JPH02298947A - 感光性混合物及びレリーフ構造体の製法 - Google Patents
感光性混合物及びレリーフ構造体の製法Info
- Publication number
- JPH02298947A JPH02298947A JP2071782A JP7178290A JPH02298947A JP H02298947 A JPH02298947 A JP H02298947A JP 2071782 A JP2071782 A JP 2071782A JP 7178290 A JP7178290 A JP 7178290A JP H02298947 A JPH02298947 A JP H02298947A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- groups
- photosensitive mixture
- tables
- formulas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 11
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- YNGDWRXWKFWCJY-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dihydropyridine Chemical compound C1C=CNC=C1 YNGDWRXWKFWCJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims abstract description 3
- 125000004925 dihydropyridyl group Chemical group N1(CC=CC=C1)* 0.000 claims abstract description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 4
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims 1
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 claims 1
- SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;phenol Chemical compound O=C.OC1=CC=CC=C1 SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 11
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 abstract 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 abstract 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 N-substituted 1,4-dihydropyridine Chemical class 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005684 Liebig rearrangement reaction Methods 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- VSXXEQVTFWPFAX-UHFFFAOYSA-N 1-(2-nitrophenyl)-4h-pyridine Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1N1C=CCC=C1 VSXXEQVTFWPFAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWZVPMZFHUIPAT-UHFFFAOYSA-N 1-[5-acetyl-1-methyl-4-(2-nitrophenyl)-4h-pyridin-3-yl]ethanone Chemical compound CC(=O)C1=CN(C)C=C(C(C)=O)C1C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O LWZVPMZFHUIPAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCTFMNIEFHGTDU-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropyl acetate Chemical compound COCCCOC(C)=O CCTFMNIEFHGTDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKTPUEBHSQHTQH-UHFFFAOYSA-N 4-(2-nitrophenyl)-1,4-dihydropyridine Chemical class [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1C1C=CNC=C1 ZKTPUEBHSQHTQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004061 bleaching Methods 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- DYYYPIJLRRHUPR-UHFFFAOYSA-N dimethyl 1,4-dihydropyridine-3,5-dicarboxylate Chemical compound COC(=O)C1=CNC=C(C(=O)OC)C1 DYYYPIJLRRHUPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000007590 electrostatic