JPH02280370A - 電圧降下の小さい極性反転保護手段を有するブリッジ回路 - Google Patents
電圧降下の小さい極性反転保護手段を有するブリッジ回路Info
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- JPH02280370A JPH02280370A JP2069532A JP6953290A JPH02280370A JP H02280370 A JPH02280370 A JP H02280370A JP 2069532 A JP2069532 A JP 2069532A JP 6953290 A JP6953290 A JP 6953290A JP H02280370 A JPH02280370 A JP H02280370A
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000004781 Polar Guard Substances 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H11/00—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result
- H02H11/002—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
- H02P7/00—Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
- H02P7/00—Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors
- H02P7/03—Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for controlling the direction of rotation of DC motors
- H02P7/04—Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for controlling the direction of rotation of DC motors by means of a H-bridge circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
- H02H9/045—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage adapted to a particular application and not provided for elsewhere
- H02H9/047—Free-wheeling circuits
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、外部負荷特に電気モータをＤＣ駆動するため
のＮＰＮパワートランジスタを使用しかつサプライ極性
の偶発的な反転に対する保護手段を有する集積回路に関
する。
のＮＰＮパワートランジスタを使用しかつサプライ極性
の偶発的な反転に対する保護手段を有する集積回路に関
する。
（従来技術とその問題点）
集積されたパワースイッチによりモータを双方向ＤＣ駆
動するための接合分離技術を使用してモノリチフクに集
積された全ブリッジ又は半ブリツジ出力駆動段が知られ
かつ広く使用されている。
動するための接合分離技術を使用してモノリチフクに集
積された全ブリッジ又は半ブリツジ出力駆動段が知られ
かつ広く使用されている。
これらの集積されたパワー段ではＮ型トランジスタ（バ
イポーラＮＰＮ又はＮ−チャンネルＭＯＳトランジスタ
）がＰ型トランジスタより温かに効果的である。実際に
高レベル電流用のブリッジ又は半ブリツジ回路はＮ型の
パワースイッチングトランジスタのときのみに集積形態
で経済的に実現することができる。
イポーラＮＰＮ又はＮ−チャンネルＭＯＳトランジスタ
）がＰ型トランジスタより温かに効果的である。実際に
高レベル電流用のブリッジ又は半ブリツジ回路はＮ型の
パワースイッチングトランジスタのときのみに集積形態
で経済的に実現することができる。
この種の典型的な集積ブリッジ回路が第１図に示されて
いる。それぞれ２個（ハイサイド）のＮＰＮパワートラ
ンジスタＴＮＩ及びＴＮ２によりサプライの正極がスイ
ッチされると、２個の出力ターミナル１及び２で、駆動
されるモータが該ターミナルを通して接続される。該ブ
リッジ回路は２個の（ローサイド）パワートランジスタ
ＴＮ３及びＴＮ４により完成され、該トランジスタは駆
動されて出力ターミナル１及び２をそれぞれ負のサプラ
