実施例1において、(+)−ノルエフェドリンを0.6
ミリ量ル、塩化アルミニウムの代わりに二塩化コバルト
1ミリモルを用い、反応を25“Cで76時間実施する
以外は実施例1に準拠して実施した。
ミリ量ル、塩化アルミニウムの代わりに二塩化コバルト
1ミリモルを用い、反応を25“Cで76時間実施する
以外は実施例1に準拠して実施した。
反応率 63.1%、生成物中のアミン体100%、で
あり、アミン体のエナンチオマー比は8体65.1%、
3体34.9%であった。
あり、アミン体のエナンチオマー比は8体65.1%、
3体34.9%であった。
実施例12
実施例1において、(÷)−ノルエフェドリンを0.6
ミリ! lk、塩化アルミニウムの代わりに二塩化スズ
lミ+7(ルを用い、反応を25゛Cで92時間、次い
で還流下に5時間実施する以外は実施例1に準拠して実
施した。
ミリ! lk、塩化アルミニウムの代わりに二塩化スズ
lミ+7(ルを用い、反応を25゛Cで92時間、次い
で還流下に5時間実施する以外は実施例1に準拠して実
施した。
反応率55.2%、生成物中のアミン体55.4%、N
−メトキシ体44.6%であり、アミン体のエナンチオ
マー比はR体70.5%、3体29.5%であった。
−メトキシ体44.6%であり、アミン体のエナンチオ
マー比はR体70.5%、3体29.5%であった。
実施例13〜21
実施例1において、アンチ−フェニル(p−トリルメチ
ル)ケトン(0−メチルオキシム)の代わりに、シン−
フェニル(p−)リルメチル)ケトン(〇−メチルオキ
シム)、アンチ−フェニル(p−トリルメチル)ケトン
(0−ブチルオキシム)、アンチ−2−オクタノン(0
−ベンジルオキシム)、シン−2−オクタノン(0−ベ
ンジルオキシム)、アンチ−アセトフェノン(O−メチ
ルオキシム)、アンチ−2−アセトナフトン(O−メチ
ルオキシム)、アンチ−4゛−ブロモアセトフェノン(
0−メチルオキシム)、アンチ−2°。
ル)ケトン(0−メチルオキシム)の代わりに、シン−
フェニル(p−)リルメチル)ケトン(〇−メチルオキ
シム)、アンチ−フェニル(p−トリルメチル)ケトン
(0−ブチルオキシム)、アンチ−2−オクタノン(0
−ベンジルオキシム)、シン−2−オクタノン(0−ベ
ンジルオキシム)、アンチ−アセトフェノン(O−メチ
ルオキシム)、アンチ−2−アセトナフトン(O−メチ
ルオキシム)、アンチ−4゛−ブロモアセトフェノン(
0−メチルオキシム)、アンチ−2°。
4′−ジクロロアセトフェノン(0−メチルオキシム)
、アンチ−2−クロロアセトフェノン(O−メチルオキ
シム)をそれぞれ1ミリモ1シ用いる以外は実施例1に
準拠して実施し、それぞれ1−フェニル−2−(p−ト
リル)エチルアミン、l−フェニル−2−(p−)リル
)エチルアミン、2−オクチルアミン、2−オクチルア
ミン、l−フェニルエチルアミン、1−(2−ナフチル
)エチルアミン、1−(4−ブロモフェニル)エチルア
ミン、1−(2,4−ジクロロフェニル)エチルアミン
、l−フェニル−2−クロロエチルアミンを得た。結果
を表1に示した。
、アンチ−2−クロロアセトフェノン(O−メチルオキ
シム)をそれぞれ1ミリモ1シ用いる以外は実施例1に
準拠して実施し、それぞれ1−フェニル−2−(p−ト
リル)エチルアミン、l−フェニル−2−(p−)リル
)エチルアミン、2−オクチルアミン、2−オクチルア
ミン、l−フェニルエチルアミン、1−(2−ナフチル
)エチルアミン、1−(4−ブロモフェニル)エチルア
ミン、1−(2,4−ジクロロフェニル)エチルアミン
、l−フェニル−2−クロロエチルアミンを得た。結果
を表1に示した。
表1
°1 アンチ/シン・96.4/3.6実施例22
実施例1において、(+)−ノルエフェドリンの代わり
に(−)−エリスロー2−アミノ−1−(2,5−ジメ
トキシフェニル)−1−プロパツールを3ミリモル用い
る以外は、実施例1に準拠して実施した。
に(−)−エリスロー2−アミノ−1−(2,5−ジメ
トキシフェニル)−1−プロパツールを3ミリモル用い
る以外は、実施例1に準拠して実施した。
反応率 99.3%、生成物組成 アミン体99.8%
、N−メトキシ体0.2%であり、アミン体のエナンチ
オマー比 R体4.2%、3体95.8% であった。
、N−メトキシ体0.2%であり、アミン体のエナンチ
