JPS63285920A - 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 - Google Patents
粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法Info
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- JPS63285920A JPS63285920A JP12043787A JP12043787A JPS63285920A JP S63285920 A JPS63285920 A JP S63285920A JP 12043787 A JP12043787 A JP 12043787A JP 12043787 A JP12043787 A JP 12043787A JP S63285920 A JPS63285920 A JP S63285920A
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- Pending
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は１粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術
従来、チタン酸ストロンチウムを主成分とする半導体磁
器は結晶粒界を絶縁化することによシ、大きな見掛誘電
率をもつコンデンサが得られることが知られている。こ
の粒界絶縁型半導体磁器コンデンサは小型で大容量が得
られることから、テレビジョン受像機、ビデオテープレ
コーダのカップリング回路等に使用され、さらに多くの
分野に応用されている。
器は結晶粒界を絶縁化することによシ、大きな見掛誘電
率をもつコンデンサが得られることが知られている。こ
の粒界絶縁型半導体磁器コンデンサは小型で大容量が得
られることから、テレビジョン受像機、ビデオテープレ
コーダのカップリング回路等に使用され、さらに多くの
分野に応用されている。
このような粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの結晶粒界
の絶縁化方法としては、拡散剤として金属酸化物とフェ
スからなる金属酸化物ペーストを半導体磁器に塗着させ
、乾燥させた後、大気中で熱処理を行うことによって、
結晶粒界に拡散させて絶縁化する方法と、上記金属酸化
物ペーストの代わりに、拡散剤の金属成分を含有する有
機系金属石ケンと有機系バインダよりなる混合液を半導
体磁器に塗着させ、同様に拡散させて絶縁化する方法（
特開昭５９−１７２２８号公報）がある。
の絶縁化方法としては、拡散剤として金属酸化物とフェ
スからなる金属酸化物ペーストを半導体磁器に塗着させ
、乾燥させた後、大気中で熱処理を行うことによって、
結晶粒界に拡散させて絶縁化する方法と、上記金属酸化
物ペーストの代わりに、拡散剤の金属成分を含有する有
機系金属石ケンと有機系バインダよりなる混合液を半導
体磁器に塗着させ、同様に拡散させて絶縁化する方法（
特開昭５９−１７２２８号公報）がある。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の方法では、熱処理時に拡散剤による素
子間の接着現象が起こるため、拡散剤塗着後に十分乾燥
させなければならず、それでも接着現象を完全に防止す
ることはできない。また、拡散剤塗着量にもバラツキが
生じることがあシ、これらの要因のため電気特性のバラ
ツキが大きくなシ、歩留シの低下を引き起こすという問
題があった。
子間の接着現象が起こるため、拡散剤塗着後に十分乾燥
させなければならず、それでも接着現象を完全に防止す
ることはできない。また、拡散剤塗着量にもバラツキが
生じることがあシ、これらの要因のため電気特性のバラ
ツキが大きくなシ、歩留シの低下を引き起こすという問
題があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、電気特性
のバラツキを低減させ１歩留りの良い粒界絶縁型半導体
磁器コンデンサを製造することを目的とするものである
。
のバラツキを低減させ１歩留りの良い粒界絶縁型半導体
磁器コンデンサを製造することを目的とするものである
。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明は、ノ・ニカム構造
の空洞部に拡散剤を塗着したものをサヤとして用い、そ
のサヤの上に半導体磁器を拡散剤と接触しないようにサ
ヤ詰めし、熱処理することによって結晶粒界を絶縁化す
ることを特徴とするものである。
の空洞部に拡散剤を塗着したものをサヤとして用い、そ
のサヤの上に半導体磁器を拡散剤と接触しないようにサ
