JPH085716B2 - チタン酸バリウム磁器半導体の製造方法 - Google Patents
チタン酸バリウム磁器半導体の製造方法Info
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- JPH085716B2 JPH085716B2 JP1101646A JP10164689A JPH085716B2 JP H085716 B2 JPH085716 B2 JP H085716B2 JP 1101646 A JP1101646 A JP 1101646A JP 10164689 A JP10164689 A JP 10164689A JP H085716 B2 JPH085716 B2 JP H085716B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、チタン酸バリウム系磁器半導体に関し、詳
しくは、キュリー点以上の温度において正の抵抗温度係
数を有し、また室温抵抗率が小さい上にキュリー点以上
の温度における抵抗率の立ち上り幅が大きく、それによ
る優れたPTC特性を有するチタン酸バリウム系磁器半導
体の製造法に関する。
しくは、キュリー点以上の温度において正の抵抗温度係
数を有し、また室温抵抗率が小さい上にキュリー点以上
の温度における抵抗率の立ち上り幅が大きく、それによ
る優れたPTC特性を有するチタン酸バリウム系磁器半導
体の製造法に関する。
本発明によるチタン酸バリウム系磁器半導体は、電流
容量の小さい回路における低抵抗PTC素子として使用す
ることができ、また温度ヒューズ、スイッチング電源の
コンパレーターとして、電解コンデンサーの保護回路、
自動車モーターの消磁回路に利用することができる。
容量の小さい回路における低抵抗PTC素子として使用す
ることができ、また温度ヒューズ、スイッチング電源の
コンパレーターとして、電解コンデンサーの保護回路、
自動車モーターの消磁回路に利用することができる。
チタン酸バリウム系磁器に、ランタン、タンタル、セ
リウム、イツトリウム、ビスマス、タングステン、銀、
サマリウム、デイスプロシウム等の添加剤を添加する
と、正の温度係数を有する磁器半導体となることは広く
知られており、また希土類元素、Nb、TaまたはSbを含有
するチタン酸バリウム系磁器半導体組成物に二酸化ケイ
素を添加し、酸素の存在において焼成して、磁器半導体
組成物の電気特性を向上することが提案されている（特
開昭53−59888号公報）。
リウム、イツトリウム、ビスマス、タングステン、銀、
サマリウム、デイスプロシウム等の添加剤を添加する
と、正の温度係数を有する磁器半導体となることは広く
知られており、また希土類元素、Nb、TaまたはSbを含有
するチタン酸バリウム系磁器半導体組成物に二酸化ケイ
素を添加し、酸素の存在において焼成して、磁器半導体
組成物の電気特性を向上することが提案されている（特
開昭53−59888号公報）。
本発明者らは、チタン酸バリウムについて永年研究を
続けているが、アンチモンを含むチタン酸バリウムの原
料組成物に、タンタルを加えると、室温抵抗率が小さ
く、キュリー点以上の温度における抵抗率の立ち上り幅
の大きいチタン酸バリウム系磁器半導体が得られること
を見出し、その知見に基づいて本発明に到達した。
続けているが、アンチモンを含むチタン酸バリウムの原
料組成物に、タンタルを加えると、室温抵抗率が小さ
く、キュリー点以上の温度における抵抗率の立ち上り幅
の大きいチタン酸バリウム系磁器半導体が得られること
を見出し、その知見に基づいて本発明に到達した。
本発明の目的は、キュリー点以上の温度において正の
温度計数を有し、また室温における抵抗率が小さく、キ
ュリー点以上の温度における抵抗率の立ち上り幅の大き
いチタン酸バリウム磁器半導体の製造法を提供すること
にある。
温度計数を有し、また室温における抵抗率が小さく、キ
ュリー点以上の温度における抵抗率の立ち上り幅の大き
いチタン酸バリウム磁器半導体の製造法を提供すること
にある。
本発明は、キュリー点移動物質を含むチタン酸バリウ
ム基体組成物に半導体化剤を加えて、焼成することから