オマー比 R体4.2%、3体95.8% であった。
実施例23
実施例1において、(+)−ノルエフェドリンの代わり
に(−)−エフェドリン3ミリ干ルを用い、25°Cで
72時間反応させる以外は、実施例1に準拠して実施し
た。
に(−)−エフェドリン3ミリ干ルを用い、25°Cで
72時間反応させる以外は、実施例1に準拠して実施し
た。
反応率 69.8%、生成物組成 アミン体43.8%
、N−メトキシ体56.2%であり、アミン体のエナン
チオマー比 2体12.7%、3体87.3% であっ
た。
、N−メトキシ体56.2%であり、アミン体のエナン
チオマー比 2体12.7%、3体87.3% であっ
た。
実施例24
実施例2において、(4)−ノルエフェドリンの代わり
に(+)−エリスロー2−アミノ−1−(2,5−ジメ
トキシフェニル)−1−プロパツールを用い、アンチ−
フェニル(p−トリルメチル)ケトン(0−オキシム)
の代わりにアンチ−3−スルファモイル−4−メトキシ
ベンジルメチルケトン(0−メチルオキシム)を用い、
実施例2に!1!拠して反応を実施した。
に(+)−エリスロー2−アミノ−1−(2,5−ジメ
トキシフェニル)−1−プロパツールを用い、アンチ−
フェニル(p−トリルメチル)ケトン(0−オキシム)
の代わりにアンチ−3−スルファモイル−4−メトキシ
ベンジルメチルケトン(0−メチルオキシム)を用い、
実施例2に!1!拠して反応を実施した。
反応液に10%塩酸10 gを加えた後、苛性ソーダ水
7容液を加えてクロロホルムで抽出し、カラムクロマト
グラフィーにより単離精製することにより、(R)−(
−)4−(3−スルファモイル−4−メトキシフェニル
)−2−アミノプロパン0.178gを得た。
7容液を加えてクロロホルムで抽出し、カラムクロマト
グラフィーにより単離精製することにより、(R)−(
−)4−(3−スルファモイル−4−メトキシフェニル
)−2−アミノプロパン0.178gを得た。
〔α) ”−12,4°(C1,0JleOH)、光学
純度71%実施例25 窒素雰囲気下、室温で水素化ホウ・素ナトリウム3ミリ
モルとT)lF3.5dの混合物に(−)−1−(2〜
ヒドロキシフエニル)エチルアミン3ミリモル(0,4
12g) ト塩化アルミニウム4ミリモルとTHF5m
lからなる混合物を加え、2.5時間撹拌した0次いで
、これにアンチ−フェニル(p−トリルメチル)ケトン
(0−メチルオキシム)1ミリ(ルとT)lF2.5d
からなる;容/夜をカロえた後、25°Cで24時間撹
拌した。
純度71%実施例25 窒素雰囲気下、室温で水素化ホウ・素ナトリウム3ミリ
モルとT)lF3.5dの混合物に(−)−1−(2〜
ヒドロキシフエニル)エチルアミン3ミリモル(0,4
12g) ト塩化アルミニウム4ミリモルとTHF5m
lからなる混合物を加え、2.5時間撹拌した0次いで
、これにアンチ−フェニル(p−トリルメチル)ケトン
(0−メチルオキシム)1ミリ(ルとT)lF2.5d
からなる;容/夜をカロえた後、25°Cで24時間撹
拌した。
次いで、反応液に10%塩酸Logを加え40°Cで1
時間撹拌した後、室温まで冷却して25%苛性ソーダ水
/8液約6gを加えて塩基性にし、クロロホルムで抽出
した。有機層を濃縮することにより、1−フェニル−2
−(p−)リル)エチルアミン0.223gを得た。
時間撹拌した後、室温まで冷却して25%苛性ソーダ水
/8液約6gを加えて塩基性にし、クロロホルムで抽出
した。有機層を濃縮することにより、1−フェニル−2
−(p−)リル)エチルアミン0.223gを得た。
ガスクロマトグラフィーにより分析したところ反応率は
100%であり、生成物の組成はアミン体80.3%で
あり、N−メトキシ体(+、N二重結合のみが還元され
たもの)19.7%であった。
100%であり、生成物の組成はアミン体80.3%で
あり、N−メトキシ体(+、N二重結合のみが還元され
たもの)19.7%であった。
光学活性カラム用いた高速液体クロマトグラフィーによ
り、アミン体のエナンチオマー比を求めたところR体8
0.9%、3体19.1%であった。
り、アミン体のエナンチオマー比を求めたところR体8
0.9%、3体19.1%であった。
実施例26
実施例25において、(−)−1−(2−ヒドロキシフ
ェニル)エチルアミンの代わりに(+)−(2−ヒドロ
キシ−5−メトキシフェニル)エチルアミンを用い、反
応を25°Cで15時間、還流下に6時間実施する以外
は実施例25に準拠して実施した。
ェニル)エチルアミンの代わりに(+)−(2−ヒドロ
キシ−5−メトキシフェニル)エチルアミンを用い、反
応を25°Cで15時間、還流下に6時間実施する以外
は実施例25に準拠して実施した。
反応率 95.8%、生成物組成 アミン体86゜8%
、N−メトキシ体13.2%であり、アミン体のエナン
チオマー比 R体76.5%、8体23.5% であっ
た。
、N−メトキシ体13.2%であり、アミン体のエナン
チオマー比 R体76.5%、8体23.5% であっ
た。
実施例27
実施例25において、(−)−]−(]2−ヒドロキシ
フェニルエチルアミンの代わりに(+)−(2−ヒドロ
キシ−3−メチルフェニル)エチルアミンヲ用い、反応
を25°Cで15時間、還流下に6時間実施する以外は
実施例25に11!拠して実施した。
フェニルエチルアミンの代わりに(+)−(2−ヒドロ
キシ−3−メチルフェニル)エチルアミンヲ用い、反応
を25°Cで15時間、還流下に6時間実施する以外は
実施例25に11!拠して実施した。
反応率100%、生成物組成 アミン体89.8%、N
−メトキシ体10.2%であり、アミン体のエナンチオ
マー比 R体81.6%、3体18.4% であった。
−メトキシ体10.2%であり、アミン体のエナンチオ
マー比 R体81.6%、3体18.4% であった。
実施例28〜30
実施例25において、アンチ−フェニル(p−トリルメ
チル)ケトン(0−メチルオキシム)の代わりに、アン
チ−4−ブロモアセトフェノン(0−メチルオキシム)
、アンチ−2−オクタノン(0−ヘンシルオキシム)、
アンチ−シクロへキシルベンジルケトン(0−メチルオ
キシム)を用い、反応を25°Cで15時間、次いで還
流下で6時間実施する以外は実施例25に準拠して行な
った。結果を表2に示した。実施例31 実施例26において、アンチ−フェニル(p−トリルメ
チル)ケトン(0−メチルオキシム)の代わりに、アン
チ−アセトフェノン(0−メチルオキシム)を用いる以
外は実施例26に!S拠して行なった。結果を表2に示
した。
チル)ケトン(0−メチルオキシム)の代わりに、アン
チ−4−ブロモアセトフェノン(0−メチルオキシム)
、アンチ−2−オクタノン(0−ヘンシルオキシム)、
アンチ−シクロへキシルベンジルケトン(0−メチルオ
キシム)を用い、反応を25°Cで15時間、次いで還
流下で6時間実施する以外は実施例25に準拠して行な
った。結果を表2に示した。実施例31 実施例26において、アンチ−フェニル(p−トリルメ
チル)ケトン(0−メチルオキシム)の代わりに、アン
チ−アセトフェノン(0−メチルオキシム)を用いる以
外は実施例26に!S拠して行なった。結果を表2に示
した。
表2
比較例1
実施例1において、塩化アルミニウムの代わりに三フッ
化ホウ素・ジエチルエーテル錯体を用いる以外は、実施
例1に11#拠して実施した。
化ホウ素・ジエチルエーテル錯体を用いる以外は、実施
例1に11#拠して実施した。
反応率3.4%、生成物組成 アミン体33.3%、N
−メトキシ体66.7%であり、アミン体のエナンチオ
マー比 R体85.5%、3体14.5% であった。
−メトキシ体66.7%であり、アミン体のエナンチオ
マー比 R体85.5%、3体14.5% であった。
比較例2
実施例25において、塩化アルミニウムの代わりに三フ
ッ化ホウ素・ジエチルエーテル錯体を用いる以外は、実
施例24に準拠して実施した。
ッ化ホウ素・ジエチルエーテル錯体を用いる以外は、実
施例24に準拠して実施した。
反応率81.6%、生成物組成 アミン体66.1%、
N−メトキシ体33.9%であり、アミン体のエナンチ
オマー比 R体23.7%、5体76.3% であった
。
N−メトキシ体33.9%であり、アミン体のエナンチ
オマー比 R体23.7%、5体76.3% であった
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R_1、R_2は水素原子、アルキル基または
アルコキシ基を、R_3は水素原子またはアルキル基を