イ極（グラウンド）に接続する。前記２個のハイサイド
スイッチＴＮＩ及びＴＮ２を、そのベースにそれぞれの
駆動シグナルが供給される２個の駆動ＰＮＰ トランジ
スタＴＰ５及びＴＰ６によりそれぞれ駆動することも一
般的な技術である。
いる。それぞれ２個（ハイサイド）のＮＰＮパワートラ
ンジスタＴＮＩ及びＴＮ２によりサプライの正極がスイ
ッチされると、２個の出力ターミナル１及び２で、駆動
されるモータが該ターミナルを通して接続される。該ブ
リッジ回路は２個の（ローサイド）パワートランジスタ
ＴＮ３及びＴＮ４により完成され、該トランジスタは駆
動されて出力ターミナル１及び２をそれぞれ負のサプラ
イ極（グラウンド）に接続する。前記２個のハイサイド
スイッチＴＮＩ及びＴＮ２を、そのベースにそれぞれの
駆動シグナルが供給される２個の駆動ＰＮＰ トランジ
スタＴＰ５及びＴＰ６によりそれぞれ駆動することも一
般的な技術である。
Ｎ型コレクタＣと、集積回路のグラウンドに接続された
Ｐ型基板Ｓ間のバラスチックなダイオード（第１図の回
路ダイアグラム中のそれぞれＤｌ及びＤ２）の存在は、
第３図に示したようなＮＰＮトランジスタの接合型分離
を使用する集積構造に固有のものである。第３図のＮＰ
Ｎ トランジスタの集積構造の断面斜視図では、このバ
ラスチックなダイオードＤＩ （Ｄ２）が対応する符
号により概略的に示されている。この断面図のハンチン
グの部分はＰ型領域を示し、一方ハッチングのない部分
はＮ型領域を示している。
Ｐ型基板Ｓ間のバラスチックなダイオード（第１図の回
路ダイアグラム中のそれぞれＤｌ及びＤ２）の存在は、
第３図に示したようなＮＰＮトランジスタの接合型分離
を使用する集積構造に固有のものである。第３図のＮＰ
Ｎ トランジスタの集積構造の断面斜視図では、このバ
ラスチックなダイオードＤＩ （Ｄ２）が対応する符
号により概略的に示されている。この断面図のハンチン
グの部分はＰ型領域を示し、一方ハッチングのない部分
はＮ型領域を示している。
サプライ極性が偶発的に反転すると、集積ＮＰＮトラン
ジスタＴＮＩ及びＴＮ２のこれらのバラスチックなダイ
オードＤ１及びＤ２が直接バイアスし、これらのダイオ
ードを通る電流が破壊的なレベルに達する。
ジスタＴＮＩ及びＴＮ２のこれらのバラスチックなダイ
オードＤ１及びＤ２が直接バイアスし、これらのダイオ
ードを通る電流が破壊的なレベルに達する。
この問題を解決するために、第２図に示したような回路
を使用することが従来から知られ、ここでは逆極性でサ
プライが偶発的に加えられたときに逆バイアスのままに
維持されて電流の流れを防止する極性ガードダイオード
Ｄ３が使用されている。
を使用することが従来から知られ、ここでは逆極性でサ
プライが偶発的に加えられたときに逆バイアスのままに
維持されて電流の流れを防止する極性ガードダイオード
Ｄ３が使用されている。
この既知の解決法にも欠点がある。実際に第１図の回路
を見ると、負荷駆動ブリッジ回路の全電圧降下（ブリッ
ジの第１の対角）は次の式で与えられる。
を見ると、負荷駆動ブリッジ回路の全電圧降下（ブリッ
ジの第１の対角）は次の式で与えられる。
ＶＣＥｓａｔ（ＴＰ５） ＋ ＶＢＥ（ＴＮＩ） ＋
ＶＣＥｓａｔ（ＴＮ４）又第２の対角については、 ＶＣＥｓＡｔ（ＴＰ６） ＋ ＶＢＥ（ＴＮ２）
＋ ＶＣＥｉＡ４（ＴＮ３）−力筒２図のガードダ
イオードが装着された回路の場合には回路の全電圧降下
は同様に次の式で与えられる（第１の対角）。
ＶＣＥｓａｔ（ＴＮ４）又第２の対角については、 ＶＣＥｓＡｔ（ＴＰ６） ＋ ＶＢＥ（ＴＮ２）
＋ ＶＣＥｉＡ４（ＴＮ３）−力筒２図のガードダ
イオードが装着された回路の場合には回路の全電圧降下
は同様に次の式で与えられる（第１の対角）。
ＶＦ（Ｄ３） ＋ ＶＣＥｓＡｙ （ＴＰ５） ＋ Ｖ
ＢＥ（ＴＮＩ） ＋ ＶＣＥｓａｖ（ＴＮ４）又第２の
対角については、 ＶＦ（０３） ＋ ＶＣＥＳＡＴ （ＴＰ６）
十 ＶＢＥ（ＴＮ２） ＋ ＶＣＥ３Ａ？（ＴＮ
３）サプライの極性反転に対する保護のためのダイオー
ドＤ３の使用は、通常の動作条件で約６００ｍＶと１．
２Ｖの間である付加的な電圧降下ＶＦ（Ｄ３）を導入し
て回路の電気的な効率を低下させることは明白である。
ＢＥ（ＴＮＩ） ＋ ＶＣＥｓａｖ（ＴＮ４）又第２の
対角については、 ＶＦ（０３） ＋ ＶＣＥＳＡＴ （ＴＰ６）
十 ＶＢＥ（ＴＮ２） ＋ ＶＣＥ３Ａ？（ＴＮ
３）サプライの極性反転に対する保護のためのダイオー
ドＤ３の使用は、通常の動作条件で約６００ｍＶと１．
２Ｖの間である付加的な電圧降下ＶＦ（Ｄ３）を導入し
て回路の電気的な効率を低下させることは明白である。
（発明の目的と構成）
本発明によると、極性ガードダイオードにより与えられ
る保護を完全に保持したままサプライの極性反転に対す
