JPH0230172B2 - - Google Patents
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- JPH0230172B2 JPH0230172B2 JP61032379A JP3237986A JPH0230172B2 JP H0230172 B2 JPH0230172 B2 JP H0230172B2 JP 61032379 A JP61032379 A JP 61032379A JP 3237986 A JP3237986 A JP 3237986A JP H0230172 B2 JPH0230172 B2 JP H0230172B2
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- repeating pattern
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- mask
- pitch
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Links
- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体の焼き付け装置におけるウエハ
ー上の繰返しパターンとマスク上の繰返しパター
ンの位置合わせ装置に関する。
ー上の繰返しパターンとマスク上の繰返しパター
ンの位置合わせ装置に関する。
（従来の技術）
従来から半導体等の焼き付け装置において、ウ
エハとマスクの位置合せを行う装置として、ウエ
ハ上の繰返しパターンとマスク上の繰返しパター
ン間の位置合わせを行う装置が知られている。
エハとマスクの位置合せを行う装置として、ウエ
ハ上の繰返しパターンとマスク上の繰返しパター
ン間の位置合わせを行う装置が知られている。
このような従来公知の位置合わせ装置として
は、特開昭56−122128号公報に記載された装置が
知られいる。
は、特開昭56−122128号公報に記載された装置が
知られいる。
特開昭56−122128号公報に記載された位置合わ
せ装置は、ウエハ上とマスク上に形成された位置
合わせ用の繰返しパターンのうち一方の繰返しパ
ターンをあらかじめ定められたピツチとし、他方
の繰返しパターンを同一のピツチで繰り返される
約半数の第１の繰返しパターン群と、この第１の
繰返しパターンのピツチと1/2だけ位相をずらし、
かつピツチ間隔を第１の繰返しパターンと同一と
した第２の繰り返しパターン群とから構成するこ
とにより、“０”電位による位置合わせを可能に
したものである。
せ装置は、ウエハ上とマスク上に形成された位置
合わせ用の繰返しパターンのうち一方の繰返しパ
ターンをあらかじめ定められたピツチとし、他方
の繰返しパターンを同一のピツチで繰り返される
約半数の第１の繰返しパターン群と、この第１の
繰返しパターンのピツチと1/2だけ位相をずらし、
かつピツチ間隔を第１の繰返しパターンと同一と
した第２の繰り返しパターン群とから構成するこ
とにより、“０”電位による位置合わせを可能に
したものである。
この装置を第４図ないし第６図を参照して説明
する。
する。
第４図において、１１はパターン投影用のレン
ズ、１２はマスク、１３はウエハ、１４，１５，
１６はパターン焼き付け用の光の方向を示す。ま
た１７はレーザ光源であり、１８は発射されたレ
ーザ光の軌跡、１９はこのレーザ光の正反射した
軌跡、２０はウエハ上の繰返しパターンで乱反射
した光の軌跡、２１はウエハ上の繰返しパターン
がレンズ１１を通してマスク１２に投影する光の
軌跡である。
ズ、１２はマスク、１３はウエハ、１４，１５，
１６はパターン焼き付け用の光の方向を示す。ま
た１７はレーザ光源であり、１８は発射されたレ
ーザ光の軌跡、１９はこのレーザ光の正反射した
軌跡、２０はウエハ上の繰返しパターンで乱反射
した光の軌跡、２１はウエハ上の繰返しパターン
がレンズ１１を通してマスク１２に投影する光の
軌跡である。
この構成において、ウエハ１３上の位置合わせ
用の繰返しパターンはレーザ光源１７からのレー
ザ光で照射され検出器２２Ａおよび２２Ｂで光の
