JP2010232235A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010232235A JP2010232235A JP2009075369A JP2009075369A JP2010232235A JP 2010232235 A JP2010232235 A JP 2010232235A JP 2009075369 A JP2009075369 A JP 2009075369A JP 2009075369 A JP2009075369 A JP 2009075369A JP 2010232235 A JP2010232235 A JP 2010232235A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- facing surface
- surface member
- susceptor
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 111
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 46
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract description 28
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】気相成長装置1は、チャンバー本体3と、チャンバー本体3に設けられてチャンバー本体3を開閉するチャンバー蓋5と、チャンバー本体3内に設置されて基板9が載置されるサセプタ11と、サセプタ11に対向配置される対向面部材13とを備え、対向面部材13をサセプタ11に載置された基板9に対向配置される基板対向面部37と、基板対向面部37の周縁部を支持する基板対向面部支持部39を備えて構成すると共に、対向面部材13に設けられて該対向面部材13をチャンバー本体3側に載置する脚部31と、チャンバー蓋5に設けられて対向面部材13に対して係脱自在でかつ対向面部材13を保持できる係合保持機構15とを備える。
【選択図】図1
Description
仕切板76は、周方向及び径方向に複数に分割形成されており、外周側に配置される大径リング状の外周側仕切板76a(本発明の「基板対向面部支持部」に相当)と、その内周側で周方向に分割された複数の扇形の分割体を組み合わせた小径リング状の内周側仕切板76b(本発明の「基板対向面部」に相当)とで形成されている。外周側仕切板76aは、その外周縁がチャンバー本体77の周壁内周に載置された状態で所定位置に固定される。内周側仕切板76bは、基板80に対向する位置に配置されており、その外周縁が外周側仕切板76aの内周縁上に載置されるとともに、その内周縁がガス導入管71の下端に設けられたノズル84の外周縁上に載置されて着脱可能に形成され、上面には摘み部76cが突設されている。
このように、特許文献1の発明では、基板80を取り出す際に、内周側仕切板76bを毎回別の新たな内周側仕切板76bに取り替えるものであり、この場合には、それでよいかもしれない。
しかしながら、基板80の取り出しの際に、毎回内周側仕切板76bを取り外して新たなものに取り替えることをしない場合も多々ある。
このような場合において、特許文献1のような構造であれば、基板80の取り出しの際に内周側仕切板76bを別途取り外さなければならず、作業工程が多く作業効率が悪くなる。また、内周側仕切板76bの取外しは通常は搬送用ロボットで行うことになり、搬送用ロボットの使用頻度が高くなり、その寿命が短くなる可能性もある。
このような構造であれば、基板80の出し入れ作業の際に、チャンバー蓋78を開放すれば、基板80を露出させることができるので、別途、内周側仕切板76bを取り外す作業は不要となる。
しかしながら、内周側仕切板76bの清掃や取り替えの度ごとにボルトを緩めて取り外す作業が必要となり煩雑である。
本発明はかかる課題を解決するためになされたものであり、内周側仕切板(基板対向面部)の取り外しを容易にすると共に基板取り出しの効率化を図り、作業性に優れた気相成長装置を得ることを目的とするものである。
前記対向面部材を前記サセプタに載置された基板に対向配置される基板対向面部と、該基板対向面部の周縁部を支持する基板対向面部支持部を備えて構成すると共に、前記対向面部材に設けられて該対向面部材を前記チャンバー本体側に載置する脚部と、前記チャンバー蓋に設けられて前記対向面部材に対して係脱自在でかつ前記対向面部材を保持できる係合保持機構とを備えたことを特徴とするものである。
したがって、基板を取り出す際にはチャンバー蓋の開放と共に対向面部材を取り外すことにより、別途、対向面部材を外す手間が省け、操作の効率化が図れる。また、対向面部材における基板対向面部を交換する場合には、チャンバー蓋の開放の際に対向面部材を残置させることにより、基板対向面部を容易に取り外すことができる。
このように、本発明によれば、基板対向面部の取り外しを容易にできると共に基板取り出しの効率化が実現される。
本実施の形態に係る気相成長装置1は、図1〜図5に示すように、チャンバー本体3と、該チャンバー本体3に設けられて前記チャンバー本体3を開閉するチャンバー蓋5とを有するチャンバー7と、該チャンバー7内に設置されて基板9が載置されるサセプタ11と、該サセプタ11に対向配置される対向面部材13と、チャンバー蓋5に設けられて対向面部材13に対して係脱自在でかつ前記対向面部材13を保持できる係合保持機構15を備えている。なお、本実施の形態の気相成長装置1においては、原料ガスを供給する原料ガス導入ノズル17は、チャンバー本体3側に設けられ、下方から上方に向かって原料ガスが流れるという構造になっている。
以下、気相成長装置1の主な構造を詳細に説明する。
チャンバー7は、全体形状が偏平円筒状をしており、下部側のチャンバー本体3と、チャンバー本体3を開閉するチャンバー蓋5とを備えている。
チャンバー本体3の中心部には、原料ガス導入ノズル17が設置され、サセプタ11に載置された基板9に原料ガスを供給できるようになっている。
チャンバー本体3の外周縁部は本体部フランジ19となっており、チャンバー蓋5の蓋部フランジ21と当接してチャンバー7を気密に閉止できるようになっている(図1参照)。
チャンバー本体3の外縁部であって蓋部フランジ21の内側には、供給された原料ガスの排出流路となるリング状の溝部23が形成されている。そして、溝部23の外壁上端部が対向面部材13の支持部25となっている。
チャンバー本体3には、サセプタ11が公転(回転)可能に設置されており、サセプタ11における基板載置部29の下方には、基板9を加熱するためのヒーター27が設置されている。
サセプタ11は全体形状が円板状をしており、上述したように、チャンバー7内に公転可能に設置されている。サセプタ11には自転可能な複数の基板載置部29が設けられ、この基板載置部29に薄膜が形成される基板9が載置されている。
サセプタ11は、図示しない駆動機構によって全体が公転(回転)し、この公転に連動して基板載置部29が自転する機構になっている。
対向面部材13は、全体形状が略円板状をしており、外周端部には下方に向かって延出する脚部31が形成されている。この脚部31をチャンバー本体3部の支持部25に載置することにより、対向面部材13は、サセプタ11との間に原料ガス流路32を形成する。