なるチタン酸バリウム磁器半導体の製造法において、半
導体化剤として、チタン酸バリウム基体組成物に対し
て、0.1％の酸化アンチモン（Sb2O3）および0.01〜0.05
モル％の酸化タンタリウム（Ta2O5）をを使用し、それ
によってチタン酸バリウムを、室温における正の温度係
数は小さいが、キュリー点以上の温度における抵抗率の
立ち上り幅の大きいチタン酸バリウム磁器半導体とする
ことを特徴とするチタン酸バリウム磁器半導体の製造法
である。
ム基体組成物に半導体化剤を加えて、焼成することから
なるチタン酸バリウム磁器半導体の製造法において、半
導体化剤として、チタン酸バリウム基体組成物に対し
て、0.1％の酸化アンチモン（Sb2O3）および0.01〜0.05
モル％の酸化タンタリウム（Ta2O5）をを使用し、それ
によってチタン酸バリウムを、室温における正の温度係
数は小さいが、キュリー点以上の温度における抵抗率の
立ち上り幅の大きいチタン酸バリウム磁器半導体とする
ことを特徴とするチタン酸バリウム磁器半導体の製造法
である。
本発明によるチタン酸バリウム磁器半導体の製造にお
いて、炭酸ストロンチウム（SrCO3）等のキュリー点移
動物質を含むチタン酸バリウムの基体組成物に、該基体
組成物に対して0.1モル％の酸化アンチモン（Sb2O3）お
よび0.01〜0.05モル％の酸化タンタリウム（Ta2O5）を
配合するが、その配合物に鉱化剤として炭酸マンガン
（MnCO3）を、また電圧依存性安定剤として二酸化ケイ
素（SiO2）等を配合することができる。
いて、炭酸ストロンチウム（SrCO3）等のキュリー点移
動物質を含むチタン酸バリウムの基体組成物に、該基体
組成物に対して0.1モル％の酸化アンチモン（Sb2O3）お
よび0.01〜0.05モル％の酸化タンタリウム（Ta2O5）を
配合するが、その配合物に鉱化剤として炭酸マンガン
（MnCO3）を、また電圧依存性安定剤として二酸化ケイ
素（SiO2）等を配合することができる。
この配合物をボールミルにおいて６〜48時間湿式混合
し、濾過・乾燥した後、1000〜1300℃において１〜３時
間仮焼する。仮焼した配合物は軽く粉砕して、ポットに
入れ、これを振動ボールミルにおいて３〜48時間粉砕す
る。その粉砕物を、バインダーを配合した水溶液中で混
合し、そのスラリーをスプレードライヤーにおいて乾燥
して造粒し、その顆粒を成形型により成形した後、その
成形物を1300〜1400℃において０〜10時間保持し、焼成
してチタン酸バリウム磁器半導体が得られる。
し、濾過・乾燥した後、1000〜1300℃において１〜３時
間仮焼する。仮焼した配合物は軽く粉砕して、ポットに
入れ、これを振動ボールミルにおいて３〜48時間粉砕す
る。その粉砕物を、バインダーを配合した水溶液中で混
合し、そのスラリーをスプレードライヤーにおいて乾燥
して造粒し、その顆粒を成形型により成形した後、その
成形物を1300〜1400℃において０〜10時間保持し、焼成
してチタン酸バリウム磁器半導体が得られる。
本発明によるチタン酸バリウム磁器半導体は、室温に
おける抵抗率の低い素子、すなわち、電流容量の小さい
回路中に対応することができる低抵抗PTC素子として使
用することができるものである。
おける抵抗率の低い素子、すなわち、電流容量の小さい
回路中に対応することができる低抵抗PTC素子として使
用することができるものである。
以下において本発明を、試験例、実施例および比較例
によりさらに詳しく説明する。
によりさらに詳しく説明する。
試験例１ 酸化アンチモン（Sb2O3）添加の及ぼす電気特性の影
響について試験を行った。
響について試験を行った。
無水炭酸バリウム（BaCO3、堺化学社製BL−KL）680.7
2g、高純度二酸化チタン（TiO2東邦チタニウム社製）29
0.12g、無水炭酸ストロンチウム（SrCO3本荘ケミカル社
製）26.80g、炭酸マンガン（MnCO3和光純薬社製、99.9
％試薬）0.2087g、二酸化ケイ素（SiO2レアメタリック
社製 99.9％試薬）1.0908g、および酸化アンチモン（S
b2O3レアメタリック社製 99.9％試薬）1.0584gを５
容量のボールミルに入れ、これに水3.5を加え、24時
