JPH0227742A - 気相エピタキシャル成長方法 - Google Patents
気相エピタキシャル成長方法Info
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- JPH0227742A JPH0227742A JP17748788A JP17748788A JPH0227742A JP H0227742 A JPH0227742 A JP H0227742A JP 17748788 A JP17748788 A JP 17748788A JP 17748788 A JP17748788 A JP 17748788A JP H0227742 A JPH0227742 A JP H0227742A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
気相エピタキシャル成長装置に関し、
反応容器内に導入される複数の分解温度の異なるエピタ
キシャル成長用ガスが、基板上で確実に分解して組成変
動、および結晶欠陥の無い良好なエピタキシャル層が得
られるのを目的とし、エピタキシャル成長用基板を保持
し、回転可能なサセプタと、 該サセプタを異なった温度領域を有するように別個に加
熱する複数の固定された加熱手段と、前記サセプタを収
容し、前記異なる温度領域に対応して前記基板ヒの空間
を垂直方向に仕切る仕切り板を有する反応容器と、 前記仕切り板で仕切られた反応容器内の基板上の空間領
域にそれぞれ異なる組成のエピタキシャル成長ガスを別
個に導入するガス導入管とから構成する。
キシャル成長用ガスが、基板上で確実に分解して組成変
動、および結晶欠陥の無い良好なエピタキシャル層が得
られるのを目的とし、エピタキシャル成長用基板を保持
し、回転可能なサセプタと、 該サセプタを異なった温度領域を有するように別個に加
熱する複数の固定された加熱手段と、前記サセプタを収
容し、前記異なる温度領域に対応して前記基板ヒの空間
を垂直方向に仕切る仕切り板を有する反応容器と、 前記仕切り板で仕切られた反応容器内の基板上の空間領
域にそれぞれ異なる組成のエピタキシャル成長ガスを別
個に導入するガス導入管とから構成する。
本発明は気相エピタキシャル成長装置に係り、特に分解
温度の異なる複数の種類のエピタキシャル成長用ガスを
反応管に導入して基板上で分解でき、組成変動および結
晶欠陥の生しないエピタキシャル層が形成できる気相エ
ピタキシャル成長装置に関する。
温度の異なる複数の種類のエピタキシャル成長用ガスを
反応管に導入して基板上で分解でき、組成変動および結
晶欠陥の生しないエピタキシャル層が形成できる気相エ
ピタキシャル成長装置に関する。
赤外線検知素子の材料として水銀・カドミウム・テルル
（ｔａｇ １− ＊Ｃｄ工Ｔｅ）の化合物半導体結晶が
用いられており、このような結晶を薄層状態でかつ大面
積で得るために気相エピタキシャル成長方法が用いられ
ている。
（ｔａｇ １− ＊Ｃｄ工Ｔｅ）の化合物半導体結晶が
用いられており、このような結晶を薄層状態でかつ大面
積で得るために気相エピタキシャル成長方法が用いられ
ている。
従来の気相エピタキシャル成長装置は第３図に示すよう
に、石英より成る反応容器管１内にグラファイトよりな
り、回転軸２Ａを備えたサセプタ２を設置し、該サセプ
タ２上にエピタキシャル成長用のカドミウムテルル（Ｃ
ｄＴｅ）の基板３を設置する。この反応容器１内を所定
の真空変になるまで、排気管４に連なる排気ポンプ（図
示せず）で排気した後、該容器１の上部のガス導入管４
よりガスミキサ（図示せず）にて混合され、キャリアガ
スとしての水素ガスに担持された水銀ガス、水素ガスに
担持されたジメチルカドミウムＣ（Ｃ１ｈ） ｚｃｄ
Ｅガス二および水素ガスに担持されたジエチルテルル（
（ＣＪＪ ｚＴｅ ）ガス等より成るエピタキシャル成
長用ガスを反応容器ｌ内に導入する。
に、石英より成る反応容器管１内にグラファイトよりな
り、回転軸２Ａを備えたサセプタ２を設置し、該サセプ
タ２上にエピタキシャル成長用のカドミウムテルル（Ｃ
ｄＴｅ）の基板３を設置する。この反応容器１内を所定
の真空変になるまで、排気管４に連なる排気ポンプ（図
示せず）で排気した後、該容器１の上部のガス導入管４
よりガスミキサ（図示せず）にて混合され、キャリアガ
スとしての水素ガスに担持された水銀ガス、水素ガスに
担持されたジメチルカドミウムＣ（Ｃ１ｈ） ｚｃｄ
Ｅガス二および水素ガスに担持されたジエチルテルル（
（ＣＪＪ ｚＴｅ ）ガス等より成るエピタキシャル成
長用ガスを反応容器ｌ内に導入する。
そして反応容器ｌの周囲に設けた高周波誘導コイル６に
高周波電力を印加することでサセプタ２を加熱し、基板
３を約４００ ’Ｃの温度に加熱し、基板３Ｊ：に導入
されてきたエピタキシャル成長用ガスを分解して基板ヒ
に’ｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅのエピタキシャル層を成長
している。
高周波電力を印加することでサセプタ２を加熱し、基板
３を約４００ ’Ｃの温度に加熱し、基板３Ｊ：に導入
されてきたエピタキシャル成長用ガスを分解して基板ヒ
に’ｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅのエピタキシャル層を成長
している。
このようなＨｇ＋−ｘ Ｃｄ）Ｉ Ｔｅの結晶は、ジエ
チルテルルが分解したことで形成されるＴｅとＨｇの結
合によるテルル化水銀（ｌＩｇＴｅ）の混晶と、ジメチ
ルカドミウムが分解されて形成されるＣｄと、ジエチル
テルルが分解されたことで形成されるＴｅによるテルル
化カドミウム（ＣｄＴｅ）の混晶が先ず形成され、その
各々の混晶を構成する元素が相互に拡散してＨｇ＋−ｘ
Ｃ（１＋ Ｔｅの結晶が形成されると考えられている
。
チルテルルが分解したことで形成されるＴｅとＨｇの結
合によるテルル化水銀（ｌＩｇＴｅ）の混晶と、ジメチ
ルカドミウムが分解されて形成されるＣｄと、ジエチル
テルルが分解されたことで形成されるＴｅによるテルル
化カドミウム（ＣｄＴｅ）の混晶が先ず形成され、その
各々の混晶を構成する元素が相互に拡散してＨｇ＋−ｘ
Ｃ（１＋ Ｔｅの結晶が形成されると考えられている
。
ところで上記したエピタキシャル成長用ガスの内で、水
銀は既に単体元素の状態であり、ジメチルカドミウムの
分解温度は２６０°Ｃで、更にジエチルテルルの分解温
度は３８０°Ｃで上記三種類のエピタキシャル成長用ガ
スのうちで最も分解し難い。
銀は既に単体元素の状態であり、ジメチルカドミウムの
分解温度は２６０°Ｃで、更にジエチルテルルの分解温
度は３８０°Ｃで上記三種類のエピタキシャル成長用ガ
スのうちで最も分解し難い。
この分解温度は、例えばジメチルカドミウムの場合、ジ
メチルカドミウム［Ｃｄ （ＣＨ３） ｚ ］の化合物
を形成しているカドミウム（Ｃｄ）の原子と、メチル基
（ＣＢ−１）−に分解される温度で、ジエチルテルルの
場合は、ジエチルテルルの化合物（ｒｅ（ｃｔｕｓ）
ｔ ）を］を形成しているテルル（Ｔｅ）の原子と、エ
チル基（ＣＪｓ）−に分解される温度である。
メチルカドミウム［Ｃｄ （ＣＨ３） ｚ ］の化合物
を形成しているカドミウム（Ｃｄ）の原子と、メチル基
（ＣＢ−１）−に分解される温度で、ジエチルテルルの
場合は、ジエチルテルルの化合物（ｒｅ（ｃｔｕｓ）
ｔ ）を］を形成しているテルル（Ｔｅ）の原子と、エ
チル基（ＣＪｓ）−に分解される温度である。
またＨｇＴｅの成長温度は旧０゛Ｃで、ＣｄＴｅの成長
温度の３９０℃の値より高いため、従来の装置に於ける
ようにエピタキシャル成長用基板の温度を４００°Ｃの
値に一定に保つと、ＨｇＴｅ、或いはＣｄＴｅのどちら
かの結晶の成長が阻害される問題がある。
温度の３９０℃の値より高いため、従来の装置に於ける
ようにエピタキシャル成長用基板の温度を４００°Ｃの
値に一定に保つと、ＨｇＴｅ、或いはＣｄＴｅのどちら
かの結晶の成長が阻害される問題がある。
Ｌ記したように分解温度が異なるエピタキシャル成長用
ガスを温度が一定な例えば４００℃の基板上に導入する
と、ガスの分解の度合が各エピタキシャル成長用ガスに
よって異なるため、基板上で所望の組成のエピタキシャ
ル層が得られない問題がある。
ガスを温度が一定な例えば４００℃の基板上に導入する
と、ガスの分解の度合が各エピタキシャル成長用ガスに
よって異なるため、基板上で所望の組成のエピタキシャ
ル層が得られない問題がある。
また分解が不十分なエピタキシャル成長用ガス成分が基
板に付着すると、ＣｄＴｅの結晶と成らない未反応なＣ
ｄ原子、ＨｇＴｅの結晶とならない未反応なＴｅ原子が
基板りに残留し、これらの原子が形成されるエピタキシ
ャル結晶の結晶欠陥となる問題がある。
板に付着すると、ＣｄＴｅの結晶と成らない未反応なＣ
ｄ原子、ＨｇＴｅの結晶とならない未反応なＴｅ原子が
基板りに残留し、これらの原子が形成されるエピタキシ
ャル結晶の結晶欠陥となる問題がある。
本発明は上記した問題点を解決し、上記した成長温度の
異なる１１ｇＴｅの混晶や、ＣｄＴｅの混晶が確実に形
成されるようにした気相エピタキシャル成長装置の提供
を目的とする。
異なる１１ｇＴｅの混晶や、ＣｄＴｅの混晶が確実に形
成されるようにした気相エピタキシャル成長装置の提供
を目的とする。
上記目的を達成する本発明の気相エピタキシャル成長装
置は、エピタキシャル成長用基板を保持して加熱し、回
転可能なサセプタと、 該サセプタを異なった温度領域を有するように別個に加
熱する加熱手段と、 前記サセプタを収容し、基板上の空間を仕切る仕切り板
を有する反応容器と、 前記仕切り板で仕切られた反応容器内の基板上の空間領
域にエピタキシャル成長ガスを別個に導入するガス導入
部とからなり、 前記エピタキシャル成長用基板を異なった加熱温度領域
を有するサセプタで加熱しながら回転させることで、基
板に異なった加熱温度領域を形成するとともに、前記基
板の加熱温度に近接した分解温度を有するエピタキシャ
ル成長用ガスを基板の分割した加熱温度領域にそれぞれ
別個に供給するようにして構成する。
置は、エピタキシャル成長用基板を保持して加熱し、回
転可能なサセプタと、 該サセプタを異なった温度領域を有するように別個に加
熱する加熱手段と、 前記サセプタを収容し、基板上の空間を仕切る仕切り板
を有する反応容器と、 前記仕切り板で仕切られた反応容器内の基板上の空間領
域にエピタキシャル成長ガスを別個に導入するガス導入
部とからなり、 前記エピタキシャル成長用基板を異なった加熱温度領域
を有するサセプタで加熱しながら回転させることで、基
板に異なった加熱温度領域を形成するとともに、前記基
板の加熱温度に近接した分解温度を有するエピタキシャ
ル成長用ガスを基板の分割した加熱温度領域にそれぞれ
別個に供給するようにして構成する。
本発明の装置は基板を設置して加熱するサセプタを回転
可能に形成し、該サセプタの下部に異なった温度で加熱
されるような加熱手段を設ける。
可能に形成し、該サセプタの下部に異なった温度で加熱
されるような加熱手段を設ける。
また基板上の容器内の空間部に仕切り板を設け、この仕
切り板で仕切られた基板上の空間部に分解温度の異なる
エピタキシャル成長用ガスが別個に供給されるようなガ
ス導入管を設ける。
切り板で仕切られた基板上の空間部に分解温度の異なる
エピタキシャル成長用ガスが別個に供給されるようなガ
ス導入管を設ける。
そして基板を回転させながら加熱ヒータを加熱すること
で、基板に異なった加熱領域を形成し、この加熱領域の
温度に最も近接した分解温度を有するエピタキシャル成
長ガスを、前記した基板上に仕切り板で形成された基板
上の空間部に別個に供給することで確実な組成を有する
ＨｇＴｅとＣｄＴｅの結晶を形成し、これらの結晶の各
々の元素の相互拡散によって組成の安定したＩｇ、−、
Ｃｄ、 Ｔｅのエピタキシャル結晶を容易に得るように
する。
で、基板に異なった加熱領域を形成し、この加熱領域の
温度に最も近接した分解温度を有するエピタキシャル成
長ガスを、前記した基板上に仕切り板で形成された基板
上の空間部に別個に供給することで確実な組成を有する
ＨｇＴｅとＣｄＴｅの結晶を形成し、これらの結晶の各
々の元素の相互拡散によって組成の安定したＩｇ、−、
Ｃｄ、 Ｔｅのエピタキシャル結晶を容易に得るように
する。
以下、図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の気相エピタキシャル成長装置の断面図
、第２図は第１図の要部の平面図である。
、第２図は第１図の要部の平面図である。
第１図および第２図に図示するように、モータ（図示せ
ず）によって回転可能な回転軸１１を備えた円板状のカ
ーボンよりなるサセプタ１２の上にＣｄＴｅのエピタキ
シャル成長用基板１３を設置する。このサセプタ１２の
下部には、３９０°Ｃの設定温度に加熱された赤外線ラ
ンプよりなる加熱ヒータ１４Ａ と、４１０″Ｃの設定
温度に加熱された赤外線ランプよりなる加熱ヒータ１４
Ｂとが円板状のサセプタをほぼ二分するようにそれぞれ
回転軸１１を中心にして左右に設けられている。
ず）によって回転可能な回転軸１１を備えた円板状のカ
ーボンよりなるサセプタ１２の上にＣｄＴｅのエピタキ
シャル成長用基板１３を設置する。このサセプタ１２の
下部には、３９０°Ｃの設定温度に加熱された赤外線ラ
ンプよりなる加熱ヒータ１４Ａ と、４１０″Ｃの設定
温度に加熱された赤外線ランプよりなる加熱ヒータ１４
Ｂとが円板状のサセプタをほぼ二分するようにそれぞれ
回転軸１１を中心にして左右に設けられている。
これ等のサセプタ１２やヒータ１４Ａ、 １４Ｂを収容
した反応容器１５は上部が絞られてガス導入管１６とな
り、底部にガス排出管１７を備えた円筒状の形状を？し
ている。また基板１３の中心部Ｆ、即ち回転軸Ｉｎには
基板１３１の容器内の空間部を垂直方向に二分する石英
製の仕切り板１８が設けられ、これによって容器上部の
ガス導入管１６も１６Ａと１６Ｂの如く二分される。
した反応容器１５は上部が絞られてガス導入管１６とな
り、底部にガス排出管１７を備えた円筒状の形状を？し
ている。また基板１３の中心部Ｆ、即ち回転軸Ｉｎには
基板１３１の容器内の空間部を垂直方向に二分する石英
製の仕切り板１８が設けられ、これによって容器上部の
ガス導入管１６も１６Ａと１６Ｂの如く二分される。
このような反応容器１５内をガス排出管１７に連なる排
気ポンプ（図示せず）を用いて１０−’ｔｏｒｒの真空
度に成るまで排気した後、ガス導入管１６より水素ガス
を４４！／ｗｉｎの流量で流し、基板１３をｌｏｒｐｍ
の回転速度で回転させる。そしてガス導入管１６Ａ側よ
りジメチルカドミウムを２ Ｘｌ０−’気圧、ジエチル
テルルをＩ Ｘｌ０−’気圧の分圧となるように、キャ
リアガスとしての水素ガスに担持させて導入し、全体の
ガス流量が２ Ｌ’分とるように調節する。
気ポンプ（図示せず）を用いて１０−’ｔｏｒｒの真空
度に成るまで排気した後、ガス導入管１６より水素ガス
を４４！／ｗｉｎの流量で流し、基板１３をｌｏｒｐｍ
の回転速度で回転させる。そしてガス導入管１６Ａ側よ
りジメチルカドミウムを２ Ｘｌ０−’気圧、ジエチル
テルルをＩ Ｘｌ０−’気圧の分圧となるように、キャ
リアガスとしての水素ガスに担持させて導入し、全体の
ガス流量が２ Ｌ’分とるように調節する。
またガス導入管１６Ｂ側よりジエチルテルルを２ＸＩＯ
−’気圧、水銀を２ Ｘｌ０−”気圧の分圧となるよう
に、キャリアガスとしての水素ガスに担持させて導入し
、全体のガス流量が２１７分となるように調節する。
−’気圧、水銀を２ Ｘｌ０−”気圧の分圧となるよう
に、キャリアガスとしての水素ガスに担持させて導入し
、全体のガス流量が２１７分となるように調節する。
このようにすれば、分解温度の高いジエチルテルルガス
は導入管１６Ａより、仕切り板１８によって第２図に示
す基板の高温加熱領域１３Ａ側に導入され、分解温度の
低いジメチルカドミウムは導入管１６Ｂより、仕切り板
によって基板の低温加熱領域１３Ｂ側に導入される。そ
して基板上でそれらのガスが確実に分解されるので、組
成の安定したＩＩ ｇ Ｔ ｅが基板の高温領域側に、
ＣｄＴｅのが基板の低温領域側で安定な組成で形成され
、この基板を回転することで、これらのＨｇＴｅとＣｄ
Ｔｅが相互に拡散して、ｔ１ｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅの
エピタキシャル層が形成される。
は導入管１６Ａより、仕切り板１８によって第２図に示
す基板の高温加熱領域１３Ａ側に導入され、分解温度の
低いジメチルカドミウムは導入管１６Ｂより、仕切り板
によって基板の低温加熱領域１３Ｂ側に導入される。そ
して基板上でそれらのガスが確実に分解されるので、組
成の安定したＩＩ ｇ Ｔ ｅが基板の高温領域側に、
ＣｄＴｅのが基板の低温領域側で安定な組成で形成され
、この基板を回転することで、これらのＨｇＴｅとＣｄ
Ｔｅが相互に拡散して、ｔ１ｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅの
エピタキシャル層が形成される。
なお、本実施例ではＨｇ、□Ｃｄ、 Ｔｅのエピタキシ
ャル層の形成に例を用いて説明したが、その他、分解温
度の異なるエピタキシャル成長用ガスを用いて基板トに
エピタキシャル層を形成する場合に於いて本発明の装置
は適用可能である。
ャル層の形成に例を用いて説明したが、その他、分解温
度の異なるエピタキシャル成長用ガスを用いて基板トに
エピタキシャル層を形成する場合に於いて本発明の装置
は適用可能である。
また前記した仕切り板、加熱ヒータの個数はエピタキシ
ャル成長用ガスの種類に応じて適当な数を設けても良い
。
ャル成長用ガスの種類に応じて適当な数を設けても良い
。
［発明の効果］
以トの説明から明らかなように本発明によれば、エピタ
キシャル成長用ガスが確実に分解できるので、組成変動
を生じ無く、かつ結晶欠陥の発生を見ない良質なエピタ
キシャル結晶が得られる効果がある。
キシャル成長用ガスが確実に分解できるので、組成変動
を生じ無く、かつ結晶欠陥の発生を見ない良質なエピタ
キシャル結晶が得られる効果がある。
第１図は本発明の気相エピタキシャル成長装置の断面図
、 第２図は第１図の要部の平面図、 第３図は従来の気相エピタキシャル成長装置の断面図で
ある。
、 第２図は第１図の要部の平面図、 第３図は従来の気相エピタキシャル成長装置の断面図で
ある。
図において、
１１は回転軸、１２はサセプタ、１３はエピタキシャル
成長用基板、１３八は高温加熱領域、１３Ｂは低温加熱
領域、１４Ａ、１４Ｂは加熱ヒータ、１５は反応容器、
１６．１６＾、１６Ｂはガス導入管、１７はガス排出管
、１８は仕切り板を示す。
成長用基板、１３八は高温加熱領域、１３Ｂは低温加熱
領域、１４Ａ、１４Ｂは加熱ヒータ、１５は反応容器、
１６．１６＾、１６Ｂはガス導入管、１７はガス排出管
、１８は仕切り板を示す。
５奎夛色４’ｌ ｙへ、木且ｒと“クキシマへ八玉鳴塁
に席ｔａΔり第１ｒＭ ｆｆ１１．！不日ｒと・７Ｎシ↑ル八長Ｈ１の之牟６ｂ
閏第３図 ；１・下図のかｇＰの１娑［ｎｆｆ１ 第２図
に席ｔａΔり第１ｒＭ ｆｆ１１．！不日ｒと・７Ｎシ↑ル八長Ｈ１の之牟６ｂ
閏第３図 ；１・下図のかｇＰの１娑［ｎｆｆ１ 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 エピタキシャル成長用基板（１３）を保持し、回転可能
なサセプタ（１２）と、 該サセプタ（１２）を異なった温度領域を有するように
別個に加熱する複数の固定された加熱手段（１４１４Ｂ
）と、 前記サセプタ（１２）を収容し、前記異なる温度領域に
対応して前記基板上の空間を垂直方向に仕切る仕切り板
（１８）を有する反応容器（１５）と、前記仕切り板（
１８）で仕切られた反応容器（１５）内の基板（１３）
上の空間領域にそれぞれ異なる組成のエピタキシャル成
長ガスを別個に導入するガス導入管（１６Ａ、１６Ｂ）
とからなることを特徴とする気相エピタキシャル成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63177487A JP2658213B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 気相エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63177487A JP2658213B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 気相エピタキシャル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227742A true JPH0227742A (ja) | 1990-01-30 |
| JP2658213B2 JP2658213B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=16031762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63177487A Expired - Lifetime JP2658213B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 気相エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2658213B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7541294B2 (en) | 2001-04-13 | 2009-06-02 | Yamaha Corporation | Semiconductor package and semiconductor package mounting method |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5350973A (en) * | 1976-10-20 | 1978-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vapor phase growth method and vapor phase growth apparatus |
| JPS62203336A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-08 | Nec Corp | 半導体素子の製造装置 |
| JPS62247520A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-28 | Fujitsu Ltd | 気相処理装置 |
| JPS6353917A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-08 | Hitachi Ltd | 結晶成長装置 |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP63177487A patent/JP2658213B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5350973A (en) * | 1976-10-20 | 1978-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vapor phase growth method and vapor phase growth apparatus |
| JPS62203336A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-08 | Nec Corp | 半導体素子の製造装置 |
| JPS62247520A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-28 | Fujitsu Ltd | 気相処理装置 |
| JPS6353917A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-08 | Hitachi Ltd | 結晶成長装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7541294B2 (en) | 2001-04-13 | 2009-06-02 | Yamaha Corporation | Semiconductor package and semiconductor package mounting method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2658213B2 (ja) | 1997-09-30 |
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