JPH02282948A - 光磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、情報の記録、読みだしを、光ビームを介して
行う光磁気記録媒体の製造方法に係わり、特に光磁気記
録媒体の寿命の改善に関する。

〔発明の概要】

本発明は、希土類及び遷移金属から成る光磁気記録層と
、その保護層として、グラファイト及びＦＥＰ　（テト
ラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合
体−［ＣＦ２ＣＦ、］　−［ＣＦ２ＣＦ　（ＣＦ、）］
−１）を含有する薄膜層とを有する光磁気記録媒体と、
その製造方法に関するものである。

前記保護層は、次の特徴をもっていること、また記録層
形成と相前後して、この保護層を形成することが極めて
容易である。

１）熱膨張係数等の記録層に近い為に記録層との密着性
が優れている。

２）記録層と同等かそれ以上に緻密であり、気体をほと
んど通過しない。

３）それ自体安定な炭化物あるいは、炭素又は窒素との
混合物を形成し耐酸化性、耐候性、耐熱性、耐湿性等に
優れた特性を有する。

〔従来の技術ｊ 希土類及び、遷移金属からなる非晶質合金薄膜層は、光
磁気記録媒体として以下の優れた特徴を有している。

ｌ）非晶質故に粒界雑音が無い。

２）広い組成範囲で垂直磁気異方性を有する。

３）特に基板材料に限定されず、ガラス、シリコンウェ
ハーあるいは、アクリル等の有機材料といった安価な基
板を使う事ができる。

４）蒸着法、スパッタ法部簡便な製膜技術が適応でき、
量産性が高い。

しかしながら、大気中で容易に酸化され易（寿命の点か
ら信頼性に欠ける短所がある。

媒体の記録特性を損なう事なく、前記した短所を改善す
るためには、希土類遷移金属合金層の上に酸化防止を目
的とした保護層を被覆するのが。

効果的であると知られている。

従来技術では、かかる保護層として蒸着法または、スパ
ッタ法で成形した硅素第一酸化物あるいは、硅素第二酸
化物、ないしスピナー法で成形した有機材料が用いられ
ている。

しかしながら、かかる従来技術においては保護層の材料
しいては、物性が、記録層と大幅に異なるために次の欠
点があった。

ｌ）保護層の厚さを、ｌｔＬｍ以上にすると剥離し易い
。

２）保護層が緻密さに欠落し、保護層の厚さが、１μｍ
程度では記録層の酸化を回避できない。

〔発明が解決しようとする課題］ 発明は、前記した従来技術の問題点を解決する為になさ
れたものであり、記録層と保護層とを具備する光磁気記
録媒体において、記録層との密着性が良好で、充分な緻
密性を有し、かつそれ自身耐酸化性、耐熱性に優れた保
護層を有する光磁気記録媒体とその媒体を簡便に製造す
る方法を提供するものである。

〔課題を解決するための手段］ 本発明の光磁気記録媒体とその製造方法は、ｌ）希土類
、及び遷移金属を含有する非晶質合金からなり、かつ基
板面に垂直に磁化容易軸を有する記録層となる薄膜層と
、保護層となる薄膜層とを、具備した光磁気記録媒体に
おいて、前記保護層が、グラファイト及びＦＥＰ　（テ
トラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重
合体−［ＣＦａ　ＣＦａ　］　−−［ＣＦ＊　ＣＦ　（
ＣＦ、　）　］　−ｎ　）を用いた真空成膜法により形
成されていることを特徴とする。

２）第１項記載の保護層において、熱蒸着法を使用し、
蒸発源としてグラファイト及びＦＥＰ　（テトラフルオ
ロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体−［Ｃ
Ｆ２ＣＦａ　］　−−［ＣＦ２ＣＦ　（ＣＦ、）］　＋
、）を用いて、保護の薄膜層を形成する事を特徴とする
。

３）第１項記載の保護層において、スパッタ法を使用し
、ターゲットとしてグラファイト及びＦＥＰ（テトラフ
ルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体−
［ＣＦ２ＣＦ、］　−−［ＣＦ２ＣＦ　（ＣＦｓ　）］
　−−）を用いて、保護の薄膜層を形成する事を特徴と
する。

［実　施　例１ 以下、本発明について実施例に基づいて詳細に説明する
。

第１は、本発明の光磁気記録媒体の製造装置である、一
実施例の構成図である。

第１図は、スパッタ装置であり、■は密閉性に優れた容
器、２はグラファイト及びＦＥＰ　（テトラフルオロエ
チレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体−［ＣＦ２
　ＣＦｚ　］　−−［ｃＦ＊　ＣＦ（ＣＦ、）］−、、
）を含むターゲット源粒、３は基板、４はＲＦ零電源５
はアルゴン（Ａｒ）ガス導入系、６も同じくアルゴン（
Ａｒ）ガス導入系、７はガス排気系である。

以上の容器ｌ内を１傘１０−’Ｔｏｒｒ　（ないし１．
３中１０−’Ｐａ）以下に真空排気した後、一定流量の
Ａｒガスを５、ｂを介して導入した容器ｌ内部のガス圧
力を２０ｍＴｏｒｒに維持した。そして、電源４を投入
しＲＦ電力２００Ｗで、基板３の上にＴｂ−Ｆｅ合金よ
りなる記録膜を形成した。

次に一旦電源４をオフにし、２のグラファイト及びＦＥ
Ｐ　（テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピ
レン共重合体−［ＣＦ＝ＣＦ＊］−［ＣＦ２　ＣＦ　（
ＣＦｓ　）］−ｎ）を含むターゲット源粒をセットし、
再度ＲＦ電力２００Ｗを投入して、前記した記録膜上に
スパッタ源粒であるグラファイト及びＦＥＰ　（テトラ
フルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体
−［ＣＦ２ＣＦ２　］　−−［ＣＦ２ＣＦ　（ＣＦ、）
］−１，）からなる厚さ５００人の保護層を形成した。

第２図は、上記した方法で制作した光磁気記録媒体の構
成図である。

１３はガラス基板、１２は膜厚１０００人のＴｂ−Ｆｅ
合金からなる記録層、１１は膜厚５００人のグラファイ
ト及びＦＥＰ　（テトラフルオロエチレン−ヘキサフル
オロプロピレン共重合体−［ＣＦ２　ＣＦ２　］　−−
［ｃｐｚ　ＣＦ　（ＣＦ、）］−［ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３
）］−ｎ）からなる保護層である。

かかる構成の光記録磁気媒体情報の記録、読みだし用の
光ビームは基板を介しで照射される。

第２図に示した光記録磁気媒体のヒステリシスループを
、振動試料型磁力計を用いて測定した。

測定を前記媒体作成直後及び温度４０℃、湿度９８％の
恒温恒湿槽中に１０時間放置した後で試みた結果１両者
で有意差は見られなかった。

比較の為に１０００人のＴｂ−Ｆｅ記録層を形成した単
層記録媒体（例−１とする）及び、例−１と同一の、Ｔ
　ｂ　−Ｆ　ｅ　ｌＩｉ上にスパッタ法でシリコン酸化
物膜を保護層として被覆した２層の記録媒体（例−２と
する）を制作し前記実施例と同一の測定を行った。

その結果媒体作製直後の測定では、例−１、例−２共前
記実施例と同一のヒステリシスループを示したが、恒温
恒湿槽内（４０℃、９０％）に１０時間放置した後の測
定では、例−１の場合、飽和磁化、保磁力共はとんど消
失し、例−２の場合、飽和磁化は媒体作製直後の測定値
の約２／３、保磁力は同じ比較で約１／２に低下した。

この比較例からも明らかなように、本発明における保護
層を使用した光磁気記録媒体の寿命は、従来のものと比
べ格段に耐腐食性が向上していることがわかる。

第３図は、本発明による光磁気記録媒体の他の実施例で
ある。２４はアクリル基板、２３は膜厚１００Å以下の
、グラファイト及びＦＥＰ　（テトラフルオロエチレン
−ヘキサフルオロプロピレン共重合体−［ＣＦ２ＣＦ、
］　−−［ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ、）］　＋ｎ）からなる第
一保護層、２２は、Ｔｂ−Ｆｅ合金からなる記録層、２
１は膜厚５００人のグラファイト及びＦＥＰ　（テトラ
フルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体
−［ＣＦ−ＣＦｓ　］　　　−［ＣＦｚ　ＣＦ　（ＣＦ
、）］−ｎ）からなる第二の保護層である。かかる構成
においても第２図の構成と同様、記録、読みだし用の光
ビームの照射を基板を介して行う。

この場合は、第一の保護膜の厚さを１００Å以下にする
ことで、入射光ビームのほとんどを第一の保護層を透過
させ、記録層に至らしむことが可能である。

しかるに、本発明における保護層は、気体透過性を有す
るアクリル等の有機樹脂材料よりなる基板を用いた場合
にも有効で、基板を透過する大気中の酸素分子による酸
化を防止するための保護層としても使用できる。

尚、上記実施例には、記録層及び保護層中の希土類とし
てＴｂ、遷移金属としてＦｅ、また保護層中の希土類と
してＴｂ、遷移金属としてＦｅを用いた例のみを述べた
が、本発明は、Ｔｂ以外の希土類（例えばＧｄ、Ｄｙ、
Ｈｏ等）Ｆｅ以外の遷移金ＭＥ（例えばＣ０１Ｎｉ等）
の各組合せよりなる記録層を使用する際にも有効である
ことは、明らかである。

保護層の構成材料としてグラファイト及びグラファイト
及びＦＥＰ　（テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオ
ロプロピレン共重合体−［ＣＦ２ＣＦｇ　］　−−［Ｃ
Ｆｘ　ＣＦ　（ＣＦｓ　）　］　−−）を用いた例を示
したがグラファイト及びＦＥＰ　（テトラフルオロエチ
レン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体−［ＣＦＩ　
ＣＦａ　］　　　−［ＣＦｔ　ＣＦ　（ＣＦＩ　）］　
＋ｎ）以外の高分子を用いる事も可能である。

又、保護層中の安定化元素として炭素を用いたが、炭素
の代わりに窒素を用いた場合にも前記実施例と同様に、
耐腐食性向上の効果がみられた。

尚、スパッタ法の実施例と同じ（熱蒸着装置を用いて保
護層を形成する方法でも、同様の成果を得ることができ
た。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明は耐熱性、耐腐食性高分子物
質を保護膜材料とし、容易に耐熱性、耐腐食性に優れた
特性をもつ光磁気記録媒体の保護膜を生成することを可
能とした。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光磁気記録媒体の製造方法の一実施
例の構成図。 第２図は、本発明の光磁気記録媒体の一実施例の構成図
。 第３図は、本発明の光磁気記録媒体の他の一実施例の構
成図。 ｌ・・・密閉容器 ２・・・ターゲット ３・・・基板 ４・・・電源 ５・・・ガス導入系 ６・・・ガス導入系 ７・・・排気系 １１・・・保護層 １２・・・記録層 １３・・・基板 １４・・・レーザ光 ２１・・・第二の保護層 ２２・・・記録層 ２３・・・第一の保護層 ２４・・・基板 ２５・・・レーザ光 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）希土類及び遷移金属を含有する非晶質合金からなり
   、かつ基板面に垂直に磁化容易軸を有する記録層となる
   薄膜層と、保護層となる薄膜層とを、具備した光磁気記
   録媒体において、前記保護層が、真空成膜法により形成
   されたグラファイト及びＦＥＰ（テトラフルオロエチレ
   ン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体−［ＣＦ＿２Ｃ
   Ｆ＿２］−＿ｍ−［ＣＦ＿２ＣＦ（ＣＦ＿３）］−＿ｎ
   ）からなることを特徴とする光磁気記録媒体。 ２）前記真空成膜法が熱蒸着法であることを特徴とする
   請求項１記載の光磁気記録媒体。 ３）前記真空成膜法が、スパッタ法であることを特徴と
   する請求項１記載の光磁気記録媒体。 ４）希土類及び遷移金属を含有する非晶質合金からなり
   、かつ基板面に垂直に磁化容易軸を有する記録層となる
   薄膜層と、保護層となる薄膜層とを、具備した光記録媒
   体の製造方法において、前記保護層が、グラファイト及
   びＦＥＰ（テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプ
   ロピレン共重合体−［ＣＦ＿２ＣＦ＿２］−＿ｍ−［Ｃ
   Ｆ＿２ＣＦ（ＣＦ＿３）］−＿ｎ）を用いた真空成膜法
   により形成されることを特徴とする光記録媒体の製造方
   法。 ５）前記真空成膜法が、熱蒸着法であることを特徴とす
   る請求項４記載の光磁気記録媒体の製造方法。 ６）前記真空成膜法が、スパッタ法であることを特徴と
   する請求項４記載の光磁気記録媒体の製造方法。