JPH0229424A - 芳香族ポリエステルカーボネートおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規な芳香族ポリエステルカーボネートに関す
るものであり、さらに詳しくいえば、溶融成形性がよく
、かつ、優れた物性を有する成形物を容易に与えうると
共に、液晶性を有する芳香族ポリエステルカーボネート
およびその製造方法に関するものである。

従来の技術 近年、産業分野での技術の進歩、及び省エネルギー指向
などのため、有機高分子材料の高性能化、軽量化が求め
られている。さらに金属代替物として使用できる高性能
材料も要求されている。

これらのプラスチックスへの高性能化の要求に対して、
すぐれた機械的性質をもつポリマーとして注目されてい
るのは分子鎖の平行配列を特徴とする光学異方性の液晶
ポリマーである。

この液晶ポリマーとしては全芳香族ポリエステルが代表
的であるが、例えばｐ−ヒドロキシ安息香酸ホモポリマ
ーおよびそのコポリマーである“”ＥＫＯＮＯＬ”はそ
の融点があまりにも高すぎて溶融成形不可能であったり
溶融成形が困難である。

また、ドイツ特許第２７０４３１５号公報にはｐ−ヒド
ロキシ安息香酸、炭酸、ヒドロキノン、および所望によ
り芳香族ジカルボン酸にもとづいたサーモトロピック全
芳香族ポリエステルカーボネートが開示されている。こ
れらのポリエステルカーボネートの流動温度は少なくと
も２６５℃であり、しかもその溶融粘度は高すぎて、溶
融成形は容易ではない。

さらに、特開昭６０−３８４２７号公報には、ｐ−ヒド
ロキシ安息香酸、炭酸、ジフェノール、４，４−ジヒド
ロキシジフェニル、および所望により芳香族ジカルボン
酸にもとづいたサーモトロピック全芳香族ポリエステル
カーボネートが開示されている。

上記公開特許公報の実施例に於ては、ジフェノール成分
としてはヒドロキノンを用いた芳香族ポリエステルカー
ボネートだけが開示されているが、得られた芳香族ポリ
エステルカーボネートの成形加工可能温度範囲は２８０
℃以上と、成形加工性に於ては満足すべきものではなか
った。

さらに、上記、公開特許公報ではジフェノール成分とし
てレゾルシノール、および２．７−シヒドロキシナフタ
レンが使用できることが開示されているが、レゾルシノ
ールおよび２，７−シヒドロキシナフタレンをジフェノ
ール単位として用いた実施例は開示されておらず、これ
らのモノマーを用いた効果については明らかにはされて
いなかつた。

一方、出願人は、一般式 で示される構造単位からなる芳香族ポリエステルカーボ
ネートを先に出願したが（特開昭８３−９８１８９号）
、本発明はこの改良に係わるものである。

発明が解決しようとする課題 本発明は上記した従来技術の問題点を解決し、溶融成形
加工範囲が広く、かつ優れた物性を有する成形物を容易
に与えうると共に、液晶性を有する芳香族ポリエステル
カーボネートとその製造法を提供することを目的とする
。

課題を解決するための手段 すなわち本発明は。

下記式（Ａ）　、　（Ｂ）　、　（Ｃ）並びに（Ｄ）お
よび／又は（Ｅ）で示される構造単位より構成され、式
（Ａ）、（Ｂ）　、　（Ｃ）　、　（Ｄ）および（Ｅ）
で示される構造単位のモル分率をそれぞれａ、ｂ、ｃ、
ｄおよびｅとするとき、 の関係を満たすことを特徴とする芳香族ポリエステルカ
ーボネートである。

ｎはＨの個数を示し、０〜４の整数である。）また、他
の発明は、 下記式（１）で示されるヒドロキシ安息香酸又はヒドロ
キシ安息香酸エステル、式（２）で示されるビフェノー
ル類、式（３）および／又は式（４）で示されるジオー
ル類と炭酸ジフェニルとを用いて触媒の存在下で減圧下
、　１６０℃以上２６０℃未満の温度で、次いで１０ｍ
ｍＨｇ以下の減圧下、２６０℃以上４００℃以下の温度
で重合させることを特徴とする芳香族ポリエステルカー
ボネートの製造方法である。

（但し、式中Ｒは同一であっても異なってもよいアルキ
ル基、フェニル基、又はハロゲンを示し、（但し、式中
Ｒ１は水素、アルキル基、フェニル基、又はアルキル置
換フェニル基を示し、Ｒは異なってもよいアルギル基、
フェニル基又はハロゲンを示し、ｎはＨの個数を示し−
〇〜４の整数である。） 発明の詳細な説明 以下本発明について詳細に説明する。

本発明により得られる全芳香族ポリエステルカーボネー
トを構成する式（Ａ）の単位は、（式中Ｒ１は水素、ア
ルキル基、フェニル基、又はアルキル置換フェニル基を
示す、） で示される芳香族ヒドロキシカルボン酸あるいは芳香族
ヒドロキシカルボン酸エステル類から誘導される。

また、式（Ｂ）の単位は、 （式中、Ｒは異なってもよいアルキル基、フェニル基、
又はハロゲンを示し、ｎは０〜４の整数を示す、） で示されるビフェノール類から誘導される。

さらに、式（Ｄ）　、　（Ｅ）の単位は、それぞれ、（
式中、Ｒは異なってもよいアルキル基、フェニル基、又
はハロゲンを示し、ｎはＯ〜４の整数を示す、） で示されるジオール類から誘導される。ここで、式（３
）　、　（４）の使用はどちらか一方であってもよく、
両方であってもよい。

さらに、式（Ｃ）の単位は炭酸ジフェニルより誘導する
ことができる。ここで、炭酸ジフェニルの使用量である
が、式（Ｂ）　、　（Ｄ）　、　（Ｅ）で示されるジオ
ール類の総和に対して、はぼ等モル以上であることが必
要である。好適には式（Ｂ）　、　（Ｄ）、（Ｅ）で示
されるジオール類の総和に対して、　０．９５〜３．０
倍モルの炭酸ジフェニルが使用される。これは０．９５
倍モル未満では、芳香族ポリエステルカーボネートの分
子量が」二からないことから好ましくなく、また、３．
０倍モルを超えると１反応に長時間を要することから好
ましくない。

本発明のポリエステルカーボネートにおいては式（Ａ）
、式（Ｂ）、式（Ｃ）、式（Ｄ）および式（Ｅ）で示さ
れる単位のモル分率をそれぞれａ、ｂ、ｃ。

ｄおよびｅとするとき、次の関係を満たすことが重要で
ある。

つまり、式（Ｄ）および式（Ｅ）で示される単位が式（
Ａ）および式（Ｂ）で示される単位に追加されることで
、ポリエステルカーボネートの液晶相への転位温度が低
下し、成形加工可撤な温度範囲が広がるという工業的に
実施する上で、有用な性質を備える様になる。

ただし、式（Ｄ）および式（Ｅ）の含有比率が高くなり
すぎると、ポリエステルカーボネートの機械的性質は不
十分なものとなり、低すぎると成形加工可能な温度範囲
が広がるという効果が不十分となるので、次式に示す範
囲をとることがより好ましい。

また、その他の単位のモル分率の関係についても次の関
係を満たすことが望ましい。

これは、式（Ａ）で示される単位の含有比率が０．０５
未満ではポリエステルカーボネートの融点が高くて溶融
成形が困難となる上に、その成形体の機械的性質が不十
分となるからである。一方、含有比率が０．８０を越え
るとポリエステルカーボネートの融点が高くなりすぎて
、溶融成形が困難となる。

また、上記含有比率は次式で示される範囲をとることが
より好ましい。

０．１０≦　　　　　≦０．７５ ａ＋ｂ 本発明の芳香族ポリエステルカーボネートは前述した様
に５式（Ａ）　、　（Ｂ）　、　（Ｃ）　、　ＣＤ）及
び（Ｅ）で示される単位から実質的に成るものであるが
、所望の物性をそこなわない範囲内で、上記以外の単位
を含有させることもできる。このような単位としては、
例えばイソフタル酸単位、テレフタル酸単位、　１．２
−エチレン−ビス（ｐ−カルボキシフェノキシ）単位、
　１．４−ナフタレンジカルボン酸単位、　１，５−ナ
フタレンジカルボン酸単位、４．４−ジフェニル１，３
−ナフタレンジカルボン酸単位、　１，６−ナフタレン
ジカルボン酸単位、２．７−ナフタレンジカルボン酸単
位、ジカルボン！１ｉＩ′Ｉｉ位、　３．３′−ジフェ
ニルジカルボン酸単位、３．４′−ジフェニルジカルボ
ン酸単位、　１，４−シクロへ午サンジカルボン酸単位
、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸単位、ｍ−ヒドロキ
シ安息香酸単位などを挙げることができる。

これらの単位は全構成単位中の５モル％以下、好ましく
は３モル％以下まで含有させることができる。

また、本発明の芳香族ポリエステルカーボネートは、い
わゆる熱処理により固相重合を受けたあとでは、著しく
大きな還元粘度になったり、溶媒に溶けなくなったりす
ることがあるが、このような芳香族ポリエステルカーボ
ネートも本発明の芳香族ポリエステルカーボネートの範
囲に含まれるものである。

本発明の芳香族ポリエステルカーボネートは、従来のポ
リエステルの重縮合法に準じて製造でき、製法について
はとくに制限がないが好ましい製造方法を次に説明する
。

すなわち、圧力としては大気圧以下の減圧下、１６０°
Ｃ以上、２６０°Ｃ未満の温度、好ましくは　１８０°
Ｃ以１２６０°Ｃ未満の温度で反応させた後、さらにｌ
Ｑ＋ｕ＋Ｈｇ以下の圧力、２８０°Ｃ以上、４００℃以
下の温度、好ましくは２１３０℃以上３６０℃以下の温
度で反応させることが必要である。

この理由として、まず始めに、大気圧以下の減圧下、１
６０°Ｃ以］二、２ＥｉＯ°Ｃ未満の温度で反応させる
のは、最初から高温、高真空で反応を行うと、モノマー
が反応系外に留去し、収率の低下をもたらし好ましくな
い。

また、重合反応をＩＯｍｍＨｇ以下の圧力、２６０℃以
上、４００°Ｃ以下の温度で重合を完結させるのは、効
率良く反応副生物を系外に留去し、高分子量のポリエス
テルカーボネートを得るためである。つまり、ｔｏ＋ｕ
＋Ｈｇを越える圧力、あるいは、２６０℃未満の温度で
重合を完結させると高分子量のポリマーが得られないこ
とから好ましくなく、また、４００℃を越える温度では
、ポリマーの劣化が起こるので好ましくない。

代表的な実施態様としては、例えば、次の（１）〜（３
）法が挙げられる。

（１）式（２）と式（３）および／又は式（４）で示さ
れるジオール類と炭酸ジフェニルとｐ−ヒドロキシ安息
香酸フェニルエステルとから脱フエノール重縮合により
製造する方法。

（２）Ｐ−ヒドロキシ安息香酸に所望量の炭酸ジフェニ
ルを反応させて、フェニルエステルとした後、式（２）
並びに、式（３）および／又は式（４）で示されるジオ
ール類を加え、脱フエノール重縮合反応により製造する
方法。

（３）ｐ−ヒドロキシ安、９．香酸と炭酸ジフェニルと
式（２）と式（３）および／又は式（４）で示されるジ
オール類とから脱フエノール重縮合により製造する方法
。

反応は触媒の存在下で行うとよい、このような触媒の好
適な例を挙げると、酢酸マグネシウム、酢酸マンガン、
酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸亜鉛、チタンテト
ラブチラード、チタンテトラフェノラート、ナトリウム
フェノラート、ジルコニウムブチラード、ジルコニウム
プロピラード、チタンテトラフェノラート、二酸化ゲル
マニウム、三酸化アンチモン、二酢酸ジブチルスズ、ジ
ブチルジメトキシスズ、および、ｎ−プチルスタノン酸
がある。

触媒の量は、好ましくは用いるモノマーの全重量を基準
として０．０００１〜１重量％、さらに好ましくはｏ、
ｏｏｔ〜０．２重量％である。

また、得られた生成物を好ましくは減圧下にて、　１８
０〜３８０℃の温度でさらに固相重合を行うことができ
る。２〜４８時間後、分子量は増大し、生じる芳香族ポ
リエステルカーボネートの特性は更に向上する。

本発明のポリエステルカーボネートは溶融させた際に液
晶状態を示す、ここでいう液晶状態は。

偏光顕微鏡を用いて観察することができる。すなわち、
溶融状態において９０℃に交さした一対の偏光子を備え
た光学系において、全範囲またはその一部に光を通過さ
せる性質を示した場合、そのポリエステルカーボネート
をサーモトロピック液晶として分類した。また、結晶相
から液晶相への転位温度は示差走査熱量測定（Ｄ　Ｓ　
Ｃ）により昇温速度１０″Ｏ／ｗｉｎにて、測定を行っ
た。

また、熱分解開始温度（丁ｄ）は熱重量分析（ＴＧ）に
より乾燥窒素気流中で昇温速度１０℃／ｗｉｎにて測定
を行った。そして、熱重量曲線における分解ステップの
屈曲点で引いた接線と、熱重量曲線のゼロ水平線との交
点に対応する温度を熱分解開始温度（Ｔｄ）とした。

このようにして得られた本発明の芳香族ポリエステルカ
ーボネートは、結晶相から液晶相への転位温度が４００
℃以下と低く、光学異方性で一軸方向の機械的性質がと
りわけ優れており、押出成形、射出成形、圧縮成形、ブ
ロー成形などの通常の溶融成形に供することにより、繊
維、フィルム、成形品、容器、ホースなどに加工するこ
とができる。

また、成形時には本発明の芳香族ポリエステルカーボネ
ートに対し、ガラス繊維、炭素繊維、アスベストなどの
強化剤、充填剤、核剤、難燃剤、顔料、酸化防止剤、安
定剤、可塑剤、滑剤、離型剤などの添加剤や他の熱可塑
性樹脂を添加して、成形品に所望の特性を付与すること
ができる。

本発明の芳香族ポリエステルカーボネートは、溶融成形
性がよく、かつ、その液晶性に起因する平行な分子配列
により、機械的性質が極めてすぐれている。

以下に実施例により本発明を更に詳しく説明する。

実施例 実施例１ ｐ−ヒドロキシ安息香酸フェニル１８．２１ｇ（０，０
８５モル）　、　４，４°−ジヒドロキシジフェニルｌ
Ｏ，５５ｇ（０，０５７モル）、レゾルシノール１．５
Ｅｌ　ｇ　（０，０１４モル）、炭酸ジフェニル１８．
８９ｇ（０，０７８モル）および触媒として、ｎ〜プチ
ルスタノン酸０．００５ｇ（２，２ＸｌＯ−５モル）を
、攪拌機、減圧蒸留装置を取付けた重合反応器に仕込み
、圧力を８５０ｍｍＨｇに設定して、窒素気流中で２２
０℃に加熱した。１５時間の加熱の後、１時間３５分か
けて反応温度を３００’Ｏに上昇させ、フェノールをさ
らに留去した。そして、圧力を徐々に１　ａ＋ｍＨｇに
減少させ、１１１ｅｌｌＪ１にわたって反応を行った０
反応終了後、淡緑色のポリエステルカーボネートが得ら
れた。収量は２３．４８ｇであり、収率は９７ｗｔ％で
あった。また、ＤＳＣによる測定より、結晶相から液晶
相への転移温度は２０１°Ｃであった。そして、偏光ｍ
微鏡で光学異方相が１９０℃以上で観察された。熱重量
分析により、熱分解開始温度（Ｔｄ）は４８８℃であっ
た。

得られたポリエステルカーボネートを１２０℃で８時間
減圧乾燥したのち、口径０．４ｍｍの紡糸孔を備えた溶
融紡糸装置を用いて、紡糸温度２３０℃で紡糸を行った
。得られたポリエステルカーボネート繊維は引張り強度
２０．８ｋｇ／ａｍ２．引張り弾性率１４Ｈｋｇ／　ｍ
ｔａ２．伸度２．１％と極めて高強度高弾性率のもので
あった。

実施例？ ｐ−ヒドロキシ安息香酸フェニル１７．１４ｇ　（０，
０８モル）　、　４．４’−ジヒドロキシジフェニル９
．Ｅ１３　ｇ（０，０５３モル）、レゾルシノール２．
９４ｇ　（０，０１３モル）、炭酸ジフェニル１８．８
５ｇ（０，０８８モル）および触媒として、ｎ−プチル
スタノン酸０．００５ｇ（２，２Ｘ１０−５モル）を、
実施例１と同様の方法により重合を行なった０反応終了
後、淡緑色のポリエステルカーボネートが得られた。収
量は２２．７２ｇであり、収率は９３ｗｔ％であった。

また、このポリエステルカーボネートは偏光顕微鏡観察
下で１７０℃以上の温度で光学的異方相を示した。さら
に、熱重量分析により、熱分解開始温度（Ｔｄ）は４５
６℃であった。

得られたポリエステルカーボネートを１２０℃で８時間
減圧乾燥させたのち、Ｃ３Ｉ　　（株）社製、Ｍｉｎｉ
−ＭａＩ射出成形機を用いて、射出成形を行ったところ
、強靭な成形体が得られた。

実施例３ ｐ−ヒドロキシ安息香酸フェニル１７．１４ｇ　（０，
０８モル）　、　４．４“−ジヒドロキシジフェニル９
．９３ｇ（０，０５３モル）、レゾルシノール５．８８
　ｇ　（０，０２８モル）、炭酸ジフェニル２５．１４
ｇ（０，１１７モル）および触媒として、ｎ−ブチルス
タメン酸０．００５ｇ（２，２ＸｌＯ−５モル）を実施
例１と同様の方法により重合を行なった０反応終了後、
淡緑色のポリエステルカーボネートが得られた。収量は
２７．３５ｇであり、収率は９７ｗｔ％であった。また
、このポリエステルカーボネートは偏光顕微鏡観察下で
１８０℃以上の温度で光学的異方相を示した。さらに熱
重量分析により、熱分解開始温度（Ｔｄ）は４５２℃で
あった。

得られたポリエステルカーボネートを１２０℃で８時間
減圧乾燥させたのち、Ｃ３ｌ（株）社製、Ｘ１ｎｉ　−
Ｍａｙ射出成形機を用いて射出成形を行ったところ、強
靭な成形体が得られた。

実施例４ ｐ−ヒドロキシ安息香酸フェニル１８．２１ｇ（０，０
８５モル）　、　４，４°−ジヒドロキシジフェニル１
０．５５ｇ（０，０５７モル）、　２，７−シヒドロキ
シナフタレン２．２７ｇ　（０，０１４モル）、炭酸ジ
フェニル１８．８９ｇ（０，０７８モル）および触媒と
して、ｎ−ブチルスタメン酸０．００５ｇ（２，２Ｘ　
１０−５モル）を、実施例１と同様の方法により重合を
行なった０反応終了後、暗緑色のポリエステルカーボネ
ートが得られた。収量は２４．４９ｇであり、収率は９
８ｗｔ％であった。また、ＤＳＣによる測定より、結晶
相から液晶相への転移温度は、　１８２℃であった。そ
して、偏光顕微鏡で光学異方相が１８０℃以上で観察さ
れた。熱重量分析により、熱分解開始温度（Ｔｄ）は４
６２℃であった。

得られたポリエステルカーボネートを１２０℃で８時間
減圧乾燥させたのち、射出成形を行ったところ、強靭な
成形体が得られた。

実施例５ ｐ−ヒドロキシ安息香酸フェニル１８．２１ｇ（０，０
８５モル）　、４．４’−ジヒドロキシジフェニルｔｏ
、５５ｇ（０，０５７モル）、２−メチルレゾルシノー
ル１．７４ｇ（０，０１４モル）、炭酸ジフェニル１Ｂ
、１３９ｇ（０，０７８モル）および触媒として、ｎ−
ブチルスタノン酸０．００５ｇ（２，２Ｘ　１０−Ｓモ
ル）を、実施例１と同様の方法により重合を行なった０
反応終了後、渋茶色のポリエステルカーボネートが得ら
れた。収量は２３．８５ｇであり、収率は８８ｗｔ％で
あった。また、このポリエステルカーボネートは偏光顕
微鏡観察下で１９０℃以上の温度で光学的異方相を示し
た。さらに、熱重量分析により、熱分解開始温度（Ｔｄ
）は４８０℃であった。

得られたポリエステルカーボネートを１２０℃で８時間
減圧乾燥させたのち、射出成形を行ったところ、強靭な
成形体が得られた。

比較例１ ｐ−ヒドロキシ安息香酸フェニル２０．０Ｏｇ（０，０
９３モル）　、　４．４’−ジヒドロキシジフェニル１
１．５１１ｇ（０，０８２モル）、炭酸ジフェニル１４
．８７ｇ（０，０８８モル）および触媒として、ｎ−プ
チルスタノン酸０．００５ｇ（２，２Ｘ　ｔｏ−’モル
）を、攪拌機、減圧蒸留装置を取付けた重合反応器に仕
込み圧力をｅ５ＱｍｍＨｇに設定して、窒素気流中で２
２０℃に加熱した。１５時間２０分間の加熱の後、温度
を徐々に３００℃に上ｙ１させることによりフェノール
を１時間１５分にわたって留去した。

そして圧力を徐々に０．ｌｍｍＨｇに減少させ、同時に
反応温度を３２０℃にト昇させ、４０分間にわたって反
応を行った０反応終了後、ベージュ色のポリエステルカ
ーボネートが得られた。

また、ＤＳＣによる測定により、結晶相から液晶相への
転移温度は２３８℃であった。そして、偏光ｍｍ鏡で光
学的異方相が２４０℃以上で観察された。８重量分析に
より、熱分解開始温度（Ｔｄ）は４８５℃であった。

以上、実施例１〜５、比較例１のポリエステルカーボネ
ートの組成、液晶相転移温度、熱分解開始温度（Ｔｄ）
の値をまとめて、第１表に示す。

第１表 注１）組成を示すａ、　　ｂ、ｃ、　　ｄ、　　ｅはそ
れぞれ式（Ａ）　、　（Ｂ）、（Ｃ）、■）、（Ｅ）に
示す構造単位のモル分率である。

注２）ＤＳＣ（メトラー社製ＤＳＣ３０）、昇温速度１
０℃／薦ｉｎで測定性３）偏光顕微鏡クロスニコル下で
観察性４）ＴＧＡ　（メトラー社製ＴＧ　５０）、昇温
速度ｌＯ℃／ｍ１ｎ７−測定注５）使用した七ツマ−は
レゾルシノール注６）使用した七ツマ−は２．７−シヒ
ドロキシナフタレン注７）使用したモノマーは２−メチ
ルレゾルシノール発明の効果 本発明により得られる芳香族ポリエステルカーボネート
は、結晶相から液晶相への転移温度が４００℃以下と低
く、そして式（Ａ）　、　（Ｂ）　、　（Ｃ）からなる
ポリエステルカーボネートに対して、式（Ａ）　、　（
Ｂ）　、　（Ｃ）および（Ｄ）および／又は（Ｅ）から
なる本発明によるポリエステルカーボネートは、液晶相
への転移温度が低い、従ってより広い温度範囲で成形加
工を行うことができる。しがも、その液晶性に起因する
平行な分子配列により、機械的性質が極めてすぐれてい
る。従って、本発明により得られる芳香族ポリエステル
カーボネートを押出成形、射出成形、圧縮成形、ブロー
成形などの通常の溶融成形を行うことで、高性能な繊維
、フィルム、成形品、容器、ホース等の有用な成形体を
得ることができる。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）並びに（Ｄ）およ
   び／又は（Ｅ）で示される構造単位より構成され、式（
   Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）および（Ｅ）で示される
   構造単位のモル分率をそれぞれａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅ
   とするとき、 ０＜（ｄ＋ｅ／ａ＋ｂ）≦０．５０ の関係を満たすことを特徴とする芳香族ポリエステルカ
   ーボネート。 式（Ａ）▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｂ）▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｃ）▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｄ）▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｅ）▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、式中Ｒはアルキル基、フェニル基、又はハロゲ
   ンを示し、同一であっても異なってもよい、ｎは０〜４
   の整数を示す。）
2. （２）下記式（１）で示されるヒドロキシ安息香酸又は
   ヒドロキシ安息香酸エステル、式（２）で示されるビフ
   ェノール類、式（３）および／又は式（４）で示される
   ジオール類と炭酸ジフェニルとを用いて触媒の存在下で
   減圧下、１６０℃以上２６０℃未満の温度で、次いで１
   ０ｍｍＨｇ以下の減圧下、２８０℃以上４００℃以下の
   温度で重合させることを特徴とする請求項１記載の芳香
   族ポリエステルカーボネートの製造方法。 式（１）▲数式、化学式、表等があります▼ （２）▲数式、化学式、表等があります▼
3. （３）▲数式、化学式、表等があります▼
4. （４）▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、式中Ｒ＿１は水素、アルキル基、フェニル基、
   又はアルキル置換フェニル基を示し、Ｒはアルキル基、
   フェニル基又はハロゲンを示し、同一でも異ってもよい
   、ｎは０〜４の整数を示す。）