JPH02281092A - 液晶混合物および液晶セル - Google Patents
液晶混合物および液晶セルInfo
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- JPH02281092A JPH02281092A JP2060873A JP6087390A JPH02281092A JP H02281092 A JPH02281092 A JP H02281092A JP 2060873 A JP2060873 A JP 2060873A JP 6087390 A JP6087390 A JP 6087390A JP H02281092 A JPH02281092 A JP H02281092A
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/52—Liquid crystal materials characterised by components which are not liquid crystals, e.g. additives with special physical aspect: solvents, solid particles
- C09K19/58—Dopants or charge transfer agents
-
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-
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- C09K19/584—Electrically active dopants, e.g. charge transfer agents having a condensed ring system; macrocyclic compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、液晶混合物、すなわち液晶セルを製造する
ために適している材料に関するものであり、またそのよ
うなセルに関するものである。
ために適している材料に関するものであり、またそのよ
うなセルに関するものである。
［従来の技術］
配向または二重屈折効果のみが液晶混合物の重要な特性
ではない。例えば液晶混合物はＤＳＭセルに対して導電
性でなければならない。−万態のセル、特に薄膜トラン
ジスタによって駆動されるセルに対してはできるだけ導
電性が低くなければならない。現在の場合には低導電性
の液晶混合物および液晶セルに特別の関心が払われてい
る。したがってそのようなセルのための液晶材料の選択
のみならず、セルのガラスから液晶混合物中に導電性を
促進するイオンが侵入することを阻止するための努力が
なされている。そのためナトリウムイオンは液晶層中へ
の拡散が阻止されなければならない。拡散プロセスはセ
ルプレート上に障壁層、特に５ｉｎｚ層を設けることに
よって阻止される。
ではない。例えば液晶混合物はＤＳＭセルに対して導電
性でなければならない。−万態のセル、特に薄膜トラン
ジスタによって駆動されるセルに対してはできるだけ導
電性が低くなければならない。現在の場合には低導電性
の液晶混合物および液晶セルに特別の関心が払われてい
る。したがってそのようなセルのための液晶材料の選択
のみならず、セルのガラスから液晶混合物中に導電性を
促進するイオンが侵入することを阻止するための努力が
なされている。そのためナトリウムイオンは液晶層中へ
の拡散が阻止されなければならない。拡散プロセスはセ
ルプレート上に障壁層、特に５ｉｎｚ層を設けることに
よって阻止される。
しかしながらこのような空乏層を設けることは特に液晶
混合物が低い導電性を持つことを要求されるようなセル
では十分なものではない。さらにナトリウムのないガラ
ス、特に硼珪酸ガラスが使用されなければならない。
混合物が低い導電性を持つことを要求されるようなセル
では十分なものではない。さらにナトリウムのないガラ
ス、特に硼珪酸ガラスが使用されなければならない。
［発明の解決すべき課題］
それ故、−船釣な問題としては、連続動作においてさえ
もできるだけ低い導電性を有するような特性の液晶混合
物および液晶セルを発見することが重要である。
もできるだけ低い導電性を有するような特性の液晶混合
物および液晶セルを発見することが重要である。
［課題解決のための手段］
この発明によれば、液晶混合物は金属イオン、特にナト
リウムイオンに対する錯化剤を添加されていることを特
徴とする。この発明による液晶セルはそのような錯化剤
を添加した液晶混合物を保持している。
リウムイオンに対する錯化剤を添加されていることを特
徴とする。この発明による液晶セルはそのような錯化剤
を添加した液晶混合物を保持している。
それ故、この発明によれば液晶層中の金属イオンの拡散
を阻止することによって低い導電性を維持しようとする
のではなく、層中に拡散した金属イオンが導電性を増加
させるのを阻止することによって低い導電性を維持しよ
うとするものである。
を阻止することによって低い導電性を維持しようとする
のではなく、層中に拡散した金属イオンが導電性を増加
させるのを阻止することによって低い導電性を維持しよ
うとするものである。
しかしながらこの発明の方法はまた拡散阻止を含む通常
の方法、例えばセルプレート上に空乏層を設ける方法と
共に使用されることもできる。
の方法、例えばセルプレート上に空乏層を設ける方法と