、R_4はアルキル基を表し、*は不斉炭素を表す。) または一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R_5は水素原子、アルキル基またはアルコキ
シ基を、R_4はアルキル基を表わす、*は不斉炭素を
表す。) で示される光学活性アミン誘導体と水素化ホウ素金属と
ハロゲン化アルミニウム、ハロゲン化チタン、ハロゲン
化スズ、ハロゲン化銅、ハロゲン化コバルトから選ばれ
る少なくとも一種のルイス酸とから得られる不斉還元剤
を、一般式(III)▲数式、化学式、表等があります▼
(III) (式中、R_7はアルキル基、アラルキル基ままたはア
ルキル置換シリル基を表す。R_8、R_9はアルキル
基、アリール基またはアラルキル基を表し、同一である
ことはない。) で示されるオキシム誘導体のシン体またはアンチ体の一
方、もしくはそれらのいずれかに富んだ混合物に反応さ
せることを特徴とする一般式(IV)▲数式、化学式、表
等があります▼(IV) (式中、R_8、R_9、*は前記と同じ意味を表す。 )で示される光学活性アミン類の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13401889A JP2679248B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 光学活性アミン類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13401889A JP2679248B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 光学活性アミン類の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02311446A true JPH02311446A (ja) | 1990-12-27 |
JP2679248B2 JP2679248B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=15118453
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13401889A Expired - Fee Related JP2679248B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 光学活性アミン類の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2679248B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009102437A (ja) * | 1996-12-09 | 2009-05-14 | Bayer Ag | 2−ヒドロキシアセトフェノンオキシム誘導体 |
JP2010502632A (ja) * | 2006-08-29 | 2010-01-28 | オフィス オブ インテレクチュアル プロパティ アンド テクノロジー | スピロボレートエステルを使用するオキシムエーテルのボラン還元を介する第一級アミンの触媒的不斉合成 |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP13401889A patent/JP2679248B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009102437A (ja) * | 1996-12-09 | 2009-05-14 | Bayer Ag | 2−ヒドロキシアセトフェノンオキシム誘導体 |
JP2010502632A (ja) * | 2006-08-29 | 2010-01-28 | オフィス オブ インテレクチュアル プロパティ アンド テクノロジー | スピロボレートエステルを使用するオキシムエーテルのボラン還元を介する第一級アミンの触媒的不斉合成 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2679248B2 (ja) | 1997-11-19 |
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