間湿式粉砕、混合した後、濾過し、その混合物を130℃
において乾燥した。その乾燥混合物を成形用金型〔65mm
（径）×45mm（高さ）〕に入れ、150kg/cm2の加圧下に
成形し、その成形物を電気炉に入れ、180℃／時の昇温
速度において加熱し、1150℃において２時間仮焼した。
2g、高純度二酸化チタン（TiO2東邦チタニウム社製）29
0.12g、無水炭酸ストロンチウム（SrCO3本荘ケミカル社
製）26.80g、炭酸マンガン（MnCO3和光純薬社製、99.9
％試薬）0.2087g、二酸化ケイ素（SiO2レアメタリック
社製 99.9％試薬）1.0908g、および酸化アンチモン（S
b2O3レアメタリック社製 99.9％試薬）1.0584gを５
容量のボールミルに入れ、これに水3.5を加え、24時
間湿式粉砕、混合した後、濾過し、その混合物を130℃
において乾燥した。その乾燥混合物を成形用金型〔65mm
（径）×45mm（高さ）〕に入れ、150kg/cm2の加圧下に
成形し、その成形物を電気炉に入れ、180℃／時の昇温
速度において加熱し、1150℃において２時間仮焼した。
その仮焼成形物を振動ボールミルに入れ、水0.7を
加え、16時間湿式粉砕し、これに15％（W/W）ポリビニ
ルアルコール（PVA）水溶液150gを加え、２時間撹拌し
た後、そのスラリーをスプレードライヤーにおいて噴霧
乾燥して、径約50μｍの顆粒に造粒した。その顆粒を形
成用金型〔12.5mm（径）×35mm（高さ）〕に入れ、1ton
/cm2の加圧下に成形し、その成形物を下記の条件におい
て焼成した。
加え、16時間湿式粉砕し、これに15％（W/W）ポリビニ
ルアルコール（PVA）水溶液150gを加え、２時間撹拌し
た後、そのスラリーをスプレードライヤーにおいて噴霧
乾燥して、径約50μｍの顆粒に造粒した。その顆粒を形
成用金型〔12.5mm（径）×35mm（高さ）〕に入れ、1ton
/cm2の加圧下に成形し、その成形物を下記の条件におい
て焼成した。
温度範囲 昇温または降温の条件 室 温〜800℃ 145℃／時の昇温 800℃ ２時間保持 800℃〜1360℃ 150℃／時の昇温 1360℃ 1.5時間保持 1360℃〜1000℃ 360℃／時の降温 1000℃〜550℃ 245℃／時の降温 550℃ 温度コントロールの終了 室温に冷却した後、錠剤状成形物の円盤面にオーミッ
ク性の銀電極（デクサ社製）を塗布し、580℃において
５分間焼付けて、電極を形成し、その電極上にカバー電
極（デクサ社製）を塗布し、560℃において５分間さら
に焼付けを行って、チタン酸バリウム磁器半導体の試料
を得た。
ク性の銀電極（デクサ社製）を塗布し、580℃において
５分間焼付けて、電極を形成し、その電極上にカバー電
極（デクサ社製）を塗布し、560℃において５分間さら
に焼付けを行って、チタン酸バリウム磁器半導体の試料
を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は
次のとおりであった。
次のとおりであった。
（Ba0.95Sr0.05）TiO3＋0.0005MnO2＋0.005SiO2 ＋0.001Sb2O3 この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗
温度係数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は、10
3℃であり、抵抗の立ち上り幅は約４桁であった。この
とき室温における抵抗率は19.50Ω・cmであった。
温度係数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は、10
3℃であり、抵抗の立ち上り幅は約４桁であった。この
とき室温における抵抗率は19.50Ω・cmであった。
試験例２ 無水炭酸バリウム（BaCO3）680.95g、高純度二酸化チ
タン（TiO2）290.20g、無水炭酸ストロンチウム（SrC
O3）26.81g、炭酸マンガン（MnCO3）0.2088g、二酸化ケ
イ素（SiO2）1.0911gおよび酸化アンチモン（Sb2O3）0.
7409gを使用したこと以外は、実施例１と同様にして、
チタン酸バリウム磁器半導体の試料を得た。
タン（TiO2）290.20g、無水炭酸ストロンチウム（SrC
O3）26.81g、炭酸マンガン（MnCO3）0.2088g、二酸化ケ
イ素（SiO2）1.0911gおよび酸化アンチモン（Sb2O3）0.
7409gを使用したこと以外は、実施例１と同様にして、
チタン酸バリウム磁器半導体の試料を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は
次のとおりである。
次のとおりである。
（Ba0.95Sr0.05）TiO3＋0.0005MnO2＋0.005SiO2 ＋0.0007Sb2O3 この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗
温度係数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は115
℃で抵抗の立上り幅は３桁であった。このとき室温での
抵抗率は3.4kΩ・cmであった。
温度係数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は115
℃で抵抗の立上り幅は３桁であった。このとき室温での
抵抗率は3.4kΩ・cmであった。
試験例３ 無水炭酸バリウム（BaCO3）680.37g、高純度二酸化チ
タン（TiO2）289.96g、無水炭酸ストロンチウム（SrC
O3）26.79g、炭酸マンガン（MnCO3）0.2086g、二酸化ケ
イ素（SiO2）1.0902gおよび酸化アンチモン（Sb2O3）1.
5868gを使用したこと以外は、実施例１と同様にして、
チタン酸バリウム磁器半導体の試料を得た。
タン（TiO2）289.96g、無水炭酸ストロンチウム（SrC
O3）26.79g、炭酸マンガン（MnCO3）0.2086g、二酸化ケ
イ素（SiO2）1.0902gおよび酸化アンチモン（Sb2O3）1.
5868gを使用したこと以外は、実施例１と同様にして、
チタン酸バリウム磁器半導体の試料を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は
次のとおりである。
次のとおりである。
（Ba0.95Sr0.05）TiO3＋0.0005MnO2＋0.005SiO2 ＋0.0015Sb2O3 この試料は、絶縁体化して半導体とならず、測定不可
能であった。
能であった。
実施例１ 無水炭酸バリウム（BaCO3、堺化学社製BL−KL）680.4
1g、高純度二酸化チタン（TiO2東邦チタニウム社製）28
9.97g、無水炭酸ストロンチウム（SrCO3本荘ケミカル社
製）26.97g、炭酸マンガン（MnCO3和光純薬社製、99.9
％試薬）0.2087％、二酸化ケイ素（SiO2レアメタリック
社製 99.9％試薬）1.0902g、酸化アンチモン（Sb2O3レ
アメタリック社製 99.9％試薬）1.0579gおよび酸化タ
ンタリウム（Ta2O5レアメタリック社製 99.9％試薬）
0.4812gを５容量のボールミルに入れ、これに水3.5
を加え、24時間湿式粉砕、混合した後、濾過し、その混
合物を130℃において乾燥した。その乾燥混合物を成形
用金型〔65mm（径）×45mm（高さ）〕に入れ、150kg/cm
2の加圧下に成形し、その成形物を電気炉に入れ、180℃
／時の昇温速度において加熱し、1150℃において２時間
仮焼した。
1g、高純度二酸化チタン（TiO2東邦チタニウム社製）28
9.97g、無水炭酸ストロンチウム（SrCO3本荘ケミカル社
製）26.97g、炭酸マンガン（MnCO3和光純薬社製、99.9
％試薬）0.2087％、二酸化ケイ素（SiO2レアメタリック
社製 99.9％試薬）1.0902g、酸化アンチモン（Sb2O3レ
アメタリック社製 99.9％試薬）1.0579gおよび酸化タ
ンタリウム（Ta2O5レアメタリック社製 99.9％試薬）
0.4812gを５容量のボールミルに入れ、これに水3.5
を加え、24時間湿式粉砕、混合した後、濾過し、その混
合物を130℃において乾燥した。その乾燥混合物を成形
用金型〔65mm（径）×45mm（高さ）〕に入れ、150kg/cm
2の加圧下に成形し、その成形物を電気炉に入れ、180℃
／時の昇温速度において加熱し、1150℃において２時間
仮焼した。
その仮焼成形物を振動ボールミルに入れ、水0.7を
加え、16時間湿式粉砕し、これに15％（W/W）ポリビニ
ルアルコール（PVA）水溶液150gを加え、２時間撹拌し
た後、そのスラリーをスプレードライヤーにおいて噴霧
乾燥して、径約50μｍの顆粒に造粒した。その顆粒を成
形用金型〔12.5mm（径）×35mm（高さ）〕に入れ、1ton
/cm2の加圧下に成形し、その成形物を下記の条件におい
て焼成した。
加え、16時間湿式粉砕し、これに15％（W/W）ポリビニ
ルアルコール（PVA）水溶液150gを加え、２時間撹拌し
た後、そのスラリーをスプレードライヤーにおいて噴霧
乾燥して、径約50μｍの顆粒に造粒した。その顆粒を成
形用金型〔12.5mm（径）×35mm（高さ）〕に入れ、1ton
/cm2の加圧下に成形し、その成形物を下記の条件におい
て焼成した。
温度範囲 昇温または降温の条件 室 温〜800℃ 145℃／時の昇温 800℃ 2時間保持 800℃〜1360℃ 150℃／時の昇温 1360℃ 15分間保持 1360℃〜1000℃ 360℃／時の降温 1000℃〜550℃ 245℃／時の降温 550℃ 温度コントロールの終了 室温に冷却した後、錠剤状成形物の円盤面にオーミッ
ク性の銀電極（デグサ社製）を塗布し、580℃において
５分間焼付けて、電極を形成し、その電極上にカバー電
極（デクサ社製）を塗布し、560℃において５分間さら
に焼付けを行って、チタン酸バリウム磁器半導体の試料
を得た。
ク性の銀電極（デグサ社製）を塗布し、580℃において
５分間焼付けて、電極を形成し、その電極上にカバー電
極（デクサ社製）を塗布し、560℃において５分間さら
に焼付けを行って、チタン酸バリウム磁器半導体の試料
を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は
次のとおりであった。
次のとおりであった。
（Ba0.95Sr0.05）TiO3＋0.0005MnO2＋0.005SiO2 ＋0.001Sb2O3＋0.0003Ta2O5 この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗
温度係数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は、10
5℃であり、抵抗の立ち上り幅は約４桁であった。この
とき室温における抵抗率は6.22Ω・cmであった。
温度係数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は、10
5℃であり、抵抗の立ち上り幅は約４桁であった。この
とき室温における抵抗率は6.22Ω・cmであった。
実施例２ 無水炭酸バリウム（BaCO3）680.52g、高純度二酸化チ
タン（TiO2）290.02g、無水炭酸ストロンチウム（SrC
O3）26.79g、炭酸マンガン（MnCO3）0.2087g、二酸化ケ
イ素（SiO2）1.0904g、酸化アンチモン（Sb2O3）1.0581
gおよび酸化タンタリウム（Ta2O5）0.3209gを使用した
こと以外は、実施例１と同様にして、チタン酸バリウム
磁器半導体の試料を得た。
タン（TiO2）290.02g、無水炭酸ストロンチウム（SrC
O3）26.79g、炭酸マンガン（MnCO3）0.2087g、二酸化ケ
イ素（SiO2）1.0904g、酸化アンチモン（Sb2O3）1.0581
gおよび酸化タンタリウム（Ta2O5）0.3209gを使用した
こと以外は、実施例１と同様にして、チタン酸バリウム
磁器半導体の試料を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は
次のとおりである。
次のとおりである。
（Ba0.95Sr0.05）TiO3＋0.0005MnO2＋0.005SiO2 ＋0.001Sb2O3＋0.0002TaO5 この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗
温度係数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は、10
7℃で抵抗の立ち上り幅は約3.5桁であった。このとき室
温での抵抗率は5.50Ω・cmであった。
温度係数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は、10
7℃で抵抗の立ち上り幅は約3.5桁であった。このとき室
温での抵抗率は5.50Ω・cmであった。
実施例３ 無水炭酸バリウム（BaCO3）680.62g、高純度二酸化チ
タン（TiO2）290.06g、無水炭酸ストロンチウム（SrC
O3）26.80g、炭酸マンガン（MnCO3）0.2087g、二酸化ケ
イ素（SiO2）1.0905g、酸化アンチモン（Sb2O3）1.0582
gおよび酸化タンタリウム（Ta2O5）0.1605gを使用した
こと以外は、実施例１と同様にして、チタン酸バリウム
磁器半導体の試料を得た。
タン（TiO2）290.06g、無水炭酸ストロンチウム（SrC
O3）26.80g、炭酸マンガン（MnCO3）0.2087g、二酸化ケ
イ素（SiO2）1.0905g、酸化アンチモン（Sb2O3）1.0582
gおよび酸化タンタリウム（Ta2O5）0.1605gを使用した
こと以外は、実施例１と同様にして、チタン酸バリウム
磁器半導体の試料を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は
次のとおりである。
次のとおりである。
（Ba0.95Sr0.05）TiO3＋0.0005MnO2＋0.005SiO2 ＋0.001Sb2O3＋0.0001Ta2O5 この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗
温度係数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は、10
9℃で、抵抗の立ち上り幅は約４桁であった。このとき
室温での抵抗率は11.16Ω・cmであった。
温度係数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は、10
9℃で、抵抗の立ち上り幅は約４桁であった。このとき
室温での抵抗率は11.16Ω・cmであった。
実施例４ 無水炭酸バリウム（BaCO3）680.18g、高純度二酸化チ
タン（TiO2）289.97g、無水炭酸ストロンチウム（SrC
O3）26.78g、炭酸マンガン（MnCO3）0.2086g、二酸化ケ
イ素（SiO2）1.0899g、酸化アンチモン（Sb2O3）1.0576
g、酸化タンタリウム（Ta2O5）0.8014gを使用したこと
以外は、実施例１と同様にして、、チタン酸バリウム磁
器半導体の試料を得た。
タン（TiO2）289.97g、無水炭酸ストロンチウム（SrC
O3）26.78g、炭酸マンガン（MnCO3）0.2086g、二酸化ケ
イ素（SiO2）1.0899g、酸化アンチモン（Sb2O3）1.0576
g、酸化タンタリウム（Ta2O5）0.8014gを使用したこと
以外は、実施例１と同様にして、、チタン酸バリウム磁
器半導体の試料を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は
次のとおりである。
次のとおりである。
（Ba0.95Sr0.95）TiO3＋0.0005MnO2＋0.005SiO2 ＋0.001Sb2O3＋0.0005Ta2O5 この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗
温度係数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は、10
8℃で、抵抗の立ち上がり幅は約４桁であった。このと
き室温での抵抗率は12.50Ω・cmであった。
温度係数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は、10
8℃で、抵抗の立ち上がり幅は約４桁であった。このと
き室温での抵抗率は12.50Ω・cmであった。
比較例１ 無水炭酸バリウム（BaCO3）680.67g、高純度二酸化チ
タン（TiO2）290.08g、無水炭酸ストロンチウム（SrC
O3）26.80g、炭酸マンガン（MnCO3）0.2088g、二酸化ケ
イ素（SiO2）1.0906g、酸化アンチモン（Sb2O3）1.0583
gおよび酸化タンタリウム（Ta2O5）0.0802gを使用した
こと以外は、実施例１と同様にして、チタン酸バリウム
磁器半導体の試料を得た。
タン（TiO2）290.08g、無水炭酸ストロンチウム（SrC
O3）26.80g、炭酸マンガン（MnCO3）0.2088g、二酸化ケ
イ素（SiO2）1.0906g、酸化アンチモン（Sb2O3）1.0583
gおよび酸化タンタリウム（Ta2O5）0.0802gを使用した
こと以外は、実施例１と同様にして、チタン酸バリウム
磁器半導体の試料を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は
次のとおりである。
次のとおりである。
（Ba0.95Sr0.05）TiO3＋0.0005MnO2＋0.005SiO2 ＋0.001Sb2O3＋0.0005TaO5 この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗
温度計数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は、10
6℃で抵抗の立ち上り幅は４桁であった。このとき室温
での抵抗率は15.50Ω・cmであった。
温度計数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は、10
6℃で抵抗の立ち上り幅は４桁であった。このとき室温
での抵抗率は15.50Ω・cmであった。
比較例２ 無水炭酸バリウム（BaCO3）679.98g、高純度二酸化チ
タン（TiO2）289.78g、無水炭酸ストロンチウム（SrC
O3）26.77g、炭酸マンガン（MnCO3）0.2085g、二酸化ケ
イ素（SiO2）1.0895g、酸化アンチモン（Sb2O3）1.0572
gおよび酸化タンタリウム（Ta2O5）1.1218gを使用した
こと以外は、実施例１と同様にしてチタン酸バリウム磁
器半導体の試料を得た。
タン（TiO2）289.78g、無水炭酸ストロンチウム（SrC
O3）26.77g、炭酸マンガン（MnCO3）0.2085g、二酸化ケ
イ素（SiO2）1.0895g、酸化アンチモン（Sb2O3）1.0572
gおよび酸化タンタリウム（Ta2O5）1.1218gを使用した
こと以外は、実施例１と同様にしてチタン酸バリウム磁
器半導体の試料を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は
次のとおりである。
次のとおりである。
（Ba0.95Sr0.05）TiO3＋0.0005MnO2＋0.005SiO2 ＋0.001Sb2O3＋0.0007Ta2O5 この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗
温度係数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は、10
9℃で、抵抗の立ち上り幅は約４桁であった。このとき
室温での抵抗率は11.16Ω・cmであった。
温度係数を示す領域の表れる温度（キュリー点）は、10
9℃で、抵抗の立ち上り幅は約４桁であった。このとき
室温での抵抗率は11.16Ω・cmであった。
（１）キュリー点の測定 チタン酸バリウム磁器半導体の試料を測定用の試料ホ
ルダーに取り付け、測定槽（MINI−SUBZERO MC−810Pタ
バイ エスペック（株）製）内に装着して、−50℃から
190℃までの温度変化に対する試料の電気抵抗の変化を
直流抵抗計（マルチメーター3478A YHP製）を用いて測
定した。
ルダーに取り付け、測定槽（MINI−SUBZERO MC−810Pタ
バイ エスペック（株）製）内に装着して、−50℃から
190℃までの温度変化に対する試料の電気抵抗の変化を
直流抵抗計（マルチメーター3478A YHP製）を用いて測
定した。
測定により得られた電気抵抗−温度のプロットより、
室温における抵抗値の２倍の抵抗値を示すときの温度を
キュリー点とした。
室温における抵抗値の２倍の抵抗値を示すときの温度を
キュリー点とした。
（２）室温抵抗率 チタン酸バリウム磁器半導体の試料を25℃の測定槽に
おいて、直流抵抗計（マルチメーター3478A YHP製）を
用いて電気抵抗値を測定した。
おいて、直流抵抗計（マルチメーター3478A YHP製）を
用いて電気抵抗値を測定した。
チタン酸バリウム磁器半導体の試料の調製において、
電極塗布前に試料の大きさ（計および厚さ）を測定して
おき、次式により比抵抗（ρ）を算出し、これを抵抗率
とした。
電極塗布前に試料の大きさ（計および厚さ）を測定して
おき、次式により比抵抗（ρ）を算出し、これを抵抗率
とした。
ρ＝Ｒ・S/t ρ：比抵抗（抵抗率）〔Ω・cm〕 R:電気抵抗の測定値〔Ω〕 S:電極の面積〔cm2〕 t:試料の厚さ〔cm〕 （３）抵抗率の立ち上り幅 キュリー点の測定（２−１）の温度変化に対する試料
の電気抵抗の変化の測定を200℃を超える温度まで続行
し、その抵抗率−温度のプロットにおいて、キュリー点
における電気抵抗の急激な立ち上りのとき抵抗率と200
℃における抵抗率を比較して、その桁数を抵抗率の立ち
上り幅とした。
の電気抵抗の変化の測定を200℃を超える温度まで続行
し、その抵抗率−温度のプロットにおいて、キュリー点
における電気抵抗の急激な立ち上りのとき抵抗率と200
℃における抵抗率を比較して、その桁数を抵抗率の立ち
上り幅とした。
結果は第１表に示すとおりであった。
酸化タンタリウム（Ta2O5）添加量と比抵抗の変化
を、第１図に示す。
を、第１図に示す。
また、各酸化タンタリウム添加量における比抵抗−温
度特性を第２図に示す。
度特性を第２図に示す。
〔発明の効果〕 キュリー点以上の温度において、正の温度係数を有
し、また室温における抵抗率が小さく、キュリー点以上
の温度における抵抗率の立ち上り幅の大きいチタン酸バ
リウム磁器半導体が得られる。
し、また室温における抵抗率が小さく、キュリー点以上