ヤ詰めし、熱処理することによって結晶粒界を絶縁化す
ることを特徴とするものである。
作用
この構成のように、半導体磁器と拡散剤が接触しないよ
うにサヤ詰めすることによって、拡散剤による素子間あ
接着現象を防止することができ、しかも熱処理によって
あらかじめノ・ニカム構造の空洞部に塗着した拡散剤が
半導体磁器の粒界に拡散するので、従来の拡散方法によ
るものと同等の電気特性を保ちながら、そのバラツキだ
けを低減するという効果を持っている。また、ハニカム
構造のサヤの大きさによって拡散剤塗着量を定量化でき
るので、拡散剤塗着量によるバラツキも考慮する必要は
なくなる。
うにサヤ詰めすることによって、拡散剤による素子間あ
接着現象を防止することができ、しかも熱処理によって
あらかじめノ・ニカム構造の空洞部に塗着した拡散剤が
半導体磁器の粒界に拡散するので、従来の拡散方法によ
るものと同等の電気特性を保ちながら、そのバラツキだ
けを低減するという効果を持っている。また、ハニカム
構造のサヤの大きさによって拡散剤塗着量を定量化でき
るので、拡散剤塗着量によるバラツキも考慮する必要は
なくなる。
実施例
以下、実施例に基づき本発明の詳細な説明する。
まず、５ｒＴｉＯ３９０モ／ｌ／ ％ 、 ＣａＴｉ０
５１０ モ／ｌ／ ％ 。
５１０ モ／ｌ／ ％ 。
Ｎｂ２０５０，２モルチの組成比になるように配合し、
湿式ポットミルで混合した後乾燥した。次いで、ポリビ
ニルアルコール水溶液をバインダとして添加し、造粒し
た後、油圧プレスを用いて直径７７１ｒＮ 。
湿式ポットミルで混合した後乾燥した。次いで、ポリビ
ニルアルコール水溶液をバインダとして添加し、造粒し
た後、油圧プレスを用いて直径７７１ｒＮ 。
肉厚０．４１ｆｆｌｌ＋の円板に成型した。この成型円
板を大気中において４００ ’Ｃで２時間加熱した後、
９０％Ｎ２−１０４Ｈ２の混合ガス気流中において１４
２０°Ｃで２時間還元焼成して、直径６朋、肉厚０．３
５ＭＭの半導体磁器素体を得た。
板を大気中において４００ ’Ｃで２時間加熱した後、
９０％Ｎ２−１０４Ｈ２の混合ガス気流中において１４
２０°Ｃで２時間還元焼成して、直径６朋、肉厚０．３
５ＭＭの半導体磁器素体を得た。
拡散剤としては、組成として公知のＢｉ：ｓ５モル％、
Ｃｕ：３５モルチを含有する有機系金属石ケンと有機系
バインダよりなる混合液を用いた。
Ｃｕ：３５モルチを含有する有機系金属石ケンと有機系
バインダよりなる混合液を用いた。
そして、第２図に示すように、上記拡散剤混合液中にハ
ニカム構造を持ったＺｒＯｚ板を浸して、空洞内部に混
合液を塗着したものをサヤとして用いる。第２図におい
て、１はハニカム構造を持つＺｒＯ２サヤ、２は拡散剤
混合液である。次いで、第１図に示すようにそのサヤ１
の上に半導体磁器３をサヤ詰めし、大気中において１１
００℃で４時間熱処理した。第１図において、１はハニ
カム構造を持つＺｒＯ２サヤ、３は半導体磁器である。
ニカム構造を持ったＺｒＯｚ板を浸して、空洞内部に混
合液を塗着したものをサヤとして用いる。第２図におい
て、１はハニカム構造を持つＺｒＯ２サヤ、２は拡散剤
混合液である。次いで、第１図に示すようにそのサヤ１
の上に半導体磁器３をサヤ詰めし、大気中において１１
００℃で４時間熱処理した。第１図において、１はハニ
カム構造を持つＺｒＯ２サヤ、３は半導体磁器である。
比較のために、拡散剤混合液中に半導体磁器を直接浸し
た後乾燥させたものを、第３図のように拡散剤混合液を
塗着していないサヤに詰め、大気中において１１００℃
で４時間熱処理した。第３図において、４は拡散剤を塗
着した半導体磁器、６はサヤである。このようにして得
られた粒界絶縁型半導体磁器の両面に電極ペーストを塗
布し。
た後乾燥させたものを、第３図のように拡散剤混合液を
塗着していないサヤに詰め、大気中において１１００℃
で４時間熱処理した。第３図において、４は拡散剤を塗
着した半導体磁器、６はサヤである。このようにして得
られた粒界絶縁型半導体磁器の両面に電極ペーストを塗
布し。
８６０℃で焼付けてコンデンサとし、素子接着率。
見掛誘電率、誘電損失、破壊電圧、静電容量の温度特性
を測定し、静電容量のバラツキを算出した。
を測定し、静電容量のバラツキを算出した。
ここで、素子接着率は拡散された全素子数に対する２枚
以上液着した素子数で表わした値である。
以上液着した素子数で表わした値である。
また、見掛誘電率および誘電損失は、１Ｖ、１ｋｌ−１
２の条件で測定し、破壊電圧はコンデンサの電極間に１
ｍＡ以上の電流が流れる直前の電圧を測定した。さらに
、静電容量の温度特性は＋２０’Ｃを基準として一２６
°Ｃ〜＋８５°Ｃの温度範囲で静電容量の変化率を算出
した。まだ、静電容量のバ下記の表に測定結果を示す。
２の条件で測定し、破壊電圧はコンデンサの電極間に１
ｍＡ以上の電流が流れる直前の電圧を測定した。さらに
、静電容量の温度特性は＋２０’Ｃを基準として一２６
°Ｃ〜＋８５°Ｃの温度範囲で静電容量の変化率を算出
した。まだ、静電容量のバ下記の表に測定結果を示す。
（以下余白）
上記表から明らかなように、従来の方法では素子間の接
着現象を防止できなかったが、本発明の方法を用いれば
、素子間の接着現象を防止することができ、電気特性を
同様のレベルに保ちながら静電容量のバラツキだけを下
げることができる。
着現象を防止できなかったが、本発明の方法を用いれば
、素子間の接着現象を防止することができ、電気特性を
同様のレベルに保ちながら静電容量のバラツキだけを下
げることができる。
なお、実施例ではサヤの材質をＺｒＯ２としたが。
素子と反応しだシ、素子に影響を与えたシしない材料で
あればどのようなものでも良い。
あればどのようなものでも良い。
発明の効果
以上のように本発明の方法によれば、拡散剤による素子
間の接着現象を防止し、電気特性のバラツキだけを低減
させて、粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを歩留り良く
製造できるという効果が得られる。
間の接着現象を防止し、電気特性のバラツキだけを低減
させて、粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを歩留り良く
製造できるという効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例の熱処理時のサヤの構成を示
す斜視図、第２図は本発明の一実施例のサヤに拡散剤を
塗着する方法を示す斜視図、第３図は本発明と比較する
だめの従来法による熱処理時のサヤの構成を示す斜視図
である。 １・・・・・・ハニカム構造を持つＺｒＯ２サヤ、２・
・・・・拡散剤混合液、３・・・・半導体磁器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
２ 図 第３図 ４
す斜視図、第２図は本発明の一実施例のサヤに拡散剤を
塗着する方法を示す斜視図、第３図は本発明と比較する
だめの従来法による熱処理時のサヤの構成を示す斜視図
である。 １・・・・・・ハニカム構造を持つＺｒＯ２サヤ、２・
・・・・拡散剤混合液、３・・・・半導体磁器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
２ 図 第３図 ４
Claims (1)
- ハニカム構造の空洞部に拡散剤を塗着したものをサヤと
して用い、そのサヤの上に半導体磁器を拡散剤と接触し
ないようにサヤ詰めし、熱処理することによって結晶粒
界を絶縁化することを特徴とする粒界絶縁型半導体磁器
コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12043787A JPS63285920A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12043787A JPS63285920A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63285920A true JPS63285920A (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=14786185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12043787A Pending JPS63285920A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63285920A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102649642A (zh) * | 2011-02-24 | 2012-08-29 | 株式会社村田制作所 | 晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法 |
-
1987
- 1987-05-18 JP JP12043787A patent/JPS63285920A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102649642A (zh) * | 2011-02-24 | 2012-08-29 | 株式会社村田制作所 | 晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法 |
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