る保護のための前記ガードダイオードを横切る付加的な
電圧降下を減少させて殆ど零にすることを可能にする。
る保護を完全に保持したままサプライの極性反転に対す
る保護のための前記ガードダイオードを横切る付加的な
電圧降下を減少させて殆ど零にすることを可能にする。
この目的は、２個のハイサイド出力パワースイッチ（Ｎ
ＰＮトランジスタ）を駆動させるために使用される２個
のＰＮＰ トランジスタのエミッタを共通に接続しかつ
パワーサプライレールに直接接続することにより達成さ
れる。
ＰＮトランジスタ）を駆動させるために使用される２個
のＰＮＰ トランジスタのエミッタを共通に接続しかつ
パワーサプライレールに直接接続することにより達成さ
れる。
本発明の回路の特徴と利点は、純粋に例示的にであり限
定することを意図しない添付図面に示された好ましい態
様の引き続く詳細な説明を通して明らかになるであろう
。
定することを意図しない添付図面に示された好ましい態
様の引き続く詳細な説明を通して明らかになるであろう
。
（図面の簡単な説明）
第１図は、接合型分離技術を利用してモノリチックに集
積されたＮ型スイッチを使用する従来技術のブリッジ回
路を示す。
積されたＮ型スイッチを使用する従来技術のブリッジ回
路を示す。
第２図は、既知の技術に従って、極性ガードダイオード
が装着された第１図と同じブリッジ回路を示す。
が装着された第１図と同じブリッジ回路を示す。
第３図は、ＮＰＮトランジスタの接合分離された集積構
造の概略的な断面斜視図である。
造の概略的な断面斜視図である。
第４図は、ＰＮＰ トランジスタの接合分離された集積
構造の概略的な断面斜視図である。
構造の概略的な断面斜視図である。
第５図は、本発明に従って修正された出力ブリッジ回路
である。
である。
第６図は、本発明の回路の異なった態様を示す。
（好ましい態様の説明）
第３図に示したＮＰＮ集積構造について前述したことに
関連して第４図を見ることにより容易に理解できるよう
に、Ｎ型構造とは逆に、図示の回路のＰＮＰ トランジ
スタＴＰ５及びＴＰ６のようなＰ型トランジスタの集積
構造は、エミッタ領域ＥがＮ型領域（両者ともＮ型領域
である埋設層とペースエピタキシャル領域Ｂにより構成
される）によりＰ型基板Ｓから分離されているＰ型領域
であるため、サプライの極性反転に対して本来的に保護
されている。従って、サプライレールを通して直接接続
されていても、サプライ電圧の極性にかかわらず電流の
通過を妨害する互いに逆の極性を有する直列接続された
ダイオードがある（適切な符号により断面上に概略的に
示されている）。
関連して第４図を見ることにより容易に理解できるよう
に、Ｎ型構造とは逆に、図示の回路のＰＮＰ トランジ
スタＴＰ５及びＴＰ６のようなＰ型トランジスタの集積
構造は、エミッタ領域ＥがＮ型領域（両者ともＮ型領域
である埋設層とペースエピタキシャル領域Ｂにより構成
される）によりＰ型基板Ｓから分離されているＰ型領域
であるため、サプライの極性反転に対して本来的に保護
されている。従って、サプライレールを通して直接接続
されていても、サプライ電圧の極性にかかわらず電流の
通過を妨害する互いに逆の極性を有する直列接続された
ダイオードがある（適切な符号により断面上に概略的に
示されている）。
ブリッジ回路を第５図に示すようにすることにより、つ
まり集積されたＮＰＮパワースイッチＴＮ１及びＴＮ２
を駆動する２個のＰＮＰ トランジスタＴＰ５及びＴＰ
６のエミッタを直接正のサプライレールに接続すること
により、極性ガードダイオードＤ３を横切る付加的な電
圧降下を実質的に零にすることが可能であることが理解
される。
まり集積されたＮＰＮパワースイッチＴＮ１及びＴＮ２
を駆動する２個のＰＮＰ トランジスタＴＰ５及びＴＰ
６のエミッタを直接正のサプライレールに接続すること
により、極性ガードダイオードＤ３を横切る付加的な電
圧降下を実質的に零にすることが可能であることが理解
される。
実際に第５図のブリッジ回路の全電圧降下は、次の１対
の式の大きい方の式により与えられる（第１の対角）。
の式の大きい方の式により与えられる（第１の対角）。
ＶＣＥｓａｔ（ＴＰ６） ＋ ＶＢＥ（ＴＮ２） ＋
ＶＣＥｓａｔ（ＴＮ３）又他の対角については、 ＶＣＥｓａｙ（ＴＰ６）＋ ＶＢＥ（ＴＮ２）＋
ＶＣＥＳＡＴ（ＴＮ３）及び第１の対角について、 Ｖ Ｆ（０３） ＋ ＶＣＥｓａｔ （ＴＮＩ） ＋
ＶＣＥｓａｔ（ＴＮ４）又他の対角については、 Ｖ Ｆ（０３） ＋ ＶＣＥｓａｔ （ＴＮ２）＋νＣ
ＥｓＡｔ（ＴＮ３）サプライの極性の偶発的な反転に対
する保護はガードダイオードＤ３により確保され、一方
駆動ブリッジガードを横切る電圧降下は保護ダイオード
Ｄ３のない第１図のブリッジ回路の電圧降下と実質的に
類似した値のままとなる。
ＶＣＥｓａｔ（ＴＮ３）又他の対角については、 ＶＣＥｓａｙ（ＴＰ６）＋ ＶＢＥ（ＴＮ２）＋
ＶＣＥＳＡＴ（ＴＮ３）及び第１の対角について、 Ｖ Ｆ（０３） ＋ ＶＣＥｓａｔ （ＴＮＩ） ＋
ＶＣＥｓａｔ（ＴＮ４）又他の対角については、 Ｖ Ｆ（０３） ＋ ＶＣＥｓａｔ （ＴＮ２）＋νＣ
ＥｓＡｔ（ＴＮ３）サプライの極性の偶発的な反転に対
する保護はガードダイオードＤ３により確保され、一方
駆動ブリッジガードを横切る電圧降下は保護ダイオード
Ｄ３のない第１図のブリッジ回路の電圧降下と実質的に
類似した値のままとなる。
前記ブリッジ回路を構成する集積デバイスの構造のデイ
メンジョンを適切にすることにより、次の式の条件を容
易に確保することができる。
メンジョンを適切にすることにより、次の式の条件を容
易に確保することができる。
ｖｒ（Ｄ３） 〜νＢＥ（ＴＮＩ） 〜ＶＢＥ（ＴＮ２
）（この値は０．６から１．２■として示される）及び
ＶＣＥｓａｙ（ＴＰ５及びＴＰ６） 〜ＶＣＥｓａｔ（
ＴＮＩ及びＴＮ２）（この値は約０．３から１．Ｏｖと
して示される）。
）（この値は０．６から１．２■として示される）及び
ＶＣＥｓａｙ（ＴＰ５及びＴＰ６） 〜ＶＣＥｓａｔ（
ＴＮＩ及びＴＮ２）（この値は約０．３から１．Ｏｖと
して示される）。
本発明により提案される簡単な解決法は、当業者には明
らかであるように、次のような異なった型の集積デバイ
スに適用することができる。
らかであるように、次のような異なった型の集積デバイ
スに適用することができる。
ａ）駆動回路に加えて、バイポーラＮＰＮパワートラン
ジスタＴＮＩ、ＴＮ２、ＴＮ３及びＴＮ４及び２個の駆
動ＰＮＰ トランジスタＴＰ５及びＴＰ６を含んで成る
モノリチソクに集積された全ブリッジ回路。
ジスタＴＮＩ、ＴＮ２、ＴＮ３及びＴＮ４及び２個の駆
動ＰＮＰ トランジスタＴＰ５及びＴＰ６を含んで成る
モノリチソクに集積された全ブリッジ回路。
ｂ）それぞれがトランジスタＴＮＩ、ＴＮ３及びＴＰ５
及びトランジスタＴＮ２、ＴＮ４及びＴＰ６を含んで成
る２個のモノリチックに集積された半ブリッジ回路。
及びトランジスタＴＮ２、ＴＮ４及びＴＰ６を含んで成
る２個のモノリチックに集積された半ブリッジ回路。
Ｃ）パワーＮＰＮ トランジスタＴＮＩ及びＴＮ２及び
対応する駆動ＰＮＰ トランジスタＴＰ５及びＴＰ６を
含んで成る正のサプライレールに向かうダブルスインチ
。この回路はモノリチ７り又は個別のいずれかの形態の
既知の回路とカンプリングでき、これはバイポーラトラ
ンジスタ又はＭＯＳトランジスタ又はＳＣＲ又は他の等
価のパワーデバイスのいずれかを利用するグラウンドに
向かうスイッチＴＮ３及びＴＮ４を使用する。
対応する駆動ＰＮＰ トランジスタＴＰ５及びＴＰ６を
含んで成る正のサプライレールに向かうダブルスインチ
。この回路はモノリチ７り又は個別のいずれかの形態の
既知の回路とカンプリングでき、これはバイポーラトラ
ンジスタ又はＭＯＳトランジスタ又はＳＣＲ又は他の等
価のパワーデバイスのいずれかを利用するグラウンドに
向かうスイッチＴＮ３及びＴＮ４を使用する。
これらの集積された態様ａ）、ｂ）及びＣ）のそれぞれ
につき、サプライ極性反転に対するガードダイオードＤ
３は、該集積回路の特定の製造プロセスがそれを許容す
るならばそれ自身モノリチックに集積されることができ
、あるいは全体の設計の経済性がそれを勧めるならば個
別の素子とすることもできる。
につき、サプライ極性反転に対するガードダイオードＤ
３は、該集積回路の特定の製造プロセスがそれを許容す
るならばそれ自身モノリチックに集積されることができ
、あるいは全体の設計の経済性がそれを勧めるならば個
別の素子とすることもできる。
保護ダイオードＤ３は前記２個のパワートランジスタＴ
ＮＩ又はＴＮ２の一方のみと同じ電流を流し後者の電流
の２倍の電流を流すことがないことは注目されるべきで
ある。これは集積スイッチＴＮＩ及びＴＮ２の同時通電
が駆動回路により排除されているからである。
ＮＩ又はＴＮ２の一方のみと同じ電流を流し後者の電流
の２倍の電流を流すことがないことは注目されるべきで
ある。これは集積スイッチＴＮＩ及びＴＮ２の同時通電
が駆動回路により排除されているからである。
高レベルスパイクや「ダンプ」電圧条件がサプライ上に
生じ易い自動車の装置や同様の環境で使用される集積デ
バイス用として特に好ましい本発明の代替の態様が第６
図に示されている。
生じ易い自動車の装置や同様の環境で使用される集積デ
バイス用として特に好ましい本発明の代替の態様が第６
図に示されている。
第６図に示すように、ダイオードＤ３を等価の第１のツ
ェナーダイオードＤＺ３と置換しかつ第２のツェナーダ
イオードＺＰをグラウンドレールとツェナーダイオード
ＤＺ３のカソード間に接続することにより、トランジス
タＴＰ５及びＴＰ６はサプライ上の負及び正の電圧スパ
イクから効率的に保護される。
ェナーダイオードＤＺ３と置換しかつ第２のツェナーダ
イオードＺＰをグラウンドレールとツェナーダイオード
ＤＺ３のカソード間に接続することにより、トランジス
タＴＰ５及びＴＰ６はサプライ上の負及び正の電圧スパ
イクから効率的に保護される。
通常の動作条件では順方向にバイアスされたツェナーダ
イオードＤＺ３は通常のダイオード（第５図のＤ３）と
等価である。サプライ上に負のスパイクが存在する場合
には、電流はＺＰ、ＴＮＩ及びＴＮ２を順方向に流れ、
かつ逆バイアスされたツェナーダイオードＤＺ３を流れ
、トランジスタＴＰ５及びＴＰ６を横切る電圧をツェナ
ーブレークダウン電圧に制限する。正の電圧スパイクの
場合には、電流はＤＺ３を順通電条件で流れかつツェナ
ーダイオードｚＰを流れ、電圧を、ツェナーブレークダ
ウン電圧又はツェナーブレークダウン電圧にツェナーダ
イオードＤＺ３を横切る順方向の電圧降下を加えた値に
制限する。
イオードＤＺ３は通常のダイオード（第５図のＤ３）と
等価である。サプライ上に負のスパイクが存在する場合
には、電流はＺＰ、ＴＮＩ及びＴＮ２を順方向に流れ、
かつ逆バイアスされたツェナーダイオードＤＺ３を流れ
、トランジスタＴＰ５及びＴＰ６を横切る電圧をツェナ
ーブレークダウン電圧に制限する。正の電圧スパイクの
場合には、電流はＤＺ３を順通電条件で流れかつツェナ
ーダイオードｚＰを流れ、電圧を、ツェナーブレークダ
ウン電圧又はツェナーブレークダウン電圧にツェナーダ
イオードＤＺ３を横切る順方向の電圧降下を加えた値に
制限する。
第１図は、接合型分離技術を利用してモノリチックに集
積されたＮ型スイッチを使用する従来技術のブリッジ回
路を示し、第２図は、既知の技術に従って、極性ガード
ダイオードが装着された第１図と同じブリッジ回路を示
し、第３図は、ＮＰＮトランジスタの接合分離された集
積構造の概略的や断面斜視図であり、第４図は、ＰＮＰ
トランジスタの接合分離された集積構造の概略的や断
面斜視図であり、第５図は、本発明に従って修正された
出力ブリッジ回路であり、第６図は、本発明の回路の異
なった態様である。
積されたＮ型スイッチを使用する従来技術のブリッジ回
路を示し、第２図は、既知の技術に従って、極性ガード
ダイオードが装着された第１図と同じブリッジ回路を示
し、第３図は、ＮＰＮトランジスタの接合分離された集
積構造の概略的や断面斜視図であり、第４図は、ＰＮＰ
トランジスタの接合分離された集積構造の概略的や断
面斜視図であり、第５図は、本発明に従って修正された
出力ブリッジ回路であり、第６図は、本発明の回路の異
なった態様である。
Claims (3)
- （１）第１の出力ピンに接続されたエミッタを有し該第
１の出力ピンを正のサプライレールにスイッチにより接
続できる第１のＮＰＮトランジスタ、第２の出力ピンに
接続されたエミッタを有し該第２の出力ピンを正のサプ
ライレールにスイッチにより接続できる第２のＮＰＮト
ランジスタ、前記第１のＮＰＮトランジスタのベースに
接続されたコレクタを有しかつその第１のＰＮＰトラン
ジスタのベースに供給される駆動シグナルの関数として
前記第１のＮＰＮトランジスタを駆動できる第１のＰＮ
Ｐトランジスタ、 前記第２のＮＰＮトランジスタのベースに接続されたコ
レクタを有しかつその第２のＰＮＰトランジスタのベー
スに供給される駆動シグナルの関数として前記第２のＮ
ＰＮトランジスタを駆動できる第２のＰＮＰトランジス
タ、 を有する集積デバイスを含んで成り、接合型分離技術に
よりモノリチックに集積された集積回路の前記２個の出
力ピンを介して接続された負荷を駆動するための集積さ
れたブリッジ回路であって、該ブリッジ回路が更に、前
記駆動シグナルにより駆動され前記２個の出力ピンと負
のサプライレール間に接続されたスイッチ手段、及び前
記第１及び第２の集積ＮＰＮトランジスタの共通接続さ
れたそれぞれのコレクタに接続されたカソードと正のサ
プライレールに接続されたアノードを有する偶発的なサ
プライ極性反転に対するガードダイオードを含んで成り
、 前記第１及び第２のＰＮＰトランジスタのそれぞれのエ
ミッタが、前記ブリッジ回路を横切る電圧降下を減少さ
せるために正のサプライレールに共通接続されているこ
とを特徴とする集積ブリッジ回路。 - （２）ガードダイオードが、ＮＰＮトランジスタのベー
ス−エミッタ電圧に実質的に等しいガードダイオードを
横切る電圧降下を生じさせる、ブリッジ回路の動作条件
下での直接抵抗を有し、第１及び第２のＰＮＰトランジ
スタのコレクタ−エミッタ飽和電圧が、第１及び第２の
ＮＰＮトランジスタのコレクタ−エミッタ飽和電圧に実
質的に等しい請求項１に記載の回路。 - （３）ガードダイオードがツェナーダイオードであり、
サプライレール上の電圧スパイクから回路素子を保護す
るために、第２のツェナーダイオードが、前記ダイオー
ドと逆方向に、前記第１のツエナーダイオードのカソー
ドと負のサプライレール間に接続されている請求項１に
記載の回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT83615A/89 | 1989-03-22 | ||
| IT8983615A IT1235688B (it) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | Circuito a ponte per il pilotaggio di un carico in continua con protezione contro l'inversione di polarita' di alimentazione e bassa caduta di tensione. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02280370A true JPH02280370A (ja) | 1990-11-16 |
| JP3006845B2 JP3006845B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=11323172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2069532A Expired - Fee Related JP3006845B2 (ja) | 1989-03-22 | 1990-03-19 | 電圧降下の小さい極性反転保護手段を有するブリッジ回路 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4989114A (ja) |
| EP (1) | EP0389452B1 (ja) |
| JP (1) | JP3006845B2 (ja) |
| KR (1) | KR100195542B1 (ja) |
| DE (1) | DE69010724T2 (ja) |
| IT (1) | IT1235688B (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5287047A (en) * | 1991-03-15 | 1994-02-15 | Rohm Co., Ltd. | Motor drive circuit and motor drive system using the same |
| JP2716105B2 (ja) * | 1991-06-24 | 1998-02-18 | 株式会社日立製作所 | 交番定電流回路 |
| IT1251205B (it) * | 1991-09-18 | 1995-05-04 | St Microelectronics Srl | Circuito a ponte ad h con protezione contro la conduzione incrociata durante l'inversione della corrente nel carico. |
| US5701010A (en) * | 1995-12-18 | 1997-12-23 | Martin Marietta Corporation | Dual band polarity reversing multiplexer |
| US5859519A (en) * | 1997-05-29 | 1999-01-12 | General Electric Company | Single phase motor drive |
| DE19725835A1 (de) * | 1997-06-18 | 1999-01-21 | Siemens Ag | Integrierte Vollbrückenschaltung mit vier Transistoren |
| US6738239B2 (en) * | 2001-02-26 | 2004-05-18 | Woodward Governor Company | Active snubber circuit for electrical rotary actuator |
| US7023004B2 (en) * | 2003-10-23 | 2006-04-04 | Timothy Ford | Multi-mode electromagnetic radiation emitting device |
| US7315036B2 (en) * | 2003-10-23 | 2008-01-01 | The Flewelling Ford Family Trust | Multifunction multi-spectrum signalling device |
