JPH02298034A - 半導体製造用のｃｖｄ装置 - Google Patents
半導体製造用のｃｖｄ装置Info
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- JPH02298034A JPH02298034A JP11983289A JP11983289A JPH02298034A JP H02298034 A JPH02298034 A JP H02298034A JP 11983289 A JP11983289 A JP 11983289A JP 11983289 A JP11983289 A JP 11983289A JP H02298034 A JPH02298034 A JP H02298034A
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- Japan
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- valve
- wafer
- chamber
- wafer processing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はウェーハ処理室とウェーハ処理室を大気中に開
放せずにウェーハの取り入れ取り出しを行うための真空
予備室（ロードロック室）とを備え、ウェーハを一枚ず
つ処理する、所謂、枚葉・ロードロック方式の半導体製
造用のＣＶＤ装置。
放せずにウェーハの取り入れ取り出しを行うための真空
予備室（ロードロック室）とを備え、ウェーハを一枚ず
つ処理する、所謂、枚葉・ロードロック方式の半導体製
造用のＣＶＤ装置。
特にその排気系の構成に関する。
第２図は従来の枚葉・ロードロック方式の半導体製造用
のＣＶＤ装置の一例の系統図で、５はウェーハ処理室、
６はウェーハ処理室５を大気中に開放せずにウェーハの
取り入れ取り出しを行うための真空予備室（ロードロッ
ク室）であり、７及び８はそれぞれ前記室の排気系であ
る。真空予備室６内のウェーハをウェーハ処理室５へ移
送し、続いてバルブ３を開いて排気系７によりウェーハ
処理室５の真空排気を行う、続いてバルブ２を開いてＮ
８パージを行い、再びバルブ２を閉じ真空排気を行う、
その後、バルブ１を開きバルブ２を閉じて、ＳｉＨ＊、
八ｒｌ Ｎｔｏ等の反応ガス１０をウェーハ処理室５の
排気系７で排気し、この間に、図外のマスフローコント
ローラにより流量のｉｌｌ 整ヲ行つ。
のＣＶＤ装置の一例の系統図で、５はウェーハ処理室、
６はウェーハ処理室５を大気中に開放せずにウェーハの
取り入れ取り出しを行うための真空予備室（ロードロッ
ク室）であり、７及び８はそれぞれ前記室の排気系であ
る。真空予備室６内のウェーハをウェーハ処理室５へ移
送し、続いてバルブ３を開いて排気系７によりウェーハ
処理室５の真空排気を行う、続いてバルブ２を開いてＮ
８パージを行い、再びバルブ２を閉じ真空排気を行う、
その後、バルブ１を開きバルブ２を閉じて、ＳｉＨ＊、
八ｒｌ Ｎｔｏ等の反応ガス１０をウェーハ処理室５の
排気系７で排気し、この間に、図外のマスフローコント
ローラにより流量のｉｌｌ 整ヲ行つ。
この後にバルブ１を閉じバルブ２を開いて、反応ガス１
０をウェーハ処理室５へ導入し、膜形成を開始する。
０をウェーハ処理室５へ導入し、膜形成を開始する。
しかしながら、前述の半導体製造用のＣＶＤ装置におい
ては、ウェーハを真空予備室からウェーハ処理室へ移送
してから、い（つかステップのプロセスがあり、このた
め膜形成開始まで３０〜４０秒程度を必要としていた。
ては、ウェーハを真空予備室からウェーハ処理室へ移送
してから、い（つかステップのプロセスがあり、このた
め膜形成開始まで３０〜４０秒程度を必要としていた。
この間、ウェーハは加熱され、ウェーハの下地にアルミ
配線が形成されている場合には、この熱による熱歪と再
結晶とによって突起が生ずる、所謂、ヒロックの成長が
見られ、多層配線での配線間、眉間の絶縁膜の絶縁不良
の原因となっていた。
配線が形成されている場合には、この熱による熱歪と再
結晶とによって突起が生ずる、所謂、ヒロックの成長が
見られ、多層配線での配線間、眉間の絶縁膜の絶縁不良
の原因となっていた。
本発明の課題は、ウェーハが真空予備室からウェーハ処
理室に移送してから、膜形成開始までの時間を短縮した
半導体製造用のＣＶＤ装置を提供することにある。
理室に移送してから、膜形成開始までの時間を短縮した
半導体製造用のＣＶＤ装置を提供することにある。
前述の課題を解決するために、本発明の半導体製造用の
ＣＶＤ装置においては、 ウェーハ処理室及び真空予備室の排気系とは別系統の排
気系を備え、 この排気系に、所定の流量の反応ガスを連続して流して
おき、ウェーハ処理室でのウェーハ処理の準備が完了次
第、この反応ガスをウェーハ処理室へ導入するようにす
る。
ＣＶＤ装置においては、 ウェーハ処理室及び真空予備室の排気系とは別系統の排
気系を備え、 この排気系に、所定の流量の反応ガスを連続して流して
おき、ウェーハ処理室でのウェーハ処理の準備が完了次
第、この反応ガスをウェーハ処理室へ導入するようにす
る。
本発明の半導体製造用のＣＶＤ装置においては、ウェー
ハ処理室及び真空予備室の排気系とは別系統の排気系を
備え、この排気系はバルブを介して、ウェーハ処理室の
反応ガス及びパージ用Ｎ３ガス供給系のバルブの上流側
に、結合するようにする。
ハ処理室及び真空予備室の排気系とは別系統の排気系を
備え、この排気系はバルブを介して、ウェーハ処理室の
反応ガス及びパージ用Ｎ３ガス供給系のバルブの上流側
に、結合するようにする。
この排気系に連続して所定の流量の反応ガスを流してお
き、ウェーハのウェーハ処理室への移送、ウェーハ処理
室の真空排気、Ｎ８バージ、再度の真空排気が完了次第
、反応ガスをウェーハ処理室５に導入し、直ちに、膜形
成が開始するようにしている。従って従来の装置で最も
時間のかかった反応ガスのマスフローコントローラによ
る流量ｍＷの時間が短縮され、従来、ウェーハをウェー
ハ処理室へ移送後３０〜４０秒程度を必要としていたも
のが、約１０秒に短縮される。
き、ウェーハのウェーハ処理室への移送、ウェーハ処理
室の真空排気、Ｎ８バージ、再度の真空排気が完了次第
、反応ガスをウェーハ処理室５に導入し、直ちに、膜形
成が開始するようにしている。従って従来の装置で最も
時間のかかった反応ガスのマスフローコントローラによ
る流量ｍＷの時間が短縮され、従来、ウェーハをウェー
ハ処理室へ移送後３０〜４０秒程度を必要としていたも
のが、約１０秒に短縮される。
なお、別系統のＮ２ガス供給系をバルブを介して、前記
の反応ガス及びパージ用り供給系のバルブの下流側に結
合したことにより、ウェーハ処理室のＮ、パージと反応
ガスの流通を同時に行うことが可能となっている。
の反応ガス及びパージ用り供給系のバルブの下流側に結
合したことにより、ウェーハ処理室のＮ、パージと反応
ガスの流通を同時に行うことが可能となっている。
第１図は本発明の枚葉・ロードロック方式の半導体製造
用のＣＶＤ装置の一実施例の系統図で、５はウェーハ処
理室、６半導体ウェーハ処理室を大気中に開放しないで
ウェーハの取り入れ取り出しを行うための真空予備室（
ロードロック室）であり、７及び８はそれぞれ前記室の
排気系である。
用のＣＶＤ装置の一実施例の系統図で、５はウェーハ処
理室、６半導体ウェーハ処理室を大気中に開放しないで
ウェーハの取り入れ取り出しを行うための真空予備室（
ロードロック室）であり、７及び８はそれぞれ前記室の
排気系である。
９は本発明で新しく設けられた排気系である。真空予備
室６内のウェーハをウェーハ処理室５へ移送し、つづい
てでバルブ３を開いて排気系７によりウェーハ処理室５
の真空排気を行う、続いて新しく設けられたバルブ４を
開いてＮ、パージを行い、再びバルブ４を閉じ真空排気
を行う。この間パルプ２は閉じられており、本発明では
、バルブ１を開きＳＩＬ、＾ｉ ｓ、ｏ等の反応ガスを
排気系９で排気を行っている。この反応ガスの排気は連
続して行っており、常にマスフローコントローラにより
所定の流量に調整されている。従ってウェーハ処理室５
への移送、ウェーハ処理室５の真空排気、Ｎ、パージ再
度の真空排気が完了次第、バルブ１を閉じ、バルブ２を
開いて反応ガスをウェーハ処理室５に導入し、直ちに、
膜形成が開始される。これによって、従来、膜形成開始
まで３０〜４０秒程度を必要としていたものが、約１０
秒に短縮される。
室６内のウェーハをウェーハ処理室５へ移送し、つづい
てでバルブ３を開いて排気系７によりウェーハ処理室５
の真空排気を行う、続いて新しく設けられたバルブ４を
開いてＮ、パージを行い、再びバルブ４を閉じ真空排気
を行う。この間パルプ２は閉じられており、本発明では
、バルブ１を開きＳＩＬ、＾ｉ ｓ、ｏ等の反応ガスを
排気系９で排気を行っている。この反応ガスの排気は連
続して行っており、常にマスフローコントローラにより
所定の流量に調整されている。従ってウェーハ処理室５
への移送、ウェーハ処理室５の真空排気、Ｎ、パージ再
度の真空排気が完了次第、バルブ１を閉じ、バルブ２を
開いて反応ガスをウェーハ処理室５に導入し、直ちに、
膜形成が開始される。これによって、従来、膜形成開始
まで３０〜４０秒程度を必要としていたものが、約１０
秒に短縮される。
ウェーハは、通常、ウェーハ処理室へ移送してから、膜
形成開始までの間加熱され、従来、ウェーハの下地にア
ルミ配線が形成されている場合には、この熱による熱歪
と再結晶とによって突起が生ずる、所謂、ヒロックの成
長が見られ、多層配線での配線間、眉間の絶縁膜の絶縁
不良の原因となっていたが、前述の如く約１０秒に短縮
され、この問題は完全になくなった。
形成開始までの間加熱され、従来、ウェーハの下地にア
ルミ配線が形成されている場合には、この熱による熱歪
と再結晶とによって突起が生ずる、所謂、ヒロックの成
長が見られ、多層配線での配線間、眉間の絶縁膜の絶縁
不良の原因となっていたが、前述の如く約１０秒に短縮
され、この問題は完全になくなった。
本発明によれば、ウェーハをウェーハ処理室へ移送して
から膜形成開始までの時間が、従来３０〜４０秒程度か
ら約１０秒に短縮されたため、この間の加熱によって、
ウェーハの下地にアルミ配線が形成されている場合にお
いて、この熱による熱歪と再結晶とによって突起が生ず
る、所謂、ヒロック成長による多層配線での配線間、眉
間の絶縁膜の絶縁不良が完全になくなった。
から膜形成開始までの時間が、従来３０〜４０秒程度か
ら約１０秒に短縮されたため、この間の加熱によって、
ウェーハの下地にアルミ配線が形成されている場合にお
いて、この熱による熱歪と再結晶とによって突起が生ず
る、所謂、ヒロック成長による多層配線での配線間、眉
間の絶縁膜の絶縁不良が完全になくなった。
第１図は本発明の半導体製造用のＣＶＤ装置の一実施例
の系統図、第２図は従来の半導体製造用のＣＶＤ装置の
一例の系統図である。 ５：ウェーハ処理室 ６：真空予備室 ７：排気系（ウェーハ処理室用） ８：排気系（真空予備室用） ９：排気系 第１図
の系統図、第２図は従来の半導体製造用のＣＶＤ装置の
一例の系統図である。 ５：ウェーハ処理室 ６：真空予備室 ７：排気系（ウェーハ処理室用） ８：排気系（真空予備室用） ９：排気系 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ウェーハ処理室と、ウェーハ処理室を大気中に開放
せずにウェーハの取り入れ取り出しを行うための真空予
備室とを備え、ウェーハを一枚ずつ処理する半導体製造
用のＣＶＤ装置において、ウェーハ処理室及び真空予備
室の排気系とは別系統の排気系を備え、 この排気系に、所定の流量の反応ガスを連続して流して
おき、ウェーハ処理室でのウェーハ処理の準備が完了次
第、この反応ガスをウェーハ処理室へ導入する ことを特徴とする半導体製造用のＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11983289A JPH02298034A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体製造用のｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11983289A JPH02298034A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体製造用のｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02298034A true JPH02298034A (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=14771368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11983289A Pending JPH02298034A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体製造用のｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02298034A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05144733A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Toshiba Corp | 薄膜製造装置 |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP11983289A patent/JPH02298034A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05144733A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Toshiba Corp | 薄膜製造装置 |
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