JPH0669140A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
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- JPH0669140A JPH0669140A JP22125392A JP22125392A JPH0669140A JP H0669140 A JPH0669140 A JP H0669140A JP 22125392 A JP22125392 A JP 22125392A JP 22125392 A JP22125392 A JP 22125392A JP H0669140 A JPH0669140 A JP H0669140A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- semiconductor wafer
- reaction chamber
- load lock
- cvd apparatus
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 処理終了後の半導体ウェハを高温の処理雰囲
気から常温雰囲気へ搬出する際に割れが生じないように
する。 【構成】 ＣＶＤ処理を行う反応室２、この反応室２へ
処理対象の半導体ウェハを搬入するローダ１、このロー
ダ１と反応室２の間に設けられて前記半導体ウェハを常
温から中間温度へ予備加熱する予備加熱室６と、反応室
２に連結されて処理の終了した半導体ウェハを中間温度
にまで冷却する予備冷却室７、前記半導体ウェハを予備
冷却室７から常温雰囲気中へ搬出するアンローダ３とか
ら構成される。
気から常温雰囲気へ搬出する際に割れが生じないように
する。 【構成】 ＣＶＤ処理を行う反応室２、この反応室２へ
処理対象の半導体ウェハを搬入するローダ１、このロー
ダ１と反応室２の間に設けられて前記半導体ウェハを常
温から中間温度へ予備加熱する予備加熱室６と、反応室
２に連結されて処理の終了した半導体ウェハを中間温度
にまで冷却する予備冷却室７、前記半導体ウェハを予備
冷却室７から常温雰囲気中へ搬出するアンローダ３とか
ら構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition ）装置の構成技術、特に、熱応力が大きく
脆性な性質を有する基板上に薄膜を形成するために用い
て効果のある技術に関するものである。
Deposition ）装置の構成技術、特に、熱応力が大きく
脆性な性質を有する基板上に薄膜を形成するために用い
て効果のある技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、周波数の高い領域で使用される
通信用の半導体装置においては、その半導体ウェハに動
作特性の向上が可能なガリウム砒素（ＧａＡｓ）ウェハ
が用いられる。このＧａＡｓウェハにＣＶＤ処理を行う
場合、従来はシリコンウェハ用のＣＶＤ装置をそのまま
用いて行っている。
通信用の半導体装置においては、その半導体ウェハに動
作特性の向上が可能なガリウム砒素（ＧａＡｓ）ウェハ
が用いられる。このＧａＡｓウェハにＣＶＤ処理を行う
場合、従来はシリコンウェハ用のＣＶＤ装置をそのまま
用いて行っている。
【０００３】従来のＣＶＤ装置は図１１に示すように、
半導体ウェハを処理雰囲気中へ搬入するためのローダ
１、搬入された半導体ウェハに対しＣＶＤにより成膜を
行う反応室２、処理済みの半導体ウェハを反応室２から
取り出すアンローダ３から成り、これらを一直線上に並
べた構成になっている。
半導体ウェハを処理雰囲気中へ搬入するためのローダ
１、搬入された半導体ウェハに対しＣＶＤにより成膜を
行う反応室２、処理済みの半導体ウェハを反応室２から
取り出すアンローダ３から成り、これらを一直線上に並
べた構成になっている。
【０００４】図１２は従来のＣＶＤ装置の第２例を示す
模式的構成図である。
模式的構成図である。
【０００５】このＣＶＤ装置は、反応室２を真空状態に
して成膜を行うタイプの例であり、ローダ１と反応室２