spraying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- OYKBQNOPCSXWBL-SNAWJCMRSA-N n-hydroxy-3-[(e)-3-(hydroxyamino)-3-oxoprop-1-enyl]benzamide Chemical compound ONC(=O)\C=C\C1=CC=CC(C(=O)NO)=C1 OYKBQNOPCSXWBL-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000003459 sulfonic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 125000005409 triarylsulfonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/107—Polyamide or polyurethane
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/111—Polymer of unsaturated acid or ester
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
物並びにこの種の感光性混合物からレリーフ構造体を製
造する方法に関する。
グラフィーにより製造されるμ端範囲の構造は高密度集
積回路の製造に際して重要な役割を演する。すなわちこ
の種の構造は一般にこれらのデバイスを製造する際に行
われるイオン注入、ドーピング、湿式及び乾式エンチン
グのような一連の処理工程でマスクとして使用される。
食性は基礎となるレジストの主要樹脂、すなわちポリマ
ーを適当に選択することによって調整することができる
が、光構造化の可能性は主として光活性成分により決定
される。その際光活性成分及びポリマーはもちろん例え
ば感光性混合物が脱混合せず、また露光されたレジスト
が現像され得るように調整しなければならない、更に光
活性成分は、良好な溶解性、貯蔵安定性、無毒性で、可
能な限り水性の、すなわち生態学的に危険性のない現像
剤での現像可能性及び高い感光性、すなわち光活性成分
の退色と関連する短い露光時間のような一連の要件を満
たす必要がある。更に基板上へのポリマーの接着性が損
なわれてはならず、また良好な分解能と関連して原型の
正確な転写が保障されなければならない。
ストを使用することができる(例えば「アンゲバンテ・
ヒエミー(Ange@、 Chew、) J第94巻、
1982年、第471〜485頁参照)。
の網状化に基づくものであるネガ型レジストはポジ型レ
ジストに比べて、膨化により制約される一層少ない分解
能を示し、また多くの場合生態学的及び経済的に好まし
くない有機現像剤で現像される。照射によってその可溶
性が高められるポジ型レジストの場合、露光部分と非露
光部分との間の可溶性の差は通常光化学的に誘発される
極性の変化によってもたらされ、これにより膨化するこ
となく水性−アルカリ性現像が可能となる。
ンジルーエステル化合物を有する系であり、これは露光
に際して極性カルボン酸と0−ニトロソベンズアルデヒ
ドとに分解する(上記文献の第482頁参照)、シかし
0−ニトロソベンズアルデヒドはレジスト中で有色のア
ブ化合物と結合し、従って退色作用に逆行する。いわゆ
る化学的増幅(charm比al amplifica
tion)の原理に基づいて作動する系では光分解的に
プロトンが生じ、これがその後例えばフェノールエステ
ルを相応するフェノールに鹸化する。しかしこれらの系
で使用された光開始側、すなわちトリアリールスルホニ
ウム塩のようないわゆるクリベーロ(Crivello
)塩(例えば「ポリマー・エンジニアリング・アンド・
サイエンス(Polym、 Eng、 Sci、) J
第23巻、1983年、第953〜956頁参照)は、
極めて腐食性であり、これはマイクロエレクトロニクス
分野での使用の妨げとなる。
ている光活性成分は、ジアゾナフトキノンのスルホン酸
エステルをベースとするものであり(上記文献の第48
1頁参照)、これは退色特性が良好なことから露光時間
を短縮させる。しかしこの種の系は、合成に経費が嵩み
、従つて人手困難であり、コスト高で、可燃性又は爆発
挙動(この最後の挙動は特に4−スルホン酸の場合に該
当する)を有し、また熱安定性が少なく、従って分解し
易いという一連の欠点を有する。更に厚い層(〉30μ
霞)に構造化することはできない。
拡大すること、すなわちフォトレジストに設定される諸
要件を高度に満たし、@組構造の製造を可能とする、ポ
リマー及び光活性成分からなる感光性混合物を提供する
ことにある。
基又はフェノール水酸基を有し、光活性成分が次の構造
式: 〔式中基R1は同−又は異なるものでR’ =H。
OH5、(CFg)−−CFs 、Cb Ha 、O
−ChH% 、C0OH,Coo −(CHl)、−C
Hs 、CO−(cHt)、−CH3、(CHl)*
−o−(CI(t)−−CHx 、 (CHり、−O
H,(CH−CH)p −Co −CHs 、F、C
L B r又は■を表し、m=0〜I O,n=0〜1
0及びP−1〜4であるか、 又は2対のオルト位の基R′の一方は芳香族又はオレフ
ィン不飽和六員環の構成成分であり、〔式中N Ox基
は常にジヒドロピリジン環に結合するためオルト位にあ
り、基Rtは同−又は異なるもので R” =H,(CHx)−−CHs 、OH,0−
(CHz)、 −CH,、(CFり11− CFs
、C6Ha 、0− Ch Ha 、Coo H、C
oo −(CHt)−−OH5、Co −(CHt)−
−CHa 、 (CHz)、l−O−(CHm)−−C
Hx 、 (CHり、−0H1No、 、F、CI、B
r又は■を表し、m= Q 〜10及びn−0〜10で
ある)を表し、R3は炭素原子数1〜7のアルキル、又
は置換されていてもよいシクロへキシル及びフェニルを
表す]で示されるN置換1.4−ジヒドロピリジン又は
l、 4−ジヒドロピリジン誘導体であることにより
解決される。
