JPH02296346A - 半導体集積装置の検査方法 - Google Patents
半導体集積装置の検査方法Info
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- JPH02296346A JPH02296346A JP1116145A JP11614589A JPH02296346A JP H02296346 A JPH02296346 A JP H02296346A JP 1116145 A JP1116145 A JP 1116145A JP 11614589 A JP11614589 A JP 11614589A JP H02296346 A JPH02296346 A JP H02296346A
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Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title description 4
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ウェハの上に形成されている複数個の半導体
集積装置の検査方法に関するものである。
集積装置の検査方法に関するものである。
（従来の技術）
近年、半導体集積装置は、その集積度が大規模になるに
伴い、検査時間が集積度に比例して長くなってきたため
、ウェハの上に形成された半導体集積装置を複数個ずつ
同時に検査するようになってきた。
伴い、検査時間が集積度に比例して長くなってきたため
、ウェハの上に形成された半導体集積装置を複数個ずつ
同時に検査するようになってきた。
この種の従来の半導体集積装置の検査方法について第２
図および第３図により説明する。
図および第３図により説明する。
第２図は、従来の半導体集積装置の検査方法の模型図で
、ウェハ１の表面には、複数個の半導体集積装置２およ
び３が形成されている。第３図は、」−記のウェハ１の
要部拡大断面図で、その表面上に形成された上記の半導
体集積装置２および３は、その表面内に形成された接地
電位拡散層４および５に接続された接地電位供給端子６
および７がそれぞれ設けられている。
、ウェハ１の表面には、複数個の半導体集積装置２およ
び３が形成されている。第３図は、」−記のウェハ１の
要部拡大断面図で、その表面上に形成された上記の半導
体集積装置２および３は、その表面内に形成された接地
電位拡散層４および５に接続された接地電位供給端子６
および７がそれぞれ設けられている。
第２図に戻って、ＬＳＩテスｌ−装置８の接地電位端子
は、−■−記の半導体集積装置２および３のそれぞれの
接地電位供給端子６および７と並列に接続されている。
は、−■−記の半導体集積装置２および３のそれぞれの
接地電位供給端子６および７と並列に接続されている。
このように構成されたＬＳＩテスト装置８による検査方
法について説明すると、ＬＳＩテスト装置８に接続した
２組のプローブ（図示せず）を用い、２個の半導体集積
装置２および３を同時に検査する。
法について説明すると、ＬＳＩテスト装置８に接続した
２組のプローブ（図示せず）を用い、２個の半導体集積
装置２および３を同時に検査する。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、」−記の構成では、例えば、半導体集積
装置２の接地電位拡散層４とウェハ１がリークしている
場合、配線９によって、半導体集積装置２および３のそ
れぞれの接地電位供給端子６および７が短絡しているた
めに、半導体集積装置３の接地電位拡散層５に影響を及
ぼし、半導体集積装置３を検査する時に、誤動作すると
いう問題があった。
装置２の接地電位拡散層４とウェハ１がリークしている
場合、配線９によって、半導体集積装置２および３のそ
れぞれの接地電位供給端子６および７が短絡しているた
めに、半導体集積装置３の接地電位拡散層５に影響を及
ぼし、半導体集積装置３を検査する時に、誤動作すると
いう問題があった。
本発明は−１−記の問題を解決するもので、誤動作が発
生しない半導体集積装置の検査方法を提供するものであ
る。
生しない半導体集積装置の検査方法を提供するものであ
る。
（課題を解決するための手段）
」−記の課題を解決するため、本発明は、複数個の半導
体集積装置に個別に接地電位と接続させる切換スイッチ
を設けるものである。
体集積装置に個別に接地電位と接続させる切換スイッチ
を設けるものである。
（作 用）
上記の構成によって、複数個の半導体集積装置を互いに
影響を及ぼすことなく、同時に検査することができる。
影響を及ぼすことなく、同時に検査することができる。
（実施例）
本発明の一実施例を第１図により説明する。
同図は、本発明による半導体集積装置の検査方法を示す
模型図で、本実施例が第２図に示した従来例と異なる点
は、ウェハ］上に形成された複数個の半導体集積装置２
および３のそれぞれの接地電位供給端子６および７と、
ＬＳＩテスト装置８とが並列に接続される配線９の分岐
配線にそれぞれ切換スイッチ１０および］１を設けた点
である。その他は従来例と変りがないので、同じ構成部
品には同一符号を付して、その説明を省略する。
模型図で、本実施例が第２図に示した従来例と異なる点
は、ウェハ］上に形成された複数個の半導体集積装置２
および３のそれぞれの接地電位供給端子６および７と、
ＬＳＩテスト装置８とが並列に接続される配線９の分岐
配線にそれぞれ切換スイッチ１０および］１を設けた点
である。その他は従来例と変りがないので、同じ構成部
品には同一符号を付して、その説明を省略する。
以−にのように構成された半導体集積装置の検査方法に
ついて説明する。半導体集積装置２が不良の場合、切換
スイッチ１０を切り、半導体集積装置３の切換スイッチ
１１を入れて検査する。半導体集積装置３が不良の場合
は、切換スイッチ１１を切り、切換スイッチ１０を入れ
、半導体集積装置２の検査を行う。
ついて説明する。半導体集積装置２が不良の場合、切換
スイッチ１０を切り、半導体集積装置３の切換スイッチ