脚部31の下端は、図2に示すように、最外周から径方向内側に向かって平面部33が形成され、この平面部33の内端から径方向内側に向かって傾斜する傾斜面を有するガイド片部35が形成されている。
また、対向面部材13の周縁部には、径方向内方に向かって凹陥する係止溝36が全周に亘って形成されている。
基板対向面部37は、その周縁部が基板対向面部支持部39に支持され、上方に持ち上げることによって基板対向面部支持部39から取り外しができるようになっている。
係合保持機構15は、チャンバー蓋5に設けられて対向面部材13に対して係脱自在でかつ前記対向面部材13を保持するものである。
係合保持機構15は、軸部43と、該軸部43の下端部に形成された水平方向に延出する係止片部45と、軸部43を回動させる駆動部であるロータリーアクチュエータ47とを備えている(図1〜図3参照)。係合保持機構15は、図3に示すように、軸部43を回動させることにより、係止片部45を対向面部材13の係止溝36に係合させたり、離脱させたりすることができる。
気相成長装置1を使用して基板9に薄膜を成長させる場合、図1に示すように、基板載置部29に基板9を載置し、対向面部材13をサセプタ11に対向配置し、チャンバー蓋5を閉める。そして、サセプタ11を公転させると共に基板載置部29を自転させ、ヒーター27によって基板9を加熱し、この状態で原料ガスを流す。
したがって、特許文献1のように、基板9を取り出す際に別途、基板対向面部37(内周側仕切板16b)を取り外す動作が不要であり、効率的な取り出し作業ができる。
また、基板対向面部37を別途取外しするとなると、搬送ロボットを動作させる必要があるが、その場合には基板取り出しの前に毎回ロボットの駆動が必要になり、ロボットの短寿命化の原因ともなるが、本実施の形態ではそのようなことがない。
このように、脚部31にガイド片部35を設けていることから、対向面部材13を正確な位置に再現性よく載置させることができ、これによりサセプタ11と対向面部材13との間で形成される原料ガス流路32が再現性よく形成できるので、薄膜品質の安定性が向上する。
この場合、チャンバー蓋5を閉じている状態で、ロータリーアクチュエータ47を駆動して、係合保持機構15の軸部43を回動させ、係止片部45を係止溝36から外す(図3参照)。この状態で、チャンバー蓋5を上昇させると、図5に示すように、対向面部材13をチャンバー本体3部側に残置した状態でチャンバー蓋5を開放することができる。
この状態で、搬送用ロボットなどによって、生成物の付着した基板対向面部37の上面を吸引保持して取り外し、別の洗浄済みの基板対向面部37を、同じ位置にセットする。
したがって、基板9を取り出す際にはチャンバー蓋5の開放と共に対向面部材13を取り外すことにより、別途、対向面部材13を外す手間が省け、操作の効率化が図れる。他方、対向面部材13における基板対向面部37を交換する場合には、チャンバー蓋5の開放の際に対向面部材13をチャンバー本体3側に残置させることにより、基板対向面部37を容易に取り外すことができる。
このように、本実施の形態によれば、基板対向面部37の取り外しを容易にできると共に基板9の取り出しの効率化が実現される。
7 チャンバー 9 基板 11 サセプタ
13 対向面部材 15 係合保持機構 17 原料ガス導入ノズル
19 本体部フランジ 21 蓋部フランジ 23 溝部
25 支持部 27 ヒーター 29 基板載置部
31 脚部 32 原料ガス流路 33 平面部
35 ガイド片部 36 係止溝 37 基板対向面部
39 基板対向面部支持部 43 軸部 45 係止片部
47 ロータリーアクチュエータ
Claims (4)
- チャンバー本体と、該チャンバー本体に設けられて前記チャンバー本体を開閉するチャンバー蓋と、前記チャンバー本体内に設置されて基板が載置されるサセプタと、該サセプタに対向配置される対向面部材とを備え、前記サセプタに前記基板を載置した状態で前記基板を加熱し、前記対向面部材と前記サセプタとで形成される流路に原料ガスを供給することによって前記基板に薄膜を堆積させる気相成長装置であって、
前記対向面部材を前記サセプタに載置された基板に対向配置される基板対向面部と、該基板対向面部の周縁部を支持する基板対向面部支持部を備えて構成すると共に、前記対向面部材に設けられて該対向面部材を前記チャンバー本体側に載置する脚部と、前記チャンバー蓋に設けられて前記対向面部材に対して係脱自在でかつ前記対向面部材を保持できる係合保持機構とを備えたことを特徴とする気相成長装置。 - 前記脚部は、前記対向面部材の外周縁に形成されていると共に、前記対向面部材が載置されるときに、前記チャンバー本体側にガイドされて該対向面部材を正しい位置にガイドするがガイド部を備えていることを特徴とする請求項1に記載の気相成長装置。
- 前記係合保持機構が回転により係脱自在となっており、該係合保持機構を回転駆動するロータリーアクチュエータを備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の気相成長装置。
- 前記サセプタは、自身が公転すると共に、前記基板を支持して自転可能な複数の基板戴置部を備えてなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009075369A JP5260375B2 (ja) | 2009-03-26 | 2009-03-26 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009075369A JP5260375B2 (ja) | 2009-03-26 | 2009-03-26 | 気相成長装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010232235A true JP2010232235A (ja) | 2010-10-14 |
JP5260375B2 JP5260375B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=43047826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009075369A Active JP5260375B2 (ja) | 2009-03-26 | 2009-03-26 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5260375B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014054501A1 (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
JP2014075467A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
JP2014075469A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
JP2014075468A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
JP2014222693A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置および気相成長装置の部材搬送方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58223317A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体結晶成長法及びその装置 |
JPH02296319A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 気相結晶成長装置 |
JPH0645261A (ja) * | 1992-07-23 | 1994-02-18 | Toshiba Corp | 半導体気相成長装置 |
WO2000060653A1 (fr) * | 1999-03-30 | 2000-10-12 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement au plasma, procede de maintenance et procede d'installation dudit dispositif |
JP2008177380A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
-
2009
- 2009-03-26 JP JP2009075369A patent/JP5260375B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58223317A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体結晶成長法及びその装置 |
JPH02296319A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 気相結晶成長装置 |
JPH0645261A (ja) * | 1992-07-23 | 1994-02-18 | Toshiba Corp | 半導体気相成長装置 |
WO2000060653A1 (fr) * | 1999-03-30 | 2000-10-12 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement au plasma, procede de maintenance et procede d'installation dudit dispositif |
JP2008177380A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014054501A1 (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
JP2014075467A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
JP2014075469A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
JP2014075468A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
TWI633202B (zh) * | 2012-10-04 | 2018-08-21 | 大陽日酸股份有限公司 | 氣相成長裝置 |
JP2014222693A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置および気相成長装置の部材搬送方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5260375B2 (ja) | 2013-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI402373B (zh) | A CVD reactor that can replace the reaction chamber roof | |
JP5317278B2 (ja) | 気相成長装置、気相成長装置における対向面部材またはサセプタ上面カバー取外し方法 | |
JP5260375B2 (ja) | 気相成長装置 | |
JP6158436B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4966800B2 (ja) | 熱処理装置 | |
CN106133873B (zh) | 在半导体腔室中的晶片旋转 | |
EP1415017B1 (en) | Rotating susceptor and method of processing substrates | |
KR102007546B1 (ko) | 웨이퍼-형상 물품을 처리하기 위한 장치 | |
TWI652364B (zh) | Deposition equipment and physical vapor deposition chamber | |
US9548223B2 (en) | Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles | |
TW201521143A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP2012212771A (ja) | 気相成長装置 | |
TW201820512A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP2009081259A (ja) | 熱処理方法及び熱処理装置 | |
JP5613083B2 (ja) | サセプタカバー、該サセプタカバーを備えた気相成長装置 | |
JP4706531B2 (ja) | 気相成長装置 | |
JP3070158B2 (ja) | 薄膜気相成長装置のサセプタ回転支持構造 | |
TW201428132A (zh) | 成膜裝置 | |
KR20230017729A (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2016035080A (ja) | サセプタカバーおよび該サセプタカバーを備えた気相成長装置 | |
JPH0963959A (ja) | ターゲットのクリーニング方法 | |
JP2715817B2 (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
TW201716622A (zh) | 成膜處理方法、成膜處理裝置以及記憶媒體 | |
JP5516232B2 (ja) | 真空処理装置 | |
JP2003129240A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130318 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130409 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130425 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160502 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5260375 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |