JPH02296142A - センサー - Google Patents
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- G01N33/543—Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor with an insoluble carrier for immobilising immunochemicals
- G01N33/54393—Improving reaction conditions or stability, e.g. by coating or irradiation of surface, by reduction of non-specific binding, by promotion of specific binding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
原でなる単層又は抗原及びタンパク質でなる高分子多層
から構成される免疫化学膜とを含有するEOS (電解
質酸化物半導体)又はCHEMFET (化学電界硬化
型トランジスター)タイプの半導体素子に係る。
から構成される免疫化学膜とを含有するEOS (電解
質酸化物半導体)又はCHEMFET (化学電界硬化
型トランジスター)タイプの半導体素子に係る。
現在の臨床診断法においては、代謝物、ホルモン又はタ
ンパク質の血中濃度は、免疫蛍光法(FIA等)、免疫
放射測定法(RIA, IRIJA等)又は免疫酵素法
(ELISA等)を利用する各種の方法を使用して測定
されている。
ンパク質の血中濃度は、免疫蛍光法(FIA等)、免疫
放射測定法(RIA, IRIJA等)又は免疫酵素法
(ELISA等)を利用する各種の方法を使用して測定
されている。
最近では、研究者等の注目は、トランスデユーサ−とし
てFETの如きトランスデユーサ−の活性領域(すなわ
ちゲート)上に存在する非常に少量の電荷を検知できる
固体素子を使用する免疫センサーの作成に向けられてい
る。従来の方法と比較して、この種のセンサーの利点は
、達成される感度が少なくとも理論的に高いこと(被分
析物濃度10−7ないし10−11Mに関して信号IQ
mV)に加えて、装置をかなり小型化できること、トラ
ンスデユーサ−のコストが低いこと及びセンサ一応答が
迅速であることである[ J 、 Janata及びG
.F.BlackburnrAnnals N.Y.A
cad of SciencesJ 428,286(
1984)参照]。
てFETの如きトランスデユーサ−の活性領域(すなわ
ちゲート)上に存在する非常に少量の電荷を検知できる
固体素子を使用する免疫センサーの作成に向けられてい
る。従来の方法と比較して、この種のセンサーの利点は
、達成される感度が少なくとも理論的に高いこと(被分
析物濃度10−7ないし10−11Mに関して信号IQ
mV)に加えて、装置をかなり小型化できること、トラ
ンスデユーサ−のコストが低いこと及びセンサ一応答が
迅速であることである[ J 、 Janata及びG
.F.BlackburnrAnnals N.Y.A
cad of SciencesJ 428,286(
1984)参照]。
これまでのところ、抗体がFETゲート上に吸着され、
被測定抗原との結合によって電荷の変動を生じ、この変
動がトランスデユーサ−によって記録される各種の基本
装置が開発されている[M。
被測定抗原との結合によって電荷の変動を生じ、この変
動がトランスデユーサ−によって記録される各種の基本
装置が開発されている[M。
Aizawa, S.Kato及びS.Suzuki
rJ.Member.sc.J 2。
rJ.Member.sc.J 2。
125 (1977)及びJ.Janata及びR.J
.Huber rIon−Sensitive Ele
ctrodes in Analytical Che
mistryj(1980)(Freiser H編)
2,107−174, Plenum Press発行
、参照]。
.Huber rIon−Sensitive Ele
ctrodes in Analytical Che
mistryj(1980)(Freiser H編)
2,107−174, Plenum Press発行
、参照]。
しかしながら、得られた免疫化学膜はかなり不安定であ
り、特に溶液中に存在するイオン又はタンパク質の如き
他の化学剤による干渉を受ける。
り、特に溶液中に存在するイオン又はタンパク質の如き
他の化学剤による干渉を受ける。
驚(べきことには、発明者らは、ポリシロキサンマトリ
ックスによって素子の表面酸化ケイ素に化学的に結合し
た官能化抗原(及び必要であればタンパク質)でなる免
疫化学膜を作成することにより、かかる膜は、pH7.
8に緩衝された溶液中に保存される際、1ケ月以上も生
理官能性を一定に維持するとの知見を得た。
ックスによって素子の表面酸化ケイ素に化学的に結合し
た官能化抗原(及び必要であればタンパク質)でなる免
疫化学膜を作成することにより、かかる膜は、pH7.
8に緩衝された溶液中に保存される際、1ケ月以上も生
理官能性を一定に維持するとの知見を得た。
さらに、被測定抗原に対して作成された抗体、又はこの
抗体に対して作成された二次抗体を、グルコースオキシ
ダーゼ又はウレアーゼの如き酵素(反応の間に、トラン
スデユーサ=( EOS又はCHEMFET)によって
検知される電荷を生成する)でマーキングすることによ
って上述の干渉の問題を解消できるとの知見を得た。
抗体に対して作成された二次抗体を、グルコースオキシ
ダーゼ又はウレアーゼの如き酵素(反応の間に、トラン
スデユーサ=( EOS又はCHEMFET)によって
検知される電荷を生成する)でマーキングすることによ
って上述の干渉の問題を解消できるとの知見を得た。
本発明の第1の態様は、免疫化学膜及び該膜にボリシロ
キサンマトリッスによって接合される表面酸化ケイ素を
含有するEOS又はCHEMFETタイプの素子を包含
してなるセンサーにおいて、前記免疫化学膜が、抗原で
なる単層又は抗原及びタンパク質でなる高分子多層から
構成され、前記免疫化学膜が、前記抗原上に存在する官
能基によって又は前記タンパク質を結合する二官能性カ
ップリング剤によってポリシロキサンマトリックスに化
学的に結合しており、該ポリシロキサンマトリックスが
一般式(1)。
キサンマトリッスによって接合される表面酸化ケイ素を
含有するEOS又はCHEMFETタイプの素子を包含
してなるセンサーにおいて、前記免疫化学膜が、抗原で
なる単層又は抗原及びタンパク質でなる高分子多層から
