JPH02282947A - 光磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は、情報の記録、読みだしを、レーザ光を介して
行う光磁気記録媒体の製造方法に係わり、特に光磁気記
録媒体の寿命の改善に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、希土類及びｉ！！移金属から成る光６ｎ気記
録層と、その保護層として、グラファイト及びポリイミ
ド混合の薄膜層、ＥＴＦＥ　（テトラフルオロエチレン
−エチレン共重合体−［ＣＦ、ＣＦ、］　−−［ＣＨ，
Ｃ）（、］　＋、、）薄膜層の二層溝８莫を有する光磁
気記録媒体と、その製造方法に関するものである。

前記保護層は、次の特徴ともっていること、また記録層
形成と相前後しで、この保護層を形成することが極めて
容易である。

■）熱膨張係数等の記録層に近い為に記録層との密着性
が優れている。

２）記録層と同等かそれ以上に緻密であり、気体をほと
んど通過しない。

３）それ自体安定な炭化物あるいは、炭素又は窒素との
混合物を形成し耐酸化性、耐候性、耐熱性、耐ンＢ性等
に優れた特性を有する。

〔従来の技術Ｊ 希土類及び、遷移金属からなる非晶質合金薄膜層は、光
磁気記録媒体として以下の優れた特徴を有しでいる。

■）非晶質故に粒界雑音が無い。

２）広い組成範囲で垂直ｍ気異方性を有する。

３）特に基板材料に限定されず、ガラス、シリコンウェ
ハーあるいは、アクリル等の有機材料といった安価な基
板を使う事ができる。

４）蒸着法、スパック法部簡便な製膜技術が適応でき、
量産性が高い。

しかしながら、大気中で容易に酸化され易（寿命の点か
ら信頼性に欠ける短所がある。

媒体の記録特性を損なう事なく、前記した短所を改善す
るためには、希土類遷移金属合金層の上に酸化防止を目
的とした保護層を被）するのが、効果的であると知られ
ている。

従来技術では、かかる保護層として蒸着法または、スパ
ッタ法で成形した硅素第一酸化物あるいは、硅素第二酸
化物、ないしスピナー法で成形した有機材料が用いられ
ている。

しかしながら、かかる従来技術においては保護層の材料
しいては、物性が、記録層と大幅に異なるために次の欠
点があった。

■）保護層の厚さを１μｍ以上にすると剥離し易い。

２）保護層が緻密さに欠落し、保護層の厚さが、１μｍ
程度では記録層の酸化を回避できない。

【発明が解決しようとする課題） 本発明は、前記した従来技術の問題点を解決する為にな
されたものであり、記録層と保護層とを具備する光Ｅｆ
１気記録媒体において、記録層との密着性が良好で、充
分な緻密性を有し、かつそれ自身耐酸化性、耐熱性に１
憂れた保護層を有する光ｍ気記録媒体とその媒体を簡便
に製造する方法を提供するものである。

［課題を解決するための手段１ 本発明の光磁気記録媒体とその製造方法は、１）希土類
及び遷移金属を含有する非晶質合金からなり、かつ基板
面に垂直に磁化容易軸を２有する記録層となる薄膜層と
、保護層となる薄膜層とを、具備した光磁気記録媒体に
おいて、前記保護層が、真空成膜法により形成されたグ
ラファイト及びポリイミド混合の薄膜層、ＥＴＦＥ　（
テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体−［ＣＦ２
ＣＦ、］　−−［ｃＨｔ　ＣＨ２］　＋ｎ）薄膜層の二
層薄膜からなることを特徴とする。

２）第１項記載の保護層において、熱蒸着法を使用し、
蒸発源としてグラファイト及びポリイミド混合物、ＥＴ
ＦＥ　（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体−
［ＣＦ２　ＣＦ２　］　−−［ＣＨ−ＣＨｘ　］−、、
）を用いて、各々二層の保護の薄膜層を形成する事を特
徴とする。

３）第１項記載の保護層において、スパッタ法を使用し
、ターゲットとしてグラファイト及びポリイミド混合物
、ＥＴＦＥ　（テトラフルオロエチレン−エチレン共重
合体−［ＣＦ、ＣＦ、］　−［ＣＨ，ＣＨｚ　］　＋ｌ
ｌ）を用いて、各々二層の保護の薄膜層を形成する事を
特徴とする特〔実　施　例］ 以下１本発明について実施例に基づいて詳細に説明する
。

第１（ａ）、第１図（ｂ）は、本発明の光磁気記録媒体
の製造装置である、一実施例の構成図である。

第１図（ａ）は、熱蒸着装置であり、１は真空槽、２は
ガラス基板、３はグラファイト及びポリイミドを含む蒸
着源、４は蒸着源を加熱するヒータ、５は排気系である
０以上の容器１内を１１１０−’Ｔｏｒｒ　（ないし１
．３＊ｌｏ−’Ｐａ）以下の高温真空中で、第一の薄膜
材料であるグラファイト及びポリイミドを加熱して、こ
の蒸発粒子を基板上に沈着させて保護層の第−層である
薄膜を形成する。

第１図（ｂ）は第１図（ａ）と同一の熱蒸着装置であり
、薄膜を形成するための蒸着源をグラファイト及びポリ
イミドから、ＥＴＦＥ　（テトラフルオロエチレン−エ
チレン共重合体−［ＣＦ、ＣＦ−］　　　−［ＣＨ−Ｃ
Ｈｚ　］　−、ｌ）に取り賛えたものである。ｌは真空
槽、２はガラス基板、６はポリイミドを含む蒸着源、４
は蒸着源を加熱するヒータ、５は排気系である１以上の
容器１内を１傘１０−’Ｔｏｒｒ　（ないし１３傘１０
−’Ｐａ）以下の高温真空中で、第二の薄膜材料である
ＥＴＦＥ　（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合
体−［ＣＦ、ＣＦ２］　−−［ＣＨ，ＣＨｚ　］　−ｎ
　）を加熱して、この蒸発粒子を基板上に沈着させて保
護層の第二層である薄膜を形成する。

保護層である二層の密着性は非常に良く、保護層が剥離
することもなく、−層構造の保護層よりも優れた耐酸素
透過性、耐熱性を有することが出来た。−層めのグラフ
ァイト及びポリイミドからなる保護層の上に、耐酸素透
過性、耐窒素透過性に（憂れたＥＴＦＥ　（テトラフル
オロエチレン−エチレン共重合体−［ＣＦ、ＣＦ、］　
−−［ＣＨ２ＣＨ２］−，）からなる第二の保護膜層を
形成することで、第−層めの保護膜の特性を守り、はぼ
完全に保護層の特性を生かすことが出来る。

また、前記の通り、その製造方法も簡潔である。

第２図は、上記した方法で製作した光磁気記録媒体の構
成図である。

１３はガラス基板、１２は膜厚１０００人のＴｂ−Ｆｅ
合金からなる記録層、１１は膜厚３００Å以下のグラフ
ァイト及びポリイミドからなる第一保護層、１０は膜厚
３００Å以下のＥＴＦＥ（テトラフルオロエチレン−エ
チレン共重合体−［ＣＦ、ＣＦ、］　−−［ＣＨ，ＣＨ
２］　＋、ｌ）からなる第二の保護層である。

かかる構成の光記録磁気媒体情報の記録、読みだし用の
レーザ光は基板を介して照射される。

第２図に示した光記録磁気媒体のヒステリシスループを
、振動試料型磁力計を用いて測定した。

測定を前記媒体作成直後及び温度４０℃、湿度９８％の
恒温恒湿槽中に１０時間放置した後で試みた結果１両者
で有意差は見られなかった。

比較の為に１０００人のＴｂ−Ｆｅ記録層を形成した単
層記録媒体（例−１とする）及び、例−１と同一の、Ｔ
ｂ−Ｆｅ１ｉ上にスパッタ法でシリコン酸化物膜を保護
層として被覆した二層の記録媒体（例−２とする）を制
作し前記実施例と同一の測定を行った。

その結果媒体作製直後の測定では、例−１１例−２共前
記実施例と同一のヒステリシスループを示したが、恒温
恒湿槽内（４０°Ｃ１９０％）に１０時間放置した後の
測定では、例−１の場合、飽和６ｎ化、保磁力共はとん
ど消失し、例−２の場合、飽和磁化は媒体作製直後の測
定値の約２／３、保磁力は同じ比較で約１／２に低下し
た。

この比較例からも明らかなように、本発明における保護
層を使用した光磁気記録媒体の寿命は、従来のものと比
べ格段に耐腐食性が向上していることがわかる。

第３図は、本発明による光磁気記録媒体の他の実施例で
ある。２４はアクリル基板、２３は膜厚１００Å以下の
、グラファイト及びポリイミド及び、ポリイミドからな
る第一の保護層、２２はＴｂ−Ｆｅ合金からなる記録層
、２１は膜厚３００Å以下のグラファイト及びポリイミ
ドからなる第二保護層のうちの第−層、２０は膜厚３０
０Å以下のＥＴＦＥ　（テトラフル才口エチレンーエチ
レン共重合体−［ＣＦ、ＣＦ２　］　−−［ＣＨ。

ＣＨ２］−、）からなる保護層のうちの第二層である。

かかる構成においても第２図の構成と同様、記録、読み
だし用のレーザ光の照射を基板を介して行う。

この場合は、第一の保護膜の厚さを１００Å以下にする
ことで、入射レーザ光のほとんどを第一の保護層を透過
させ、記録層に至らしむことか可能である。

しかるに、本発明における保護層は、気体透過性を有す
るアクリル等の有機樹脂材料よりなる基板を用いた場合
にも有効で、基板を透過する大気中の酸素分子による酸
化を防止するための保護層としても使用できる。

尚、上記実施例には、記録層及び保護層中の希土類とし
てＴｂ、遷移金属としてＦｅ、また保護層中の希土類と
してＴｂ、遷移金属としてＦｅを用いた例のみを述べた
が、本発明は、Ｔｂ以外の希土類（例えばＧｄ、Ｄｙ、
）ｉｏ等）Ｆｅ以外の遷移金属（例久ばＣＯ，Ｎｉ等）
の各組合せよりなる記録層を使用する際にも有効である
ことは、明らかである。

保護層の構成材料としてグラファイト及びポリイミド、
ＥＴＦＥ　（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合
体−［ＣＦ、ＣＦｚ　］　−−［ＣＨ２ＣＨＩ　］　＋
、、）を用いた例を示したがグラファイト及びポリイミ
ド、ＥＴＦＥ　（テトラフルオロエチレン−エチレン共
重合体−［ＣＦ２　ｃＦ−］　　　−［ＣＨｘ　ＣＨ２
］−７）以外の高分子を用いる事も可能である。

又、保護層中の安定化元素として炭素を用いたが、炭素
の代わりに窒素を用いた場合にも前記実施例と同様に、
耐腐食性向上の効果がみられた。

尚、熱蒸着装置の実施例と同じくスパッタ法を用いて保
護層を形成する方法でも、同様の成果を得ることができ
た。

〔発明の効果１ 以上述べたように、本発明は耐熱性、対腐食性高分子物
質を保護膜材料とし、容易に耐熱性、耐腐食性に優れた
特性をもつ光磁気記録媒体の保護膜を生成することを可
能にした。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は、本発明の光磁気記録媒体の製造方法の
一実施例の構成図。 第１図（ｂ）は、本発明の光磁気記録媒体の製造方法の
一実施例の構成図。 第２図は、本発明の光磁気記録媒体の一実施例の構成図
。 第３図は、本発明の光磁気記録媒体の他の一実施例の構
成図。 １２　・　・　・ １３　・　・　・ １４　・　・　・ ２０　・　・　・ ２１　・　・　・ ２２　・　・　・ ２３　・　　　・ ２４　・　・　・ ２５　・　・　・ 記録層 基板 レーザ光 第二保護膜層 第−保護膜層 記録層 保護層 基板 レーザ光 以上 ・・真空槽 ・・基板 ・・蒸発源 ・・　・ヒータ ・・・排気 ・・・蒸発源 ・・・第二保護層 ・・・第一保護層 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　鈴　木　喜三部（他１名）第 図（シ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）希土類及び遷移金属を含有する非晶質合金からなり
   、かつ基板面に垂直に磁化容易軸を有する記録層となる
   薄膜層と、保護層となる薄膜層とを、具備した光磁気記
   録媒体において、前記保護層が、真空成膜法により形成
   されたグラファイト及びポリイミド混合の薄膜層、ＥＴ
   ＦＥ（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体−［
   ＣＦ＿２ＣＦ＿２］−＿ｍ−［ＣＨ＿２ＣＨ＿２］−＿
   ｎ）薄膜層の二層薄膜からなることを特徴とする光磁気
   記録媒体。 ２）前記真空成膜法が熱蒸着法であることを特徴とする
   請求項１記載の光磁気記録媒体。 ３）前記真空成膜法が、スパッタ法であることを特徴と
   する請求項１記載の光磁気記録媒体。 ４）希土類及び遷移金属を含有する非晶質合金からなり
   、かつ基板面に垂直に磁化容易軸を有する記録層となる
   薄膜層と、保護層となる薄膜層とを、具備した光記録媒
   体の製造方法において、前記保護層が、グラファイト及
   びポリイミド混合の薄膜層、ＥＴＦＥ（テトラフルオロ
   エチレン−エチレン共重合体−［ＣＦ＿２ＣＦ＿２］−
   ＿ｍ−［ＣＨ＿２ＣＨ＿２］−＿ｎ）薄膜層の二層薄膜
   であり、真空成膜法により形成されることを特徴とする
   光記録媒体の製造方法。 ５）前記真空成膜法が、熱蒸着法であることを特徴とす
   る請求項４記載の光磁気記録媒体の製造方法。 ６）前記真空成膜法が、スパッタ法であることを特徴と
   する請求項４記載の光磁気記録媒体の製造方法。