レジストとして作用し、一連の優れた特性によって特徴
づけられる。すなわちこのレジスト溶液は貯蔵安定であ
るだけではなく、驚くべきことにはこのレジスト溶液か
ら水−アルカリ性の場合によってはアミン又はアンモニ
アを含む現像剤を用いて構造化することのできる層を製
造することが可能である。この場合特にフェノール水酸
基を有するポリマーを含む混合物が、傑出した構造化を
可能とする。この種の感光性混合物は更にネガ型レジス
トとして作用するが、無水カルボン酸基を有するポリマ
ーを含む混合物はポジ型レジストとして機能する。更に
本発明によるフォトレジストは、良好なすなわち迅速か
つ完全な退色特性(365nmで)並びに極めて良好な
溶解性(く1μm)を示し、また厚い層厚で構造化する
ことができる。更にこのレジストに使用した光活性成分
は簡単な合成によって価格的に有利に入手することがで
き、無毒性で、良好に溶解し、また好ましい熱安定性を
有する。
R’ 、R”及びR3は前記のものを表す〕で示される
、置換されたN−アルキル化又はN−アリール化1,4
−ジヒドロピリジン(及びその誘導体)、特にN−アル
キル化又はN−アリール化4−(2’−ニトロフェニル
)−1,4−ジヒドロピリジン(及び相応する誘導体)
を、レジスト系中の光活性成分として使用することがで
きる。
ドロピリジンはそれ自体公知であり(ドイツ連邦共和国
特許第1813436号及び同第1923990号明細
書並びに米国特許第3946028号明細書参照)、こ
れらは医薬分野において使用されている。この種の化合
物の光化学特性に関してはいまだ報告されていない、す
なわちこれらの化合物を光活性成分として感光性混合物
に使用することについてはまったく指摘されていない。
るポリマーが使用される。このポリマーはを利には次の
構造式を有する。
=4〜3000であり、X及びYは同−又は異なるもの
であり、単結合又は−000−1−CONH−1−CO
NHNH−1−ocoo−1−〇−1−3O!−及び−
cooco−を表し、 基R1、R1、Rff 、R4、R8及びR6は同−又
は異なるものであり、それぞ゛れH,(CHり、−CH
,、C,H,、C0OH,Coo −(CH,)。
CHt>m −CHs ) 3 、S 1(Ci
Hs)s 、CHx−31(CHs)x 、S 1
(OCHs)3 、Ca Ha −OH,C6H4
−(CHり、1− CHs 、Ch Ha −0
−(CHt) −−CHs及びCcHz>、−o−(C
H,)、−CH,を表し、m−0〜lO及びn=θ〜l
Oであり、 R1とR2又はRコとR4又はRSとR6は互いに環状
脂肪族又は芳香族的に結合されていてもよい〕。
基を有するポリマーは有利には、次の構造式: c式中p=l O〜10000であり、n=H,(CH
s)−−OH−(CHz)、l−CHs 、OH,O
−(coz)、−CHi 、C,H5又はハロゲン、す
なわちFSCl、Br及びIであり、m=1〜10及び
n=0〜10である〕で示されるフェノール−ホルムア
ルデヒド−縮合生成物である。
あり、nl s nl及びn、に関しては、nl −1
〜I Q O,nl及びn s =0 %又はn、及び
ng −1〜l OO,ng−0%又はnl、nl及び
n s −1〜100 (R* R’及び/又はR,≠
R,”)、又は nl及びns = 1−100. nt −0(R≠R
1及び/又はR+’l’R+”)である】で示されるヒ
ドロキシポリアミド、又は次の構造式:(式中R及びR
”は同じであるか又は異なっていてもよい芳香族基であ
り、nは2〜100である〕で示されるヒドロキシポリ
イミドをを利に使用することができる。
な複素環式も含むことから、「フェノール」水酸基はこ
の種の基にも存在し得る。
共和国特許出願公開筒3716629号明細書からまた
欧州特許出願公開第0291779号明細書から公知で
ある。先に記載した種類のヒドロキシポリイミドは欧州
特許出願公開第8811679号明細書(この場合R及
びR”は先に記載した2つの刊行物に示した定義を有す
る)並びに欧州特許出願公開第0300326号明細書
の対象である。
分の質量比は一般に20:f〜1:20であり、有利に
はこの質量比はtoot−titOである。この場合更
にポリマー混合物が存在していてもよい。
合物を基板に層又は箔の形で施し、マスクを介して化学
光線で露光するか又は適当な光線を導くことによって照
射する。引続き露光又は照射した層又は箔部分を溶出又
は除去し、その際得られた構造物を高めた温度で乾燥し
、場合によっては熱処理する。
溶剤中の溶液として基板に施すことができる。この場合
溶剤としてはN−メチルピロリドン又はメトキシプロピ
ルアセテートを使用するのが有利である。同様に類似す
る特性を有する他の有機溶剤例えばジメチルホルムアミ
ド及びN、 N−ジメチルアセトアミド、並びにこれら
の溶剤の混合物を使用することもできる。
使用することもできる。この場合接着剤又は湿潤剤はフ
ォトレジスト溶液に加えることができるが、フォトレジ
ストで被覆する前に基板に施すこともできる。フォトレ
ジスト溶液は遠心塗布法又は静電噴霧法により基板に施
すのが有利である。同様に他の被覆法例えば浸漬法、ブ
ラシ掛は及びローラ塗布法を使用することもできる。基
板はガラス、金属、特にアルミニウム、プラスチック又
は半導電性材料からなるのが有利である。
LG724CH445gを、N−メチル−3,5−ジア
セチル−4−(2’−ニトロフェニル)−1,4−ジヒ
ドロピリジン〔この製造については[リービッヒス・ア
ンナーレン・デア・ヒエミー(Liebigs Ann
、 Che+w、) J第670巻、1963年、第5
7頁以降参照)0.5gと一緒にN−メチルピロリドン
20gに溶かし、その際得られた溶液を、噴霧器を用い
0.2μmフィルタを介して、アミノシランをベースと
する市販の接着剤(KBM602)で処理した3′−シ
リコンウェーハ上に施した(1100rpm、20秒、
層厚1.5 μm)。乾燥した後(70℃、10分、空
気中で)マスクを介して20秒間露光しくランプは42
1/cI112のMJB55)、引続き水−アルカリ性
現像剤(A2400K、水で1=5.5に稀釈)で90
秒間現像した。これにより微細構造が得られた(ネガ画
像)。
1000)5を、N−メチル−2,6−シメチルー4−
(2’−ニトロフェニル)−1゜4−ジヒドロピリジン
−3,5ジカルボン酸ジメチルエステル(この製造につ
いてはドイツ連邦共和国特許第1923990号明細書
参照)Igと一緒にN−メチルピロリドン20gに?容
かし、その際得られた溶液を、噴霧器を用い0.2μm
フィルタを介して、アミノシランをベースとする市販の
接着剤(KBM602)で処理した3#−シリコンウェ
ハ上に施した(1500rpm、20秒、層厚1.44
μm)、乾燥した後(70°C110分、空気中で)、
マスクを介して10秒間露光しくランプは42a+W/
cm”のMJB55)、引続赤水−アルカリ性現像剤(
A2400K、水で1:9に稀釈)で20秒間浸漬現像
した。これにより良好なコントラストを有する微細なネ
ガ型レリーフ構造体が得られた。
)1.1.l、3,3.3−ヘキサフルオルプロパンと
2,2−ジー (4−クロルカルボニルフェニル) −
1,1,l、 3. 3. 3−へキサフルオルプロ
パンとから製造したポリベンズオキサゾール前駆物質〔
この製造についてはr Polym。
参照]4gを、N−メチル−3,5−ジアセチル−4−
(2’−ニトロフェニル)−1,4−ジヒドロピリジン
(この製造については[リービッヒス・アンナーレン・
デア・ヒエミー(Liebigs Ann、 Chew
、) J第670巻、1963年、第57頁以降参照)
Igと一緒にN−メチルピロリドン20gに溶かし、そ
の際得られた溶液を、0.2μ−フイルタを介して、ア
ミノシランをベースとする市販の接着剤(KBM602
)で処理した3″−シリコンウェハ上に施した(100
0rpm、20秒、層厚1.9μ−)。乾燥した後(7
0°C115分、空気中で)、マスクを介して20秒間
露光しくランプは42mW/cm”のMJB55)、引
続き水−アルカリ性現像剤(NMD−3,0,15%)
で80秒浸漬現像した。その際得られた層を拡散炉中で
熱処理した(室温〜170°Cで1時間、170〜30
0 ’Cで1時間、300〜400.’C7’1時間、
400°Cで1時間及び400°C〜室温で4時間)、
これにより小さな焼戻しピーク(9%)を有する微細な
高温安定性のネガ型レリーフ構造体が得られた。
3gを、N−メチル−2,6−シメチルー4−(2′−
二トロフェニル)へ1,4−ジヒドロピリジン−3,5
ジカルボン酸ジメチルエステル(この製造についてはド
イツ連邦共和国特許第1923990号明細書参照)I
gと一緒にN−メチルピロリドンl1gに溶かし、その
際得られた溶液を、0.2μ鎮フイルタを介して、アミ
ノシランをベースとする市販の接着剤(KBM602)
で処理した3″−シリコンウェーハ上に施した(170
0rpm、20秒、層厚1.4μm)。乾燥した後(7
0℃、15分、空気中で)、マスクを介して10秒間露
光した(ランプは42mW/cm”のMJB55)、露
光した層を水−アルカリ性現像剤(A2400に、水で
1:5に稀釈)で75秒間現像し、次いで乾燥した(1
20°C110分)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)ポリマー及び光活性成分からなる感光性混合物にお
いて、ポリマーが無水カルボン酸基又はフェノール水酸
基を有し、光活性成分が次の構造式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中基R^1は同一又は異なるものでR^1=H、(
CH_2)_n−CH_3、OH、O−(CH_2)−
CH_3、(CF_2)_m−CF_3、C_6H_5
、O−C_6H_5、COOH、COO−(CH_2)
_n−CH_3、CO−(CH_2)_n−CH_3、
(CH_2)_n−O−(CH_2)_m−CH_3、
(CH_2)_m−OH、(CH=CH)_p−CO−
CH_3、F、Cl、Br又はIを表し、m=0〜10
、n=0〜10及びp=1〜4であるか、 又は2対のオルト位の基R^1の一方は芳香族又はオレ
フィン不飽和六員環の構成成分であり、 基Rは: R=▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式
、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
、表等があります▼ 〔式中NO_2基は常にジヒドロピリジン環に結合する
ためオルト位にあり、基R^2は同一又は異なるもので R^2=H、(CH_2)_n−CH_3、OH、O−
(CH_2)_n−CH_3、(CF_2)_n−CF
_3、C_6H_5、O−C_6H_5、COOH、C
OO−(CH_2)_n−CH_3、CO−(CH_2
)_n−CH_3、(CH_2)_n−O−(CH_2
)_m−CH_3、(CH_2)_n−OH、NO_2
、F、Cl、Br又は1を表し、m=0〜10及びn=
0〜10である)を表し、 R^3は炭素原子数1〜7のアルキル、又は置換されて
いてもよいシクロヘキシル及びフェニルを表す〕で示さ
れるN置換1、4−ジヒドロピリジン又は1、4−ジヒ
ドロピリジン誘導体であることを特徴とするポリマー及
び光活性成分からなる感光性混合物。 2)光活性成分が次の構造式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中基R^1及びR^2は同一又は異なるものであり
、基R^1、R^2及びR^3は前記のものを表す〕で
示されるN置換4−(2′−ニトロフェニル)−1、4
−ジヒドロピリジン又は相応する誘導体であることを特
徴とする請求項1記載の感光性混合物。 3)無水カルボン酸基を有するポリマーが次の構造式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中r/r+s=0〜0.6及びr+s=4〜300
0であり、X及びYは同一又は異なるものであり、単結
合又は−COO−、−CONH−、−CONHNH−、
−OCOO−、−O−、−SO_2−及び−COOCO
−を表し、 基R^1、R^2、R^3、R^4、R^5及びR^6
は同一又は異なるものであり、それぞれH、(CH_2
)_n−CH_3、C_6H_5、COOH、COO−
(CH_2)_n−CH_3、CO−(CH_2)_n
−CH_3、Si〔(CH_2)_n−CH_3〕_3
、Si(C_6H_5)_3、CH_2−Si(CH_
3)_3、Si(OCH_3)_3、C_6H_4−O
H、C_6H_4−(CH_2)_n−CH_3、C_
6H_4−O−(CH_2)_n−CH_3及び(CH
_2)_n−O−(CH_2)−CH_3を表し、m=
0〜10及びn=0〜10であり、 R^1とR^2又はR^3とR^4又はR^5とR^6
は互いに環状脂肪族又は芳香族的に結合されていてもよ
い〕を有することを特徴とする請求項1又は2記載の感
光性混合物。 4)フェノール水酸基を有するポリマーが次の構造式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中p=10〜10000であり、R=H、(CH_
2)_m−OH、(CH_2)_n−CH_3、OH、
O−(CH_2)_n−CH_3、C_6H_5又はハ
ロゲンであり、m=1〜10及びn=0〜10である〕
で示されるフェノール−ホルムアルデヒド縮合生成物で
あることを特徴とする請求項1又は2記載の感光性混合
物。 5)フェノール水酸基を有するポリマーが次の構造式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R、R^*、R_1、R^*_1及びR_2は芳
香族基であり、n_1、n_2及びn_3に関してはn
_1=1〜100、n_2及びn_3=0、又はn、及
びn_2=1〜100、n_3=0、又はn_1、n_
2及びn_3=1〜100(R≠R^*及び/又はR_
1≠R_1^*)、又は n_1及びn_3=1〜100、n_2=0(R≠R^
*及び/又はR_1≠R_1^*)である〕で示される
ヒドロキシポリアミドであることを特徴とする請求項1
又は2記載の感光性混合物。 6)フェノール水酸基を有するポリマーが次の構造式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R及びR^*は同じであるか又は異なっていても
よい芳香族基であり、nは2〜100である〕で示され
るヒドロキシポリイミドであることを特徴とする請求項
1又は2記載の感光性混合物。 7)ポリマー対光活性成分の質量比が20:1〜1:2
0、有利には10:1〜1:10であることを特徴とす
る請求項1ないし6の1つに記載の感光性混合物。 8)請求項1ないし7の1つに記載の感光性混合物を基
板に層又は箔の形で施し、マスクを介して化学光線で露
光するか又は適当な光線を導くことによって照射し、露
光又は照射した層又は箔部分を溶出又は除去し、その際
得られた構造物を高めた温度で乾燥し、場合によっては
熱処理することを特徴とするレリーフ構造体の製法。 9)感光性混合物を有機溶剤に溶かした溶液として基板
に施すことを特徴とする請求項8記載の製法。 10)接着剤及び/又は湿潤剤を使用することを特徴と
する請求項8又は9記載の製法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP89104948A EP0388482B1 (de) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | Lichtempfindliches Gemisch |
EP89104948.8 | 1989-03-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02298947A true JPH02298947A (ja) | 1990-12-11 |
JP2800148B2 JP2800148B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=8201112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2071782A Expired - Lifetime JP2800148B2 (ja) | 1989-03-20 | 1990-03-19 | 感光性混合物及びレリーフ構造体の製法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5081000A (ja) |
EP (1) | EP0388482B1 (ja) |
JP (1) | JP2800148B2 (ja) |
DE (1) | DE58908012D1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0792682A (ja) * | 1993-04-28 | 1995-04-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物及びレリーフパターンの製造法 |
JPH07271034A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-20 | Nitto Denko Corp | 耐熱性ネガ型フォトレジスト組成物および感光性基材、ならびにネガ型パターン形成方法 |
JP2002526794A (ja) * | 1998-10-01 | 2002-08-20 | アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド | 新規な感光性樹脂組成物 |
JP2003529099A (ja) * | 2000-03-24 | 2003-09-30 | アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド | 新規な感光性樹脂組成物 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5212043A (en) * | 1988-02-17 | 1993-05-18 | Tosho Corporation | Photoresist composition comprising a non-aromatic resin having no aromatic structures derived from units of an aliphatic cyclic hydrocarbon and units of maleic anhydride and/or maleimide and a photosensitive agent |
DE69131529T2 (de) * | 1990-05-29 | 2000-01-20 | Sumitomo Bakelite Co. Ltd., Tokio/Tokyo | Positiv arbeitende lichtempfindliche Harzzusammensetzung |
US5851736A (en) * | 1991-03-05 | 1998-12-22 | Nitto Denko Corporation | Heat-resistant photoresist composition, photosensitive substrate, and process for forming heat-resistant positive or negative pattern |
EP0512339B1 (de) * | 1991-05-07 | 1997-10-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Hochwärmebeständige Positivresists und Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen |
JP2956824B2 (ja) * | 1995-06-15 | 1999-10-04 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト膜形成用塗布液 |
JPH1039510A (ja) * | 1996-07-29 | 1998-02-13 | Nitto Denko Corp | ネガ型フォトレジスト組成物及びその利用 |
AU8400698A (en) | 1997-07-15 | 1999-02-10 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Improved dissolution inhibition resists for microlithography |
TW434807B (en) * | 1997-09-18 | 2001-05-16 | Siemens Ag | The production of structurized protecting and isolating layers |
JP2000112126A (ja) * | 1998-10-01 | 2000-04-21 | Nitto Denko Corp | ネガ型フォトレジスト組成物 |
JP2002030118A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規コポリマー、ホトレジスト組成物、および高アスペクト比のレジストパターン形成方法 |
US7037637B2 (en) * | 2002-07-17 | 2006-05-02 | Nitto Denko Corporation | Photosensitive polyimide resin precursor composition, optical polyimide obtained from the composition, optical waveguide using the polyimide, and process for producing the optical waveguide |
KR20060002768A (ko) * | 2003-03-11 | 2006-01-09 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 새로운 감광성 수지 조성물들 |
TW200702913A (en) * | 2005-06-03 | 2007-01-16 | Fujifilm Electronic Materials | Pretreatment compositions |
KR20120066924A (ko) * | 2010-12-15 | 2012-06-25 | 제일모직주식회사 | 오르토-니트로벤질 에스테르 화합물 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
EP2689836A1 (en) | 2012-07-26 | 2014-01-29 | Basf Se | Composition of microcapsules with a silica shell and a method for preparing them |
EP3170552A1 (en) | 2015-11-23 | 2017-05-24 | Basf Se | Microcapsule comprising a polymeric shell and a hydrophilic or hydrophobic core material |
AU2018271376A1 (en) | 2017-12-22 | 2019-07-11 | Juice Beauty, Inc. | A thin emulsion base for cosmetics |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4960733A (ja) * | 1972-08-26 | 1974-06-12 | ||
JPS58223147A (ja) * | 1982-06-21 | 1983-12-24 | Fuji Yakuhin Kogyo Kk | ポジ型感光性組成物 |