構成され、前記免疫化学膜が、前記抗原上に存在する官
能基によって又は前記タンパク質を結合する二官能性カ
ップリング剤によってポリシロキサンマトリックスに化
学的に結合しており、該ポリシロキサンマトリックスが
一般式(1)。
■一Si−R1n
R1υ
[式中、R1、R111及びRIvは同一又は異なるも
のであって、C,−t。アルキル基又はアルコキシ基で
あり:Rは(CHI)mX(CHりn (ここでXはC
Hiまたはモノ又は多結合芳香族基、NH又は0であり
;m及びnは互に等しい又は異なるものであって、Oな
いしlOの整数であり、ただしXがNH又は0の場合、
0ではない)であり;YはーNH2、−OH又は−SH
である]で表されるオルガノシラン又は一般式(2)(
ここで、R1及びR,は同一又は異なるものでありて、
■、Br、 CH,、No、、NH,又はHであり;
RR11+及びRIVは同−又は異なるものであって、
Cl−10アルキル基又はアルコキシ基であり、R1は
Cl−10アルキル基、アミノアルキル基、アミノアル
キルアリール基又はアルキルアリール基である)で表さ
れる官能性オルガノシランの中から選ばれるものである
ことを特徴とするセンサーにある。
のであって、C,−t。アルキル基又はアルコキシ基で
あり:Rは(CHI)mX(CHりn (ここでXはC
Hiまたはモノ又は多結合芳香族基、NH又は0であり
;m及びnは互に等しい又は異なるものであって、Oな
いしlOの整数であり、ただしXがNH又は0の場合、
0ではない)であり;YはーNH2、−OH又は−SH
である]で表されるオルガノシラン又は一般式(2)(
ここで、R1及びR,は同一又は異なるものでありて、
■、Br、 CH,、No、、NH,又はHであり;
RR11+及びRIVは同−又は異なるものであって、
Cl−10アルキル基又はアルコキシ基であり、R1は
Cl−10アルキル基、アミノアルキル基、アミノアル
キルアリール基又はアルキルアリール基である)で表さ
れる官能性オルガノシランの中から選ばれるものである
ことを特徴とするセンサーにある。
前記ポリシロキサンマトリックスとして、たとえばアミ
ノエチルアミノプロビルトリメトキシシラン(AEAP
S)又はアントラニルアミドプロピルトリエトキシシラ
ン(^APS)がある。
ノエチルアミノプロビルトリメトキシシラン(AEAP
S)又はアントラニルアミドプロピルトリエトキシシラ
ン(^APS)がある。
表面酸化ケイ素を含有する以外にも、EO8素子は、酸
化ケイ素以下の部分に蒸発によって析出されたアルミニ
ウム又は金の属を含有していなければならない。
化ケイ素以下の部分に蒸発によって析出されたアルミニ
ウム又は金の属を含有していなければならない。
一般式(2)で表される官能性オルガノシランを使用す
る場合、その調製は、下記のスキームに従って、イサト
酸無水物又は誘導体をアミノシランと反応させることに
よって行われる。
る場合、その調製は、下記のスキームに従って、イサト
酸無水物又は誘導体をアミノシランと反応させることに
よって行われる。
本発明の目的に適する官能性オルガノシランを調製する
ための好適なシランは次のとおりである。
ための好適なシランは次のとおりである。
3−アミノプロピルトリエトキシシランHJ−(CHt
)s−5L−(OCJa)sアミノメチルトリエトキシ
シラン HJ−CHI−31−(OCJs) a2−アミノエチ
ル−アミノプロビルトリメトキシシラン HJ−(CHt)*−NH−(CHt)s−3i−(O
CHs)*2−アミノエチル−アミノプロピルトリエト
キシシラン HJ−(CHt) *−NH−(CH2)s−Si−(
OCJs)s2−アミノエチル−アミノプロビルメチル
ジメトキシシラン HJ−(CHt)*−NH−(CHt)m−3i−(O
CHs)2CHl 合成は、溶媒の存在下又は不存在下、イサト酸無水物を
アミノシランに徐々に添加することによって行われる。
)s−5L−(OCJa)sアミノメチルトリエトキシ
シラン HJ−CHI−31−(OCJs) a2−アミノエチ
ル−アミノプロビルトリメトキシシラン HJ−(CHt)*−NH−(CHt)s−3i−(O
CHs)*2−アミノエチル−アミノプロピルトリエト
キシシラン HJ−(CHt) *−NH−(CH2)s−Si−(
OCJs)s2−アミノエチル−アミノプロビルメチル
ジメトキシシラン HJ−(CHt)*−NH−(CHt)m−3i−(O
CHs)2CHl 合成は、溶媒の存在下又は不存在下、イサト酸無水物を
アミノシランに徐々に添加することによって行われる。
反応を溶媒で行う場合には、溶媒はイサト酸無水物と反
応するものであってはならない。ヒドロキシル溶媒の場
合、温和な反応条件(たとえば触媒を使用しない)を採
用しなければならない。溶媒として、アルコール、エー
テル、塩素化溶媒等を使用できる。操作は水(アルコキ
シ基を加水分解する)の不存在下で行われなければなら
ない。
応するものであってはならない。ヒドロキシル溶媒の場
合、温和な反応条件(たとえば触媒を使用しない)を採
用しなければならない。溶媒として、アルコール、エー
テル、塩素化溶媒等を使用できる。操作は水(アルコキ
シ基を加水分解する)の不存在下で行われなければなら
ない。
反応がわずかに発熱性であること(冷却が必要である)
及び脂肪族アミン(アミノシラン)と芳香族アミン(反
応生成物)との間にかなりの反応性の差異があるにも拘
らず、タイプ のオリゴマー生成物(少量ではあるカリが生成されるこ
とを配慮しながら、イサト酸無水物を一度に添加するこ
とによっても反応を実施できる。
及び脂肪族アミン(アミノシラン)と芳香族アミン(反
応生成物)との間にかなりの反応性の差異があるにも拘
らず、タイプ のオリゴマー生成物(少量ではあるカリが生成されるこ
とを配慮しながら、イサト酸無水物を一度に添加するこ
とによっても反応を実施できる。
触媒反応の間に電荷を生ずるタイプの酵素を該素子に導
入できる。
入できる。
使用されるタンパク質は、たとえばアルブミン、ヘモシ
アニン等から選ばれる。
アニン等から選ばれる。
かかるトランスデユーサ−は、生物学的液体中における
特殊な循環抗体(たとえば四日熱マラリア又はAIDS
ウィルス(HTLV III)に対して作成されたもの
の測定(臨床診断に重要である)に使用される。これら
の抗体は、触媒反応の間にトランスデユーサ−(EOS
又はFET)によって検知される電荷を生ずる酵素(た
とえばグルコースオキシダーゼ、ウレアーゼ等)でマー
キングされた遊離の抗原又は同じ特異性を有する類似の
抗原との競合関係に当該抗体を置くことによって測定さ
れる。
特殊な循環抗体(たとえば四日熱マラリア又はAIDS