| FR2873850B1 (fr) * | 2004-07-27 | 2007-11-16 | Valeo Electronique Sys Liaison | Dispositif de pilotage d'un moteur electrique d'entrainement d'un organe d'interrupteur de puissance et module formant interrupteur muni de ce dispositif |
| WO2006136034A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | The Flewelling Ford Family Trust | A method and device for lowering the impedance of a fet (field effect transistor) |
| CN108122908A (zh) * | 2016-11-30 | 2018-06-05 | 上海岭芯微电子有限公司 | 一种高耐压pnp型防反灌功率驱动器及其制造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3940785A (en) * | 1974-05-06 | 1976-02-24 | Sprague Electric Company | Semiconductor I.C. with protection against reversed power supply |
| US4426658A (en) * | 1980-12-29 | 1984-01-17 | Sprague Electric Company | IC With protection against reversed power supply |
| US4336562A (en) * | 1981-02-23 | 1982-06-22 | General Motors Corporation | H-Switch having short to plus protection |
| US4654568A (en) * | 1986-08-21 | 1987-03-31 | Motorola, Inc. | MOSFET "H" switch with current sensing |
-
1989
- 1989-03-22 IT IT8983615A patent/IT1235688B/it active
-
1990
- 1990-03-19 JP JP2069532A patent/JP3006845B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-20 EP EP90830120A patent/EP0389452B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-20 DE DE69010724T patent/DE69010724T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-22 US US07/497,026 patent/US4989114A/en not_active Ceased
- 1990-03-22 KR KR1019900003852A patent/KR100195542B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0389452A3 (en) | 1990-12-27 |
| EP0389452B1 (en) | 1994-07-20 |
| KR900015421A (ko) | 1990-10-26 |
| EP0389452A2 (en) | 1990-09-26 |
| JP3006845B2 (ja) | 2000-02-07 |
| DE69010724D1 (de) | 1994-08-25 |
| IT8983615A0 (it) | 1989-03-22 |
| KR100195542B1 (ko) | 1999-06-15 |
| IT1235688B (it) | 1992-09-21 |
| US4989114A (en) | 1991-01-29 |
| DE69010724T2 (de) | 1994-10-27 |
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|---|---|---|---|
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