の間にロードロック室４が設けられると共に反応室２と
アンローダ３の間にロードロック室５が設けられてい
る。
して成膜を行うタイプの例であり、ローダ１と反応室２
の間にロードロック室４が設けられると共に反応室２と
アンローダ３の間にロードロック室５が設けられてい
る。
【０００６】また、図１３は従来のＣＶＤ装置の第３例
を示す模式的構成図である。
を示す模式的構成図である。
【０００７】このＣＶＤ装置は、１組の搬送系に対し複
数の反応室２を連結できるように配置を考えた例であ
り、ローダ１にはロードロック室４が連結され、このロ
ードロック室４に対して反応室２及びアンローダ３を並
列的に連結する構成が取られている。
数の反応室２を連結できるように配置を考えた例であ
り、ローダ１にはロードロック室４が連結され、このロ
ードロック室４に対して反応室２及びアンローダ３を並
列的に連結する構成が取られている。
【０００８】図１１に示したＣＶＤ装置における半導体
ウェハの搬送経路は、まず、ローダ１によって処理対象
の半導体ウェハを反応室２へ搬入し、次いで、処理の終
了した半導体ウェハをアームによって把持しながらアン
ローダ３へ搬出する工程を経て行われる。
ウェハの搬送経路は、まず、ローダ１によって処理対象
の半導体ウェハを反応室２へ搬入し、次いで、処理の終
了した半導体ウェハをアームによって把持しながらアン
ローダ３へ搬出する工程を経て行われる。
【０００９】図１２のようにロードロック室４を備えた
構成にあっては、ロードロック室４と反応室２の間を遮
断（隔離）した状態でローダ１から半導体ウェハをロー
ドロック室４へ搬入し、次いで、ローダ１とロードロッ
ク室４の間を遮断した後、反応室２とロードロック室４
の間を開けて半導体ウェハを反応室２へ搬入する。ま
た、反応室２から搬出するときには、アンローダ３とロ
ードロック室５の間を遮断した状態で半導体ウェハをロ
ードロック室５へ搬入し、次いで、反応室２とロードロ
ック室５の間を遮断した後、ロードロック室５とアンロ
ーダ３の間を開けて半導体ウェハをアンローダ３へ搬入
する。
構成にあっては、ロードロック室４と反応室２の間を遮
断（隔離）した状態でローダ１から半導体ウェハをロー
ドロック室４へ搬入し、次いで、ローダ１とロードロッ
ク室４の間を遮断した後、反応室２とロードロック室４
の間を開けて半導体ウェハを反応室２へ搬入する。ま
た、反応室２から搬出するときには、アンローダ３とロ
ードロック室５の間を遮断した状態で半導体ウェハをロ
ードロック室５へ搬入し、次いで、反応室２とロードロ
ック室５の間を遮断した後、ロードロック室５とアンロ
ーダ３の間を開けて半導体ウェハをアンローダ３へ搬入
する。
【００１０】また、図１３に示したＣＶＤ装置において
は、半導体ウェハはローダ１からロードロック室４へ搬
入した後にローダ１とロードロック室４の間が遮断さ
れ、このロードロック室４内で所定の圧力雰囲気にされ
た後に反応室２へ搬入され、反応室２とロードロック室
４の間が遮断される。次いで、反応室２の処理が終了す
ると、半導体ウェハは再びロードロック室４へ移送さ
れ、反応室２とロードロック室４の間を遮断した後にロ
ードロック室４とアンローダ３の間を開け、アンローダ
３へ搬入する。
は、半導体ウェハはローダ１からロードロック室４へ搬
入した後にローダ１とロードロック室４の間が遮断さ
れ、このロードロック室４内で所定の圧力雰囲気にされ
た後に反応室２へ搬入され、反応室２とロードロック室
４の間が遮断される。次いで、反応室２の処理が終了す
ると、半導体ウェハは再びロードロック室４へ移送さ
れ、反応室２とロードロック室４の間を遮断した後にロ
ードロック室４とアンローダ３の間を開け、アンローダ
３へ搬入する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明者の検討によれ
ば、シリコンウェハ用のＣＶＤ装置を共用してＧａＡｓ
ウェハにデポジションを行った場合、ＧａＡｓウェハは
シリコンウェハに比較して熱応力が大きく且つ脆性であ
るため、ＣＶＤ装置による薄膜の形成後、デポジション
温度（例えば、４００〜５００℃）から常温常圧状態の
雰囲気中へ取り出した場合、反応室とローダとの間の大
きな温度差のために、シリコンウェハでは耐えられた温
度でもＧａＡｓウェハでは耐え切れずに割れてしまい、
製品歩留りを低下させるという問題がある。
ば、シリコンウェハ用のＣＶＤ装置を共用してＧａＡｓ
ウェハにデポジションを行った場合、ＧａＡｓウェハは
シリコンウェハに比較して熱応力が大きく且つ脆性であ
るため、ＣＶＤ装置による薄膜の形成後、デポジション
温度（例えば、４００〜５００℃）から常温常圧状態の
雰囲気中へ取り出した場合、反応室とローダとの間の大
きな温度差のために、シリコンウェハでは耐えられた温
度でもＧａＡｓウェハでは耐え切れずに割れてしまい、
製品歩留りを低下させるという問題がある。
【００１２】そこで、本発明の目的は、処理終了後の半
導体ウェハをアンロードする際に、温度差に起因する割
れが生じないようにすることのできる技術を提供するこ
とにある。
導体ウェハをアンロードする際に、温度差に起因する割
れが生じないようにすることのできる技術を提供するこ
とにある。
【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００１５】すなわち、ＣＶＤ処理を行う反応室と、こ
の反応室へ処理対象の半導体ウェハを搬入するローダ
と、前記反応室に連結されて処理の終了した半導体ウェ
ハを所定温度まで冷却する予備冷却室と、該予備冷却室
から前記半導体ウェハを搬出するアンローダとを設ける
ようにしている。
の反応室へ処理対象の半導体ウェハを搬入するローダ
と、前記反応室に連結されて処理の終了した半導体ウェ
ハを所定温度まで冷却する予備冷却室と、該予備冷却室
から前記半導体ウェハを搬出するアンローダとを設ける
ようにしている。
【００１６】
【作用】上記した手段によれば、処理雰囲気の温度から
処理済みの半導体ウェハをアンロードするに際し、一気
に常温雰囲気に搬出せずに中間温度に冷却してから搬出
を行う。この結果、急冷に起因する半導体ウェハの割れ
を防止し、製品歩留りを向上させることができる。
処理済みの半導体ウェハをアンロードするに際し、一気
に常温雰囲気に搬出せずに中間温度に冷却してから搬出
を行う。この結果、急冷に起因する半導体ウェハの割れ
を防止し、製品歩留りを向上させることができる。
【００１７】
【実施例１】図１は本発明によるＣＶＤ装置の第１実施
例を示す模式的構成図である。
例を示す模式的構成図である。
【００１８】本発明によるＣＶＤ装置８は、ローダ１に
対し、予備加熱室６、反応室２、予備冷却室７及びアン
ローダ３が一直線上に順次配設された構成になってい
る。予備加熱室６は、常温（例えば、２０℃）にあった
ＧａＡｓウェハ（半導体ウェハ）を２００〜３００℃程
度に加熱するためのものである。また、予備冷却室７
は、反応室２で４００〜５００℃に加熱されたＧａＡｓ
ウェハを一旦２００〜３００℃程度に冷ますためのもの
である。
対し、予備加熱室６、反応室２、予備冷却室７及びアン
ローダ３が一直線上に順次配設された構成になってい
る。予備加熱室６は、常温（例えば、２０℃）にあった
ＧａＡｓウェハ（半導体ウェハ）を２００〜３００℃程
度に加熱するためのものである。また、予備冷却室７
は、反応室２で４００〜５００℃に加熱されたＧａＡｓ
ウェハを一旦２００〜３００℃程度に冷ますためのもの
である。
【００１９】このように、予備加熱室６及び予備冷却室
７を設けることで、ＧａＡｓウェハに急激な温度変化を
与えないようにすることができる。すなわち、処理対象
のＧａＡｓウェハは、まず、常温状態のローダ１から２
００〜３００℃程度の温度雰囲気に設定されている予備
加熱室６へ搬入され、予備加熱が行われる。次いで、予
備加熱の終了したＧａＡｓウェハは、４００〜５００℃
程度の温度雰囲気に設定されている反応室２に搬入さ
れ、ＣＶＤによる薄膜がＧａＡｓウェハ上に形成され
る。さらに、処理の終了したＧａＡｓウェハは予備冷却
室７に搬入され、ここでＧａＡｓウェハを２００〜３０
０℃程度の温度に冷却する。この２００〜３００℃程度
に冷やされたＧａＡｓウェハは常温雰囲気のアンローダ
３に搬入される。なお、図中の矢印（→）は、半導体ウ