１１を入れて検査する。半導体集積装置３が不良の場合
は、切換スイッチ１１を切り、切換スイッチ１０を入れ
、半導体集積装置２の検査を行う。
なお、本実施例では、半導体集積装置が２個の場合につ
いて説明したが、半導体集積装置の数を限定するもので
はない。
いて説明したが、半導体集積装置の数を限定するもので
はない。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、検査する複数個
の半導体集積装置のそれぞれの接地電位端子に接続する
配線に、それぞれ切換スイッチが設けられ、不良の半導
体集積装置との接続を切断することができるので、その
影響を受けることなく同時に検査することが可能となる
。
の半導体集積装置のそれぞれの接地電位端子に接続する
配線に、それぞれ切換スイッチが設けられ、不良の半導
体集積装置との接続を切断することができるので、その
影響を受けることなく同時に検査することが可能となる
。
第１図は本発明による半導体集積装置の検査方法を示す
模型図、第２図は従来の半導体集積装置の検査方法を示
す模型図、第３図は半導体集積装置の要部拡大断面図で
ある。 １ ・ ウェハ、 ２，３ ・・・半導体集積装置、
４，５ ・接地電位拡散層、 ６゜７ ・・・接地電位
供給端子、 ８ ・・・ＬＳＩテスＩ−装置、 ９ ・
配線、１．０，１．１切換スイツチ。 第 図 １ ・・・ ２．３ ６．７ ９ ・ １０、ＩＩ ウニ ノ＼ ・・・キ導亦集横笠（ ・・・ ”ＡＱ喝芭イ立１破斥Ｃｉさ萬ち５配 宍ニ七 ・・ ｂ刀旅人イッケ １ ・・ ウニ ノ＼ ２，３ ・・・キラ１−ニイｊ）≦Ｊ巣碩七ト：（置４
．５・・・蒋地電位仏叡層 ６．７゛・・清地電檄伏給嬌ｊ ９・・・ 配縁
模型図、第２図は従来の半導体集積装置の検査方法を示
す模型図、第３図は半導体集積装置の要部拡大断面図で
ある。 １ ・ ウェハ、 ２，３ ・・・半導体集積装置、
４，５ ・接地電位拡散層、 ６゜７ ・・・接地電位
供給端子、 ８ ・・・ＬＳＩテスＩ−装置、 ９ ・
配線、１．０，１．１切換スイツチ。 第 図 １ ・・・ ２．３ ６．７ ９ ・ １０、ＩＩ ウニ ノ＼ ・・・キ導亦集横笠（ ・・・ ”ＡＱ喝芭イ立１破斥Ｃｉさ萬ち５配 宍ニ七 ・・ ｂ刀旅人イッケ １ ・・ ウニ ノ＼ ２，３ ・・・キラ１−ニイｊ）≦Ｊ巣碩七ト：（置４
．５・・・蒋地電位仏叡層 ６．７゛・・清地電檄伏給嬌ｊ ９・・・ 配縁
Claims (1)
- 測定装置の接地電位とウェハ上に形成された複数個の半
導体集積装置の接地電位とを並列に接続し、複数個同時
に検査する半導体集積装置の検査方法において、個々の
半導体集積装置との接続配線にそれぞれ切換スイッチを
設け、不良の半導体集積装置の接地電位との接続を断っ
て検査を行うことを特徴とする半導体集積装置の検査方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1116145A JPH02296346A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 半導体集積装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1116145A JPH02296346A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 半導体集積装置の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02296346A true JPH02296346A (ja) | 1990-12-06 |
Family
ID=14679862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1116145A Pending JPH02296346A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 半導体集積装置の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02296346A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7549097B2 (en) | 1996-05-30 | 2009-06-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit device and method of testing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6187349A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-02 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体ウエハ |
-
1989
- 1989-05-11 JP JP1116145A patent/JPH02296346A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6187349A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-02 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体ウエハ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7549097B2 (en) | 1996-05-30 | 2009-06-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit device and method of testing the same |
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