ウィルス(HTLV III)に対して作成されたもの
の測定(臨床診断に重要である)に使用される。これら
の抗体は、触媒反応の間にトランスデユーサ−(EOS
又はFET)によって検知される電荷を生ずる酵素(た
とえばグルコースオキシダーゼ、ウレアーゼ等)でマー
キングされた遊離の抗原又は同じ特異性を有する類似の
抗原との競合関係に当該抗体を置くことによって測定さ
れる。
別の測定法は、第1の抗体に対して作成した第2の抗体
、又は微生物を源とするタンパク質A又はタンパク質G
であって、上述の特性を有する酵素(たとえばグルコー
スオキシダーゼ又はウレアーゼ等)でマーキングしたも
のを使用するものである。
、又は微生物を源とするタンパク質A又はタンパク質G
であって、上述の特性を有する酵素(たとえばグルコー
スオキシダーゼ又はウレアーゼ等)でマーキングしたも
のを使用するものである。
さらに、本発明の免疫センサーは、除草剤であるアトラ
ジン、パラコート、モリナート等の汚染物質(これらに
対して官能化抗原が作成される)の測定に使用される。
ジン、パラコート、モリナート等の汚染物質(これらに
対して官能化抗原が作成される)の測定に使用される。
アトラジンは、主としてトウモロコシの栽培に関し農業
の分野で広く使用されている除草剤であり、雑草の光合
成系を阻害することによって作用する。
の分野で広く使用されている除草剤であり、雑草の光合
成系を阻害することによって作用する。
トウモロコシに関する選択性は、特異な酵素又はポリフ
ェノールによる培養によって活性成分が非毒性物質(ヒ
ドロキシアトリジン)に分解されるとの事実によるもの
である。
ェノールによる培養によって活性成分が非毒性物質(ヒ
ドロキシアトリジン)に分解されるとの事実によるもの
である。
この除草剤の使用は、除草剤を散布した栽培地(自然の
分解を受けるまで長期間残留する)周辺の水質汚染を生
ずる。
分解を受けるまで長期間残留する)周辺の水質汚染を生
ずる。
水溶液中のアトリジンの測定は、一般に1次精製処理後
、複雑な分析法(たとえばガスクロマトグラフィー(G
C) 、HPLC又はGLC)によって行われる。
、複雑な分析法(たとえばガスクロマトグラフィー(G
C) 、HPLC又はGLC)によって行われる。
本発明の免疫センサーを使用する場合には、これら方法
に比べて、溶液状のサンプルを直接に分析できるとの利
点を有する。しかも、携帯可能な装置の作成により、そ
の場で直接アトラジンを測定することが可能である。
に比べて、溶液状のサンプルを直接に分析できるとの利
点を有する。しかも、携帯可能な装置の作成により、そ
の場で直接アトラジンを測定することが可能である。
本発明による免疫センサーによってアトラジンを測定す
るためには、この物質に対して作成された抗体を使用し
なければならない。
るためには、この物質に対して作成された抗体を使用し
なければならない。
アトラジンは小形分子であり、これ自体免疫原性でない
(すなわち抗体の生成を誘発しない)ため、アトラジン
類似体(すなわちアメトリン)を使用し、アメトリンス
ルホキシドとして官能化し、この反応性基によってキャ
リヤー(一般にアルブミン、ヘモシアニン等の如きタン
パク質)に結合させる。この複合体は、−旦ウサギ(又
は他の好適な実験動物)に接種されると、アメトリン及
びアトラジン自体の両方を認識する抗体の生産を誘発す
る。
(すなわち抗体の生成を誘発しない)ため、アトラジン
類似体(すなわちアメトリン)を使用し、アメトリンス
ルホキシドとして官能化し、この反応性基によってキャ
リヤー(一般にアルブミン、ヘモシアニン等の如きタン
パク質)に結合させる。この複合体は、−旦ウサギ(又
は他の好適な実験動物)に接種されると、アメトリン及
びアトラジン自体の両方を認識する抗体の生産を誘発す
る。
同様のシステムを使用して、各種文献に記載された如く
、他の汚染物質(パラコート、モリナート等)に対する
抗体を得ることができる[たとえばJ、Van Emo
n、 B、HammockSJ、N、5eiber r
AnalChem、J (1986) 、 58.
1866−1873: S、J、Gee、 TMiy
amoto、M、H,GoodrowSD、Buste
r、 B、D、HammockrJ、Agric、Fo
od Chem、J (1988)、36.863−8
70]。
、他の汚染物質(パラコート、モリナート等)に対する
抗体を得ることができる[たとえばJ、Van Emo
n、 B、HammockSJ、N、5eiber r
AnalChem、J (1986) 、 58.
1866−1873: S、J、Gee、 TMiy
amoto、M、H,GoodrowSD、Buste
r、 B、D、HammockrJ、Agric、Fo
od Chem、J (1988)、36.863−8
70]。
上述の免疫センサーの作成に当たっては、アメトリンー
タンパク質複合体を二官能性カップリング剤によって素
子に化学的に結合させるか、又はアメトリンスルホキシ
ドを該反応性基によって素子に直接結合させることもで
きる。
タンパク質複合体を二官能性カップリング剤によって素
子に化学的に結合させるか、又はアメトリンスルホキシ
ドを該反応性基によって素子に直接結合させることもで
きる。
タンパク質の膜を形成することなくアメトリンを直接結
合させる第2の方法では、膜の抵抗性が増大する。
合させる第2の方法では、膜の抵抗性が増大する。
本発明は、さらに免疫化学膜を有する素子の形成に使用
される方法を提供するものである。
される方法を提供するものである。
官能化抗原でなる単層から構成された免疫化学膜を有す
るセンサーを作成する第1の方法は、シロキサンプレポ
リマーを調製し、つづいてEOS又はCHEMFET素
子上に該プレポリマーを1回以上析出させ、熱硬化を行
い、これによりシランアルコキシ基の完全重合化を行い
、加水分解してポリシロキサンマトリックスを得た後、
他のアルコキシ基を酸化表面上に存在する5i−OHヒ
ドロキシル基と反応させて該マトリックスを酸化ケイ素
に化学的に接合させ;予め官能化した抗原をポリシロキ
サン層上に存在する脂肪族アミノ基と反応させるもので
ある。
るセンサーを作成する第1の方法は、シロキサンプレポ
リマーを調製し、つづいてEOS又はCHEMFET素
子上に該プレポリマーを1回以上析出させ、熱硬化を行
い、これによりシランアルコキシ基の完全重合化を行い
、加水分解してポリシロキサンマトリックスを得た後、
他のアルコキシ基を酸化表面上に存在する5i−OHヒ
ドロキシル基と反応させて該マトリックスを酸化ケイ素
に化学的に接合させ;予め官能化した抗原をポリシロキ
サン層上に存在する脂肪族アミノ基と反応させるもので
ある。
官能化抗原及びタンパク質でなる高分子多層から構成さ
れた免疫化学膜を有するセンサーを作成する第2の方法
は、シロキサンプレポリマーを調製し、つづいてEOS
又はCHEMFET素子上に該プレポリマーを1回以上
析出させ、熱硬化を行い、これによりシランアルコキシ
基の完全重合化を行い、加水分解してポリシロキサンマ
トリックスを得た後、他のアルコキシ基を酸化表面上に
存在するSト011ヒドロキシル基と反応させて該マト
リックスを酸化ケイ素に化学的に接合させ;ポリシロキ
サン層上に存在する脂肪族アミノ基を二官能性カップリ
ング剤によって活性化し;タンパク質に結合した官能化
抗原でなる免疫化学プレポリマーを調製し;該免疫化学
プレポリマーを前記ポリシロキサン層の(活性化)アミ
ノ基と反応させるものである。
れた免疫化学膜を有するセンサーを作成する第2の方法
は、シロキサンプレポリマーを調製し、つづいてEOS
又はCHEMFET素子上に該プレポリマーを1回以上
析出させ、熱硬化を行い、これによりシランアルコキシ
基の完全重合化を行い、加水分解してポリシロキサンマ
トリックスを得た後、他のアルコキシ基を酸化表面上に
存在するSト011ヒドロキシル基と反応させて該マト
リックスを酸化ケイ素に化学的に接合させ;ポリシロキ
サン層上に存在する脂肪族アミノ基を二官能性カップリ
ング剤によって活性化し;タンパク質に結合した官能化
抗原でなる免疫化学プレポリマーを調製し;該免疫化学
プレポリマーを前記ポリシロキサン層の(活性化)アミ
ノ基と反応させるものである。
上述の方法で使用される二官能性カップリング剤は、ジ
アルデヒド(たとえ・ばグルタルアルデヒド)又はジイ
ソシアネート(たとえばトルエン2.4−ジシアネート
)から選ばれる。
アルデヒド(たとえ・ばグルタルアルデヒド)又はジイ
ソシアネート(たとえばトルエン2.4−ジシアネート
)から選ばれる。
上記方法におけるシロキサンプレポリマーの析出工程は
、スピン−オン技術によって行われ、ロッキングプレー
ト上でポリシロキサンを活性化し、抗原及びタンパク質
と反応させる。
、スピン−オン技術によって行われ、ロッキングプレー
ト上でポリシロキサンを活性化し、抗原及びタンパク質
と反応させる。
シロキサンプレポリマーの熱硬化を温度80ないし14
0℃で行い、つづく免疫化学膜の固定化処理を25ない
し37℃で行う。
0℃で行い、つづく免疫化学膜の固定化処理を25ない
し37℃で行う。
析出するシロキサンプレポリマーの厚さは0,5ないし
3μm1免疫化学j漠の厚さは05ないし2μmである
。
3μm1免疫化学j漠の厚さは05ないし2μmである
。
ポリシロキサン層を形成するためには、ロータリーディ
スク装置を、析出工程の間、好ましくは400ないし4
500rpmの速度で作動させなければならない。
スク装置を、析出工程の間、好ましくは400ないし4
500rpmの速度で作動させなければならない。
シロキサンプレポリマーは、プラズマ析出法によっても
、好ましくは下記の条件下において、EOS又はl5F
ET素子のケイ素又は酸化ケイ素基板上に析出される。
、好ましくは下記の条件下において、EOS又はl5F
ET素子のケイ素又は酸化ケイ素基板上に析出される。
電カニ20ないし50W
放電圧ツノ=0.1ないし1トル
温度:室温ないし使用したシロキサンプレポリマーの分
解温度 特にアトリジンffpl定用センサーの場合、好適なシ
ランはAEAPS及び3−APTSである。
解温度 特にアトリジンffpl定用センサーの場合、好適なシ
ランはAEAPS及び3−APTSである。
本発明は、トランスデユーサ−としてEOS又はCHE
MFET電子装置を使用する未知の抗原濃度を測定する
方法を提供するものである。
MFET電子装置を使用する未知の抗原濃度を測定する
方法を提供するものである。
抗原濃度の測定は、抗原自体に対して作成された抗体、
又は抗原を認識する抗体に対して作成された第2の抗体
を、触媒反応の間にトランスデユーサ−(EOS又はC
HEMFET)によって検知される電荷を生成する酵素
(たとえばグルコースオキシダーゼ、ウレアーゼ等)で
マーキングすることによって行われる。
又は抗原を認識する抗体に対して作成された第2の抗体
を、触媒反応の間にトランスデユーサ−(EOS又はC
HEMFET)によって検知される電荷を生成する酵素
(たとえばグルコースオキシダーゼ、ウレアーゼ等)で
マーキングすることによって行われる。
第1の場合では、抗体−酵素複合物を被測定抗原と競合
させる。素子上に存在する免疫化学膜に結合した標識抗
体の量は、その基板に存在す酵素の電気的応答によって
測定される。従って、この量は、被測定溶液中に存在す
る抗原の量に反比例する。
させる。素子上に存在する免疫化学膜に結合した標識抗
体の量は、その基板に存在す酵素の電気的応答によって
測定される。従って、この量は、被測定溶液中に存在す
る抗原の量に反比例する。
これに対して、第2の場合では、素子上に固定化された
抗原に抗体を結合させた後、第1の抗体に対して作成し
た第2の抗体(酵素でマーキングしている)を添加する
。この場合にも、被測定抗原の濃度は、第1の抗体に結
合した標識抗体の惜(トランスデユーサ−に記載された
酵素の電気応答に基づいて測定される)に反比例する。
抗原に抗体を結合させた後、第1の抗体に対して作成し
た第2の抗体(酵素でマーキングしている)を添加する
。この場合にも、被測定抗原の濃度は、第1の抗体に結
合した標識抗体の惜(トランスデユーサ−に記載された
酵素の電気応答に基づいて測定される)に反比例する。
従って、本発明による方法は、酵素(抗原に対して作成
された抗体、又は第1の抗体に対して作成された第2の
抗体(基質が存在する場合)をマーキングする)の電気
応答によって測定が行われるため、被検サンプル中に存
在するイオン又は他のタンパク質による干渉が少ないと
の利点を有する。
された抗体、又は第1の抗体に対して作成された第2の
抗体(基質が存在する場合)をマーキングする)の電気
応答によって測定が行われるため、被検サンプル中に存
在するイオン又は他のタンパク質による干渉が少ないと
の利点を有する。
本発明をさらに説明すため以下に実施例を例示するが、
これら実施例は本発明を限定するものではない。
これら実施例は本発明を限定するものではない。
実施例1
アメ リン−EO3のrff″
Huber S、J、によってl”Chemosphe
reJ (1985)vo114、No、11/12.
pp1795−1803に開示された如くして、市販の
アメトリンからアメトリンスルホキシドを調製した。
reJ (1985)vo114、No、11/12.
pp1795−1803に開示された如くして、市販の
アメトリンからアメトリンスルホキシドを調製した。
アメトリンスルホキシドの形成をETIRによって監視
したところ、第1図から明らかなように、該スルホキシ
ドは103cm−’に強い吸収を示した。なお、第1図
の横軸は波長(cm −’ )を示し、縦軸は透過率(
%)を示す。
したところ、第1図から明らかなように、該スルホキシ
ドは103cm−’に強い吸収を示した。なお、第1図
の横軸は波長(cm −’ )を示し、縦軸は透過率(
%)を示す。
ポリシロキサンマトリックスに化学的に結合した官能化
抗原(アメトリンスルホキシド)でなる単層から免疫化
学膜が構成された免疫センサーを形成した。
抗原(アメトリンスルホキシド)でなる単層から免疫化
学膜が構成された免疫センサーを形成した。
無水エタノール中にアミノエチルアミノプロビルトリメ
トキシシラン(AEAPS) 21%、酢酸3%及びH
2O1%を含有する部分解氷分解ポリシロキサンの水性
アルコール溶液を使用し、EO3素子のバー (0,5
cmX0,5cm)上で析出処理した。ロータリーディ
スク装置により、35QOrpm、 20秒間で3回析
出処理を行った。
トキシシラン(AEAPS) 21%、酢酸3%及びH
2O1%を含有する部分解氷分解ポリシロキサンの水性
アルコール溶液を使用し、EO3素子のバー (0,5
cmX0,5cm)上で析出処理した。ロータリーディ
スク装置により、35QOrpm、 20秒間で3回析
出処理を行った。
EOS上に析出した該オリゴマー溶液の過剰分を、キャ
リープレートの回転運動に由来する遠心作用によって除
去した。120℃で16時間熱硬化した後、バーを冷却
した。各バーを、無水エタノールlO%を含有する50
mM炭酸塩緩衝液(pH9,6)にアメトリンスルホキ
シド05■を含む溶液1−内の秤量フィルターに配置し
、ロッキングプレート上、室温で5日間攪拌し、ついで
無水エタノール10%を含有する50mM TRl5緩
衝液(pH7,8)で3回洗浄し、さらにエタノールを
含有しない同じ緩衝液で2回洗浄した。
リープレートの回転運動に由来する遠心作用によって除
去した。120℃で16時間熱硬化した後、バーを冷却
した。各バーを、無水エタノールlO%を含有する50
mM炭酸塩緩衝液(pH9,6)にアメトリンスルホキ
シド05■を含む溶液1−内の秤量フィルターに配置し
、ロッキングプレート上、室温で5日間攪拌し、ついで
無水エタノール10%を含有する50mM TRl5緩
衝液(pH7,8)で3回洗浄し、さらにエタノールを
含有しない同じ緩衝液で2回洗浄した。
タンパク −アメトリンスルホキシド Aアフトリンス
ルホキシド12mgを含有する無水エタノール200μ
Qを、50mM炭酸塩緩衝液(pH9,6)5−に溶解
したウシ血清アルブミン(BSA) 50mgに添加し
た。
ルホキシド12mgを含有する無水エタノール200μ
Qを、50mM炭酸塩緩衝液(pH9,6)5−に溶解
したウシ血清アルブミン(BSA) 50mgに添加し
た。
混合物を37℃において暗所で5日間インキユベートシ
、0.9%Na(Q溶液5Qに対して透析し、凍結乾燥
した。凍結乾燥生成物を、次表に示すような抗体の調製
に使用した。
、0.9%Na(Q溶液5Qに対して透析し、凍結乾燥
した。凍結乾燥生成物を、次表に示すような抗体の調製
に使用した。
BSA−アメトリンによるウサギの免疫全フロイドアジ
ュバン ト0.5−中において1■ 11 間 上 皮内注射19
同 上 皮内注射27 0
.9%Na(Q溶液0.5−中に 静脈内注射おいて1
mg 41 血液サンプル採取 88 Q、9%Na■溶液0.5mQ中に 静脈
内注射おいて1mg 102 血液サンプル採取 第2a−第2c図は、それぞれBSAの吸収スペクトル
、市販アメトリンの吸収スペクトル、及び複合BSA−
アメトリンの吸収スペクトルを示す(横軸は波長(1μ
m)、縦軸は光学密度を示す)。
ュバン ト0.5−中において1■ 11 間 上 皮内注射19
同 上 皮内注射27 0
.9%Na(Q溶液0.5−中に 静脈内注射おいて1
mg 41 血液サンプル採取 88 Q、9%Na■溶液0.5mQ中に 静脈
内注射おいて1mg 102 血液サンプル採取 第2a−第2c図は、それぞれBSAの吸収スペクトル
、市販アメトリンの吸収スペクトル、及び複合BSA−
アメトリンの吸収スペクトルを示す(横軸は波長(1μ
m)、縦軸は光学密度を示す)。
同様にして、ヘリックス・ポマティア(Helixpo
matia)ノヘモシアニンをアメトリンスルホキシド
と複合させた。
matia)ノヘモシアニンをアメトリンスルホキシド
と複合させた。
レート でのアフト1ンのコーチ ン
プレート(Numc Immunoplate Max
isorpt F 96)の各種の凹み(ウェル)の各
々において、BSA−アメトリン溶液(50mM TB
S (pH7,8)中に300μg/−を含む)100
μQを室温で1夜インキユベートした。
isorpt F 96)の各種の凹み(ウェル)の各
々において、BSA−アメトリン溶液(50mM TB
S (pH7,8)中に300μg/−を含む)100
μQを室温で1夜インキユベートした。
同じプレートのいくつかのウェルにおいて、BSA溶液
(50mM TBS (pH7,8)中に300μg
/−を含む)100μQを室温で1夜インキユベートし
た。
(50mM TBS (pH7,8)中に300μg
/−を含む)100μQを室温で1夜インキユベートし
た。
同じプレートの他のいくつかのウェルにおいて、ヘモシ
アニンーアメトリン溶液(50mM TBS(pH7,
8)中に300μg/−を含む)100μQ(各ウェル
当たり)を室温で1夜インキユベートした。
アニンーアメトリン溶液(50mM TBS(pH7,
8)中に300μg/−を含む)100μQ(各ウェル
当たり)を室温で1夜インキユベートした。
同じプレートのさらに他のいくつかのウェルにおいて、
ヘモシアニン溶液(50mM TBS (pH7,8)
中に300μg/−を含む)100μQを室温で1夜イ
ンキユベートした。
ヘモシアニン溶液(50mM TBS (pH7,8)
中に300μg/−を含む)100μQを室温で1夜イ
ンキユベートした。
ついで、プレートをTween 200.05%を含有
する25mM TBS (p)17.8) 200μQ
(各ウェル当たり)で5回洗浄した。
する25mM TBS (p)17.8) 200μQ
(各ウェル当たり)で5回洗浄した。
つづいて、各ウェルにおいて、B5A3%を含有する5
0mM TBS (p)17.8) 200μQを室温
で1時間インキュベートした。
0mM TBS (p)17.8) 200μQを室温
で1時間インキュベートした。
ついで、プレートを25mM TBS (+〇、05%
Tween20) (pH7,8)200μO(各ウェ
ル当たり)で5回洗浄した。
Tween20) (pH7,8)200μO(各ウェ
ル当たり)で5回洗浄した。
25mM TBS (pH7,8)(+2.5%BSA
+0.05%Tween20)中に1:500ないし1
: 32000で希釈した免疫血清又は非免疫血清1
00μQ(各ウェル当たり)を、同じプレートにおいて
、室温で1時間インキュベートした。
+0.05%Tween20)中に1:500ないし1
: 32000で希釈した免疫血清又は非免疫血清1
00μQ(各ウェル当たり)を、同じプレートにおいて
、室温で1時間インキュベートした。
ついで、プレートトを、25mM TBS(pH7,8
)(+0.05%Tween 20) 200μQ (
各ウェル当たり)で5回洗浄した。
)(+0.05%Tween 20) 200μQ (
各ウェル当たり)で5回洗浄した。
その後、25+nM TBS(pH7,8)(+2.5
%BSA+0.05%Twee口20)中に含有される
ヤギ抗−ウサギIgG−)IRP (1: 4000)
100μQを使用し、室温で1時間インキュベートし
た。
%BSA+0.05%Twee口20)中に含有される
ヤギ抗−ウサギIgG−)IRP (1: 4000)
100μQを使用し、室温で1時間インキュベートし
た。
ついで、プレートを25mM TBS(pH7,8)(
+0.05%Tween 20) 200μQ (各ウ
ェル当たり)で5回洗浄した。
+0.05%Tween 20) 200μQ (各ウ
ェル当たり)で5回洗浄した。
さらに基質(TMB) 100μQを使用して室温でイ
ンキュベーションを行い、5分後に0.5M硫酸100
μQで反応を停止させた。硫酸で停止させたブランク−
基質に対して450nmにおける吸光度を読み取った。
ンキュベーションを行い、5分後に0.5M硫酸100
μQで反応を停止させた。硫酸で停止させたブランク−
基質に対して450nmにおける吸光度を読み取った。
基質(TMB)は、0.1M酢酸塩緩衝液(pH5,0
)9 mQ及び3.3’、5.5’−テトラメチルベン
ジジン溶液(01Mクエン酸+35%過酸化水素1.5
μθ中に1mg/−を含有する) 1 mQでなる。
)9 mQ及び3.3’、5.5’−テトラメチルベン
ジジン溶液(01Mクエン酸+35%過酸化水素1.5
μθ中に1mg/−を含有する) 1 mQでなる。
第3図は、プレート上に担持されたBSA−アメトリン
(*)及びヘモシアニンーアメトリン(#)による抗ア
メトリン抗血清の力価lj定の結果を示すグラフである
(横軸は希釈度(X103)、縦軸は光学密度を示す)
。
(*)及びヘモシアニンーアメトリン(#)による抗ア
メトリン抗血清の力価lj定の結果を示すグラフである
(横軸は希釈度(X103)、縦軸は光学密度を示す)
。
EOS−アメトリン及びブランクとして使用する他のE
OS (AEAPS)を、50mM TBS(pH7,
8)(+0.5%カゼイン+O1%TritonX l
oO+ 2%PGE 6000)中に1500ないし1
:4000で希釈した免疫血清05iと共に室温で30
分間インキュベートした。
OS (AEAPS)を、50mM TBS(pH7,
8)(+0.5%カゼイン+O1%TritonX l
oO+ 2%PGE 6000)中に1500ないし1
:4000で希釈した免疫血清05iと共に室温で30
分間インキュベートした。
ついで、50mM TBS(pH7,8)(+ 0.1
%Triton X100) 1−により滞留時間5分
間で4回洗浄した。
%Triton X100) 1−により滞留時間5分
間で4回洗浄した。
その後、50mM TBS(p)17.8)(+0.5
%カゼイン +〇、1%TritonX 100+ 2
%PEG 6000)中に含有されるヤギ抗−ウサギI
gG−HRP (1: 4000) 0.5−と共に室
温で30分間インキュベートした。
%カゼイン +〇、1%TritonX 100+ 2
%PEG 6000)中に含有されるヤギ抗−ウサギI
gG−HRP (1: 4000) 0.5−と共に室
温で30分間インキュベートした。
ついで、50mM TBS(pH7,8)(+〇、1%
Triton X100) 1−により滞留時間5分間
で4回洗浄した。
Triton X100) 1−により滞留時間5分間
で4回洗浄した。
さらに基質(TMB) 0.5−と共に室温でインキュ
ベーションを行い、10分後に0.5M硫酸0.5nρ
で反応を停止させた。
ベーションを行い、10分後に0.5M硫酸0.5nρ
で反応を停止させた。
200μQをELISAプレートのウェルに移し、ブラ
ンク−基質に対して450nmにおける吸光度を読み取
った。力価曲線を第4図に示す(横軸は希釈度(XIO
”)、縦軸は光学密度を示す)。
ンク−基質に対して450nmにおける吸光度を読み取
った。力価曲線を第4図に示す(横軸は希釈度(XIO
”)、縦軸は光学密度を示す)。
アトリジン による 宙 の
EOS (AEAPS)及びEOS−アメトリンを、5
0mM TBS(pH7,8)(+ 0.5%カゼイン
+〇、1%TritonX 100+2%PEG 60
00)中に1 : 2000で希釈した免疫血清05m
1+アトリジン(0,05,1,5及び25μ9/Q)
と共に室温で30分間インキュベートした。
0mM TBS(pH7,8)(+ 0.5%カゼイン
+〇、1%TritonX 100+2%PEG 60
00)中に1 : 2000で希釈した免疫血清05m
1+アトリジン(0,05,1,5及び25μ9/Q)
と共に室温で30分間インキュベートした。
ついで、50mM TBS(pH7,8)(+O,1%
Triton X100) 1 mQにより滞留時間5
分間で4回洗浄した。
Triton X100) 1 mQにより滞留時間5
分間で4回洗浄した。
その後、50m)J TBS(pH7,8)(+0.5
%カゼイン+O1%TritonX 100+ 2%P
EG 6000)中に含有されるヤギ抗−ウサギIgG
−HRP(1: 4000)0.5−と共に室温で30
分間インキュベートした。
%カゼイン+O1%TritonX 100+ 2%P
EG 6000)中に含有されるヤギ抗−ウサギIgG
−HRP(1: 4000)0.5−と共に室温で30
分間インキュベートした。
ついで、50mM TBS(pH7,8)(+0.1%
Triton X100) 1−により滞留時間5分間
で4回洗浄した。
Triton X100) 1−により滞留時間5分間
で4回洗浄した。
さらに基質(TMB) 0.5mQを使用してインキュ
ベーションを行い、10分後に0.5M硫酸0.5mQ
で反応を停止させた。
ベーションを行い、10分後に0.5M硫酸0.5mQ
で反応を停止させた。
各4を合物200μQをELISAプレートのウェルに
移し、ブランク−基質に対して450nmにおける吸光
度を読み取った。
移し、ブランク−基質に対して450nmにおける吸光
度を読み取った。
阻害率を第5図に示す(横軸はアトラジン濃度(μg/
Q)を示す)。
Q)を示す)。
実施例2
FET におけるアメトリンの 定サイズ1.2
8mmX 2.16mmを有し、ゲート(400μm×
20μm) 2個を包含するチップ(HEDCO,ユタ
大学)を、粘着テープ(3M electrical
tape 92)によって、電気接触領域及びエツジを
保護し、ただしゲートをフリーの状態としてスライド上
に積載した。次いで、上述の如くして、チップ上にAE
APS (3(2−アミノエチル)アミノプロピルトリ
メトキシシラン)の層を析出させた。ポリシロキサンの
析出後、チップを超音波ウエルダ−(Kulickea
nd 5offa sod、 4123)と接続したT
O−5タイプの・支持体に積載し、エポキシ樹脂Epo
tek H−77でカプセル化した。
8mmX 2.16mmを有し、ゲート(400μm×
20μm) 2個を包含するチップ(HEDCO,ユタ
大学)を、粘着テープ(3M electrical
tape 92)によって、電気接触領域及びエツジを
保護し、ただしゲートをフリーの状態としてスライド上
に積載した。次いで、上述の如くして、チップ上にAE
APS (3(2−アミノエチル)アミノプロピルトリ
メトキシシラン)の層を析出させた。ポリシロキサンの
析出後、チップを超音波ウエルダ−(Kulickea
nd 5offa sod、 4123)と接続したT
O−5タイプの・支持体に積載し、エポキシ樹脂Epo
tek H−77でカプセル化した。
いくつかのFET素子を、それぞれ無水エタノールlO
%を含有する50mM炭酸塩緩衝液(pH9、6)中に
アメトリンスルホキシド約1rIIg/1TIQを含有
する溶液0.5mQを使用し、攪拌下、室温で5日間反
応させた。次いで、これら素子を、エタノールlO%を
含有する50mM TBS緩衝液(pH7,8)で3回
、エタノールを含有しない同じ緩衝液で2回洗浄した。
%を含有する50mM炭酸塩緩衝液(pH9、6)中に
アメトリンスルホキシド約1rIIg/1TIQを含有
する溶液0.5mQを使用し、攪拌下、室温で5日間反
応させた。次いで、これら素子を、エタノールlO%を
含有する50mM TBS緩衝液(pH7,8)で3回
、エタノールを含有しない同じ緩衝液で2回洗浄した。
素子を、2,5%BSA、 0.1%TritonX
−100及び2%PEG 6000を含有する50mM
TBS (pH7,8) (インキュベーション緩
衝液)中に1+500で希釈した免疫血清0.5+nQ
と共に、室温で30分間インキュベートした。
−100及び2%PEG 6000を含有する50mM
TBS (pH7,8) (インキュベーション緩
衝液)中に1+500で希釈した免疫血清0.5+nQ
と共に、室温で30分間インキュベートした。
ついで、O1%Triton X−100を含有する5
0關TBS緩衝液(pH7,8)(洗浄緩衝液)0.5
−で4回(滞留時間5分)洗浄した。
0關TBS緩衝液(pH7,8)(洗浄緩衝液)0.5
−で4回(滞留時間5分)洗浄した。
その後、インキュベーション緩衝液に希釈したヤギ抗−
ウサギrgG−GOD溶液0.5mQを使用し、室温で
30分間インキュベートした。ついで、洗浄緩衝液で4
日洗浄した。
ウサギrgG−GOD溶液0.5mQを使用し、室温で
30分間インキュベートした。ついで、洗浄緩衝液で4
日洗浄した。
最後に、グルコースの存在下、CODの活性によって生
じた電気応答を1ll11定した。
じた電気応答を1ll11定した。
第6図は、0.05Mグルコースの添加(時間a)後及
び洗浄緩衝液及び20mMリン酸塩溶液(pH7,0)
の添加(時間b)後における免疫センサーの電気応答を
示すグラフである。グラフの横軸は時間(分)、縦軸は
電気応答(mV)を示す。
び洗浄緩衝液及び20mMリン酸塩溶液(pH7,0)
の添加(時間b)後における免疫センサーの電気応答を
示すグラフである。グラフの横軸は時間(分)、縦軸は
電気応答(mV)を示す。
実施例3
FETの ロ
いくつかのFETを、攪拌しながら、01%グルタルア
ルデヒドの存在下、20mMリン酸塩緩衝液(pH70
)中にBSA−アストリン10mg/ITIoを含有す
る溶液0250−と室温で1時間反応させ、ついで緩衝
液のみで洗浄した。
ルデヒドの存在下、20mMリン酸塩緩衝液(pH70
)中にBSA−アストリン10mg/ITIoを含有す
る溶液0250−と室温で1時間反応させ、ついで緩衝
液のみで洗浄した。
インキュベーション緩衝液中に1 : 500で希釈し
た免疫血清0.5−と共に室温で30分間インキュベー
トし、洗浄緩衝液で4回洗浄した。
た免疫血清0.5−と共に室温で30分間インキュベー
トし、洗浄緩衝液で4回洗浄した。
さらにヤギ抗−ウサギIgG−GODのインキュベーシ
ョン緩衝液溶液0.5−を使用して室温で30分間イン
キュベートし、洗浄緩衝液で4回洗浄した。
ョン緩衝液溶液0.5−を使用して室温で30分間イン
キュベートし、洗浄緩衝液で4回洗浄した。
最後に、グルコースの存在下、GODの活性によって生
じた電気応答を測定した。
じた電気応答を測定した。
電気測定の後、チップを0.1Mグリシン−〇CI緩衝
液(pH2,0)と共に約10分間インキュベートして
抗原−抗体の分離を行い、次の測定に使用できるように
素子を再生した。
液(pH2,0)と共に約10分間インキュベートして
抗原−抗体の分離を行い、次の測定に使用できるように
素子を再生した。
上述の如くして免疫血清及びヤギ抗−ウサギIgG−G
ODと共にインキュベートし、電気応答を測定した。
ODと共にインキュベートし、電気応答を測定した。
第7図は、同一の素子を使用して行った測定サイクルの
間にえられた応答(mV;縦軸)を示す。
間にえられた応答(mV;縦軸)を示す。
アトラジンの に る 史 の
FET−BSA−アメトリンを、インキュベーション緩
衝液中に1 : 500で希釈した免疫血清0.5−と
共に室温で30分間インキュベートし、ついで洗浄緩衝
液で4回洗浄した。
衝液中に1 : 500で希釈した免疫血清0.5−と
共に室温で30分間インキュベートし、ついで洗浄緩衝
液で4回洗浄した。
その後、ヤギ抗−ウサギIgG−GODのインキュベー
ション緩衝液溶液0.5−と共に室温で30分間インキ
ュベートし、洗浄緩衝液で4回洗浄した。
ション緩衝液溶液0.5−と共に室温で30分間インキ
ュベートし、洗浄緩衝液で4回洗浄した。
ついでグルコースの存在下における電気測定を行った。
この測定をアトラジンの不存在下で行った後、再生(す
なわち抗原の抗体からの分離)を、0.1Mグリシン−
HG2緩衝液(pH2,0)を使用して行った。抗血清
に対して1又は51)1)bに等しい量のアトラジンを
添加した後、上述の如くしてインキュベーションを再度
行った。
なわち抗原の抗体からの分離)を、0.1Mグリシン−
HG2緩衝液(pH2,0)を使用して行った。抗血清
に対して1又は51)1)bに等しい量のアトラジンを
添加した後、上述の如くしてインキュベーションを再度
行った。
第8図は、アトラジン0ppb (*) 、1ppb
(+)及び5ppb(=)の存在下における電気応答、
すなわち0.05Mグルコースの添加(時間a)後、洗
浄!!街液及び20mMリン酸塩(pH7、0)の添加
(時間b)後における電気応答曲線である(横軸は時間
(分)、縦軸は電気応答(mV)を示す)。
(+)及び5ppb(=)の存在下における電気応答、
すなわち0.05Mグルコースの添加(時間a)後、洗
浄!!街液及び20mMリン酸塩(pH7、0)の添加
(時間b)後における電気応答曲線である(横軸は時間
(分)、縦軸は電気応答(mV)を示す)。
第1図はアメトリンスルホキシドのIR吸収スペクトル
を示す図、第23−第2C図はそれぞれBSA、市販ア
メトリン及び複合BSA−アメトリンの吸収スペクトル
を示す図、第3図はBSA−アメトリン及びヘモシアニ
ンーアメトリンによる抗アメトリン抗血清の力価測定の
結果を示すグラフ、第4図はELISAによる抗血清の
力価D1定の結果を示すグラフ、第5図はアトリジンに