ェハの移動順序（搬送流れ）を示している。
７を設けることで、ＧａＡｓウェハに急激な温度変化を
与えないようにすることができる。すなわち、処理対象
のＧａＡｓウェハは、まず、常温状態のローダ１から２
００〜３００℃程度の温度雰囲気に設定されている予備
加熱室６へ搬入され、予備加熱が行われる。次いで、予
備加熱の終了したＧａＡｓウェハは、４００〜５００℃
程度の温度雰囲気に設定されている反応室２に搬入さ
れ、ＣＶＤによる薄膜がＧａＡｓウェハ上に形成され
る。さらに、処理の終了したＧａＡｓウェハは予備冷却
室７に搬入され、ここでＧａＡｓウェハを２００〜３０
０℃程度の温度に冷却する。この２００〜３００℃程度
に冷やされたＧａＡｓウェハは常温雰囲気のアンローダ
３に搬入される。なお、図中の矢印（→）は、半導体ウ
ェハの移動順序（搬送流れ）を示している。
【００２０】以上のように、ＧａＡｓウェハを常温から
処理温度へ一気に急激に温度を上昇させるのではなく、
反応室２へ搬入する途中で予備加熱室６によって処理温
度の半分近い温度に一旦加熱し、時間をおいて反応室２
へ搬入することで、ＧａＡｓウェハにかかる熱応力を小
さくすることができ、割れなどを生じないようにするこ
とができる。一方、反応室２から搬出するに際しては、
逆に、予備冷却室７において処理済みのＧａＡｓウェハ
を４００〜５００℃程度の温度から２００〜３００℃程
度に冷却し、次いで、常温雰囲気のアンローダ３へ搬出
する。これにより、処理温度から常温雰囲気へ段階的に
ウェハ温度を変化させることができ、ＧａＡｓウェハに
かかる熱応力を小さくすることが可能になり、ウェハ割
れを防止することができる。
処理温度へ一気に急激に温度を上昇させるのではなく、
反応室２へ搬入する途中で予備加熱室６によって処理温
度の半分近い温度に一旦加熱し、時間をおいて反応室２
へ搬入することで、ＧａＡｓウェハにかかる熱応力を小
さくすることができ、割れなどを生じないようにするこ
とができる。一方、反応室２から搬出するに際しては、
逆に、予備冷却室７において処理済みのＧａＡｓウェハ
を４００〜５００℃程度の温度から２００〜３００℃程
度に冷却し、次いで、常温雰囲気のアンローダ３へ搬出
する。これにより、処理温度から常温雰囲気へ段階的に
ウェハ温度を変化させることができ、ＧａＡｓウェハに
かかる熱応力を小さくすることが可能になり、ウェハ割
れを防止することができる。
【００２１】
【実施例２】図２は本発明によるＣＶＤ装置の第２実施
例を示す模式的構成図である。なお、図２においては、
図１に示したと同一であるものには同一引用数字を付し
たので、ここでは重複する説明を省略する。
例を示す模式的構成図である。なお、図２においては、
図１に示したと同一であるものには同一引用数字を付し
たので、ここでは重複する説明を省略する。
【００２２】前記実施例が常圧型であったのに対し、本
実施例は低圧型の反応室２としており、反応室２内は真
空状態にされる。このために予備加熱室６の前段にロー
ドロック室４を設けると共に、予備冷却室７とアンロー
ダ３の間にロードロック室５を設けている。したがっ
て、予備加熱室６はロードロック室４または反応室２と
一時的に同じ雰囲気になり、予備冷却室７は反応室２ま
たはロードロック室５と一時的に同じ雰囲気になる。
実施例は低圧型の反応室２としており、反応室２内は真
空状態にされる。このために予備加熱室６の前段にロー
ドロック室４を設けると共に、予備冷却室７とアンロー
ダ３の間にロードロック室５を設けている。したがっ
て、予備加熱室６はロードロック室４または反応室２と
一時的に同じ雰囲気になり、予備冷却室７は反応室２ま
たはロードロック室５と一時的に同じ雰囲気になる。
【００２３】
【実施例３】図３は本発明によるＣＶＤ装置の第３実施
例を示す模式的構成図である。なお、図３においては、
前記各実施例に示したと同一であるものには同一引用数
字を付したので、ここでは重複する説明を省略する。
例を示す模式的構成図である。なお、図３においては、
前記各実施例に示したと同一であるものには同一引用数
字を付したので、ここでは重複する説明を省略する。
【００２４】本実施例は、図２の構成におけるロードロ
ック室４と予備加熱室６を一体化した予備加熱機能を備
えた予備加熱機能付ロードロック室９をローダ１と反応
室２の間に設けると共に、同じく図２の構成における予
備冷却室７とロードロック室５を一体化した予備冷却機
能を備えた予備冷却機能付ロードロック室１０を反応室
２とアンローダ３の間に設けたところに特徴がある。こ
のようにすることで、設置スペースを小さくすることが
できる。
ック室４と予備加熱室６を一体化した予備加熱機能を備
えた予備加熱機能付ロードロック室９をローダ１と反応
室２の間に設けると共に、同じく図２の構成における予
備冷却室７とロードロック室５を一体化した予備冷却機
能を備えた予備冷却機能付ロードロック室１０を反応室
２とアンローダ３の間に設けたところに特徴がある。こ
のようにすることで、設置スペースを小さくすることが
できる。
【００２５】
【実施例４】図４は本発明によるＣＶＤ装置の第４実施
例を示す模式的構成図である。なお、図４においては、
前記各実施例に示したと同一であるものには同一引用数
字を付したので、ここでは重複する説明を省略する。
例を示す模式的構成図である。なお、図４においては、
前記各実施例に示したと同一であるものには同一引用数
字を付したので、ここでは重複する説明を省略する。
【００２６】本実施例は、図２の構成における予備加熱
室６と予備冷却室７とロードロック室４，５の各機能を
兼備した予備加熱・冷却機能付ロードロック室１１を設
け、このロードロック室１１を囲むようにローダー１、
反応室２及びアンローダ３を配設したところに特徴があ
る。この実施例では、処理対象の半導体ウェハは、ロー
ダ１→ロードロック室１１→反応室２→ロードロック室
１１→アンローダ３の順に搬送される。このようにする
ことで設置スペースが最も小さい構成にすることが可能
になる。
室６と予備冷却室７とロードロック室４，５の各機能を
兼備した予備加熱・冷却機能付ロードロック室１１を設
け、このロードロック室１１を囲むようにローダー１、
反応室２及びアンローダ３を配設したところに特徴があ
る。この実施例では、処理対象の半導体ウェハは、ロー
ダ１→ロードロック室１１→反応室２→ロードロック室
１１→アンローダ３の順に搬送される。このようにする
ことで設置スペースが最も小さい構成にすることが可能
になる。
【００２７】
【実施例５】図５は本発明によるＣＶＤ装置の第５実施
例を示す模式的構成図である。なお、図５においては、
前記各実施例に示したと同一であるものには同一引用数
字を付したので、ここでは重複する説明を省略する。
例を示す模式的構成図である。なお、図５においては、
前記各実施例に示したと同一であるものには同一引用数
字を付したので、ここでは重複する説明を省略する。
【００２８】本実施例は常圧型を対象としており、この
ために図４の構成におけるロードロック室１１からロー
ドロック室の機能を取り去り、予備加熱と予備冷却の機
能を１つの室で行えるようにした予備加熱・冷却室１２
を、ロードロック室１１に代えて設置するようにしたと
ころに特徴がある。また、この構成では、反応室２の増
設が容易にできる利点もある。
ために図４の構成におけるロードロック室１１からロー
ドロック室の機能を取り去り、予備加熱と予備冷却の機
能を１つの室で行えるようにした予備加熱・冷却室１２
を、ロードロック室１１に代えて設置するようにしたと
ころに特徴がある。また、この構成では、反応室２の増
設が容易にできる利点もある。
【００２９】
【実施例６】図６は本発明によるＣＶＤ装置の第６実施
例を示す模式的構成図である。なお、図６においては、
前記各実施例に示したと同一であるものには同一引用数
字を付したので、ここでは重複する説明を省略する。
例を示す模式的構成図である。なお、図６においては、
前記各実施例に示したと同一であるものには同一引用数
字を付したので、ここでは重複する説明を省略する。
【００３０】本実施例は、ローダ１、ロードロック室
４、予備加熱・冷却室１２及び反応室２を一直線上に並
設し、さらにロードロック室４にアンローダ３を連結す
る構成にしたところに特徴がある。
４、予備加熱・冷却室１２及び反応室２を一直線上に並
設し、さらにロードロック室４にアンローダ３を連結す
る構成にしたところに特徴がある。
【００３１】この実施例では、ロードロック室４を中心
にして各室が配設されているため、予備加熱・冷却室１
２と反応室２から成るユニットの複数を連結した場合で
も１箇所からローダ及びアンローダができるという利点
がある。
にして各室が配設されているため、予備加熱・冷却室１
２と反応室２から成るユニットの複数を連結した場合で
も１箇所からローダ及びアンローダができるという利点
がある。
【００３２】
【実施例７】図７は本発明によるＣＶＤ装置の第７実施
例を示す模式的構成図である。なお、図７においては、
図６に示したと同一であるものには同一引用数字を付し
たので、ここでは重複する説明を省略する。
例を示す模式的構成図である。なお、図７においては、
図６に示したと同一であるものには同一引用数字を付し
たので、ここでは重複する説明を省略する。
【００３３】本実施例は、図６の構成におけるアンロー
ダ３をロードロック室５を介して予備加熱・冷却室１２
に連結するようにしたところに特徴がある。この構成で
は、図１の構成が予備加熱室６と予備冷却室７を別個に
設けていたのに対し、この２つの機能を１つの室で済ま
すことができる。この実施例においては、半導体ウェハ
はローダ１→ロードロック室４→予備加熱・冷却室１２
→反応室２→予備加熱・冷却室１２→ロードロック室５
→アンローダ３の順路で搬送される。
ダ３をロードロック室５を介して予備加熱・冷却室１２
に連結するようにしたところに特徴がある。この構成で
は、図１の構成が予備加熱室６と予備冷却室７を別個に
設けていたのに対し、この２つの機能を１つの室で済ま
すことができる。この実施例においては、半導体ウェハ
はローダ１→ロードロック室４→予備加熱・冷却室１２
→反応室２→予備加熱・冷却室１２→ロードロック室５
→アンローダ３の順路で搬送される。
【００３４】
【実施例８】図８は本発明によるＣＶＤ装置の第８実施
例を示す模式的構成図である。なお、図８においては、
図１に示したと同一であるものには同一引用数字を付し
たので、ここでは重複する説明を省略する。
例を示す模式的構成図である。なお、図８においては、
図１に示したと同一であるものには同一引用数字を付し
たので、ここでは重複する説明を省略する。
【００３５】本実施例は、図１の構成から予備加熱室６
を除去した構成に特徴がある。ＧａＡｓウェハは、上記
したように熱応力に弱いが、割れなどの発生は加熱時よ
りも冷却時に影響が出やすい。そこで、装置構成の簡略
化を図りながら熱応力の影響を避ける手段として、予備
加熱室６のみを図１の構成から除去する構成をとってい
る。
を除去した構成に特徴がある。ＧａＡｓウェハは、上記
したように熱応力に弱いが、割れなどの発生は加熱時よ
りも冷却時に影響が出やすい。そこで、装置構成の簡略
化を図りながら熱応力の影響を避ける手段として、予備
加熱室６のみを図１の構成から除去する構成をとってい
る。
【００３６】
【実施例９】図９は本発明によるＣＶＤ装置の第９実施
例を示す模式的構成図である。なお、図９においては、
図２に示したと同一であるものには同一引用数字を付し
たので、ここでは重複する説明を省略する。
例を示す模式的構成図である。なお、図９においては、
図２に示したと同一であるものには同一引用数字を付し
たので、ここでは重複する説明を省略する。
【００３７】本実施例は、図２の実施例から予備加熱室
６を除去した構成であり、図８の実施例と考え方は共通
である。
６を除去した構成であり、図８の実施例と考え方は共通
である。
【００３８】
【実施例１０】図１０は本発明によるＣＶＤ装置の第１
０実施例を示す模式的構成図である。なお、図１０にお
いては、図３に示したと同一であるものには同一引用数
字を付したので、ここでは重複する説明を省略する。
０実施例を示す模式的構成図である。なお、図１０にお
いては、図３に示したと同一であるものには同一引用数
字を付したので、ここでは重複する説明を省略する。
【００３９】本実施例は、図３の実施例において、その
予備加熱機能付ロードロック室９を通常（予備加熱機能
を有しない構成）のロードロック室４に代えたところに
特徴がある。この考え方は、図８などと共通である。
予備加熱機能付ロードロック室９を通常（予備加熱機能
を有しない構成）のロードロック室４に代えたところに
特徴がある。この考え方は、図８などと共通である。
【００４０】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００４１】例えば、図１の実施例において、ローダ１
と予備加熱室６の間にＯ2 の混入を防止するためのＮ2
パージ室を設けるようにしてもよい。
と予備加熱室６の間にＯ2 の混入を防止するためのＮ2
パージ室を設けるようにしてもよい。
【００４２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【００４３】すなわち、ＣＶＤ処理を行う反応室と、こ
の反応室へ処理対象の半導体ウェハを搬入するローダ
と、前記反応室に連結されて処理の終了した半導体ウェ
ハを所定温度まで冷却する予備冷却室と、該予備冷却室
から前記半導体ウェハを搬出するアンローダとを設ける
ようにしたので、急冷に起因する半導体ウェハの割れを
防止し、製品歩留りを向上させることができる。
の反応室へ処理対象の半導体ウェハを搬入するローダ
と、前記反応室に連結されて処理の終了した半導体ウェ
ハを所定温度まで冷却する予備冷却室と、該予備冷却室
から前記半導体ウェハを搬出するアンローダとを設ける
ようにしたので、急冷に起因する半導体ウェハの割れを
防止し、製品歩留りを向上させることができる。
【図１】本発明によるＣＶＤ装置の第１実施例を示す模
式的構成図である。
式的構成図である。
【図２】本発明によるＣＶＤ装置の第２実施例を示す模
式的構成図である。
式的構成図である。
【図３】本発明によるＣＶＤ装置の第３実施例を示す模
式的構成図である。
式的構成図である。
【図４】本発明によるＣＶＤ装置の第４実施例を示す模
式的構成図である。
式的構成図である。
【図５】本発明によるＣＶＤ装置の第５実施例を示す模
式的構成図である。
式的構成図である。
【図６】本発明によるＣＶＤ装置の第６実施例を示す模
式的構成図である。
式的構成図である。
【図７】本発明によるＣＶＤ装置の第７実施例を示す模
式的構成図である。
式的構成図である。
【図８】本発明によるＣＶＤ装置の第８実施例を示す模
式的構成図である。
式的構成図である。
【図９】本発明によるＣＶＤ装置の第９実施例を示す模
式的構成図である。
式的構成図である。
【図１０】本発明によるＣＶＤ装置の第１０実施例を示
す模式的構成図である。
す模式的構成図である。
【図１１】従来のＣＶＤ装置の第１例を示す模式的構成
図である。
図である。
【図１２】従来のＣＶＤ装置の第２例を示す模式的構成
図である。
図である。
【図１３】従来のＣＶＤ装置の第３例を示す模式的構成
図である。
図である。
【符号の説明】 １ ローダ ２ 反応室 ３ アンローダ ４ ロードロック室 ５ ロードロック室 ６ 予備加熱室 ７ 予備冷却室 ８ ＣＶＤ装置 ９ 予備加熱機能付ロードロック室 １０ 予備冷却機能付ロードロック室 １１ 予備加熱・冷却機能付ロードロック室 １２ 予備加熱・冷却室
Claims (6)
- 【請求項１】 ＣＶＤ処理を行う反応室と、この反応室
へ処理対象の半導体ウェハを搬入するローダと、前記反
応室に連結されて処理の終了した半導体ウェハを所定温
度まで冷却する予備冷却室と、該予備冷却室から前記半
導体ウェハを搬出するアンローダとを具備することを特
徴とするＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記ローダと前記反応室との間に、前記
ローダからの半導体ウェハを所定の温度に加熱する予備
加熱室を設けたことを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ
装置。 - 【請求項３】 前記予備加熱室と前記予備冷却室を共用
することを特徴とする請求項２記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 前記半導体ウェハは、ガリウム砒素ウェ
ハであることを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項５】 前記反応室もしくは前記予備冷却室の前
段または後段の少なくとも一方にロードロック室を設置
することを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項６】 前記ロードロック室に予備加熱機能また
は予備冷却機能をもたせることを特徴とする請求項５記
載のＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22125392A JPH0669140A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22125392A JPH0669140A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669140A true JPH0669140A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16763876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22125392A Pending JPH0669140A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669140A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011139126A3 (ko) * | 2010-05-07 | 2012-03-01 | 나노세미콘(주) | 웨이퍼 처리 장치와 그 방법 |
| JP2013225706A (ja) * | 2010-10-15 | 2013-10-31 | Ev Group Gmbh | ウェハを処理するためのデバイスおよび方法 |
| CN109309037A (zh) * | 2018-08-30 | 2019-02-05 | 陈凯辉 | 一种同时支持多个半导体材料加工设备的自动传送系统 |
| WO2023178949A1 (zh) * | 2022-03-25 | 2023-09-28 | 厦门韫茂科技有限公司 | 一种连续式ald镀膜设备的腔体结构 |
-
1992
- 1992-08-20 JP JP22125392A patent/JPH0669140A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011139126A3 (ko) * | 2010-05-07 | 2012-03-01 | 나노세미콘(주) | 웨이퍼 처리 장치와 그 방법 |
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| US9751698B2 (en) | 2010-10-15 | 2017-09-05 | Ev Group Gmbh | Device and method for processing wafers |
| US9771223B2 (en) | 2010-10-15 | 2017-09-26 | Ev Group Gmbh | Device and method for processing of wafers |
| CN107978544A (zh) * | 2010-10-15 | 2018-05-01 | Ev 集团有限责任公司 | 用于处理晶片的装置和方法 |
| CN109309037A (zh) * | 2018-08-30 | 2019-02-05 | 陈凯辉 | 一种同时支持多个半导体材料加工设备的自动传送系统 |
| WO2023178949A1 (zh) * | 2022-03-25 | 2023-09-28 | 厦门韫茂科技有限公司 | 一种连续式ald镀膜设备的腔体结构 |
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