JPH02298947A - 感光性混合物及びレリーフ構造体の製法 - Google Patents

感光性混合物及びレリーフ構造体の製法

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JPH02298947A JP2071782A JP7178290A JPH02298947A JP H02298947 A JPH02298947 A JP H02298947A JP 2071782 A JP2071782 A JP 2071782A JP 7178290 A JP7178290 A JP 7178290A JP H02298947 A JPH02298947 A JP H02298947A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ポリマー及び光活性成分からなる感光性混合
物並びにこの種の感光性混合物からレリーフ構造体を製
造する方法に関する。
〔従来の技術〕
感光性混合物、すなわちフォトレジストからフォトリソ
グラフィーにより製造されるμ端範囲の構造は高密度集
積回路の製造に際して重要な役割を演する。すなわちこ
の種の構造は一般にこれらのデバイスを製造する際に行
われるイオン注入、ドーピング、湿式及び乾式エンチン
グのような一連の処理工程でマスクとして使用される。
   ゛レリーフ構造体の熱的及び機械的特性並びに耐
食性は基礎となるレジストの主要樹脂、すなわちポリマ
ーを適当に選択することによって調整することができる
が、光構造化の可能性は主として光活性成分により決定
される。その際光活性成分及びポリマーはもちろん例え
ば感光性混合物が脱混合せず、また露光されたレジスト
が現像され得るように調整しなければならない、更に光
活性成分は、良好な溶解性、貯蔵安定性、無毒性で、可
能な限り水性の、すなわち生態学的に危険性のない現像
剤での現像可能性及び高い感光性、すなわち光活性成分
の退色と関連する短い露光時間のような一連の要件を満
たす必要がある。更に基板上へのポリマーの接着性が損
なわれてはならず、また良好な分解能と関連して原型の
正確な転写が保障されなければならない。
微細構造を製造するにはネガ型レジスト又はポジ型レジ
ストを使用することができる(例えば「アンゲバンテ・
ヒエミー(Ange@、 Chew、) J第94巻、
1982年、第471〜485頁参照)。
構造化の原理が一般にその可溶性を低下させる露光部分
の網状化に基づくものであるネガ型レジストはポジ型レ
ジストに比べて、膨化により制約される一層少ない分解
能を示し、また多くの場合生態学的及び経済的に好まし
くない有機現像剤で現像される。照射によってその可溶
性が高められるポジ型レジストの場合、露光部分と非露
光部分との間の可溶性の差は通常光化学的に誘発される
極性の変化によってもたらされ、これにより膨化するこ
となく水性−アルカリ性現像が可能となる。
例えばポジ型レジストは光活性成分として〇−ニトロベ
ンジルーエステル化合物を有する系であり、これは露光
に際して極性カルボン酸と0−ニトロソベンズアルデヒ
ドとに分解する(上記文献の第482頁参照)、シかし
0−ニトロソベンズアルデヒドはレジスト中で有色のア
ブ化合物と結合し、従って退色作用に逆行する。いわゆ
る化学的増幅(charm比al amplifica
tion)の原理に基づいて作動する系では光分解的に
プロトンが生じ、これがその後例えばフェノールエステ
ルを相応するフェノールに鹸化する。しかしこれらの系
で使用された光開始側、すなわちトリアリールスルホニ
ウム塩のようないわゆるクリベーロ(Crivello
)塩(例えば「ポリマー・エンジニアリング・アンド・
サイエンス(Polym、 Eng、 Sci、) J
第23巻、1983年、第953〜956頁参照)は、
極めて腐食性であり、これはマイクロエレクトロニクス
分野での使用の妨げとなる。
特に市販のポジ型レジストにおいて最も頻繁に使用され
ている光活性成分は、ジアゾナフトキノンのスルホン酸
エステルをベースとするものであり(上記文献の第48
1頁参照)、これは退色特性が良好なことから露光時間
を短縮させる。しかしこの種の系は、合成に経費が嵩み
、従つて人手困難であり、コスト高で、可燃性又は爆発
挙動(この最後の挙動は特に4−スルホン酸の場合に該
当する)を有し、また熱安定性が少なく、従って分解し
易いという一連の欠点を有する。更に厚い層(〉30μ
霞)に構造化することはできない。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明の課題は、有効なフォトレジストの提供可能性を
拡大すること、すなわちフォトレジストに設定される諸
要件を高度に満たし、@組構造の製造を可能とする、ポ
リマー及び光活性成分からなる感光性混合物を提供する
ことにある。
〔課題を解決するための手段〕
この課題は本発明によれば、ポリマーが無水カルボン酸
基又はフェノール水酸基を有し、光活性成分が次の構造
式: 〔式中基R1は同−又は異なるものでR’ =H。
(CHl)−−CH,、OH,O−(CHt)、l −
OH5、(CFg)−−CFs 、Cb  Ha 、O
−ChH% 、C0OH,Coo −(CHl)、−C
Hs 、CO−(cHt)、−CH3、(CHl)* 
 −o−(CI(t)−−CHx 、 (CHり、−O
H,(CH−CH)p  −Co −CHs 、F、C
L B r又は■を表し、m=0〜I O,n=0〜1
0及びP−1〜4であるか、 又は2対のオルト位の基R′の一方は芳香族又はオレフ
ィン不飽和六員環の構成成分であり、〔式中N Ox基
は常にジヒドロピリジン環に結合するためオルト位にあ
り、基Rtは同−又は異なるもので R”  =H,(CHx)−−CHs  、OH,0−
(CHz)、  −CH,、(CFり11− CFs 
、C6Ha 、0− Ch  Ha 、Coo H、C
oo −(CHt)−−OH5、Co −(CHt)−
−CHa 、 (CHz)、l−O−(CHm)−−C
Hx 、 (CHり、−0H1No、 、F、CI、B
r又は■を表し、m= Q 〜10及びn−0〜10で
ある)を表し、R3は炭素原子数1〜7のアルキル、又
は置換されていてもよいシクロへキシル及びフェニルを
表す]で示されるN置換1.4−ジヒドロピリジン又は
l、  4−ジヒドロピリジン誘導体であることにより
解決される。
〔作用効果〕
本発明による感光性混合物はポジ型レジスト又はネガ型
レジストとして作用し、一連の優れた特性によって特徴
づけられる。すなわちこのレジスト溶液は貯蔵安定であ
るだけではなく、驚くべきことにはこのレジスト溶液か
ら水−アルカリ性の場合によってはアミン又はアンモニ
アを含む現像剤を用いて構造化することのできる層を製
造することが可能である。この場合特にフェノール水酸
基を有するポリマーを含む混合物が、傑出した構造化を
可能とする。この種の感光性混合物は更にネガ型レジス
トとして作用するが、無水カルボン酸基を有するポリマ
ーを含む混合物はポジ型レジストとして機能する。更に
本発明によるフォトレジストは、良好なすなわち迅速か
つ完全な退色特性(365nmで)並びに極めて良好な
溶解性(く1μm)を示し、また厚い層厚で構造化する
ことができる。更にこのレジストに使用した光活性成分
は簡単な合成によって価格的に有利に入手することがで
き、無毒性で、良好に溶解し、また好ましい熱安定性を
有する。
本発明によれば新規物質類、すなわち次の構造式: 〔式中基R1及びR2は同−又は異なるものであり、基
R’ 、R”及びR3は前記のものを表す〕で示される
、置換されたN−アルキル化又はN−アリール化1,4
−ジヒドロピリジン(及びその誘導体)、特にN−アル
キル化又はN−アリール化4−(2’−ニトロフェニル
)−1,4−ジヒドロピリジン(及び相応する誘導体)
を、レジスト系中の光活性成分として使用することがで
きる。
4位でアリール置換されたN−アルキル−1゜4−ジヒ
ドロピリジンはそれ自体公知であり(ドイツ連邦共和国
特許第1813436号及び同第1923990号明細
書並びに米国特許第3946028号明細書参照)、こ
れらは医薬分野において使用されている。この種の化合
物の光化学特性に関してはいまだ報告されていない、す
なわちこれらの化合物を光活性成分として感光性混合物
に使用することについてはまったく指摘されていない。
本発明による感光性混合物には無水カルボン酸基を有す
るポリマーが使用される。このポリマーはを利には次の
構造式を有する。
c式中r / r + s = O〜0.6及びr+s
=4〜3000であり、X及びYは同−又は異なるもの
であり、単結合又は−000−1−CONH−1−CO
NHNH−1−ocoo−1−〇−1−3O!−及び−
cooco−を表し、 基R1、R1、Rff 、R4、R8及びR6は同−又
は異なるものであり、それぞ゛れH,(CHり、−CH
,、C,H,、C0OH,Coo −(CH,)。
−CH5、CO−(CHz)、−CH5、Si  ((
CHt>m  −CHs  ) 3  、S 1(Ci
  Hs)s 、CHx−31(CHs)x 、S 1
(OCHs)3 、Ca  Ha  −OH,C6H4
−(CHり、1− CHs  、Ch  Ha  −0
−(CHt) −−CHs及びCcHz>、−o−(C
H,)、−CH,を表し、m−0〜lO及びn=θ〜l
Oであり、 R1とR2又はRコとR4又はRSとR6は互いに環状
脂肪族又は芳香族的に結合されていてもよい〕。
本発明による感光性混合物に使用されるフェノール水酸
基を有するポリマーは有利には、次の構造式: c式中p=l O〜10000であり、n=H,(CH
s)−−OH−(CHz)、l−CHs  、OH,O
−(coz)、−CHi 、C,H5又はハロゲン、す
なわちFSCl、Br及びIであり、m=1〜10及び
n=0〜10である〕で示されるフェノール−ホルムア
ルデヒド−縮合生成物である。
〔式中R,R” 、R,、R,”及びRtは芳香族基で
あり、nl s nl及びn、に関しては、nl −1
〜I Q O,nl及びn s =0 %又はn、及び
ng −1〜l OO,ng−0%又はnl、nl及び
n s −1〜100 (R* R’及び/又はR,≠
R,”)、又は nl及びns = 1−100. nt −0(R≠R
1及び/又はR+’l’R+”)である】で示されるヒ
ドロキシポリアミド、又は次の構造式:(式中R及びR
”は同じであるか又は異なっていてもよい芳香族基であ