強さが検出される。第４図では検出器は１個しか
示していないが、実際には繰返しパターンに沿つ
て２個配置されている。
用の繰返しパターンはレーザ光源１７からのレー
ザ光で照射され検出器２２Ａおよび２２Ｂで光の
強さが検出される。第４図では検出器は１個しか
示していないが、実際には繰返しパターンに沿つ
て２個配置されている。
第５図はマスクとウエハ上に形成された位置合
わせ用の繰返しパターンの一例を示すもので、２
３がマスク上の繰返しパターン、２４がウエハ上
の繰返しパターンであつてこれらの繰返しパター
ンの間隔は同一とされている。なおマスク上の繰
返しパターン２３とウエハ上の繰返しパターン２
４とはその形成される対象が逆であつても差支え
ない。図中２５は反射部分、２６は非反射部分で
ある。マスク上の繰返しパターン２３の部分には
２７，２８で示す多数の光を通過させる矩形の窓
２８と非透過部分２３とが同一間隔で、かつＡ，
Ｂの部分で1/2ピツチ位相をずらせて形成されて
いる。そして、ウエハ１３上の繰返しパターン２
４の反射部分２５から発した光は、マスク１２上
の矩形の窓２７または２８を通り、窓２７を通つ
た光は検出器２２Ａに、窓２８を通つた光は検出
器２２Ｂに検出されるようになつている。
わせ用の繰返しパターンの一例を示すもので、２
３がマスク上の繰返しパターン、２４がウエハ上
の繰返しパターンであつてこれらの繰返しパター
ンの間隔は同一とされている。なおマスク上の繰
返しパターン２３とウエハ上の繰返しパターン２
４とはその形成される対象が逆であつても差支え
ない。図中２５は反射部分、２６は非反射部分で
ある。マスク上の繰返しパターン２３の部分には
２７，２８で示す多数の光を通過させる矩形の窓
２８と非透過部分２３とが同一間隔で、かつＡ，
Ｂの部分で1/2ピツチ位相をずらせて形成されて
いる。そして、ウエハ１３上の繰返しパターン２
４の反射部分２５から発した光は、マスク１２上
の矩形の窓２７または２８を通り、窓２７を通つ
た光は検出器２２Ａに、窓２８を通つた光は検出
器２２Ｂに検出されるようになつている。
第５図の状態では、マスク１２上の繰返しパタ
ーンとウエハ１３上の繰返しパターンとがＡの範
囲においては完全に合致し、Ｂの部分では完全に
ずれているため、検出器２２Ａの出力は最大とな
り、検出器２２Ｂの出力は最低となつている。
ーンとウエハ１３上の繰返しパターンとがＡの範
囲においては完全に合致し、Ｂの部分では完全に
ずれているため、検出器２２Ａの出力は最大とな
り、検出器２２Ｂの出力は最低となつている。
次にウエハを矢印Ｘの方向に動かしていくと、
Ａの範囲では窓２７と反射部分２５の重なりが
徐々に減少していくため、検出器２２Ａの出力は
徐々に減少していき、Ｂの範囲では窓２８と反射
部分２５の重なりが徐々に増加していくため、検
出器２２Ｂの出力は徐々に増加していく。そして
ウエハが矢印Ｘ方向に1/2ピツチだけ動いたとき
に、検出器２２Ａ，２２Ｂの出力は完全に逆転
し、１ピツチ動くと上記の関係は元に戻ることに
なる。
Ａの範囲では窓２７と反射部分２５の重なりが
徐々に減少していくため、検出器２２Ａの出力は
徐々に減少していき、Ｂの範囲では窓２８と反射
部分２５の重なりが徐々に増加していくため、検
出器２２Ｂの出力は徐々に増加していく。そして
ウエハが矢印Ｘ方向に1/2ピツチだけ動いたとき
に、検出器２２Ａ，２２Ｂの出力は完全に逆転
し、１ピツチ動くと上記の関係は元に戻ることに
なる。
第６図ａは上記の検出器２２Ａ，２２Ｂの出力
電圧と矢印Ｘ方向へのウエハの移動量の関係を示
したものであり、横軸がマスク１２とウエハ１３
の相対移動量を示し、縦軸は検出器の出力電圧を
示す。図中w1が検出器２２Ａの出力電圧を示し、
w2が検出器２２Ｂの出力電圧を示している。同
図において、ａおよびｂで示す点は、マスク１２
とウエハ１３が第５図の位置関係にあるときのも
ので、ウエハが第５図の矢印Ｘ方向へ移動するに
つれて、検出器の出力電圧は第６図ａの矢印Ｘで
示す方向に変つていく。ｃの点は．ウエハが1/2
ピツチだけ動いたときの各検出器の出力電圧であ
り、検出器２２Ａの出力電圧と検出器２２Ｂの出
力電圧とが等しくなつている。
電圧と矢印Ｘ方向へのウエハの移動量の関係を示
したものであり、横軸がマスク１２とウエハ１３
の相対移動量を示し、縦軸は検出器の出力電圧を
示す。図中w1が検出器２２Ａの出力電圧を示し、
w2が検出器２２Ｂの出力電圧を示している。同
図において、ａおよびｂで示す点は、マスク１２
とウエハ１３が第５図の位置関係にあるときのも
ので、ウエハが第５図の矢印Ｘ方向へ移動するに
つれて、検出器の出力電圧は第６図ａの矢印Ｘで
示す方向に変つていく。ｃの点は．ウエハが1/2
ピツチだけ動いたときの各検出器の出力電圧であ
り、検出器２２Ａの出力電圧と検出器２２Ｂの出
力電圧とが等しくなつている。
次に第６図ｂのw3で示すカーブは、検出器２
２Ａの出力電圧と検出器２２Ｂの出力電圧を減算
器で減算処理したカーブである。同図から明らか
なように、このカーブは“０”電位を中心として
正負に振れるものとなる。ここでｎで示す点は第
６図ａのｃ点に対応するもので検出器２２Ａと２
２Ｂの出力電圧が等しいとき、すなわちウエハが
Ｘ方向に1/2ピツチだけ動いたときのものである。
２Ａの出力電圧と検出器２２Ｂの出力電圧を減算
器で減算処理したカーブである。同図から明らか
なように、このカーブは“０”電位を中心として
正負に振れるものとなる。ここでｎで示す点は第
６図ａのｃ点に対応するもので検出器２２Ａと２
２Ｂの出力電圧が等しいとき、すなわちウエハが
Ｘ方向に1/2ピツチだけ動いたときのものである。
したがつてこの状態を位置合わせのできた状態
としておけば、第６図ｂの“０”電位を参照して
マスク１２とウエハ１３の位置合わせを行うこと
ができる。
としておけば、第６図ｂの“０”電位を参照して
マスク１２とウエハ１３の位置合わせを行うこと
ができる。
ところで一般にウエハ上の反射部分２５は位置
によつて反射率に若干の差があり、また繰返しパ
ターンの配列方向と直角の方向へのずれも考えら
れ、さらにレーザ光源１７も時間とともに光量が
変化することが考えらえるが、この装置ではＡの
部分とＢの部分とは互いの変化分が相殺されるの
でＳ／Ｎ比が良く、物体および入射光の変化の影
響を受けないという利点がある。またこの装置は
反射光のみを利用するのでマスクとウエハ間のギ
ヤツプの影響を受けないという利点もある。
によつて反射率に若干の差があり、また繰返しパ
ターンの配列方向と直角の方向へのずれも考えら
れ、さらにレーザ光源１７も時間とともに光量が
変化することが考えらえるが、この装置ではＡの
部分とＢの部分とは互いの変化分が相殺されるの
でＳ／Ｎ比が良く、物体および入射光の変化の影
響を受けないという利点がある。またこの装置は
反射光のみを利用するのでマスクとウエハ間のギ
ヤツプの影響を受けないという利点もある。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、特開昭56−122128号公報に記載
された位置合わせ装置は、マスクとウエハとが相
対移動する際、窓が矩形であるため移動距離と光
量の変化がほぼ比例し、“０”電位付近と“０”
電位から離れた位置とで移動量に対する電圧変化
が等しいため、“０”電位付近における微妙な位
わせが困難であるという問題があつた。
された位置合わせ装置は、マスクとウエハとが相
対移動する際、窓が矩形であるため移動距離と光
量の変化がほぼ比例し、“０”電位付近と“０”
電位から離れた位置とで移動量に対する電圧変化
が等しいため、“０”電位付近における微妙な位
わせが困難であるという問題があつた。
本発明はかかる従来の難点を解消すべくなされ
たもので、“０”電位付近における移動量に対す
る光量変化を大きくして、“０”電位付近におけ
る微妙な位置合わせを容易にすることを目的とす
る。
たもので、“０”電位付近における移動量に対す
る光量変化を大きくして、“０”電位付近におけ
る微妙な位置合わせを容易にすることを目的とす
る。
（問題点を解決するための手段）
本発明はかかる目的を達成するため、第１の繰
り返しパターンと第２の繰り返しパターンからな
り、前記第１の繰り返しパターンと前記第２の繰
り返しパターンのうち、一方は非透過部に設けら
れた複数の透孔であり、他方は非反射部に設けら
れた複数の反射部であり、前記第１の繰り返しパ