共に使用されることもできる。
セルプレートのガラスから液晶層に侵入することのでき
る金属イオンは１価の金属イオン、特にこの場合にはナ
トリウムイオンである。錯化剤としてはクリプタンド錯
体剤、特にバイサイクリックアミノポリエーテルが使用
される。
る金属イオンは１価の金属イオン、特にこの場合にはナ
トリウムイオンである。錯化剤としてはクリプタンド錯
体剤、特にバイサイクリックアミノポリエーテルが使用
される。
［実施例］
以下の図面によって説明する。ここに示された実施例に
おいては、金属イオンに対する錯化剤はまず通常の液晶
に添加される。それから液晶混合物は液晶セル中に導入
される。
おいては、金属イオンに対する錯化剤はまず通常の液晶
に添加される。それから液晶混合物は液晶セル中に導入
される。
液晶混合物が液晶セル中に導入されると、セルのガラス
から金属イオンがその中に拡散する。この拡散プロセス
はもしもセルのガラスが保護層、例えば５ｉ０２層で覆
われていれば遅いが、そのように層が設けられていない
ければずっと迅速である。拡散した金属イオンは錯体と
なり、最終的に錯体金属イオンを存する液晶が得られる
。
から金属イオンがその中に拡散する。この拡散プロセス
はもしもセルのガラスが保護層、例えば５ｉ０２層で覆
われていれば遅いが、そのように層が設けられていない
ければずっと迅速である。拡散した金属イオンは錯体と
なり、最終的に錯体金属イオンを存する液晶が得られる
。
全ての物理化学反応と同様に錯体反応は完了したプロセ
スではない。錯体と錯体でない金属イオン間の平衡が生
じる。液晶混合物に対する錯化剤の添加量が多いほど錯
体となる金属イオンの数は多くなる。それ故できるだけ
多くの錯化剤を添加することが好ましいが、液晶混合物
の所望のスイッチング特性が損なわれるように多量であ
ってはならない。
スではない。錯体と錯体でない金属イオン間の平衡が生
じる。液晶混合物に対する錯化剤の添加量が多いほど錯
体となる金属イオンの数は多くなる。それ故できるだけ
多くの錯化剤を添加することが好ましいが、液晶混合物
の所望のスイッチング特性が損なわれるように多量であ
ってはならない。
液晶混合物に対する錯化剤の添加は、液晶混合物の導電
性が好ましくないような全ての応用に対して有効である
。低い導電性はＤＳＭセルを除く全ての種類のセルの液
晶混合物で所望されていることである。非常に低い導電
性は薄膜トランジスタによって駆動されるセルでは絶対
に必要である。
性が好ましくないような全ての応用に対して有効である
。低い導電性はＤＳＭセルを除く全ての種類のセルの液
晶混合物で所望されていることである。非常に低い導電
性は薄膜トランジスタによって駆動されるセルでは絶対
に必要である。
これは導電性の液晶材料は２つの駆動プロセス中のトラ
ンジスタの放電を著しく加速するためである。そのよう
な目的に使用される液晶混合物は例えばメルク社のＴＦ
Ｔ混合物Ｚ Ｌ ｌ−３０３３またはＺ Ｌ ｌ−３２
７０である。しかしながら、これらの材料は多数の異な
る形式のセルに利用される市販の数百の液晶混合物のほ
んの１例に過ぎない。薄膜トランジスタを有するセルに
適用されることは他の電子スイッチおよびメモリ、例え
ばＭＩＭを備えたセルにも等しく適用できる。
ンジスタの放電を著しく加速するためである。そのよう
な目的に使用される液晶混合物は例えばメルク社のＴＦ
Ｔ混合物Ｚ Ｌ ｌ−３０３３またはＺ Ｌ ｌ−３２
７０である。しかしながら、これらの材料は多数の異な
る形式のセルに利用される市販の数百の液晶混合物のほ
んの１例に過ぎない。薄膜トランジスタを有するセルに
適用されることは他の電子スイッチおよびメモリ、例え
ばＭＩＭを備えたセルにも等しく適用できる。
全ての液晶混合物は非常に良好な溶媒であり、それは１
価の陽イオンに対する全ての形式の既知の錯化剤が使用
されることができることを意味している。以下のものは
特に適当なものである。
価の陽イオンに対する全ての形式の既知の錯化剤が使用
されることができることを意味している。以下のものは
特に適当なものである。
キレート剤（例えばクラウンエーテル）およびクリプタ
ンド錯体、特にアミノポリエーテル、特にアミノポリエ
ーテル２２１ （４，７，−１３，１６，２１−ペン
タオクサーｉ、ｉｏ−デアザバイサイクロ−［８，８，
５］−トリコサン）。添加されるそれらのクリプタンド
錯体の量は例えば液晶混合物の重量に対して１〜２％で
ある。
ンド錯体、特にアミノポリエーテル、特にアミノポリエ
ーテル２２１ （４，７，−１３，１６，２１−ペン
タオクサーｉ、ｉｏ−デアザバイサイクロ−［８，８，
５］−トリコサン）。添加されるそれらのクリプタンド
錯体の量は例えば液晶混合物の重量に対して１〜２％で
ある。
しかしながら、錯化剤の使用は液晶混合物の低い導電性
を維持するためだけではなく、またセル中に存在する自
由に移動する１価陽イオン、特にナトリウムイオンの量
を低くするために好ましい。
を維持するためだけではなく、またセル中に存在する自
由に移動する１価陽イオン、特にナトリウムイオンの量
を低くするために好ましい。
例えばポリフェニレンの配向層はナトリウムイオンによ
って損傷を受ける。これらのナトリウムイオンはまずガ
ラスからポリフェニレン層中に侵入し、それは次の液晶
層にある錯化剤がある程度の量の損傷の発生を阻止する
ことができないことを意味する。それにも拘らず、全ポ
リフェニレン層を通って拡散するナトリウムイオンの一
部を錯化することによって従前の損傷レベルと比較して