JPS6153642A (ja) * | 1984-08-11 | 1986-03-17 | イー・アイ・デユポン・ド・ネモアース・アンド・コンパニー | 4‐(2′‐ニトロフエニル)‐1,4‐ジヒドロピリジン化合物を用いるトナー処理画像形成システム |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1813436C3 (de) * | 1968-12-07 | 1979-01-11 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | N-Substituierte 2,6-Dimethyl-l,4dihydropyridine |
US3803314A (en) * | 1968-12-07 | 1974-04-09 | Bayer Ag | Pharmaceutical compositions and use of n-alkyl-1,4-dihydropyridines |
US3883543A (en) * | 1969-05-10 | 1975-05-13 | Bayer Ag | N-alkyl-1,4-dihydropyridines |
DE1923990C3 (de) * | 1969-05-10 | 1978-11-23 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von N-substituierten M-Dihydropyridin-S.S-dicarbonsäureestern |
US3776735A (en) * | 1971-12-28 | 1973-12-04 | Kalle Ag | Light-sensitive copying composition containing a light insensitive polymer and a light sensitive heterocyclic compound |
US3946028A (en) * | 1972-09-30 | 1976-03-23 | Bayer Aktiengesellschaft | 2,3,5,6-Tetracarboxy-4-pyridyl-1,4-dihydropyridine derivatives |
DE2718130C2 (de) * | 1977-04-23 | 1979-05-17 | Du Pont De Nemours (Deutschland) Gmbh, 4000 Duesseldorf | lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial |
DE3850809D1 (de) * | 1987-05-18 | 1994-09-01 | Siemens Ag | Wärmebeständige Positivresists und Verfahren zur Herstellung wärmebeständiger Reliefstrukturen. |
DE3716629C2 (de) * | 1987-05-18 | 1997-06-12 | Siemens Ag | Wärmebeständige positiv arbeitende strahlungsempfindliche Gemische und Verfahren zur Herstellung wärmebeständiger Reliefstrukturen |
US4927736A (en) * | 1987-07-21 | 1990-05-22 | Hoechst Celanese Corporation | Hydroxy polyimides and high temperature positive photoresists therefrom |
-
1989
- 1989-03-20 EP EP89104948A patent/EP0388482B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-20 DE DE58908012T patent/DE58908012D1/de not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-03-16 US US07/494,614 patent/US5081000A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-19 JP JP2071782A patent/JP2800148B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4960733A (ja) * | 1972-08-26 | 1974-06-12 | ||
JPS58223147A (ja) * | 1982-06-21 | 1983-12-24 | Fuji Yakuhin Kogyo Kk | ポジ型感光性組成物 |
JPS6153642A (ja) * | 1984-08-11 | 1986-03-17 | イー・アイ・デユポン・ド・ネモアース・アンド・コンパニー | 4‐(2′‐ニトロフエニル)‐1,4‐ジヒドロピリジン化合物を用いるトナー処理画像形成システム |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0792682A (ja) * | 1993-04-28 | 1995-04-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物及びレリーフパターンの製造法 |
JPH07271034A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-20 | Nitto Denko Corp | 耐熱性ネガ型フォトレジスト組成物および感光性基材、ならびにネガ型パターン形成方法 |
JP2002526794A (ja) * | 1998-10-01 | 2002-08-20 | アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド | 新規な感光性樹脂組成物 |
