JP2853040B2 - 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ用電極ペースト - Google Patents
粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ用電極ペーストInfo
- Publication number
- JP2853040B2 JP2853040B2 JP62331614A JP33161487A JP2853040B2 JP 2853040 B2 JP2853040 B2 JP 2853040B2 JP 62331614 A JP62331614 A JP 62331614A JP 33161487 A JP33161487 A JP 33161487A JP 2853040 B2 JP2853040 B2 JP 2853040B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grain boundary
- electrode paste
- semiconductor ceramic
- weight
- insulated semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、チタン酸ストロンチウムを主成分とする
粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ用の電極ペーストに関
する。 〔従来の技術〕 チタン酸ストロンチウムを主成分とする半導体磁器の
粒界に適当な金属酸化物を拡散させて絶縁化することに
より、高誘電率を有する粒界絶縁型半導体磁器コンデン
サが幾つか実用化されている。 その場合これまでは、市場の小型大容量化の要求に応
えるべく、磁器材料の組成、あるいは半導体磁器の粒界
を絶縁化するために用いる拡散物質についての検討によ
り、実効誘電率を上げる取組が主として成されてきた。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、磁器材料組成や拡散物質の検討によって実
効誘電率を上げると、DCバイアス特性が悪くなり、小型
大容量の粒界絶縁型半導体磁器コンデンサには共通して
DCバイアス特性が悪いという欠点があった。 そこでこの発明は、これまであまり検討されていなか
った電極材料側を検討することによって、チタン酸スト
ロンチウムを主成分とする粒界絶縁型半導体磁器コンデ
ンサのDCバイアス特性を改善せんとするものである。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明の電極ペーストは、チタン酸ストロンチウム
を主成分とする粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ用のも
のであって、有機ビヒクルに、銀粉および銀粉100重量
部に対してガラスフリットを0.01〜0.4重量部かつ三二
酸化ビスマスを0.01〜５重量部分散させて成ることを特
徴とする。 〔作用〕 上記のような電極ペーストを、チタン酸ストロンチウ
ムを主成分とする粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの電
極材料として用いることによって、当該コンデンサのDC
バイアス特性が改善されることが確かめられた。 〔実施例〕 チタン酸ストロンチウムにイットリウムから成る原子
価制御元素を添加した原料を、湿式ポットミルで粉砕、
混合した後、脱水、乾燥し、バインダーとして酢酸ビニ
ルを約10％添加して造粒、整粒後、直径10mm、肉厚0.4m
mの円板に成形し、大気中において1150℃で２時間仮焼
し、次いて還元雰囲気中において1400℃で２時間焼成を
行い、直径約8mm、肉厚約0.35mmの円板を得た。 そしてこれに酸化銅、酸化ビスマスおよび酸化鉛から
成るペーストを塗布し乾燥後、大気中において900〜130
0℃で約１時間焼付けることによって、チタン酸ストロ
ンチウムを主成分とする粒界絶縁型半導体磁器ユニット
を得た。 そして、銀粉100重量部に対するガラスフリットと三
二酸化ビスマス（Bi2O3）の配合比率を種々に変えて調
合したものを有機ビヒクルに分散懸濁させて成る電極ペ
ーストを、スクリーン印刷法によって上記磁器ユニット
の両主面に塗布し、800℃で20分間加熱して焼付けを行
い電極を形成した。 このようにして得られた試料の特性を第１表に示す。 この表において、静電容量および誘電損失は、いずれ
も1KHz、0.1Vの交流電圧下で測定した値である。破壊電
圧は、直流電圧を印加して試料の電極間に1mA以上の電
流が流れる直前の電圧値である。DCバイアス特性は、直
流電圧25Vを15秒間印加した後の容量変化率の値であ
る。 尚、表中の＊印を付したものはこの発明の範囲外であ
り、それ以外は全てこの発明の範囲内のものである。 この表から分かるように、ガラスフリットと三二酸化
ビスマスの適量添加により、DCバイアス特性を改善する
ことができ、またその他の特性も実用上問題の無いもの
となる。 即ち、ガラスフリット量が0.01重量部未満では磁器ユ
ニットに対する電極の密着性が悪く、誘電損失の値も大
きくなり、0.4重量部を越えると電極が多孔室となり静
電容量も小さくなるため、いずれも好ましくない。 また、三二酸化ビスマスが0.01重量部未満ではDCバイ
アス特性の改善効果が表れず、５重量部を越えると静電
容量が半分以下となり誘電損失も大きくなるため、いず
れも好ましくない。 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明の電極ペーストによれば、チタ
ン酸ストロンチウムを主成分とする粒界絶縁型半導体磁
器コンデンサのDCバイアス特性を改善することができ
る。
粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ用の電極ペーストに関
する。 〔従来の技術〕 チタン酸ストロンチウムを主成分とする半導体磁器の
粒界に適当な金属酸化物を拡散させて絶縁化することに
より、高誘電率を有する粒界絶縁型半導体磁器コンデン
サが幾つか実用化されている。 その場合これまでは、市場の小型大容量化の要求に応
えるべく、磁器材料の組成、あるいは半導体磁器の粒界
を絶縁化するために用いる拡散物質についての検討によ
り、実効誘電率を上げる取組が主として成されてきた。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、磁器材料組成や拡散物質の検討によって実
効誘電率を上げると、DCバイアス特性が悪くなり、小型
大容量の粒界絶縁型半導体磁器コンデンサには共通して
DCバイアス特性が悪いという欠点があった。 そこでこの発明は、これまであまり検討されていなか
った電極材料側を検討することによって、チタン酸スト
ロンチウムを主成分とする粒界絶縁型半導体磁器コンデ
ンサのDCバイアス特性を改善せんとするものである。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明の電極ペーストは、チタン酸ストロンチウム
を主成分とする粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ用のも
のであって、有機ビヒクルに、銀粉および銀粉100重量
部に対してガラスフリットを0.01〜0.4重量部かつ三二
酸化ビスマスを0.01〜５重量部分散させて成ることを特
徴とする。 〔作用〕 上記のような電極ペーストを、チタン酸ストロンチウ
ムを主成分とする粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの電
極材料として用いることによって、当該コンデンサのDC
バイアス特性が改善されることが確かめられた。 〔実施例〕 チタン酸ストロンチウムにイットリウムから成る原子
価制御元素を添加した原料を、湿式ポットミルで粉砕、
混合した後、脱水、乾燥し、バインダーとして酢酸ビニ
ルを約10％添加して造粒、整粒後、直径10mm、肉厚0.4m
mの円板に成形し、大気中において1150℃で２時間仮焼
し、次いて還元雰囲気中において1400℃で２時間焼成を
行い、直径約8mm、肉厚約0.35mmの円板を得た。 そしてこれに酸化銅、酸化ビスマスおよび酸化鉛から
成るペーストを塗布し乾燥後、大気中において900〜130
0℃で約１時間焼付けることによって、チタン酸ストロ
ンチウムを主成分とする粒界絶縁型半導体磁器ユニット
を得た。 そして、銀粉100重量部に対するガラスフリットと三
二酸化ビスマス（Bi2O3）の配合比率を種々に変えて調
合したものを有機ビヒクルに分散懸濁させて成る電極ペ
ーストを、スクリーン印刷法によって上記磁器ユニット
の両主面に塗布し、800℃で20分間加熱して焼付けを行
い電極を形成した。 このようにして得られた試料の特性を第１表に示す。 この表において、静電容量および誘電損失は、いずれ
も1KHz、0.1Vの交流電圧下で測定した値である。破壊電
圧は、直流電圧を印加して試料の電極間に1mA以上の電
流が流れる直前の電圧値である。DCバイアス特性は、直
流電圧25Vを15秒間印加した後の容量変化率の値であ
る。 尚、表中の＊印を付したものはこの発明の範囲外であ
り、それ以外は全てこの発明の範囲内のものである。 この表から分かるように、ガラスフリットと三二酸化
ビスマスの適量添加により、DCバイアス特性を改善する
ことができ、またその他の特性も実用上問題の無いもの
となる。 即ち、ガラスフリット量が0.01重量部未満では磁器ユ
ニットに対する電極の密着性が悪く、誘電損失の値も大
きくなり、0.4重量部を越えると電極が多孔室となり静
電容量も小さくなるため、いずれも好ましくない。 また、三二酸化ビスマスが0.01重量部未満ではDCバイ
アス特性の改善効果が表れず、５重量部を越えると静電
容量が半分以下となり誘電損失も大きくなるため、いず
れも好ましくない。 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明の電極ペーストによれば、チタ
ン酸ストロンチウムを主成分とする粒界絶縁型半導体磁
器コンデンサのDCバイアス特性を改善することができ
る。
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フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭55−151320（ＪＰ，Ａ)
特開 昭53−89962（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名)
H01G 4/12
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．チタン酸ストロンチウムを主成分とする粒界絶縁型
半導体磁器コンデンサ用の電極ペーストであって、有機
ビヒクルに、銀粉および銀粉100重量部に対してガラス
フリットを0.01〜0.4重量部かつ三二酸化ビスマスを0.0
1〜５重量部分散させて成ることを特徴とする粒界絶縁
型半導体磁器コンデンサ用電極ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62331614A JP2853040B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ用電極ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62331614A JP2853040B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ用電極ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01171221A JPH01171221A (ja) | 1989-07-06 |
| JP2853040B2 true JP2853040B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=18245624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62331614A Expired - Lifetime JP2853040B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ用電極ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2853040B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5389962A (en) * | 1977-01-20 | 1978-08-08 | Murata Manufacturing Co | Capacitor employing semiconductor ceramic with insulating grain boundary |
| JPS55151320A (en) * | 1979-05-16 | 1980-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Silver paste for electrode of strontium titanate series grain boundary semiconductor porcelain capacitor |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62331614A patent/JP2853040B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01171221A (ja) | 1989-07-06 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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