り、nは2〜100である〕で示されるヒドロキシポリ
イミドをを利に使用することができる。
「芳香族基」という概念はフラン及びチオフェンのよう
な複素環式も含むことから、「フェノール」水酸基はこ
の種の基にも存在し得る。
先に記載した種類のヒドロキシポリアミドはドイツ連邦
共和国特許出願公開筒3716629号明細書からまた
欧州特許出願公開第0291779号明細書から公知で
ある。先に記載した種類のヒドロキシポリイミドは欧州
特許出願公開第8811679号明細書(この場合R及
びR”は先に記載した2つの刊行物に示した定義を有す
る)並びに欧州特許出願公開第0300326号明細書
の対象である。
本発明による感光性混合物の場合、ポリマ一対光活性成
分の質量比は一般に20:f〜1:20であり、有利に
はこの質量比はtoot−titOである。この場合更
にポリマー混合物が存在していてもよい。
レリーフ構造体を製造するには、本発明による感光性混
合物を基板に層又は箔の形で施し、マスクを介して化学
光線で露光するか又は適当な光線を導くことによって照
射する。引続き露光又は照射した層又は箔部分を溶出又
は除去し、その際得られた構造物を高めた温度で乾燥し
、場合によっては熱処理する。
感光性混合物、すなわちフォトレジストは有利には有機
溶剤中の溶液として基板に施すことができる。この場合
溶剤としてはN−メチルピロリドン又はメトキシプロピ
ルアセテートを使用するのが有利である。同様に類似す
る特性を有する他の有機溶剤例えばジメチルホルムアミ
ド及びN、 N−ジメチルアセトアミド、並びにこれら
の溶剤の混合物を使用することもできる。
本発明による方法では有利に接着剤及び/又は湿潤剤を
使用することもできる。この場合接着剤又は湿潤剤はフ
ォトレジスト溶液に加えることができるが、フォトレジ
ストで被覆する前に基板に施すこともできる。フォトレ
ジスト溶液は遠心塗布法又は静電噴霧法により基板に施
すのが有利である。同様に他の被覆法例えば浸漬法、ブ
ラシ掛は及びローラ塗布法を使用することもできる。基
板はガラス、金属、特にアルミニウム、プラスチック又
は半導電性材料からなるのが有利である。
〔実施例〕
次に本発明を実施例に基づき更に詳述する。
例−」− 市販のノボラック〔ベークライト(Bakelite)
LG724CH445gを、N−メチル−3,5−ジア
セチル−4−(2’−ニトロフェニル)−1,4−ジヒ
ドロピリジン〔この製造については[リービッヒス・ア
ンナーレン・デア・ヒエミー(Liebigs Ann
、 Che+w、) J第670巻、1963年、第5
7頁以降参照)0.5gと一緒にN−メチルピロリドン
20gに溶かし、その際得られた溶液を、噴霧器を用い
0.2μmフィルタを介して、アミノシランをベースと
する市販の接着剤(KBM602)で処理した3′−シ
リコンウェーハ上に施した(1100rpm、20秒、
層厚1.5 μm)。乾燥した後(70℃、10分、空
気中で)マスクを介して20秒間露光しくランプは42
1/cI112のMJB55)、引続き水−アルカリ性
現像剤(A2400K、水で1=5.5に稀釈)で90
秒間現像した。これにより微細構造が得られた(ネガ画
像)。
舅−1 市販のポリビニルフェノール(分子量=9000〜1l
1000)5を、N−メチル−2,6−シメチルー4−
(2’−ニトロフェニル)−1゜4−ジヒドロピリジン
−3,5ジカルボン酸ジメチルエステル(この製造につ
いてはドイツ連邦共和国特許第1923990号明細書
参照)Igと一緒にN−メチルピロリドン20gに?容
かし、その際得られた溶液を、噴霧器を用い0.2μm
フィルタを介して、アミノシランをベースとする市販の
接着剤(KBM602)で処理した3#−シリコンウェ
ハ上に施した(1500rpm、20秒、層厚1.44
μm)、乾燥した後(70°C110分、空気中で)、
マスクを介して10秒間露光しくランプは42a+W/
cm”のMJB55)、引続赤水−アルカリ性現像剤(
A2400K、水で1:9に稀釈)で20秒間浸漬現像
した。これにより良好なコントラストを有する微細なネ
ガ型レリーフ構造体が得られた。
斑−ユ 2.2−ジー (3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル
)1.1.l、3,3.3−ヘキサフルオルプロパンと
2,2−ジー (4−クロルカルボニルフェニル) −
1,1,l、  3. 3. 3−へキサフルオルプロ
パンとから製造したポリベンズオキサゾール前駆物質〔
この製造についてはr Polym。
Letters J第2巻、1964年、第57頁以降
参照]4gを、N−メチル−3,5−ジアセチル−4−
(2’−ニトロフェニル)−1,4−ジヒドロピリジン
(この製造については[リービッヒス・アンナーレン・
デア・ヒエミー(Liebigs Ann、 Chew
、) J第670巻、1963年、第57頁以降参照)
Igと一緒にN−メチルピロリドン20gに溶かし、そ
の際得られた溶液を、0.2μ−フイルタを介して、ア
ミノシランをベースとする市販の接着剤(KBM602
)で処理した3″−シリコンウェハ上に施した(100
0rpm、20秒、層厚1.9μ−)。乾燥した後(7