の温度における抵抗率の立ち上り幅の大きいチタン酸バ
リウム磁器半導体が得られる。
本発明によるチタン酸バリウム磁器半導体は、室温に
おける抵抗率の低い素子、すなわち、電流容量の小さい
回路中に対応することができる低抵抗PTC素子として使
用することができる。
おける抵抗率の低い素子、すなわち、電流容量の小さい
回路中に対応することができる低抵抗PTC素子として使
用することができる。
第１図はチタン酸バリウム磁器半導体磁器の酸化タンタ
リウム添加量と比抵抗の関係を示す特性図、第２図は各
酸化タンタリウム添加量における比抵抗−温度関係を示
す特性図である。
リウム添加量と比抵抗の関係を示す特性図、第２図は各
酸化タンタリウム添加量における比抵抗−温度関係を示
す特性図である。
フロントページの続き 審判の合議体 審判長 渡辺 順之 審判官 森竹 義昭 審判官 長者 義久 (56)参考文献 特開 昭53−59888（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−149898（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−89198（ＪＰ，Ａ) 特公 昭41−17784（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- 【請求項１】キュリー点移動物質を含むチタン酸バリウ
ム基体組成物に半導体化剤を加えて、焼成することから
なるチタン酸バリウム磁器半導体の製造法において、半
導体化剤として、チタン酸バリウム基体組成物に対し
て、0.1モル％のSb2O3および0.01〜0.05モル％のTa2O5
を使用することを特徴とするチタン酸バリウム系磁器半
導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1101646A JPH085716B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | チタン酸バリウム磁器半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1101646A JPH085716B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | チタン酸バリウム磁器半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02283665A JPH02283665A (ja) | 1990-11-21 |
| JPH085716B2 true JPH085716B2 (ja) | 1996-01-24 |
Family
ID=14306144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1101646A Expired - Fee Related JPH085716B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | チタン酸バリウム磁器半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085716B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0538801U (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-25 | 株式会社村田製作所 | 正特性サーミスタ素子 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4989198A (ja) * | 1972-12-28 | 1974-08-26 | ||
| JPS5359888A (en) * | 1977-03-28 | 1978-05-30 | Tdk Corp | Manufacturing method of barium titanate group semi-conductor porcelain |
| JPS5948521B2 (ja) * | 1978-05-17 | 1984-11-27 | 松下電器産業株式会社 | 正特性半導体磁器の製造方法 |
-
1989
- 1989-04-24 JP JP1101646A patent/JPH085716B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02283665A (ja) | 1990-11-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |