JPH02305417A - 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 - Google Patents
粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法Info
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- JPH02305417A JPH02305417A JP12698589A JP12698589A JPH02305417A JP H02305417 A JPH02305417 A JP H02305417A JP 12698589 A JP12698589 A JP 12698589A JP 12698589 A JP12698589 A JP 12698589A JP H02305417 A JPH02305417 A JP H02305417A
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Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、チタン酸ストロンチウムを主成分とする半導
体磁器を用いた粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造
方法に関するものである。
体磁器を用いた粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造
方法に関するものである。
従来の技術
従来、チタン酸ストロンチウム(SrTi03)を主成
分とする半導体磁器は結晶粒界を絶縁化することにより
、大きな見掛誘電率をもつコンデンサが得られることが
知られている。この粒界絶縁型半導体磁器コンデンサは
、小型で大容量が得られることから、テレビジョン受像
機、ビデオテープレコーダのカップリング回路等に使用
され、さらに多くの分野に応用されつつある。
分とする半導体磁器は結晶粒界を絶縁化することにより
、大きな見掛誘電率をもつコンデンサが得られることが
知られている。この粒界絶縁型半導体磁器コンデンサは
、小型で大容量が得られることから、テレビジョン受像
機、ビデオテープレコーダのカップリング回路等に使用
され、さらに多くの分野に応用されつつある。
このような粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの結晶粒界
の絶縁化方法としては、拡散剤として金属酸化物とフェ
スとからなる金属酸化物ペーストをSrTiO3を主成
分とする半導体磁器素体に塗着させ乾燥させた後、大気
中で熱処理を行うことによって結晶粒界に拡散させて絶
縁化する方法と、上記金属ペーストの代わりに、拡散剤
の金属成分を含有する有機系金属石ケンと有機系バイン
ダとよりなる混合液を半導体磁器に塗着させ、同様に拡
散させる方法(特開昭59−17228号公報)とがあ
る。
の絶縁化方法としては、拡散剤として金属酸化物とフェ
スとからなる金属酸化物ペーストをSrTiO3を主成
分とする半導体磁器素体に塗着させ乾燥させた後、大気
中で熱処理を行うことによって結晶粒界に拡散させて絶
縁化する方法と、上記金属ペーストの代わりに、拡散剤
の金属成分を含有する有機系金属石ケンと有機系バイン
ダとよりなる混合液を半導体磁器に塗着させ、同様に拡
散させる方法(特開昭59−17228号公報)とがあ
る。
第2図は従来方法を説明するための図であり、図におい
て1はサヤ、2は拡散剤を塗着したSrTiO3を主成
分とする半導体磁器素体である。
て1はサヤ、2は拡散剤を塗着したSrTiO3を主成
分とする半導体磁器素体である。
発明が解決しようとする課題
このような従来の方法では、拡散剤塗着後の乾燥が不十
分であれば熱処理時に拡散剤による素子間の接着現象が
起こり易く、そのため電気特性のバラツキが大きくなり
、歩留りの低下を引きおこす大きな要因となるという問
題点をもっているものであった。
分であれば熱処理時に拡散剤による素子間の接着現象が
起こり易く、そのため電気特性のバラツキが大きくなり
、歩留りの低下を引きおこす大きな要因となるという問
題点をもっているものであった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、電気特性
のバラツキを低減させ、歩留りの良い粒界絶縁型半導体
磁器コンデンサの製造方法の提供を目的とするものであ
る。
のバラツキを低減させ、歩留りの良い粒界絶縁型半導体
磁器コンデンサの製造方法の提供を目的とするものであ
る。
課題を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、あらかじめ拡散
剤を塗着させた敷粉を5rTi03を主成分とする半導
体磁器素体に接触させて熱処理することによって、素子
間の接着現象を防止するようにした粒界絶縁型半導体磁
器コンデンサの製造方法を提供するものである。
剤を塗着させた敷粉を5rTi03を主成分とする半導
体磁器素体に接触させて熱処理することによって、素子
間の接着現象を防止するようにした粒界絶縁型半導体磁
器コンデンサの製造方法を提供するものである。
作用
この方法により、素子間に一般に素子間の接着防止に用
いられている敷粉を介在させることによって素子間の接
着現象を防止するとともに、あらかじめ敷粉に塗着させ
である拡散剤は、熱処理によって容易に半導体磁器に拡
散するので、直接拡散剤を塗着させた場合と同等の電気
特性を得ることができるという効果をもつこととなる。
いられている敷粉を介在させることによって素子間の接
着現象を防止するとともに、あらかじめ敷粉に塗着させ
である拡散剤は、熱処理によって容易に半導体磁器に拡
散するので、直接拡散剤を塗着させた場合と同等の電気
特性を得ることができるという効果をもつこととなる。
実施例
以下、実施例に基づき本発明の詳細な説明する。
まず、5rTiO:+ 90モル%、CaTioa
loモル%に、Nb2O50,2モル%を添加し、湿式
ポットミルで混合した後に乾燥した。次に、これにバイ
ンダを加えて造粒した後、油圧プレスを用いて直径7順
、肉厚0 、4 +n+++の円板状に成型した。この
成型円板を大気中400℃で2時間バインダアウトした
後、N2 90%、N2 10%からなる混合雰囲気中
で1420℃で2時間焼成して、直径Oon、肉厚0.
35mnの5rTi03を主成分とする半導体磁器素体
を得た。
loモル%に、Nb2O50,2モル%を添加し、湿式
ポットミルで混合した後に乾燥した。次に、これにバイ
ンダを加えて造粒した後、油圧プレスを用いて直径7順
、肉厚0 、4 +n+++の円板状に成型した。この
成型円板を大気中400℃で2時間バインダアウトした
後、N2 90%、N2 10%からなる混合雰囲気中
で1420℃で2時間焼成して、直径Oon、肉厚0.
35mnの5rTi03を主成分とする半導体磁器素体
を得た。
一方、拡散剤としてBi、Pbの金属成分を5.1の割
合で含有する有機系金属石ケンと有機系バインダとより
なる混合液を、敷粉として一般に用いられているZrO
2粉末に7.5重量%塗着さ半導体磁器素体を2:1に
混合した後、大気中1100℃で4時間熱処理した。第
1図において、3は拡散剤塗着後乾燥させた敷粉、5は
半導体磁器素体、6はサヤである。また、比較のため従
来通りの方法で、拡散剤としての金属成分を含有する上
記混合液を直接半導体磁器素体に均一に塗着した後、乾
燥させたものおよび乾燥させなかったものを第2図のよ
うにサヤ詰めして大気中1100℃で4時間熱処理した
。
合で含有する有機系金属石ケンと有機系バインダとより
なる混合液を、敷粉として一般に用いられているZrO
2粉末に7.5重量%塗着さ半導体磁器素体を2:1に
混合した後、大気中1100℃で4時間熱処理した。第
1図において、3は拡散剤塗着後乾燥させた敷粉、5は
半導体磁器素体、6はサヤである。また、比較のため従
来通りの方法で、拡散剤としての金属成分を含有する上
記混合液を直接半導体磁器素体に均一に塗着した後、乾
燥させたものおよび乾燥させなかったものを第2図のよ
うにサヤ詰めして大気中1100℃で4時間熱処理した
。
このようにして得られた粒界絶縁型半導体磁器の両面に
電極ペーストを塗布し、850℃で焼付けしてコンデン
サとした。
電極ペーストを塗布し、850℃で焼付けしてコンデン
サとした。
このようにして得られた半導体磁器コンデンサの素子接
着率、静電容量、静電容量のバラツキ。
着率、静電容量、静電容量のバラツキ。
見掛誘電率、誘電損失、絶縁抵抗、破壊電圧および静電
容量の温度特性を測定し、その結果を下記の第1表に示
す。
容量の温度特性を測定し、その結果を下記の第1表に示
す。
ここで、素子接着率は拡散処理された全素子数に対する
2枚以上接着した素子数で表わした値である。また、静
電容量、見掛誘電率および誘電損失は、IV、1kHz
の条件で測定し、絶縁抵抗は25Vの印加電圧で測定し
た。さらに、破壊電圧はコンデンサの電極間に1mA以
上の電流が流れる直前の電圧である。そして、静電容量
の温度特性は+20℃を基準として一25℃〜+85℃
の温度範囲で容量の変化率を算出した。また、静電出し
た。
2枚以上接着した素子数で表わした値である。また、静
電容量、見掛誘電率および誘電損失は、IV、1kHz
の条件で測定し、絶縁抵抗は25Vの印加電圧で測定し
た。さらに、破壊電圧はコンデンサの電極間に1mA以
上の電流が流れる直前の電圧である。そして、静電容量
の温度特性は+20℃を基準として一25℃〜+85℃
の温度範囲で容量の変化率を算出した。また、静電出し
た。
(以 下 余 白 )
第1表から明らかなように、従来法で乾燥を行っても完
全に素子間の接着現象を防止できなかったが、本発明の
方法を用いれば素子間の接着現象を防止することができ
、静電容量のバラツキを低下させながら、他の電気特性
は従来法とほとんど同等の値を保つことができるという
効果がある。
全に素子間の接着現象を防止できなかったが、本発明の
方法を用いれば素子間の接着現象を防止することができ
、静電容量のバラツキを低下させながら、他の電気特性
は従来法とほとんど同等の値を保つことができるという
効果がある。
また、実施例では敷粉としてZrO2の粉末を用いたが
、これは素子と反応しない材料であればどのようなもの
でも良い。
、これは素子と反応しない材料であればどのようなもの
でも良い。
発明の効果
以上のように本発明の方法によれば、拡散剤による素子
間の接着現象を防止し、電気特性のバラツキを低減させ
て、粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを歩留り良く製造
できるという効果が得られる。
間の接着現象を防止し、電気特性のバラツキを低減させ
て、粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを歩留り良く製造
できるという効果が得られる。
第1図は本発明の一実施例による方法を説明するための
熱処理時のサヤの構成を示す図、第2図は従来法による
熱処理時のサヤの構成を示す図である。 3・・・・・・拡散剤塗着後乾燥させた敷粉、4・・・
・・・半導体磁器素体、5・・・・・・サヤ。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 番1力)1名5−−
− fi” 笛 l 図 IE2図
熱処理時のサヤの構成を示す図、第2図は従来法による
熱処理時のサヤの構成を示す図である。 3・・・・・・拡散剤塗着後乾燥させた敷粉、4・・・
・・・半導体磁器素体、5・・・・・・サヤ。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 番1力)1名5−−
− fi” 笛 l 図 IE2図
Claims (1)
- あらかじめ拡散剤を塗着させた敷粉をチタン酸ストロン
チウムを主成分とする半導体磁器素体に接触させて熱処
理し、結晶粒界を絶縁化することを特徴とする粒界絶縁
型半導体磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12698589A JPH02305417A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12698589A JPH02305417A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02305417A true JPH02305417A (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=14948801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12698589A Pending JPH02305417A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02305417A (ja) |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP12698589A patent/JPH02305417A/ja active Pending
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