0°C115分、空気中で)、マスクを介して20秒間
露光しくランプは42mW/cm”のMJB55)、引
続き水−アルカリ性現像剤(NMD−3,0,15%)
で80秒浸漬現像した。その際得られた層を拡散炉中で
熱処理した(室温〜170°Cで1時間、170〜30
0 ’Cで1時間、300〜400.’C7’1時間、
400°Cで1時間及び400°C〜室温で4時間)、
これにより小さな焼戻しピーク(9%)を有する微細な
高温安定性のネガ型レリーフ構造体が得られた。
貰−土 スチロール/無水マレイン酸−コポリマー(1: 1)
3gを、N−メチル−2,6−シメチルー4−(2′−
二トロフェニル)へ1,4−ジヒドロピリジン−3,5
ジカルボン酸ジメチルエステル(この製造についてはド
イツ連邦共和国特許第1923990号明細書参照)I
gと一緒にN−メチルピロリドンl1gに溶かし、その
際得られた溶液を、0.2μ鎮フイルタを介して、アミ
ノシランをベースとする市販の接着剤(KBM602)
で処理した3″−シリコンウェーハ上に施した(170
0rpm、20秒、層厚1.4μm)。乾燥した後(7
0℃、15分、空気中で)、マスクを介して10秒間露
光した(ランプは42mW/cm”のMJB55)、露
光した層を水−アルカリ性現像剤(A2400に、水で
1:5に稀釈)で75秒間現像し、次いで乾燥した(1
20°C110分)。
これにより微細なポジ型レリーフ構造体が得られた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)ポリマー及び光活性成分からなる感光性混合物にお
    いて、ポリマーが無水カルボン酸基又はフェノール水酸
    基を有し、光活性成分が次の構造式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中基R^1は同一又は異なるものでR^1=H、(
    CH_2)_n−CH_3、OH、O−(CH_2)−
    CH_3、(CF_2)_m−CF_3、C_6H_5
    、O−C_6H_5、COOH、COO−(CH_2)
    _n−CH_3、CO−(CH_2)_n−CH_3、
    (CH_2)_n−O−(CH_2)_m−CH_3、
    (CH_2)_m−OH、(CH=CH)_p−CO−
    CH_3、F、Cl、Br又はIを表し、m=0〜10
    、n=0〜10及びp=1〜4であるか、 又は2対のオルト位の基R^1の一方は芳香族又はオレ
    フィン不飽和六員環の構成成分であり、 基Rは: R=▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式
    、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
    、表等があります▼ 〔式中NO_2基は常にジヒドロピリジン環に結合する
    ためオルト位にあり、基R^2は同一又は異なるもので R^2=H、(CH_2)_n−CH_3、OH、O−
    (CH_2)_n−CH_3、(CF_2)_n−CF
    _3、C_6H_5、O−C_6H_5、COOH、C
    OO−(CH_2)_n−CH_3、CO−(CH_2
    )_n−CH_3、(CH_2)_n−O−(CH_2
    )_m−CH_3、(CH_2)_n−OH、NO_2
    、F、Cl、Br又は1を表し、m=0〜10及びn=
    0〜10である)を表し、 R^3は炭素原子数1〜7のアルキル、又は置換されて
    いてもよいシクロヘキシル及びフェニルを表す〕で示さ
    れるN置換1、4−ジヒドロピリジン又は1、4−ジヒ
    ドロピリジン誘導体であることを特徴とするポリマー及
    び光活性成分からなる感光性混合物。 2)光活性成分が次の構造式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中基R^1及びR^2は同一又は異なるものであり
    、基R^1、R^2及びR^3は前記のものを表す〕で
    示されるN置換4−(2′−ニトロフェニル)−1、4
    −ジヒドロピリジン又は相応する誘導体であることを特
    徴とする請求項1記載の感光性混合物。 3)無水カルボン酸基を有するポリマーが次の構造式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中r/r+s=0〜0.6及びr+s=4〜300
    0であり、X及びYは同一又は異なるものであり、単結
    合又は−COO−、−CONH−、−CONHNH−、
    −OCOO−、−O−、−SO_2−及び−COOCO
    −を表し、 基R^1、R^2、R^3、R^4、R^5及びR^6
    は同一又は異なるものであり、それぞれH、(CH_2
    )_n−CH_3、C_6H_5、COOH、COO−
    (CH_2)_n−CH_3、CO−(CH_2)_n
    −CH_3、Si〔(CH_2)_n−CH_3〕_3
    、Si(C_6H_5)_3、CH_2−Si(CH_
    3)_3、Si(OCH_3)_3、C_6H_4−O
    H、C_6H_4−(CH_2)_n−CH_3、C_
    6H_4−O−(CH_2)_n−CH_3及び(CH
    _2)_n−O−(CH_2)−CH_3を表し、m=
    0〜10及びn=0〜10であり、 R^1とR^2又はR^3とR^4又はR^5とR^6
    は互いに環状脂肪族又は芳香族的に結合されていてもよ
    い〕を有することを特徴とする請求項1又は2記載の感
    光性混合物。 4)フェノール水酸基を有するポリマーが次の構造式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中p=10〜10000であり、R=H、(CH_
    2)_m−OH、(CH_2)_n−CH_3、OH、
    O−(CH_2)_n−CH_3、C_6H_5又はハ
    ロゲンであり、m=1〜10及びn=0〜10である〕
    で示されるフェノール−ホルムアルデヒド縮合生成物で
    あることを特徴とする請求項1又は2記載の感光性混合
    物。 5)フェノール水酸基を有するポリマーが次の構造式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R、R^*、R_1、R^*_1及びR_2は芳
    香族基であり、n_1、n_2及びn_3に関してはn
    _1=1〜100、n_2及びn_3=0、又はn、及
    びn_2=1〜100、n_3=0、又はn_1、n_
    2及びn_3=1〜100(R≠R^*及び/又はR_
    1≠R_1^*)、又は n_1及びn_3=1〜100、n_2=0(R≠R^
    *及び/又はR_1≠R_1^*)である〕で示される
    ヒドロキシポリアミドであることを特徴とする請求項1
    又は2記載の感光性混合物。 6)フェノール水酸基を有するポリマーが次の構造式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R及びR^*は同じであるか又は異なっていても
    よい芳香族基であり、nは2〜100である〕で示され
    るヒドロキシポリイミドであることを特徴とする請求項
    1又は2記載の感光性混合物。 7)ポリマー対光活性成分の質量比が20:1〜1:2
    0、有利には10:1〜1:10であることを特徴とす
    る請求項1ないし6の1つに記載の感光性混合物。 8)請求項1ないし7の1つに記載の感光性混合物を基
    板に層又は箔の形で施し、マスクを介して化学光線で露
    光するか又は適当な光線を導くことによって照射し、露
    光又は照射した層又は箔部分を溶出又は除去し、その際
    得られた構造物を高めた温度で乾燥し、場合によっては
    熱処理することを特徴とするレリーフ構造体の製法。 9)感光性混合物を有機溶剤に溶かした溶液として基板
    に施すことを特徴とする請求項8記載の製法。 10)接着剤及び/又は湿潤剤を使用することを特徴と
    する請求項8又は9記載の製法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0792682A (ja) * 1993-04-28 1995-04-07 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物及びレリーフパターンの製造法
JPH07271034A (ja) * 1994-03-29 1995-10-20 Nitto Denko Corp 耐熱性ネガ型フォトレジスト組成物および感光性基材、ならびにネガ型パターン形成方法
JP2002526794A (ja) * 1998-10-01 2002-08-20 アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド 新規な感光性樹脂組成物
JP2003529099A (ja) * 2000-03-24 2003-09-30 アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド 新規な感光性樹脂組成物

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5212043A (en) * 1988-02-17 1993-05-18 Tosho Corporation Photoresist composition comprising a non-aromatic resin having no aromatic structures derived from units of an aliphatic cyclic hydrocarbon and units of maleic anhydride and/or maleimide and a photosensitive agent
DE69131529T2 (de) * 1990-05-29 2000-01-20 Sumitomo Bakelite Co. Ltd., Tokio/Tokyo Positiv arbeitende lichtempfindliche Harzzusammensetzung