ターンと前記第２の繰り返しパターンのうち、一
方は一定間隔ピツチの繰り返しパターンであり、
他方は前記ピツチと同一ピツチの部分と、前記ピ
ツチと略1/2ピツチ分ずれたピツチの部分を有す
る繰り返しパターンであり、前記第１の繰り返し
パターンと前記第２の繰り返しパターンのうち、
いずれかのパターンの単位の形状は、配列方向の
中央部が最も幅広で両端部に向かい順次幅狭とし
たものであり、前記第１の繰り返しパターンと前
記第２の繰り返しパターンを一定のギヤツプをお
いて重ね、光を照射し反射光の強度の変化によつ
て前記第１の繰り返しパターンと前記第２の繰り
返しパターンの位置合せを行う位置合わせ装置で
ある。
り返しパターンと第２の繰り返しパターンからな
り、前記第１の繰り返しパターンと前記第２の繰
り返しパターンのうち、一方は非透過部に設けら
れた複数の透孔であり、他方は非反射部に設けら
れた複数の反射部であり、前記第１の繰り返しパ
ターンと前記第２の繰り返しパターンのうち、一
方は一定間隔ピツチの繰り返しパターンであり、
他方は前記ピツチと同一ピツチの部分と、前記ピ
ツチと略1/2ピツチ分ずれたピツチの部分を有す
る繰り返しパターンであり、前記第１の繰り返し
パターンと前記第２の繰り返しパターンのうち、
いずれかのパターンの単位の形状は、配列方向の
中央部が最も幅広で両端部に向かい順次幅狭とし
たものであり、前記第１の繰り返しパターンと前
記第２の繰り返しパターンを一定のギヤツプをお
いて重ね、光を照射し反射光の強度の変化によつ
て前記第１の繰り返しパターンと前記第２の繰り
返しパターンの位置合せを行う位置合わせ装置で
ある。
（作用）
本発明によれば、繰返しパターンを構成する繰
返し単位の形状を、その配列方向の中央部が最も
幅広で両端に向けて順次幅狭となる形状としたの
で、繰返しパターンの開口比率が中央付近で最も
大きくなり、位置合わせ付近における移動距離に
対する光量変化が最も大きくなつて、迅速で高精
度の位置合わせを行なうことが可能となる。
返し単位の形状を、その配列方向の中央部が最も
幅広で両端に向けて順次幅狭となる形状としたの
で、繰返しパターンの開口比率が中央付近で最も
大きくなり、位置合わせ付近における移動距離に
対する光量変化が最も大きくなつて、迅速で高精
度の位置合わせを行なうことが可能となる。
（実施例）
以下本発明の一実施例について説明する。
なお、本発明は繰返しパターンを構成する繰返
し単位の形状が異なる点を除いて、第４図で説明
した従来の装置と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して説明し重複する図示を省略す
る。
し単位の形状が異なる点を除いて、第４図で説明
した従来の装置と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して説明し重複する図示を省略す
る。
第１図は、本発明の位置合わせ装置に用いられ
るウエハよおびマスク上に形成された位置合わせ
用の繰返しパターンの一例を示すもので、１がマ
スク上の繰返しパターン、２がウエハ上の繰返し
パターンであつてこれらの繰返しパターンの間隔
は同一とされている。なおマスク上の繰返しパタ
ーン１とウエハ上の繰返しパターン２とは逆であ
つても差支えない。図中３は反射部分、４は非反
射部分である。マスク上の繰返しパターン２の部
分には５，６で示される多数の光を通過させる菱
形の窓と非透過部分とが同一間隔で、かつＡ，Ｂ
の部分で1/2ピツチ位相をずらせて形成されてい
る。そして、ウエハ上の繰返しパターン２の反射
部分３から発した光は、マスク上の菱形の窓５，
６を通つて、窓５を通つた光は検出器２２Ａに、
窓６を通つた光は検出器２２Ｂに検出されるよう
になつている。
るウエハよおびマスク上に形成された位置合わせ
用の繰返しパターンの一例を示すもので、１がマ
スク上の繰返しパターン、２がウエハ上の繰返し
パターンであつてこれらの繰返しパターンの間隔
は同一とされている。なおマスク上の繰返しパタ
ーン１とウエハ上の繰返しパターン２とは逆であ
つても差支えない。図中３は反射部分、４は非反
射部分である。マスク上の繰返しパターン２の部
分には５，６で示される多数の光を通過させる菱
形の窓と非透過部分とが同一間隔で、かつＡ，Ｂ
の部分で1/2ピツチ位相をずらせて形成されてい
る。そして、ウエハ上の繰返しパターン２の反射
部分３から発した光は、マスク上の菱形の窓５，
６を通つて、窓５を通つた光は検出器２２Ａに、
窓６を通つた光は検出器２２Ｂに検出されるよう
になつている。
第１図の状態では、マスク１２上の繰返しパタ
ーン１とウエハ１３上の繰返しパターン２とがＡ
の範囲においては完全に合致し、Ｂの部分では完
全にずれているため、検出器２２Ａの出力は最大
となり、検出器２２Ｂの出力は最低となる。次に
ウエハを矢印Ｘの方向に動かしていくと、Ａの範
囲では窓５と反射部分３の重なりが徐々に減少し
ていくため、検出器２２Ａの出力は徐々に減少し
ていき、Ｂの範囲では窓６と反射部分３の重なり
が徐々に増加していくため、検出器２２Ｂの出力
は徐々に増加していく。そしてウエハが矢印Ｘ方
向に1/2ピツチだけ動いたときに、検出器２２Ａ，
２２Ｂの出力は完全に逆転し、１ピツチ動くと上
記の関係は元に戻る。
ーン１とウエハ１３上の繰返しパターン２とがＡ
の範囲においては完全に合致し、Ｂの部分では完
全にずれているため、検出器２２Ａの出力は最大
となり、検出器２２Ｂの出力は最低となる。次に
ウエハを矢印Ｘの方向に動かしていくと、Ａの範
囲では窓５と反射部分３の重なりが徐々に減少し
ていくため、検出器２２Ａの出力は徐々に減少し
ていき、Ｂの範囲では窓６と反射部分３の重なり
が徐々に増加していくため、検出器２２Ｂの出力
は徐々に増加していく。そしてウエハが矢印Ｘ方
向に1/2ピツチだけ動いたときに、検出器２２Ａ，
２２Ｂの出力は完全に逆転し、１ピツチ動くと上
記の関係は元に戻る。
第２図ａは上記の検出器２２Ａ，２２Ｂの出力
電圧と矢印Ｘ方向へのウエハの移動量の関係を示
したものであり、横軸がウエハの移動量を示し、
縦軸は検出器の出力電圧を示す。図中Ｗ１が検出
器２２Ａの出力電圧を示し、Ｗ２が検出器２２Ｂ
の出力電圧を示している。同図において、ａおよ
びｂで示す点は、ウエハとマスクが第１図の位置
関係にあるときのもので、ウエハが第１図の矢印
Ｘ方向へ移動するにつれて、検出器の出力電圧は
第２図ａの矢印Ｘで示す方向に変つていく。ｃの
点は、ウエハが1/2ピツチだけ動いたときの各検
出器２２Ａ，２２Ｂの出力電圧である。このとき
第３図に示すように、マスクの菱形の窓５，６か
らウエハ上の反射部分３と非反射部分４を見る
と、その境界が菱形の窓５，６をそれぞれ配列方
向と直行して区切る直線となつてあらわれる。
電圧と矢印Ｘ方向へのウエハの移動量の関係を示
したものであり、横軸がウエハの移動量を示し、
縦軸は検出器の出力電圧を示す。図中Ｗ１が検出
器２２Ａの出力電圧を示し、Ｗ２が検出器２２Ｂ
の出力電圧を示している。同図において、ａおよ
びｂで示す点は、ウエハとマスクが第１図の位置
関係にあるときのもので、ウエハが第１図の矢印
Ｘ方向へ移動するにつれて、検出器の出力電圧は
第２図ａの矢印Ｘで示す方向に変つていく。ｃの
点は、ウエハが1/2ピツチだけ動いたときの各検
出器２２Ａ，２２Ｂの出力電圧である。このとき
第３図に示すように、マスクの菱形の窓５，６か
らウエハ上の反射部分３と非反射部分４を見る
と、その境界が菱形の窓５，６をそれぞれ配列方
向と直行して区切る直線となつてあらわれる。
次に第２図ｂのｗ３で示すカーブは、検出器２
２Ａの出力電圧と検出器２２Ｂの出力電圧を減算
器で減算処理したカーブである。同図から明らか
なように、このカーブは“０”電位を中心として
正負に振れるものとなる。ここでｎで示す点は検
出器２２Ａと２２Ｂの出力電圧が等しいとき（第
２図ａのｃ点）、すなわちウエハがＸ方向に1/2ピ
ツチだけ動いたときのものである。
２Ａの出力電圧と検出器２２Ｂの出力電圧を減算
器で減算処理したカーブである。同図から明らか
なように、このカーブは“０”電位を中心として
正負に振れるものとなる。ここでｎで示す点は検
出器２２Ａと２２Ｂの出力電圧が等しいとき（第
２図ａのｃ点）、すなわちウエハがＸ方向に1/2ピ
ツチだけ動いたときのものである。
したがつてこの状態を位置合わせのできた状態
としておけば、第２図ｂのｎ点を参照してマスク
とウエハの位置合わせを行うことができる。
としておけば、第２図ｂのｎ点を参照してマスク
とウエハの位置合わせを行うことができる。
そして従来の矩形の窓の場合には検出器２２
Ａ，２２Ｂが受ける光量がＷ１′，Ｗ２′，Ｗ３′
で示されるように直線的に変化していたのに対
し、本発明の第１図に示す菱形窓の場合には、検
出器２２Ａ，２２Ｂが受ける光量はＷ１，Ｗ２，
Ｗ３で示されるようにほぼSINカーブ（立上が
り、立下がり部が非直線）として得られる。した
がつて“０”電位点付近で最も光量の変化量が大
きいカーブが得られ、“０”電位点を位置合わせ
の行われた点とする位置合わせ装置においては、
高精度で位置合わせが可能となる。
Ａ，２２Ｂが受ける光量がＷ１′，Ｗ２′，Ｗ３′
で示されるように直線的に変化していたのに対
し、本発明の第１図に示す菱形窓の場合には、検
出器２２Ａ，２２Ｂが受ける光量はＷ１，Ｗ２，
Ｗ３で示されるようにほぼSINカーブ（立上が
り、立下がり部が非直線）として得られる。した
がつて“０”電位点付近で最も光量の変化量が大
きいカーブが得られ、“０”電位点を位置合わせ
の行われた点とする位置合わせ装置においては、
高精度で位置合わせが可能となる。
なお以上の実施例では、繰返し単位の形状を図
示の縦長の菱形としたものについて説明したが、
本発明はかかる実施例に限定されるものではな
く、４辺の角度を変えたり、直線ではなくて曲線
としたり、中央付近で開口率の大きい任意の形状
を採用することができる。
示の縦長の菱形としたものについて説明したが、
本発明はかかる実施例に限定されるものではな
く、４辺の角度を変えたり、直線ではなくて曲線
としたり、中央付近で開口率の大きい任意の形状
を採用することができる。
またこのような繰返し単位からなる繰返しパタ
ーンを形成する対象もマスクに限られずウエハと
してもよく、場合によつてはマスクとウエハの両
方に一部ずつ形成するようにしてもよい。
ーンを形成する対象もマスクに限られずウエハと
してもよく、場合によつてはマスクとウエハの両
方に一部ずつ形成するようにしてもよい。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、“０”
電位付近におけるマスクとウエハの相対移動量に
対して電位の変化が大きくなるので、迅速で高精
度の位置合わせを行なうことが可能となる。
電位付近におけるマスクとウエハの相対移動量に
対して電位の変化が大きくなるので、迅速で高精
度の位置合わせを行なうことが可能となる。
第１図は本発明の一実施例における繰返しパタ
ーンの一例を示す図、第２図ａはこの実施例にお
ける検出器の出力波形を示す図、第２図ｂはこの
実施例における減算器の出力波形を示す図、第３
図は本発明における位置合わせ状態の繰返しパタ
ーンを示す図、第４図は本発明にも適用されるマ
スクとウエハの位置合わせ装置の構成図、第５図
は従来の繰返しパターンの一例を示す図、第６図
ａ，ｂは第４図に示した実施例の各検出器で検出
される波形を示した波形図である。 １，２……繰返しパターン、３……反射部分、
４……非反射部分、５，６……菱形の窓、２２
Ａ，２２ｂ……検出器、１２……マスク、１３…
…ウエハ、２７……窓、Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３……出
力波形。
ーンの一例を示す図、第２図ａはこの実施例にお
ける検出器の出力波形を示す図、第２図ｂはこの
実施例における減算器の出力波形を示す図、第３
図は本発明における位置合わせ状態の繰返しパタ
ーンを示す図、第４図は本発明にも適用されるマ
スクとウエハの位置合わせ装置の構成図、第５図
は従来の繰返しパターンの一例を示す図、第６図
ａ，ｂは第４図に示した実施例の各検出器で検出
される波形を示した波形図である。 １，２……繰返しパターン、３……反射部分、
４……非反射部分、５，６……菱形の窓、２２
Ａ，２２ｂ……検出器、１２……マスク、１３…
…ウエハ、２７……窓、Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３……出
力波形。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の繰り返しパターンと第２の繰り返しパ
ターンからなり、 前記第１の繰り返しパターンと前記第２の繰り
返しパターンのうち、一方は非透過部に設けられ
た複数の透孔であり、他方は非反射部に設けられ
た複数の反射部であり、 前記第１の繰り返しパターンと前記第２の繰り
返しパターンのうち、一方は一定間隔ピツチの繰
り返しパターンであり、他方は前記ピツチと同一
ピツチの部分と、前記ピツチと略1/2ピツチ分ず
れたピツチの部分を有する繰り返しパターンであ
り、 前記第１の繰り返しパターンと前記第２の繰り
返しパターンのうち、いずれかのパターンの単位
の形状は、配列方向の中央部が最も幅広で両端部
に向かい順次幅狭としたものであり、 前記第１の繰り返しパターンと前記第２の繰り
返しパターンを一定のギヤツプをおいて重ね、光
を照射し反射光の強度の変化によつて前記第１の
繰り返しパターンと前記第２の繰り返しパターン
の位置合わせを行う位置合わせ装置。 ２ 前記第１の繰り返しパターンと前記第２の繰
り返しパターンのうち一方をマスクに設け、他方
をウエハに設けた請求項第１項記載の位置合わせ
装置。 ３ 中央部が最も幅広で、両端部に向かい順次幅
狭とした前記パターンの単位の形状は、菱形であ
る請求項第１項記載の位置合わせ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61032379A JPS62190726A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 位置合わせ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61032379A JPS62190726A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 位置合わせ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190726A JPS62190726A (ja) | 1987-08-20 |
| JPH0230172B2 true JPH0230172B2 (ja) | 1990-07-04 |
Family
ID=12357317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61032379A Granted JPS62190726A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 位置合わせ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190726A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5893796A (en) | 1995-03-28 | 1999-04-13 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
| DE69618698T2 (de) | 1995-03-28 | 2002-08-14 | Applied Materials Inc | Verfahren und Vorrichtung zur In-Situ-Kontroll und Bestimmung des Endes von chemisch-mechanischen Planiervorgänge |
| US7264536B2 (en) | 2003-09-23 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
-
1986
- 1986-02-17 JP JP61032379A patent/JPS62190726A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62190726A (ja) | 1987-08-20 |
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