JP2003529099A (ja) * | 2000-03-24 | 2003-09-30 | アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド | 新規な感光性樹脂組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0388482A1 (de) | 1990-09-26 |
JP2800148B2 (ja) | 1998-09-21 |
US5081000A (en) | 1992-01-14 |
EP0388482B1 (de) | 1994-07-06 |
DE58908012D1 (de) | 1994-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH02298947A (ja) | 感光性混合物及びレリーフ構造体の製法 | |
US7598009B2 (en) | Photosensitive resin composition, production method for cured relief pattern using it, and semiconductor device | |
JPH03289658A (ja) | ポジ画像の形成方法 | |
KR900000863B1 (ko) | 심부 자외선 석판인쇄 내식막 조성물 및 그의 이용법 | |
JP2003195489A (ja) | 環式スルホニウム及びスルホキソニウムフォト酸生成剤及びそれを含むフォトレジスト | |
US5230985A (en) | Negative-working radiation-sensitive mixtures, and radiation-sensitive recording material produced with these mixtures | |
US5298364A (en) | Radiation-sensitive sulfonic acid esters and their use | |
US6319650B1 (en) | High resolution crosslinkable photoresist composition, compatable with high base concentration aqueous developers method and for use thereof | |
JP7498179B2 (ja) | スルホンアミド化合物、非イオン系光酸発生剤、およびフォトリソグラフィー用樹脂組成物 | |
US6514663B1 (en) | Bottom resist | |
US5171656A (en) | Photosensitive composition | |
US6171749B1 (en) | Negative-working chemical-amplification photoresist composition | |
JP2000352822A (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
JPS6235350A (ja) | 像反転に有用な保存寿命の長いフオトレジスト | |
JPS61167941A (ja) | 高感度ポリアミドエステルホトレジスト組成物 | |
US5851736A (en) | Heat-resistant photoresist composition, photosensitive substrate, and process for forming heat-resistant positive or negative pattern | |
US5273856A (en) | Positive working photoresist composition containing mid or near UV radiation sensitive quinone diazide and sulfonic acid ester of imide or oxime which does not absorb mid or near UV radiation | |
JP3632383B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト用感放射線性樹脂組成物 | |
JP3194645B2 (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
JPH11258801A (ja) | ネガ型レジスト組成物 | |
JPH11258802A (ja) | ネガ型レジスト組成物 | |
JP2003267949A (ja) | ピレンスルホン酸オニウム塩化合物、該化合物の製造方法、該化合物を用いた感光性樹脂組成物およびこれを用いた感光性材料。 | |
JPH09211865A (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
JPH0437760A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
US4808512A (en) | Process of deep ultra-violet imaging lithographic resist compositions |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080710 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080710 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090710 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100710 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100710 Year of fee payment: 12 |