損傷量を減少させる。
って損傷を受ける。これらのナトリウムイオンはまずガ
ラスからポリフェニレン層中に侵入し、それは次の液晶
層にある錯化剤がある程度の量の損傷の発生を阻止する
ことができないことを意味する。それにも拘らず、全ポ
リフェニレン層を通って拡散するナトリウムイオンの一
部を錯化することによって従前の損傷レベルと比較して
損傷量を減少させる。
錯化剤を添加した液晶混合物を液晶セルで使用すること
は高価なガラスを使用しない利点があり、それは非常に
低い導電性が要求され、セルが長時間連続的に動作され
る場合であっても、特別なガラスまたは拡散阻止層を備
えたセルプレートがもはや使用される必要がないことを
意味する。
は高価なガラスを使用しない利点があり、それは非常に
低い導電性が要求され、セルが長時間連続的に動作され
る場合であっても、特別なガラスまたは拡散阻止層を備
えたセルプレートがもはや使用される必要がないことを
意味する。
以上この発明の特定の実施例について詳細に説明したが
当業者にはこの発明の技術的範囲を逸脱することなく多
くの変形変更が可能であることは明白であろう。したが
って、この発明の技術的範囲は特許請求の範囲の記載に
よってのみ限定されるべきものであることを理解すべき
である。
当業者にはこの発明の技術的範囲を逸脱することなく多
くの変形変更が可能であることは明白であろう。したが
って、この発明の技術的範囲は特許請求の範囲の記載に
よってのみ限定されるべきものであることを理解すべき
である。
図はこの発明の液晶混合物を製造する１実施例の工程図
である。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
である。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (7)
- （１）金属イオンに対する錯化剤を添加したことを特徴
とする液晶混合物。 - （２）ナトリウムイオンに対する錯化剤を添加したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶混合物。 - （３）錯化剤がクリプタンド錯体剤であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の液晶混合物。 - （４）錯化剤の添加量が可能な限り大きいが、それから
得られる液晶混合物の所望のスイッチング特性を阻害す
るほどには大きくないことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の液晶混合物。 - （５）特許請求の範囲第１項記載の液晶混合物を内部に
保持することを特徴とする液晶セル。 - （６）電子スイッチおよびメモリを具備することを特徴
とする特許請求の範囲第５項記載の液晶セル。 - （７）ポリフェニレンより形成された配向層を具備する
ことを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の液晶セル
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19893908580 DE3908580A1 (de) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | Fluessigkristallmischung und fluessigkristallzelle |
| DE3908580.5 | 1989-03-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02281092A true JPH02281092A (ja) | 1990-11-16 |
Family
ID=6376468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2060873A Pending JPH02281092A (ja) | 1989-03-16 | 1990-03-12 | 液晶混合物および液晶セル |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0387561A3 (ja) |
| JP (1) | JPH02281092A (ja) |
| DE (1) | DE3908580A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03180815A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-08-06 | Hoechst Ag | 液晶ディスプレイ |
| JPH04227685A (ja) * | 1989-12-01 | 1992-08-17 | Hoechst Ag | 強誘電性液晶混合物 |
| JP2009249619A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-10-29 | Dic Corp | 強誘電性液晶組成物、及びそれを用いた表示素子 |
| JP2009270085A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-19 | Dic Corp | 強誘電性液晶組成物、及びそれを用いた表示素子 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5702639A (en) * | 1989-12-01 | 1997-12-30 | Hoechst Aktiengesellschaft | Use of complex ligands for ions in ferroelectric liquid-crystal mixtures |
| DE59008550D1 (de) * | 1989-12-01 | 1995-03-30 | Hoechst Ag | Verwendung von komplexliganden für ionen in ferroelektrischen flüssigkristallmischungen. |
| DE4011805A1 (de) * | 1990-04-12 | 1991-10-17 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung einer schockstabilen fluessigkristall-schalt- und -anzeigevorrichtung |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3656834A (en) * | 1970-12-09 | 1972-04-18 | Ibm | Additive for liquid crystal material |
| US3814700A (en) * | 1972-08-03 | 1974-06-04 | Ibm | Method for controllably varying the electrical properties of nematic liquids and dopants therefor |
| JPS5841491B2 (ja) * | 1976-04-07 | 1983-09-12 | 株式会社東芝 | 液晶素子 |
| JPS54106084A (en) * | 1978-02-08 | 1979-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | Liquid crystal composition |
| JPS59213406A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-12-03 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 有機高分子膜 |
| JPS60802A (ja) * | 1983-06-16 | 1985-01-05 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 有機高分子膜 |
| JPS61263964A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Terumo Corp | 新規クラウン（チオ）エ−テルおよびその製造方法 |
| JPS62261951A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-14 | Terumo Corp | 選択的イオン透過性組成物 |
| JPS63163426A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-06 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
| GB8716469D0 (en) * | 1987-07-13 | 1987-08-19 | Ici Plc | Liquid crystal devices |
| JP2636035B2 (ja) * | 1989-02-27 | 1997-07-30 | 松下電器産業株式会社 | 強誘電性液晶組成物および強誘電性液晶表示装置 |
-
1989
- 1989-03-16 DE DE19893908580 patent/DE3908580A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-02-22 EP EP19900103430 patent/EP0387561A3/de not_active Withdrawn
- 1990-03-12 JP JP2060873A patent/JPH02281092A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2009249619A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-10-29 | Dic Corp | 強誘電性液晶組成物、及びそれを用いた表示素子 |
| JP2009270085A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-19 | Dic Corp | 強誘電性液晶組成物、及びそれを用いた表示素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0387561A2 (de) | 1990-09-19 |
| EP0387561A3 (de) | 1992-01-08 |
| DE3908580A1 (de) | 1990-09-20 |
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