よる阻害率の変化を示すグラフ、第6図は免疫センサー
の電気応答を示すグラフ、第7図は免疫センサーの再生
処理サイクルと性能との関係を示すグラフ、第8図はア
トラジンによる電気応答の変化を示すグラフである。
を示す図、第23−第2C図はそれぞれBSA、市販ア
メトリン及び複合BSA−アメトリンの吸収スペクトル
を示す図、第3図はBSA−アメトリン及びヘモシアニ
ンーアメトリンによる抗アメトリン抗血清の力価測定の
結果を示すグラフ、第4図はELISAによる抗血清の
力価D1定の結果を示すグラフ、第5図はアトリジンに
よる阻害率の変化を示すグラフ、第6図は免疫センサー
の電気応答を示すグラフ、第7図は免疫センサーの再生
処理サイクルと性能との関係を示すグラフ、第8図はア
トラジンによる電気応答の変化を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 免疫化学膜及び該膜にポリシロキサンマトリックス
によって接合される表面酸化ケイ素を含有するEOS又
はCHEMFETタイプの素子を包含してなるセンサー
において、前記免疫化学膜が、官能化抗原でなる単層又
は官能化抗原及びタンパク質でなる高分子多層から構成
され、前記免疫化学膜が、前記抗原上に存在する官能基
によって又は前記タンパク質上に存在する二官能性カッ
プリング剤によってポリシロキサンマトリックスに化学
的に結合しており、該ポリシロキサンマトリックスが一
般式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^II、R^III及びR^IVは同一又は異なる
ものであって、C_1_−_1_0アルキル基又はアル
コキシ基であり;Rは(CH_2)mX(CH_2)n
(ここでXはCH_2またはモノ又は多結合芳香族基、
NH又はOであり;m及びnは互に等しい又は異なるも
のであって、0ないし10の整数であり、ただしXがN
H又はOの場合、0ではない)であり;Yは−NH_2
、−OH又は−SHである]で表されるオルガノシラン
又は一般式(2) ▲数式、化学式、表等があります▼ (ここで、R_1及びR_2は同一又は異なるものであ
って、Cl、Br、CH_3、NO_2、NH_2又は
Hであり;R^II、R^III及びR^IVは同一又は異な
るものであって、C_1_−_1_0アルキル基又はア
ルコキシ基であり、R^ I はC_1_−_1_0アル
キル基、アミノアルキル基、アミノアルキルアリール基
又はアルキルアリール基である)で表される官能性オル
ガノシランの中から選ばれるものであることを特徴とす
る、センサー。 2 請求項1記載のものにおいて、前記官能化抗原がア
メトリンスルホキシドである、センサー。 3 請求項1記載のセンサーを得る方法において、シロ
キサンプレポリマーを調製し、つづいてEOS又はCH
EMFET素子上に該プレポリマーを1回以上析出させ
、熱硬化を行い、これによりシランアルコキシ基の完全
重合化を行い、加水分解してポリシロキサンマトリック
スを得た後、他のアルコキシ基を酸化表面上に存在する Si−OHヒドロキシル基と反応させて該マトリックス
を酸化ケイ素に化学的に接合させ;予め官能化した抗原
をポリシロキサン層上に存在する脂肪族アミノ基と反応
させると共に、前記シロキサンプレポリマーの析出をロ
ータリーディスク装置又はプラズマ析出法によって行う
ことを特徴とする、センサーの製法。 4 請求項1記載のセンサーを得る方法において、シロ
キサンプレポリマーを調製し、つづいてEOS又はCH
EMFET素子上に該プレポリマーを1回以上析出させ
、熱硬化を行い、これによりシランアルコキシ基の完全
重合化を行い、加水分解してポリシロキサンマトリック
スを得た後、他のアルコキシ基を酸化表面上に存在する Si−OHヒドロキシル基と反応させて該マトリックス
を酸化ケイ素に化学的に接合させ;ポリシロキサン層上
に存在する脂肪族アミノ基を二官能性カップリング剤に
よって活性化し;タンパク質に結合した官能化抗原でな
る免疫化学プレポリマーを調製し;該免疫化学プレポリ
マーを前記ポリシロキサン層の(活性化)アミノ基と反
応させると共に、前記シロキサンプレポリマーの析出を
ロータリーディスク装置又はプラズマ析出法によって行
うことを特徴とする、センサーの製法。 5 請求項3又は4記載の製法において、前記シロキサ
ンプレポリマーの熱硬化を温度80ないし140℃で行
う、センサーの製法。 6 請求項3又は4記載の製法において、前記シロキサ
ンプレポリマーの1回以上の析出を、厚さ0.5ないし
3μmの膜が形成されるように行う、センサーの製法。 7 請求項3又は4記載の製法において、前記シロキサ
ンプレポリマーの1回以上の析出に使用するロータリー
ディスク装置を400ないし4500rpmで作動させ
る、センサーの製法。 8 請求項3又は4記載の製法において、前記カップリ
ング剤がジアルデヒドの中から選ばれるものである、セ
ンサーの製法。 9 請求項8記載の製法において、前記ジアルデヒドが
グルタルアルデヒドである、センサーの製法。 10 請求項3又は4記載の製法において、前記カップ
リング剤がジイソシアネートの中から選ばれるものであ
る、センサーの製法。 11 請求項10記載の製法において、前記ジイソシア
ネートがトルエン2,4−ジイソシアネートである、セ
ンサーの製法。 12 請求項4記載の製法において、前記タンパク質が
アルブミン又はヘモシアニンである、センサーの製法。 13 請求項3又は4記載の製法において、前記免疫化
学膜の析出を、厚さ0.5ないし2μmの膜が形成され
るように行う、センサーの製法。 14 請求項1記載のセンサーを使用して抗原の濃度を
測定する方法において、抗原に対して作られた抗体を、
EOS又はCHEMFET素子によって検知される電荷
を生ずる酵素でマーキングすることを特徴とする、抗原
濃度の測定法。 15 請求項1記載のセンサーを使用して抗原の濃度を
測定する方法において、該抗原を認識する抗体に対して
作られ、かつEOS又はCHEMFET素子によって検
知される電荷を生ずる酵素、又はタンパク質A−酵素複
合体又はタンパク質G−酵素複合体でマーキングされた
他の抗体を使用することを特徴とする、抗原濃度の測定
法。 16 請求項14又は15記載の方法において、酵素が
グルコースオキシダーゼ及びウレアーゼの中から選ばれ
るものである、抗原濃度の測定法。 17 請求項3又は4記載の製法において、前記プラズ
マ析出を、電力10ないし100W及び放電圧力0.1
ないし1トルで行う、センサーの製法。
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JP (1) | JPH02296142A (ja) |
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DE (1) | DE69021621T2 (ja) |
DK (1) | DK0395137T3 (ja) |
ES (1) | ES2075135T3 (ja) |
GR (1) | GR3017224T3 (ja) |
IT (1) | IT1229691B (ja) |
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