JPH02303170A - 焦電形赤外線検出器 - Google Patents
焦電形赤外線検出器Info
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- JPH02303170A JPH02303170A JP1125569A JP12556989A JPH02303170A JP H02303170 A JPH02303170 A JP H02303170A JP 1125569 A JP1125569 A JP 1125569A JP 12556989 A JP12556989 A JP 12556989A JP H02303170 A JPH02303170 A JP H02303170A
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- Japan
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- substrate
- pyroelectric
- thermal conductivity
- infrared detector
- wiring pattern
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- Granted
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2031/00—Other particular articles
- B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
- B29L2031/3493—Moulded interconnect devices, i.e. moulded articles provided with integrated circuit traces
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
この発明は、焦電形赤外線検出器に関し、さらに詳しく
は、特性に優れ、製造が容易な焦電形赤外線検出器に関
する。
は、特性に優れ、製造が容易な焦電形赤外線検出器に関
する。
［従来の技術］
従来の焦電形赤外線検出器の一例について第４図〜第８
図を参照して説明する。
図を参照して説明する。
第４図〜第６図に示す従来の焦電形赤外線検出器５１は
、焦電体受光素子２と、その焦電体受光素子２を浮せバ
ッド５３で受かせて支持すると共に表面に配線パターン
５４および抵抗５７が形成されたアルミナ［熱伝導度０
、０７ ｃａｌ／ｃｍ−ｓｅｃ−”ｃ。
、焦電体受光素子２と、その焦電体受光素子２を浮せバ
ッド５３で受かせて支持すると共に表面に配線パターン
５４および抵抗５７が形成されたアルミナ［熱伝導度０
、０７ ｃａｌ／ｃｍ−ｓｅｃ−”ｃ。
比誘電率１０．抵抗１ｏ１３Ωｃｍ以上］製の基板５５
と、その基板５５に装着されたＦＥＴチップ５６とを具
備して基本的になっている。８はピン。
と、その基板５５に装着されたＦＥＴチップ５６とを具
備して基本的になっている。８はピン。
９はベースである。
第７図はその電気回路である。
第８図は上記焦電形赤外線検出器５１の製造方法の基本
的部分を示すフローチャートで、所定形状に成形したア
ルミナ板にシルク印刷および焼付により電極５４と抵抗
５７とを形成して基板５５とし、次にＦＥＴチップ５６
を半田付けし、その基板５５をベース９上に半田付けす
る。次いで基板５５上に導電性ペーストを盛り上げ、表
面を平らにし、適度に硬化させて受光素子浮せバッド５
３とし、その浮せバッド５３上に焦電体受光素子２を接
着するものである。
的部分を示すフローチャートで、所定形状に成形したア
ルミナ板にシルク印刷および焼付により電極５４と抵抗
５７とを形成して基板５５とし、次にＦＥＴチップ５６
を半田付けし、その基板５５をベース９上に半田付けす
る。次いで基板５５上に導電性ペーストを盛り上げ、表
面を平らにし、適度に硬化させて受光素子浮せバッド５
３とし、その浮せバッド５３上に焦電体受光素子２を接
着するものである。
［発明が解決しようとする課題］
焦電体受光素子は赤外線による温度変化を検出するもの
であるため、他と熱的にアイソレートされる必要がある
。
であるため、他と熱的にアイソレートされる必要がある
。
そこで上記従来の焦電形赤外線検出器５１では、浮せパ
ッド５３により焦電体受光素子２を基板５５から浮かせ
、熱的に独立させている。
ッド５３により焦電体受光素子２を基板５５から浮かせ
、熱的に独立させている。
しかし、浮せパッド５３を通じての熱の授受があるため
、熱的アイソレートが不十分である。また、浮せパッド
を精度良く形成するのは極めて困難であるため、焦電体
受光素子２の熱的アイソレートにバラツキを生じ、それ
が特性のバラツキの原因になっている。さらに、一つの
焦電体受光素子を支持する複数の浮せパッド５３を通じ
ての熱の授受にアンバランスを生じ、これが不平衡電圧
によるノイズを発生させる原因になっている。
、熱的アイソレートが不十分である。また、浮せパッド
を精度良く形成するのは極めて困難であるため、焦電体
受光素子２の熱的アイソレートにバラツキを生じ、それ
が特性のバラツキの原因になっている。さらに、一つの
焦電体受光素子を支持する複数の浮せパッド５３を通じ
ての熱の授受にアンバランスを生じ、これが不平衡電圧
によるノイズを発生させる原因になっている。
また、浮せパッド５３を形成する工程には比較的時間が
かかり、生産性向上のネックになっている。
かかり、生産性向上のネックになっている。
そこで、この発明の目的は、浮せパッド５３が不要な構
造とすることにより上記問題点を解消した焦電形赤外線
検出器を提供することにある。
造とすることにより上記問題点を解消した焦電形赤外線
検出器を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
この発明の焦電形赤外線検出器は、焦電体受光素子と、
その焦電体受光素子の中央部を受かせて両端部を支持す
る素子支持部を有し１表面に配線パターンが形成され、
熱伝導度０ 、０２ ｃａｔ／ｃｍ−ｓｅＣ−Ｃ以下の
セラミックからなる基板と、その基板に装着されたチッ
プ部品とを具備してなることを構成上の特徴とするもの
である。
その焦電体受光素子の中央部を受かせて両端部を支持す
る素子支持部を有し１表面に配線パターンが形成され、
熱伝導度０ 、０２ ｃａｔ／ｃｍ−ｓｅＣ−Ｃ以下の
セラミックからなる基板と、その基板に装着されたチッ
プ部品とを具備してなることを構成上の特徴とするもの
である。
［作用コ
この発明の焦電形赤外線検出器では、基板の熱伝導度か
０ 、０２ ｃａｌ／ｃｍ−ｓｅｃパＣ以下であり、従
来のアルミナに比べて３分の１以下である。また、焦電
体受光素子と基板は、焦電体受光素子の両端部でだけ接
触する。したがって、焦電体受光素子を基板の素子支持
部で直接支持しても十分に熱的にアイソレートできる。
０ 、０２ ｃａｌ／ｃｍ−ｓｅｃパＣ以下であり、従
来のアルミナに比べて３分の１以下である。また、焦電
体受光素子と基板は、焦電体受光素子の両端部でだけ接
触する。したがって、焦電体受光素子を基板の素子支持
部で直接支持しても十分に熱的にアイソレートできる。
そこで、浮せパッドの形成が不要になると共に、特性の
バラツキや不平衡電圧によるノイズを生じない。また、
比較的時間のかかる工程がなくなるため、生産性を向上
できるようになる。
バラツキや不平衡電圧によるノイズを生じない。また、
比較的時間のかかる工程がなくなるため、生産性を向上
できるようになる。
［実施例］
以下、図に示す実施例に基づいてこの発明をさらに詳し
く説明する。なお、これによりこの発明が限定されるも
のではない。
く説明する。なお、これによりこの発明が限定されるも
のではない。
第１図に示すこの発明の一実施例の焦電形赤外線検出器
１において、焦電体受光素子２は従来と同様のものであ
る。
１において、焦電体受光素子２は従来と同様のものであ
る。
基板５は熱伝導度０ 、０２ ｃａｌ／ｃｍ−ｓｅｃ・
℃以下のセラミック材料製である。このような材料とし
ては、（Ｍｇ Ｃａ） Ｔ ｉ０３系セラミック［熱伝
導度０．０１７ ｃａｌ／ｃｍ−ｓｅｃ−・℃、比誘電
率２０．抵抗１０１ａΩｃｍ以上コやＢ ａ Ｏ−３ｉ
Ｏ□−Ａ Ｉ２Ｏ３系セラミック［熱伝導度０ 、
ＯＯ４ｃａｌ／ｃｍ−ｓｅＣ・°ｃ、比誘電率６．抵
抗１０１３Ωｃｍ以上］を用いることが出来る。熱転導
度、比誘電率は小さいほど好ましく、抵抗（体積固有抵
抗）は高いほど好ましい。
℃以下のセラミック材料製である。このような材料とし
ては、（Ｍｇ Ｃａ） Ｔ ｉ０３系セラミック［熱伝
導度０．０１７ ｃａｌ／ｃｍ−ｓｅｃ−・℃、比誘電
率２０．抵抗１０１ａΩｃｍ以上コやＢ ａ Ｏ−３ｉ
Ｏ□−Ａ Ｉ２Ｏ３系セラミック［熱伝導度０ 、
ＯＯ４ｃａｌ／ｃｍ−ｓｅＣ・°ｃ、比誘電率６．抵
抗１０１３Ωｃｍ以上］を用いることが出来る。熱転導
度、比誘電率は小さいほど好ましく、抵抗（体積固有抵
抗）は高いほど好ましい。
基板５の形状は、焦電体受光素子２の中央部を浮かせて
両端部を素子支持部３，３で支持しうるように、凹形状
になっている。
両端部を素子支持部３，３で支持しうるように、凹形状
になっている。
また、基板５の表面には、パッド式転写印刷を用いて銀
電極による配線パターン４か形成されている。パッド式
転写印刷を用いることにより１回で立体物に配線パター
ン４を形成できるので製造が容易になる。
電極による配線パターン４か形成されている。パッド式
転写印刷を用いることにより１回で立体物に配線パター
ン４を形成できるので製造が容易になる。
この基板５はベース９にのせられ、さらに基板５のα部
分にはＦＥＴチッ７“６がのせられ、β部分には抵抗チ
ップ７かのせられる。
分にはＦＥＴチッ７“６がのせられ、β部分には抵抗チ
ップ７かのせられる。
そして、ソルダーペースト／リフローにより半田付けさ
れる。
れる。
また、基板５の素子支持部３．３に焦電体受光素子２の
両端部が接着される。熱伝導を抑えるために導電性エポ
キシ接着剤を用いて接着するのが好ましい。
両端部が接着される。熱伝導を抑えるために導電性エポ
キシ接着剤を用いて接着するのが好ましい。
さらに、光学フィルタ１ｏを窓にもつケース１１にて密
封し、Ｎ２ガスが充填される。
封し、Ｎ２ガスが充填される。
第２図は上記焦電形赤外線検出器１の製造方法の基本部
分を示すフローチャートである。
分を示すフローチャートである。
また、第３図は電気回路図である。
［発明の効果］
この発明の焦電形赤外線検出器によれば次のような効果
が得られる。
が得られる。
■焦電体受光素子を基板に直接に支持させる構造とした
ため、浮せパッドの形成工程が不要となり、製造が容易
になる。また、機械的強度が向上し、衝撃、振動に耐え
られるようになる。
ため、浮せパッドの形成工程が不要となり、製造が容易
になる。また、機械的強度が向上し、衝撃、振動に耐え
られるようになる。
■熱伝導度の低いセラミック基板を用い、焦電体受光素
子を両端部だけで支持する構造としたため、熱的アイソ
レーションが良好となり、特性のバラツキが少なくなる
。また、不平衡電圧によるノイズが発生しなくなる。
子を両端部だけで支持する構造としたため、熱的アイソ
レーションが良好となり、特性のバラツキが少なくなる
。また、不平衡電圧によるノイズが発生しなくなる。
第１図はこの発明の一実施例の焦電形赤外線検出器の分
解斜視図、第２図は第１図に示す焦電形赤外線検出器の
製造方法のフローチャート、第３図は同電気回路図、第
４図は従来の焦電形赤外線検出器の一例の上面図、第５
図は同側面図、第６図は第４図に示す焦電形赤外線検出
器の基板の底面図、第７図は第４図に示す焦電形赤外線
検出器の電気回路図、第８図は同焦電形赤外線検出器の
製造方法のフローチャートである。 （符号の説明） １・・・焦電形赤外線検出器 ２・・・焦電体受光素子 ３・・・素子支持部 ４・・・配線パターン ５・・・基板 ６・・・ＦＥＴチップ ７・・・抵抗チップ。
解斜視図、第２図は第１図に示す焦電形赤外線検出器の
製造方法のフローチャート、第３図は同電気回路図、第
４図は従来の焦電形赤外線検出器の一例の上面図、第５
図は同側面図、第６図は第４図に示す焦電形赤外線検出
器の基板の底面図、第７図は第４図に示す焦電形赤外線
検出器の電気回路図、第８図は同焦電形赤外線検出器の
製造方法のフローチャートである。 （符号の説明） １・・・焦電形赤外線検出器 ２・・・焦電体受光素子 ３・・・素子支持部 ４・・・配線パターン ５・・・基板 ６・・・ＦＥＴチップ ７・・・抵抗チップ。
Claims (1)
- １、焦電体受光素子と、その焦電体受光素子の中央部を
受かせて両端部を支持する素子支持部を有し、表面に配
線パターンが形成され、熱伝導度０．０２ｃａｌ／ｃｍ
・ｓｅｃ・℃以下のセラミックからなる基板と、その基
板に装着されたチップ部品とを具備してなることを特徴
とする焦電形赤外線検出器。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1125569A JP2816446B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 焦電形赤外線検出器 |
| DE69011199T DE69011199T2 (de) | 1989-05-18 | 1990-05-17 | Pyroelektrischer IR-Sensor. |
| EP90305348A EP0398725B1 (en) | 1989-05-18 | 1990-05-17 | Pyroelectric IR - sensor |
| US07/879,473 US5270555A (en) | 1989-05-18 | 1992-05-07 | Pyroelectric IR-sensor with a molded inter connection device substrate having a low thermal conductivity coefficient |
| US07/998,891 US5323025A (en) | 1989-05-18 | 1992-12-29 | Pyroelectric IR-sensor having a low thermal conductive ceramic substrate |
| US08/021,371 US5344518A (en) | 1989-05-18 | 1993-02-23 | Pyroelectric IR-sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1125569A JP2816446B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 焦電形赤外線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02303170A true JPH02303170A (ja) | 1990-12-17 |
| JP2816446B2 JP2816446B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14913435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1125569A Expired - Lifetime JP2816446B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 焦電形赤外線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2816446B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04107863U (ja) * | 1991-03-02 | 1992-09-17 | 株式会社堀場製作所 | 赤外線検出器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59122920A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 焦電型赤外線センサの製造方法 |
| JPS6191528A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-09 | Toshiba Corp | 焦電形赤外線検出素子 |
-
1989
- 1989-05-18 JP JP1125569A patent/JP2816446B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59122920A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 焦電型赤外線センサの製造方法 |
| JPS6191528A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-09 | Toshiba Corp | 焦電形赤外線検出素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04107863U (ja) * | 1991-03-02 | 1992-09-17 | 株式会社堀場製作所 | 赤外線検出器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2816446B2 (ja) | 1998-10-27 |
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Legal Events
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