US5851736A (en) * 1991-03-05 1998-12-22 Nitto Denko Corporation Heat-resistant photoresist composition, photosensitive substrate, and process for forming heat-resistant positive or negative pattern
EP0512339B1 (de) * 1991-05-07 1997-10-15 Siemens Aktiengesellschaft Hochwärmebeständige Positivresists und Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen
JP2956824B2 (ja) * 1995-06-15 1999-10-04 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト膜形成用塗布液
JPH1039510A (ja) * 1996-07-29 1998-02-13 Nitto Denko Corp ネガ型フォトレジスト組成物及びその利用
AU8400698A (en) 1997-07-15 1999-02-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Improved dissolution inhibition resists for microlithography
TW434807B (en) * 1997-09-18 2001-05-16 Siemens Ag The production of structurized protecting and isolating layers
JP2000112126A (ja) * 1998-10-01 2000-04-21 Nitto Denko Corp ネガ型フォトレジスト組成物
JP2002030118A (ja) * 2000-07-14 2002-01-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 新規コポリマー、ホトレジスト組成物、および高アスペクト比のレジストパターン形成方法
US7037637B2 (en) * 2002-07-17 2006-05-02 Nitto Denko Corporation Photosensitive polyimide resin precursor composition, optical polyimide obtained from the composition, optical waveguide using the polyimide, and process for producing the optical waveguide
KR20060002768A (ko) * 2003-03-11 2006-01-09 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 새로운 감광성 수지 조성물들
TW200702913A (en) * 2005-06-03 2007-01-16 Fujifilm Electronic Materials Pretreatment compositions
KR20120066924A (ko) * 2010-12-15 2012-06-25 제일모직주식회사 오르토-니트로벤질 에스테르 화합물 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물
EP2689836A1 (en) 2012-07-26 2014-01-29 Basf Se Composition of microcapsules with a silica shell and a method for preparing them
EP3170552A1 (en) 2015-11-23 2017-05-24 Basf Se Microcapsule comprising a polymeric shell and a hydrophilic or hydrophobic core material
AU2018271376A1 (en) 2017-12-22 2019-07-11 Juice Beauty, Inc. A thin emulsion base for cosmetics

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4960733A (ja) * 1972-08-26 1974-06-12
JPS58223147A (ja) * 1982-06-21 1983-12-24 Fuji Yakuhin Kogyo Kk ポジ型感光性組成物
JPS6153642A (ja) * 1984-08-11 1986-03-17 イー・アイ・デユポン・ド・ネモアース・アンド・コンパニー 4‐(2′‐ニトロフエニル)‐1,4‐ジヒドロピリジン化合物を用いるトナー処理画像形成システム

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1813436C3 (de) * 1968-12-07 1979-01-11 Bayer Ag, 5090 Leverkusen N-Substituierte 2,6-Dimethyl-l,4dihydropyridine
US3803314A (en) * 1968-12-07 1974-04-09 Bayer Ag Pharmaceutical compositions and use of n-alkyl-1,4-dihydropyridines
US3883543A (en) * 1969-05-10 1975-05-13 Bayer Ag N-alkyl-1,4-dihydropyridines
DE1923990C3 (de) * 1969-05-10 1978-11-23 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von N-substituierten M-Dihydropyridin-S.S-dicarbonsäureestern
US3776735A (en) * 1971-12-28 1973-12-04 Kalle Ag Light-sensitive copying composition containing a light insensitive polymer and a light sensitive heterocyclic compound
US3946028A (en) * 1972-09-30 1976-03-23 Bayer Aktiengesellschaft 2,3,5,6-Tetracarboxy-4-pyridyl-1,4-dihydropyridine derivatives
DE2718130C2 (de) * 1977-04-23 1979-05-17 Du Pont De Nemours (Deutschland) Gmbh, 4000 Duesseldorf lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial
DE3850809D1 (de) * 1987-05-18 1994-09-01 Siemens Ag Wärmebeständige Positivresists und Verfahren zur Herstellung wärmebeständiger Reliefstrukturen.
DE3716629C2 (de) * 1987-05-18 1997-06-12 Siemens Ag Wärmebeständige positiv arbeitende strahlungsempfindliche Gemische und Verfahren zur Herstellung wärmebeständiger Reliefstrukturen
US4927736A (en) * 1987-07-21 1990-05-22 Hoechst Celanese Corporation Hydroxy polyimides and high temperature positive photoresists therefrom

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4960733A (ja) * 1972-08-26 1974-06-12
JPS58223147A (ja) * 1982-06-21 1983-12-24 Fuji Yakuhin Kogyo Kk ポジ型感光性組成物
JPS6153642A (ja) * 1984-08-11 1986-03-17 イー・アイ・デユポン・ド・ネモアース・アンド・コンパニー 4‐(2′‐ニトロフエニル)‐1,4‐ジヒドロピリジン化合物を用いるトナー処理画像形成システム

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0792682A (ja) * 1993-04-28 1995-04-07 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物及びレリーフパターンの製造法
JPH07271034A (ja) * 1994-03-29 1995-10-20 Nitto Denko Corp 耐熱性ネガ型フォトレジスト組成物および感光性基材、ならびにネガ型パターン形成方法
JP2002526794A (ja) * 1998-10-01 2002-08-20 アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド 新規な感光性樹脂組成物
JP2003529099A (ja) * 2000-03-24 2003-09-30 アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド 新規な感光性樹脂組成物

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EP0388482B1 (de) 1994-07-06
DE58908012D1 (de) 1994-08-11

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