JPH02296319A - 気相結晶成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、基板上に飄結晶をエピタキシャルに成長さ
せるための、気相結晶成長装置に関するものである。

〔従来の技術〕

第２図は例えばＪ、Ｃｒｙａｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　５
５．１０（１９８１）に示された従来のＭＯＣＶＤ法に
よる結晶成長装置の反応管付近を示す断面図であり一部
において、（１）は原料ガス入口、（２）は反応管、（
４）は基板、（５）はサセプタ、（７）は反応管保持台
、（８）はサセプタ保持台、（９）は排ガス出口、αＱ
はＲＦコイル、Ｑｌｌ−（至）はＯＩＪラングある。

次に動作について説明する。原料ガス入口（１）より、
反応管（２）Ｉこ導入された原料ガスは、サセプタ（５
）及びＲＦコイル０りによってガロ熱さねｔこ基板（４
）付近で加熱分解、反応をおこし、基板（４）上に結晶
として析出する。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の気相結晶成長装置は以上のように構成さねでいる
ので、加熱分解されたガスの一部は、反応管（２）上で
冷却され、固体として反応管（２）上に付着する。この
付着物が基板（４）上に落下し成長結晶の質を低下させ
る。

このため、付着物の落下を少なくするために反応管（２
）の壁面に付着物が堆積した場合は反応管（２）を取り
はずし酸等によって洗浄し付着物を除去しなければなら
ない。

しかし、反応管（２）の取りはすしを行なうためＩこは
３カ所ゐるＯリングＱｌ）〜０と呼ばわる接続部をすべ
てはずさなければならず多大な作業時間を要するという
問題点かあっｔコ。

また、反応管は気密性を要するので、洗浄後反応管（２
）を元の状態に装着した時、リークのないことを充分確
認する必要があるが、接続部分が多数あるため大変な作
業であった。

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、反応管の脱着を容易にすることによって洗浄
を手軽Ｅこ行ない付着物の基板上への落下を少なくする
ことの出来る気相結晶成長装置を得るこ々を目的とする
。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る気相結晶成長装置は、第１反応管の内側
に第１の反応管との間に０リングを介して気密封佳さね
るサセプタ保持台と、このサセプタ保持台ＩＣ載置され
た第２反応管を設けろ。

〔作用〕

この発明ｌこおける気相結晶成長装置は、第２反応管を
設けたことにより付着物の洗浄を容易にすることが出来
る。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図１こついて説明する。第
１図（ａ）〜（ｃ）において、（１）は原料ガス入口、
（２）は第】反応管、（３）は第２反応管、（４）は基
板、（５）はサナブタ、（６）は第２反応管保持台、（
７）は第１反応管保持合一（８）はサセプタ保持台、（
９）は排ガス出口】、αＯはＲＦコイル、ｃ刀はＯリン
グ】、Ｑ３１．ｔＯリング２．０３はＯＩＪリング、α
（４）は排ガス出口２である。

なお、第２反応管保持台（６）はサセプタ保持台（８）
に固定される。また、サセプタ（５）はサセプタ台（８
）に固定さねでいる。〔従来の技術の図（第２図）も同
様）第２反応％ｌ’　（３）は第２反応管保持台（６）
上に脱着容易な状態で載置する。また、第２反応管保持
台には排ガス出口α４を設ける。

次ｌこ動作、作用１こついて説明する。原料ガス入口（
１）より導入さｉた原料ガスは、す士ブタ（５）及びＲ
ＦコイルαＯによって加熱された基板（４）付近で加熱
分解、反応をおこし、基板（４）上ｔこ結晶として析出
する。このとき、第１反応管（２）や第２反応管（３）
ｃこけ、反応生成物が付着する。この付着物の量が多く
なってくると、一部剥ね落ちる。第１反応管（２）から
の落下物は特に問題ないが、第２反応管（３）からの落
下物は、ウェハ上に落下し結晶成長上、好ま［７くない
。そこで第２反応管（３）は頻繁ｆζ取りはオし、洗浄
することＥこよって落下物をはとＡ７ど無くすこｔが必
要である。ところで第２反応管は、その保持台（６）と
の間に気密性が不要であるため、第２反応管保持台（６
）上Ｅこ乗せておくだけで良い。

従って、その脱着は全く容易である。

第１図（ａ）は基板上に圧結晶をエピタキシャル成長さ
せている時の結晶成長装置の反応管付近の断面図である
。

第２反応管（３）の付着物がふえた場合は、第１図（ｂ
）めようにＯリングミ１１％取れはずしサセプタ（５）
の固定さねｔコサセプタ保持台（８）を降下させ、第１
図（ｃａｌζ示すように第２反応管保持台（６）に脱着
容易なようＩｃ載簡さねた第２反応管（３）を持ち上げ
洗浄すわばよい。

よって第２反応管（３）を設けたことにまってＯリング
の取りはずし装着は一〇リング（１１）　１カ所のみで
よく、従来装置の場合と比べて作業時間が大幅に軽減さ
ねｔこ。

〔他の実施例の説明〕

第】図に示した実施例は従来装置を改良する場合の実施
例であるが、新たに袋筒を作る場合は洗浄のため第１反
応管を洗浄する必要がなくなるので、０リング０２αり
が不要になるため、第３図のような装置にしてもかまわ
ない。

第２図に示される原料ガス人口（１）と第１反応管（２
）を１体化させ、第２図に示さ第１る第１反応管保持台
（７）を設けずＥこ第１反応管（２）を直接サセプタ保
持台（８）ｌこＯリングで接続する。この場合第１反応
管（２）の底部は０リングが装着出来るような構造にす
る。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、第１反応管の内側に
第１反応管との間にＯリングを介【７て気密封止される
サセプタ保持台と、このサセプタ保持台に載置さｉ］だ
第２反応管を設けることにより付着物の洗浄が容易ｌこ
できる。よって結晶成長時に、反応管壁面からの付着物
の落下を減らすための作業が容易になる。

【図面の簡単な説明】

第１図（８）は、この発明の一実施例１ζよる気相結晶
成長装置の反応管を示す断面図である。 第１図（ｂｌ　（ｃｌは第１図（ａｌのこの発明の〜実
施、例ニよる気相結晶成長装置において第２反応管を洗
浄のため取りは第１−た時のそわぞれの断面図である。 第２図は従来の気相結晶成長装置の反応管を示す断面図
である。 第３図はこの発明の他の実施例による気相結晶成長装置
の反応管を示す断面図でゐろ。 （１）は原料ガス入口、（２）は第１反応管、（３）は
第２反応管、（４）は基板、（５）はサセプタ、（６）
は第２反応管保持台、（７）は第１反応管保持台、（８
）はサセプタ保持台、（９）は排ガス出ロコ、θｌ；ｔ
ＲＦコイル、Ｑｌ）〜（至）はＯリング、σ舶は排ガス
出口２゜なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示
す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 第１の反応管の内側に、前記第１の反応管との間にＯリ
   ングを介して気密封止されるサセプタ保持台と、このサ
   セプタ保持台に記載される第２の反応管を設けたことを
   特徴とする気相結晶成長装置。