JPH02283665A - チタン酸バリウム磁器半導体の製造方法 - Google Patents
チタン酸バリウム磁器半導体の製造方法Info
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- JPH02283665A JPH02283665A JP1101646A JP10164689A JPH02283665A JP H02283665 A JPH02283665 A JP H02283665A JP 1101646 A JP1101646 A JP 1101646A JP 10164689 A JP10164689 A JP 10164689A JP H02283665 A JPH02283665 A JP H02283665A
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Landscapes
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、チタン酸バリウム系磁器半導体に関し、詳し
くは、キュリー点以上の温度において正の抵抗温度係数
を有し、また室温抵抗率が小さい上にキュリー点以上の
温度における抵抗率の立ち上り幅が大きく、それによる
優れたＰＴＣ特性を有するチタン酸バリウム系磁器半導
体の製造法に関する。
くは、キュリー点以上の温度において正の抵抗温度係数
を有し、また室温抵抗率が小さい上にキュリー点以上の
温度における抵抗率の立ち上り幅が大きく、それによる
優れたＰＴＣ特性を有するチタン酸バリウム系磁器半導
体の製造法に関する。
本発明によるチタン酸バリウム系磁器半導体は、電流容
量の小さい回路における低抵抗ＰＴＣ素子として使用す
ることができ、また温度ヒユーズ、スイッチング電源の
コンパレーターとして、電解コンデンサーの保護回路、
自動車モーターの消磁回路に利用することができる。
量の小さい回路における低抵抗ＰＴＣ素子として使用す
ることができ、また温度ヒユーズ、スイッチング電源の
コンパレーターとして、電解コンデンサーの保護回路、
自動車モーターの消磁回路に利用することができる。
チタン酸バリウム系磁器に、ランタン、タンタル、セリ
ウム、イツトリウム、ビスマス、タングステン、銀、サ
マリウム、ディスプロシウム等の添加剤を添加すると、
正の温度係数を有する磁器半導体となることは広く知ら
れており、また希土類元素、Ｎｂ、 Ｔａまたはｓｂを
含有するチタン酸バリウム系磁器半導体組成物に二酸化
ケイ素を添加し、酸素の存在において焼成して、磁器半
導体組成物の電気特性を向上することが提案されている
（特開昭５３−５９８８８号公報）。
ウム、イツトリウム、ビスマス、タングステン、銀、サ
マリウム、ディスプロシウム等の添加剤を添加すると、
正の温度係数を有する磁器半導体となることは広く知ら
れており、また希土類元素、Ｎｂ、 Ｔａまたはｓｂを
含有するチタン酸バリウム系磁器半導体組成物に二酸化
ケイ素を添加し、酸素の存在において焼成して、磁器半
導体組成物の電気特性を向上することが提案されている
（特開昭５３−５９８８８号公報）。
本発明者らは、チタン酸バリウムについて永年研究を続
けているが、アンチモンを含むチタン酸バリウムの原料
組成物に、タンタルを加えると、室温抵抗率が小さく、
キュリー点以上の温度における抵抗率の立ち上り幅の大
きいチタン酸バリウム系磁器半導体が得られることを見
出し、その知見に基づいて本発明に到達した。
けているが、アンチモンを含むチタン酸バリウムの原料
組成物に、タンタルを加えると、室温抵抗率が小さく、
キュリー点以上の温度における抵抗率の立ち上り幅の大
きいチタン酸バリウム系磁器半導体が得られることを見
出し、その知見に基づいて本発明に到達した。
本発明の目的は、キュリー点以上の温度において正の温
度係数を有し、また室温における抵抗率が小さ（、キュ
リー点以上の温度における抵抗率の立ち上り幅の大きい
チタン酸バリウム磁器半導体の製造法を提供することに
ある。
度係数を有し、また室温における抵抗率が小さ（、キュ
リー点以上の温度における抵抗率の立ち上り幅の大きい
チタン酸バリウム磁器半導体の製造法を提供することに
ある。
本発明は、キエリー点移動物質を含むチタン酸バリウム
基体組成物に半導体化剤を加えて、焼成することからな
るチタン酸バリウム磁器半導体の製造法において、半導
体化剤として、チタン酸バリウム基体組成物に対して、
約０．１モル％の酸化アンチモン（ＳｂｚＯｓ）および
チタン酸バリウムに対して、０．Ｏ２Ｎ２．０５モル％
の酸化タンタリウム（Ｔａ。
基体組成物に半導体化剤を加えて、焼成することからな
るチタン酸バリウム磁器半導体の製造法において、半導
体化剤として、チタン酸バリウム基体組成物に対して、
約０．１モル％の酸化アンチモン（ＳｂｚＯｓ）および
チタン酸バリウムに対して、０．Ｏ２Ｎ２．０５モル％
の酸化タンタリウム（Ｔａ。
ＯＳ）を使用し、それによってチタン酸バリウムを、室
温における正の温度係数は小さいが、キュリー点以上の
温度における抵抗率の立ち上り幅の大きいチタン酸バリ
ウム磁器半導体とすることを特徴とするチタン酸バリウ
ム磁器半導体の製造法である。
温における正の温度係数は小さいが、キュリー点以上の
温度における抵抗率の立ち上り幅の大きいチタン酸バリ
ウム磁器半導体とすることを特徴とするチタン酸バリウ
ム磁器半導体の製造法である。
本発明によるチタン酸バリウム磁器半導体の製造におい
て、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ，）等のキエリー点
移動物質を含むチタン酸バリウムの基体組成物に、該基
体組成物に対して約０．１モル％の酸化アンチモン（Ｓ
ｂオ０．）および０．０１〜０．０５モル％の酸化タン
タリウム（Ｔａｇ’ｓ）を配合するが、その配合物に鉱
化剤として炭酸マンガン（ＭｎＣｔ）＋）を、また電圧
依存性安定剤として二酸化ケイ素（Ｓｉｎｇ）等を配合
することができる。
て、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ，）等のキエリー点
移動物質を含むチタン酸バリウムの基体組成物に、該基
体組成物に対して約０．１モル％の酸化アンチモン（Ｓ
ｂオ０．）および０．０１〜０．０５モル％の酸化タン
タリウム（Ｔａｇ’ｓ）を配合するが、その配合物に鉱
化剤として炭酸マンガン（ＭｎＣｔ）＋）を、また電圧
依存性安定剤として二酸化ケイ素（Ｓｉｎｇ）等を配合
することができる。
この配合物をボールミルにおいて６〜４８時間湿式混合
し、濾過・乾燥した後、１０００〜１３００℃において
１〜３時間仮焼する。仮焼した配合物は軽く粉砕して、
ポットに入れ、これを振動ボールミルにおいて３〜４８
時間粉砕する。その粉砕物を、バインダーを配合した水
溶液中で混合し、そのスラリーをスプレードライヤーに
おいて乾燥して造粒し、その顆粒を成形型により成形し
た後、その成形物を１３００〜１４００℃において０〜
１０時間保持し、焼成してチタン酸バリウム磁器半導体
が得られる。
し、濾過・乾燥した後、１０００〜１３００℃において
１〜３時間仮焼する。仮焼した配合物は軽く粉砕して、
ポットに入れ、これを振動ボールミルにおいて３〜４８
時間粉砕する。その粉砕物を、バインダーを配合した水
溶液中で混合し、そのスラリーをスプレードライヤーに
おいて乾燥して造粒し、その顆粒を成形型により成形し
た後、その成形物を１３００〜１４００℃において０〜
１０時間保持し、焼成してチタン酸バリウム磁器半導体
が得られる。
本発明によるチタン酸バリウム磁器半導体は、室温にお
ける抵抗率の低い素子、すなわち、電流容量の小さい回
路中に対応することができる低抵抗ＰＴＣ素子として使
用することができるものである。
ける抵抗率の低い素子、すなわち、電流容量の小さい回
路中に対応することができる低抵抗ＰＴＣ素子として使
用することができるものである。
以下において本発明を、試験例、実施例および比較例に
よりさらに詳しく説明する。
よりさらに詳しく説明する。
試験例１
酸化アンチモン（ＳｂｇＯｓ）添加の及ぼす電気特性の
影響について試験を行った。
影響について試験を行った。
無水炭酸バリウム（ＢａＣＯｓ、堺化学社製ＢＬ−ＫＬ
）６８０．７２ ｇ 、高純度二酸化チタン（Ｔｉｌｔ
東邦チタニウム社製）２９０．１２ｇ、無水炭酸ストロ
ンチウム（ＳｒＣＯｓ本荘ケミカル社製） ２６．８０
ｇ、炭酸マンガン（ＭｎＣＯｓ和光純薬社製１θ９．９
％試薬） ０．２０８７ｇ、二酸化ケイ素（Ｓｔｏｗ
レアメタリック社製 ９９．９％試薬） １．０９０８
ｇ、および酸化アンチモン（Ｓｂｚ０３レアメタリック
社製 ９９．９％試薬） １．０５８４ｇを５２容量の
ボールミルに入れ、これに水３．５１を加え、２４時間
湿式粉砕、混合した後、濾過し、その混合物を１３０°
Ｃにおいて乾燥した。その乾燥混合物を成形用金型（６
５ｍｍ（径）Ｘ、４５ｍｍ（高さ）〕に入れ、１５０ｋ
ｇ／ｃｄの加圧下に成形し、その成形物を電気炉に入れ
、１８０°Ｃ／時の昇温速度において加熱し、１１５０
℃において２時間仮焼した。
）６８０．７２ ｇ 、高純度二酸化チタン（Ｔｉｌｔ
東邦チタニウム社製）２９０．１２ｇ、無水炭酸ストロ
ンチウム（ＳｒＣＯｓ本荘ケミカル社製） ２６．８０
ｇ、炭酸マンガン（ＭｎＣＯｓ和光純薬社製１θ９．９
％試薬） ０．２０８７ｇ、二酸化ケイ素（Ｓｔｏｗ
レアメタリック社製 ９９．９％試薬） １．０９０８
ｇ、および酸化アンチモン（Ｓｂｚ０３レアメタリック
社製 ９９．９％試薬） １．０５８４ｇを５２容量の
ボールミルに入れ、これに水３．５１を加え、２４時間
湿式粉砕、混合した後、濾過し、その混合物を１３０°
Ｃにおいて乾燥した。その乾燥混合物を成形用金型（６
５ｍｍ（径）Ｘ、４５ｍｍ（高さ）〕に入れ、１５０ｋ
ｇ／ｃｄの加圧下に成形し、その成形物を電気炉に入れ
、１８０°Ｃ／時の昇温速度において加熱し、１１５０
℃において２時間仮焼した。
その仮焼成形物を振動ボールミルに入れ、水０．７１を
加え、１６時間湿式粉砕し、これに１５％（阿／−）ポ
リビニルアルコール（ＰＶＡ）水溶液１５０ｇを加え、
２時間攪拌した後、そのスラリーをスプレードライヤー
において噴霧乾燥して、径約５０μｍの顆粒に造粒した
。その顆粒を形成用金型［１２，５ｎｕａ（径）Ｘ３５
ｍ（高さ）］に入れ、１ ｔｏｎ ／ ｃｄの加圧下に
成形し、その成形物を下記の条件において焼成した。
加え、１６時間湿式粉砕し、これに１５％（阿／−）ポ
リビニルアルコール（ＰＶＡ）水溶液１５０ｇを加え、
２時間攪拌した後、そのスラリーをスプレードライヤー
において噴霧乾燥して、径約５０μｍの顆粒に造粒した
。その顆粒を形成用金型［１２，５ｎｕａ（径）Ｘ３５
ｍ（高さ）］に入れ、１ ｔｏｎ ／ ｃｄの加圧下に
成形し、その成形物を下記の条件において焼成した。
温度範囲 昇温または降温の条件室 温〜８００
℃ １４５℃／時の昇温８００°Ｃ２時間保持 ８００’Ｃ〜１３６０”Ｃ１５０°Ｃ／時の昇温１３６
０″Ｃ１，５時間保持 １３６０’Ｃ〜１０００″Ｃ３６０″Ｃ／時の降温１０
００″Ｃ〜５５０°Ｃ２４５°Ｃ／時の降温５５０°Ｃ
温度コントロールの終了 室温に冷却した後、錠剤状成形物の円盤面にオーミック
性の銀電極（デグサ社製）を塗布し、５８０°Ｃにおい
て５分間焼付けて、電極を形成し、その電極上にカバー
電極（デクサ社製）を塗布し、５６０°Ｃにおいて５分
間さらに焼付けを行って、チタン酸バリウム磁器半導体
の試料を得た。
℃ １４５℃／時の昇温８００°Ｃ２時間保持 ８００’Ｃ〜１３６０”Ｃ１５０°Ｃ／時の昇温１３６
０″Ｃ１，５時間保持 １３６０’Ｃ〜１０００″Ｃ３６０″Ｃ／時の降温１０
００″Ｃ〜５５０°Ｃ２４５°Ｃ／時の降温５５０°Ｃ
温度コントロールの終了 室温に冷却した後、錠剤状成形物の円盤面にオーミック
性の銀電極（デグサ社製）を塗布し、５８０°Ｃにおい
て５分間焼付けて、電極を形成し、その電極上にカバー
電極（デクサ社製）を塗布し、５６０°Ｃにおいて５分
間さらに焼付けを行って、チタン酸バリウム磁器半導体
の試料を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は次
のとおりであった。
のとおりであった。
（Ｂａｏ、 ｑｓｓｒｏ、 ａｓ）Ｔｉ０３＋０．００
０５ＭｎＯｔ＋０．００５ＳｉＯｚ＋Ｏ，０ＯＩＳｂｚ
Ｏ３ この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗温
度係数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は、１０
３°Ｃであり、抵抗の立ち上り幅は約４桁であった。こ
のとき室温における抵抗率は１９．５０Ω・ｃｍであっ
た。
０５ＭｎＯｔ＋０．００５ＳｉＯｚ＋Ｏ，０ＯＩＳｂｚ
Ｏ３ この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗温
度係数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は、１０
３°Ｃであり、抵抗の立ち上り幅は約４桁であった。こ
のとき室温における抵抗率は１９．５０Ω・ｃｍであっ
た。
試験例２
無水炭酸バリウム（ＢａＣＯ３） ６８０．９５ ｇ、
高純度二酸化チタン（ＴｉＯｚ） ２９０．２０ｇ−無
水炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３） ２６．８１ｇ、
炭酸マンガン（ＭｎＣＯｓ） ０．２０８８ｇ、二酸化
ケイ素（Ｓｉｎｇ） １．０９１１ｇおよび酸化アンチ
モン（ＳｂｚＯｓ） ０．７４０９ ｇを使用したこと
以外は、実施例１と同様にして、チタン酸バリウム磁器
半導体の試料を得た。
高純度二酸化チタン（ＴｉＯｚ） ２９０．２０ｇ−無
水炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３） ２６．８１ｇ、
炭酸マンガン（ＭｎＣＯｓ） ０．２０８８ｇ、二酸化
ケイ素（Ｓｉｎｇ） １．０９１１ｇおよび酸化アンチ
モン（ＳｂｚＯｓ） ０．７４０９ ｇを使用したこと
以外は、実施例１と同様にして、チタン酸バリウム磁器
半導体の試料を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は次
のとおりである。
のとおりである。
（Ｂａ、、、９Ｓｓｒ１１． ａｓ） Ｔｉ０３＋０．
ＯＯ０５ＭｎＯｚ＋０．００５ＳｉＯｚ＋０．０００
７ＳｂｚＯｓ この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗温
度係数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は１１５
°Ｃで抵抗の立ち上り幅は３桁であった。このとき室温
での抵抗率は３．４にΩ・１であった。
ＯＯ０５ＭｎＯｚ＋０．００５ＳｉＯｚ＋０．０００
７ＳｂｚＯｓ この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗温
度係数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は１１５
°Ｃで抵抗の立ち上り幅は３桁であった。このとき室温
での抵抗率は３．４にΩ・１であった。
試験例３
無水炭酸バリウム（ＢａＣＯ：＋） ６８０．３７ ｇ
、高純度二酸化チタン（ＴｉＯｚ） ２８９．９６ｇ、
無水炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ：＋） ２６．７９
ｇ、炭酸マンガン（ＭｎＣＯｓ） ０．２０８６ｇ、二
酸化ケイ素（Ｓｉ（１ｇ） １．０９０２ｇおよび酸化
アンチモン（Ｓｂｚ０３） １．５８６８ｇを使用した
こと以外は、実施例１と同様にして、チタン酸バリウム
磁器半導体の試料を得た。
、高純度二酸化チタン（ＴｉＯｚ） ２８９．９６ｇ、
無水炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ：＋） ２６．７９
ｇ、炭酸マンガン（ＭｎＣＯｓ） ０．２０８６ｇ、二
酸化ケイ素（Ｓｉ（１ｇ） １．０９０２ｇおよび酸化
アンチモン（Ｓｂｚ０３） １．５８６８ｇを使用した
こと以外は、実施例１と同様にして、チタン酸バリウム
磁器半導体の試料を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は次
のとおりである。
のとおりである。
（Ｂａｏ、 ｑｓｓｒｏ、 ｏｓ）ＴｉＯ：＋＋０．０
００５ＭｎＯｚ＋０．００５ＳｉＯｚ＋０．００１５Ｓ
ｂｚＯｉ この試料は、絶縁体化して半導体とならず、測定不可能
であった。
００５ＭｎＯｚ＋０．００５ＳｉＯｚ＋０．００１５Ｓ
ｂｚＯｉ この試料は、絶縁体化して半導体とならず、測定不可能
であった。
実施例１
無水炭酸バリウム（ＢａＣＯ：＋、堺化学社製肛−ＫＬ
）６８０．４１ ｇ、高純度二酸化チタン（ＴｉＯ□東
邦チタニウム社製） ２８９．９７ｇ、無水炭酸ストロ
ンチウム（ＳｒＣＯ１本荘ケミカル社製）２６．９７ｇ
、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ，和光１薬社製、９９．９％
試薬） ０．２０８７ ｇ、二酸化ケイ素（Ｓｉｎｇ
レアメタリック社製 ９９．９％試薬） １．０９０２
ｇ、酸化アンチモン（ＳｂｚＯｓ レアメタリック社
製 ９９．９％試薬） １．０５７９ｇおよび酸化タン
タリウム（Ｔａｘｅｓ レアメタリック社製 ９９．
９％試薬） ０．４８１２ｇを５２容量のボールミルに
入れ、これに水３．５２を加え、２４時間湿式粉砕、混
合した後、濾過し、その混合物を１３０°Ｃにおいて乾
燥した。その乾燥混合物を成形用金型１：６５ａｕｉ
（径）×４５ｍｍ（高さ）〕に入れ、１５０ｋｇ／ｃｄ
の加圧下に成形し、その成形物を電気炉に入れ、１８０
″Ｃ／時の昇温速度において加熱し、１１５０°Ｃにお
いて２時間仮焼した。
）６８０．４１ ｇ、高純度二酸化チタン（ＴｉＯ□東
邦チタニウム社製） ２８９．９７ｇ、無水炭酸ストロ
ンチウム（ＳｒＣＯ１本荘ケミカル社製）２６．９７ｇ
、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ，和光１薬社製、９９．９％
試薬） ０．２０８７ ｇ、二酸化ケイ素（Ｓｉｎｇ
レアメタリック社製 ９９．９％試薬） １．０９０２
ｇ、酸化アンチモン（ＳｂｚＯｓ レアメタリック社
製 ９９．９％試薬） １．０５７９ｇおよび酸化タン
タリウム（Ｔａｘｅｓ レアメタリック社製 ９９．
９％試薬） ０．４８１２ｇを５２容量のボールミルに
入れ、これに水３．５２を加え、２４時間湿式粉砕、混
合した後、濾過し、その混合物を１３０°Ｃにおいて乾
燥した。その乾燥混合物を成形用金型１：６５ａｕｉ
（径）×４５ｍｍ（高さ）〕に入れ、１５０ｋｇ／ｃｄ
の加圧下に成形し、その成形物を電気炉に入れ、１８０
″Ｃ／時の昇温速度において加熱し、１１５０°Ｃにお
いて２時間仮焼した。
その仮焼成形物を振動ボールミルに入れ、水０．７１を
加え、１６時間湿式粉砕し、これに１５％（−／−）ポ
リビニルアルコール（ＰＶＡ）水溶液１５０ｇを加え、
２時間攪拌した後、そのスラリーをスプレードライヤー
において噴霧乾燥して、径約５０μｍの顆粒に造粒した
。その顆粒を成形用金型（１２，５ｉｎ（径）×３５薗
（高さ）〕に入れ、１ｔｏｎ／ｃ艷の加圧下に成形し、
その成形物を下記の条件において焼成した。
加え、１６時間湿式粉砕し、これに１５％（−／−）ポ
リビニルアルコール（ＰＶＡ）水溶液１５０ｇを加え、
２時間攪拌した後、そのスラリーをスプレードライヤー
において噴霧乾燥して、径約５０μｍの顆粒に造粒した
。その顆粒を成形用金型（１２，５ｉｎ（径）×３５薗
（高さ）〕に入れ、１ｔｏｎ／ｃ艷の加圧下に成形し、
その成形物を下記の条件において焼成した。
温度範囲 昇温または降温の条件室 温〜８００
°Ｃ１４５°Ｃ／時の昇温８００℃ ２時間
保持 ８００°Ｃ−１３６０℃ １５０°Ｃ／時の昇温１
３６０°Ｃ１５分間保持 １３６０℃〜１０００℃ ３６０℃／時の降温１０
００℃〜５５０℃ ２４５℃／時の降温５５０℃
温度コントロールの終了室温に冷却した後、
錠剤状成形物の円盤面にオーミック性の銀電極（デグサ
社製）を塗布し、５８０℃において５分間焼付けて、電
極を形成し、その電極上にカバー電極（デグサ社製）を
塗布し、５６０°Ｃにおいて５分間さらに焼付けを行っ
て、チタン酸バリウム磁器半導体の試料を得た。
°Ｃ１４５°Ｃ／時の昇温８００℃ ２時間
保持 ８００°Ｃ−１３６０℃ １５０°Ｃ／時の昇温１
３６０°Ｃ１５分間保持 １３６０℃〜１０００℃ ３６０℃／時の降温１０
００℃〜５５０℃ ２４５℃／時の降温５５０℃
温度コントロールの終了室温に冷却した後、
錠剤状成形物の円盤面にオーミック性の銀電極（デグサ
社製）を塗布し、５８０℃において５分間焼付けて、電
極を形成し、その電極上にカバー電極（デグサ社製）を
塗布し、５６０°Ｃにおいて５分間さらに焼付けを行っ
て、チタン酸バリウム磁器半導体の試料を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は次
のとおりであった。
のとおりであった。
（Ｂａ、 ＊ａＳｒｏ、 ａｓ） ｔｔｏ、＋ｏ、 ０
００５ＭｎＯｚ＋０．００５ＳｉＯｔ＋０．００１Ｓｂ
ｔＯｓ＋０．０００３ＴａｘＯｓこの試料の抵抗の温度
変化を測定した結果、正の抵抗温度係数を示す領域の表
れる温度（キュリー点）は、１０５℃であり、抵抗の立
ち上り幅は約４桁であった。このとき室温における抵抗
率は６．２２Ω・Ｃ■であった。
００５ＭｎＯｚ＋０．００５ＳｉＯｔ＋０．００１Ｓｂ
ｔＯｓ＋０．０００３ＴａｘＯｓこの試料の抵抗の温度
変化を測定した結果、正の抵抗温度係数を示す領域の表
れる温度（キュリー点）は、１０５℃であり、抵抗の立
ち上り幅は約４桁であった。このとき室温における抵抗
率は６．２２Ω・Ｃ■であった。
実施例２
無水炭酸バリウム（ＢａＣＯｓ） ６８０．５２ ｇ、
高純度二酸化チタン（ＴｉＯｚ） ２９０．０２ｇ１無
水炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３） ２６．７９ｇ、
炭酸マンガン（ＭｎＣＯｓ） ０．２０８７８に酸化ケ
イ素（ＳｉＯ□＞ １．０９０４ｇ、酸化アンチモン（
ｓｂｔｏ、） １．０５８１ｇおよび酸化タンタリウム
（Ｔａｇ’ｓ） ０．３２０９ ｇを使用したこと以外
は、実施例１と同様にして、チタン酸バリウム磁器半導
体の試料を得た。
高純度二酸化チタン（ＴｉＯｚ） ２９０．０２ｇ１無
水炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３） ２６．７９ｇ、
炭酸マンガン（ＭｎＣＯｓ） ０．２０８７８に酸化ケ
イ素（ＳｉＯ□＞ １．０９０４ｇ、酸化アンチモン（
ｓｂｔｏ、） １．０５８１ｇおよび酸化タンタリウム
（Ｔａｇ’ｓ） ０．３２０９ ｇを使用したこと以外
は、実施例１と同様にして、チタン酸バリウム磁器半導
体の試料を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は次
のとおりである。
のとおりである。
（Ｂａｏ、 ｗｓｓｒｏ、 ａｓ）ＴｉＯｓ＋０．００
０５ＭｎＯｔ＋０．００５ＳｉＯｚ÷０．００１Ｓｂｔ
Ｏｓ＋０．０００２ＴａＯｓこの試料の抵抗の温度変化
を測定した結果、正の抵抗温度係数を示す領域の表れる
温度（キュリー点）は、１０７℃で抵抗の立ち上り幅は
約３．５桁であった。このとき室温での抵抗率は５．５
０Ω・ｃｍであった。
０５ＭｎＯｔ＋０．００５ＳｉＯｚ÷０．００１Ｓｂｔ
Ｏｓ＋０．０００２ＴａＯｓこの試料の抵抗の温度変化
を測定した結果、正の抵抗温度係数を示す領域の表れる
温度（キュリー点）は、１０７℃で抵抗の立ち上り幅は
約３．５桁であった。このとき室温での抵抗率は５．５
０Ω・ｃｍであった。
実施例３
無水炭酸バリウム（ＢａＣＯｓ） ６８０．６２ ｇ
１高純度二酸化チタン（Ｔｉ０ｚ） ２９０．０６ｇ、
無水炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯｓ） ２６．８０ｇ
、炭酸マンガン（ＭｎＣＯｓ） ０．２０８７８に酸化
ケイ素（ＳｉＯ□） １．０９０５ｇ、酸化アンチモン
（ＳｂｔＯｓ） １．０５８２ ｇお、よび酸化タンタ
リウム（Ｔａｓｋｓ） Ｏ，１６０５ｇを使用したこと
以外は、実施例１と同様にして、チタン酸バリウム磁器
半導体の試料を得た。
１高純度二酸化チタン（Ｔｉ０ｚ） ２９０．０６ｇ、
無水炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯｓ） ２６．８０ｇ
、炭酸マンガン（ＭｎＣＯｓ） ０．２０８７８に酸化
ケイ素（ＳｉＯ□） １．０９０５ｇ、酸化アンチモン
（ＳｂｔＯｓ） １．０５８２ ｇお、よび酸化タンタ
リウム（Ｔａｓｋｓ） Ｏ，１６０５ｇを使用したこと
以外は、実施例１と同様にして、チタン酸バリウム磁器
半導体の試料を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は次
のとおりである。
のとおりである。
（Ｂａａ、 ＊ｓＳｒ・、 ５ｓ）ＴｉＯｓ＋０．００
０５ＭｎＯｚ＋０．００５ＳｉＯｚ＋０．００１Ｓｂｔ
Ｏｓ＋０．０００１ＴａｇＯｓこの試料の抵抗の温度変
化を測定した結果、正の抵抗温度係数を示す領域の表れ
る温度（キュリー点）は、１０９℃で、抵抗の立ち上り
幅は約４桁であった。このとき室温での抵抗率は１１．
１６Ω・１であった。
０５ＭｎＯｚ＋０．００５ＳｉＯｚ＋０．００１Ｓｂｔ
Ｏｓ＋０．０００１ＴａｇＯｓこの試料の抵抗の温度変
化を測定した結果、正の抵抗温度係数を示す領域の表れ
る温度（キュリー点）は、１０９℃で、抵抗の立ち上り
幅は約４桁であった。このとき室温での抵抗率は１１．
１６Ω・１であった。
実施例４
無水炭酸バリウム（ＢａＣＯｓ） ６８０．１８ ｇ
１高純度二酸化チタン（Ｔｉｌｔ） ２８９．９７ｇ、
無水炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯｓ） ２６．７８ｇ
−炭酸マンガン（ＭｎＣＯ＋） ０．２０８６ｇに酸化
ケイ素（Ｓｉｎｇ） １．０８９９ｇ、酸化アンチモン
（ＳｂｔＯｓ） １．０５７６ｇ、酸化タンタリウム（
Ｔａｉｌｓ）０、ＢＯ１４ｇを使用したこと以外は、実
施例１と同様にして、チタン酸バリウム磁器半導体の試
料を得た。
１高純度二酸化チタン（Ｔｉｌｔ） ２８９．９７ｇ、
無水炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯｓ） ２６．７８ｇ
−炭酸マンガン（ＭｎＣＯ＋） ０．２０８６ｇに酸化
ケイ素（Ｓｉｎｇ） １．０８９９ｇ、酸化アンチモン
（ＳｂｔＯｓ） １．０５７６ｇ、酸化タンタリウム（
Ｔａｉｌｓ）０、ＢＯ１４ｇを使用したこと以外は、実
施例１と同様にして、チタン酸バリウム磁器半導体の試
料を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は次
のとおりである。
のとおりである。
（Ｂａｇ、 、ｓｓｒ＋、 ｖｓ）ＴｉＯｓ＋０．００
０５ＭｎＯｚ＋０．００５ＳｉＯｚ÷０．００１Ｓｂｚ
Ｏｓ＋０．０００５ＴａｚＯｓこの試料の抵抗の温度変
化を測定した結果、正の抵抗温度係数を示す領域の表れ
る温度（キュリー点）は、１０８℃で、抵抗の立ち上が
り幅は約４桁であった。このとき室温での抵抗率は１２
．５０Ω・ｃｍであった。
０５ＭｎＯｚ＋０．００５ＳｉＯｚ÷０．００１Ｓｂｚ
Ｏｓ＋０．０００５ＴａｚＯｓこの試料の抵抗の温度変
化を測定した結果、正の抵抗温度係数を示す領域の表れ
る温度（キュリー点）は、１０８℃で、抵抗の立ち上が
り幅は約４桁であった。このとき室温での抵抗率は１２
．５０Ω・ｃｍであった。
比較例１
無水炭酸バリウム（ＢａＣＯｓ） ６８０．６７ ｇ、
高純度二酸化チタン（Ｔｉ（ｈ） ２９０．０８ｇ１無
水炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯｓ） ２６．８０ｇ、
炭酸マンガン（ＭｎＣＯｓ） ０．２０８８ｇに酸化ケ
イ素（Ｓｉ（ｈ） １．０９０６ｇ、酸化アンチモン（
ｓｂ２ｏ、） １．０５８３ｇおよび酸化タンタリウム
（Ｔａｇ’ｓ） ０．０８０２ｇを使用したこと以外は
、実施例１と同様にして、チタン酸バリウム磁器半導体
の試料を得た。
高純度二酸化チタン（Ｔｉ（ｈ） ２９０．０８ｇ１無
水炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯｓ） ２６．８０ｇ、
炭酸マンガン（ＭｎＣＯｓ） ０．２０８８ｇに酸化ケ
イ素（Ｓｉ（ｈ） １．０９０６ｇ、酸化アンチモン（
ｓｂ２ｏ、） １．０５８３ｇおよび酸化タンタリウム
（Ｔａｇ’ｓ） ０．０８０２ｇを使用したこと以外は
、実施例１と同様にして、チタン酸バリウム磁器半導体
の試料を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は次
のとおりである。
のとおりである。
（Ｂａａ、 ｑｓｓｒｏ、 ａｓ）Ｔｉｏ、＋０．００
０５ＭｎＯｚ＋０．００５ＳｔＯｚ＋０．００１Ｓｂｚ
Ｏｓ＋０．００００５ＴａＯｓこの試料の抵抗の温度変
化を測定した結果、正の抵抗温度係数を示す領域の表れ
る温度（キュリー点）は、１０６°Ｃで抵抗の立ち上り
幅は４桁であった。このとき室温での抵抗率は１５．５
０Ω・ＣＴｍであった。
０５ＭｎＯｚ＋０．００５ＳｔＯｚ＋０．００１Ｓｂｚ
Ｏｓ＋０．００００５ＴａＯｓこの試料の抵抗の温度変
化を測定した結果、正の抵抗温度係数を示す領域の表れ
る温度（キュリー点）は、１０６°Ｃで抵抗の立ち上り
幅は４桁であった。このとき室温での抵抗率は１５．５
０Ω・ＣＴｍであった。
比較例２
無水炭酸バリウム（ＢａＣＯｉ） ６７９．９８ ｇ、
高純度二酸化チタン（ＴｉＯｚ） ２８９．７８ｇ、無
水炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯｓ） ２６．７７ｇ、
炭酸マンガン（ＭｎＣＯｘ） ０．２０８５ｇ、二酸化
ケイ素（Ｓｉ（ｈ）１．０８９５ｇ 、酸化アンチモン
（ＳｂｚＯｉ） １．０５７２ ｇおよび酸化タンタリ
ウム（Ｔａ、Ｏｓ） １．１２１８ｇを使用したこと以
外は、実施例１と同様にしてチタン酸バリウム磁器半導
体の試料を得た。
高純度二酸化チタン（ＴｉＯｚ） ２８９．７８ｇ、無
水炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯｓ） ２６．７７ｇ、
炭酸マンガン（ＭｎＣＯｘ） ０．２０８５ｇ、二酸化
ケイ素（Ｓｉ（ｈ）１．０８９５ｇ 、酸化アンチモン
（ＳｂｚＯｉ） １．０５７２ ｇおよび酸化タンタリ
ウム（Ｔａ、Ｏｓ） １．１２１８ｇを使用したこと以
外は、実施例１と同様にしてチタン酸バリウム磁器半導
体の試料を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は次
のとおりである。
のとおりである。
（Ｂａａ、 ｖｓｓｒｏ、 ａｓ）ＴｉＯｓ＋０．００
０５ＭｎＪ＋０．００５ＳｉＯｚ＋０．００１ＳｂｔＯ
ｓ＋Ｏ，０Ｏ０７ＴａｚＯｓこの試料の抵抗の温度変化
を測定した結果、正の抵抗温度係数を示す領域の表れる
温度（キュリー点）は、１０９°Ｃで、抵抗の立ち上り
幅は約４桁であった。このとき室温での抵抗率は１１．
１６Ω・ｃｌであった。
０５ＭｎＪ＋０．００５ＳｉＯｚ＋０．００１ＳｂｔＯ
ｓ＋Ｏ，０Ｏ０７ＴａｚＯｓこの試料の抵抗の温度変化
を測定した結果、正の抵抗温度係数を示す領域の表れる
温度（キュリー点）は、１０９°Ｃで、抵抗の立ち上り
幅は約４桁であった。このとき室温での抵抗率は１１．
１６Ω・ｃｌであった。
（１）キュリー点の測定
チタン酸バリウム磁器半導体の試料を測定用の試料ホル
ダーに取り付け、測定槽（ＭＩＮＩ−ＳＵＢＺＥＲＯＭ
Ｃ−８１０Ｐタバイ ニスペック■製）内に装着して、
−５０°Ｃから１９０°Ｃまでの温度変化に対する試料
の電気抵抗の変化を直流抵抗計（マルチメーター３４７
８Ａ Ｙ ＨＰ製）を用いて測定した。
ダーに取り付け、測定槽（ＭＩＮＩ−ＳＵＢＺＥＲＯＭ
Ｃ−８１０Ｐタバイ ニスペック■製）内に装着して、
−５０°Ｃから１９０°Ｃまでの温度変化に対する試料
の電気抵抗の変化を直流抵抗計（マルチメーター３４７
８Ａ Ｙ ＨＰ製）を用いて測定した。
測定により得られた電気抵抗−温度のプロットより、室
温における抵抗値の２倍の抵抗値を示すときの温度をキ
ュリー点とした。
温における抵抗値の２倍の抵抗値を示すときの温度をキ
ュリー点とした。
（２）室温抵抗率
チタン酸バリウム磁器半導体の試料を２５°Ｃの測定槽
において、直流抵抗計（マルチメーター３４７８Ａ Ｙ
ＨＰ製）を用いて電気抵抗値を測定した。
において、直流抵抗計（マルチメーター３４７８Ａ Ｙ
ＨＰ製）を用いて電気抵抗値を測定した。
チタン酸バリウム磁器半導体の試料の調製において、電
極塗布前に試料の大きさ（径および厚さ）を測定してお
き、次式により比抵抗（ρ）を算出し、これを抵抗率と
した。
極塗布前に試料の大きさ（径および厚さ）を測定してお
き、次式により比抵抗（ρ）を算出し、これを抵抗率と
した。
ρ＝Ｒ−３／ｌ
ρ：比抵抗（抵抗率）〔Ω・ｃ＋＋＋）Ｒ：電気抵抗の
測定値〔Ω〕 Ｓ：電極の面積 〔Ｃ−〕 ｔ：試料の厚さ 〔１〕 （３）抵抗率の立ち上り幅 キュリー点の測定（２−１）の温度変化に対する試料の
電気抵抗の変化の測定を２００°Ｃを超える温度まで続
行し、その抵抗率−温度のプロットにおいて、キュリー
点における電気抵抗の急激な立ち上りのときの抵抗率と
２００″Ｃにおける抵抗率を比較して、その桁数を抵抗
率の立ち上り幅とした。
測定値〔Ω〕 Ｓ：電極の面積 〔Ｃ−〕 ｔ：試料の厚さ 〔１〕 （３）抵抗率の立ち上り幅 キュリー点の測定（２−１）の温度変化に対する試料の
電気抵抗の変化の測定を２００°Ｃを超える温度まで続
行し、その抵抗率−温度のプロットにおいて、キュリー
点における電気抵抗の急激な立ち上りのときの抵抗率と
２００″Ｃにおける抵抗率を比較して、その桁数を抵抗
率の立ち上り幅とした。
〔測定結果］
結果は第１表に示すとおりであった。
酸化タンタリウム（Ｔａｘｅｓ）添加量と比抵抗の変化
を、第１図に示す。
を、第１図に示す。
また、各酸化タンタリウム添加量における比抵抗−温度
特性を第２図に示す。
特性を第２図に示す。
（本頁以下余白）
〔発明の効果〕
キュリー点以上の温度において、正の温度係数を有し、
また室温における抵抗率が小さく、キュリー点以上の温
度における抵抗率の立ち上り幅の大きいチタン酸バリウ
ム磁器半導体が得られる。
また室温における抵抗率が小さく、キュリー点以上の温
度における抵抗率の立ち上り幅の大きいチタン酸バリウ
ム磁器半導体が得られる。
本発明によるチタン酸バリウム磁器半導体は、室温にお
ける抵抗率の低い素子、すなわち、電流容量の小さい回
路中に対応することができる低抵抗ＰＴＣ素子として使
用することができる。
ける抵抗率の低い素子、すなわち、電流容量の小さい回
路中に対応することができる低抵抗ＰＴＣ素子として使
用することができる。
第１図はチタン酸バリウム磁器半導体磁器の酸化タンタ
リウム添加量と比抵抗の関係を示す特性図、第２図は各
酸化タンタリウム添加量における比抵抗−温度関係を示
す特性図である。
リウム添加量と比抵抗の関係を示す特性図、第２図は各
酸化タンタリウム添加量における比抵抗−温度関係を示
す特性図である。
Claims (1)
- （１）キュリー点移動物質を含むチタン酸バリウム基体
組成物に半導体化剤を加えて、焼成することからなるチ
タン酸バリウム磁器半導体の製造法において、半導体化
剤として、チタン酸バリウム基体組成物に対して、約０
．１モル％のＳｂ＿２Ｏ＿３およびチタン酸バリウムに
対して、０．０１〜０．０５モル％のＴａ＿２Ｏ＿５を
使用することを特徴とするチタン酸バリウム系磁器半導
体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1101646A JPH085716B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | チタン酸バリウム磁器半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1101646A JPH085716B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | チタン酸バリウム磁器半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02283665A true JPH02283665A (ja) | 1990-11-21 |
| JPH085716B2 JPH085716B2 (ja) | 1996-01-24 |
Family
ID=14306144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1101646A Expired - Fee Related JPH085716B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | チタン酸バリウム磁器半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085716B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0538801U (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-25 | 株式会社村田製作所 | 正特性サーミスタ素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4989198A (ja) * | 1972-12-28 | 1974-08-26 | ||
| JPS5359888A (en) * | 1977-03-28 | 1978-05-30 | Tdk Corp | Manufacturing method of barium titanate group semi-conductor porcelain |
| JPS54149898A (en) * | 1978-05-17 | 1979-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of positive characteristic semiconductor porcelain |
-
1989
- 1989-04-24 JP JP1101646A patent/JPH085716B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4989198A (ja) * | 1972-12-28 | 1974-08-26 | ||
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0538801U (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-25 | 株式会社村田製作所 | 正特性サーミスタ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH085716B2 (ja) | 1996-01-24 |
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