JPH09246190A - マルチチャージ横型気相成長方法及びその装置 - Google Patents
マルチチャージ横型気相成長方法及びその装置Info
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- JPH09246190A JPH09246190A JP5196796A JP5196796A JPH09246190A JP H09246190 A JPH09246190 A JP H09246190A JP 5196796 A JP5196796 A JP 5196796A JP 5196796 A JP5196796 A JP 5196796A JP H09246190 A JPH09246190 A JP H09246190A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 原料ガスの流れ具合を各サセプタ毎に細かく
制御することができると共に、均質な膜を基板上に製膜
することができるマルチチャージ横型気相成長方法及び
その装置を提供するものである。 【解決手段】 横型気相成長炉２内における基板４の支
持手段であるサセプタ５が多段に設けられたマルチチャ
ージ横型気相成長方法において、上記各サセプタ５の上
面それぞれに原料ガスＧMを供給するためのフローチャ
ネル３を形成し、その各フローチャネル３に上記原料ガ
スＧMを供給して上記基板４上に化合物半導体の薄膜結
晶を成長させるものである。
制御することができると共に、均質な膜を基板上に製膜
することができるマルチチャージ横型気相成長方法及び
その装置を提供するものである。 【解決手段】 横型気相成長炉２内における基板４の支
持手段であるサセプタ５が多段に設けられたマルチチャ
ージ横型気相成長方法において、上記各サセプタ５の上
面それぞれに原料ガスＧMを供給するためのフローチャ
ネル３を形成し、その各フローチャネル３に上記原料ガ
スＧMを供給して上記基板４上に化合物半導体の薄膜結
晶を成長させるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、横型気相成長方法
及びその装置に係り、特に、複数のフローチャネルを有
したマルチチャージ横型気相成長方法及びその装置に関
するものである。
及びその装置に係り、特に、複数のフローチャネルを有
したマルチチャージ横型気相成長方法及びその装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の横型気相成長炉においては、通
常、基板（ウェハ）がセットされたサセプタに対して、
フローチャネルと呼ばれる原料ガスの流路を設けてい
る。これによって、サセプタにまで原料ガスが良好に到
達するようになると共に、周囲のガスによる原料ガスの
汚染のおそれがなくなる。しかし、通常の横型気相成長
炉においては、サセプタが一段しかないため、ウェハの
生産性において問題があった。
常、基板（ウェハ）がセットされたサセプタに対して、
フローチャネルと呼ばれる原料ガスの流路を設けてい
る。これによって、サセプタにまで原料ガスが良好に到
達するようになると共に、周囲のガスによる原料ガスの
汚染のおそれがなくなる。しかし、通常の横型気相成長
炉においては、サセプタが一段しかないため、ウェハの
生産性において問題があった。
【０００３】そこで、現在では、ウェハの生産性が良好
な、サセプタを多段に有した多段式横型気相成長炉が用
いられている。この多段式横型気相成長炉においては、
一つのサセプタ上に複数枚のウェハのセットも可能であ
り、多数枚のウェハに対して同時にエピタキシャル成長
させることができる。
な、サセプタを多段に有した多段式横型気相成長炉が用
いられている。この多段式横型気相成長炉においては、
一つのサセプタ上に複数枚のウェハのセットも可能であ
り、多数枚のウェハに対して同時にエピタキシャル成長
させることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、多段式
横型気相成長炉においては、各サセプタに対して単一の
フローチャネルで原料ガスを供給しており、また、サセ
プタ全体を均一に加熱するようにしている。このため、
原料ガスの流れやウェハの加熱具合を各サセプタ毎に細
かく制御することができないという問題があった。
横型気相成長炉においては、各サセプタに対して単一の
フローチャネルで原料ガスを供給しており、また、サセ
プタ全体を均一に加熱するようにしている。このため、
原料ガスの流れやウェハの加熱具合を各サセプタ毎に細
かく制御することができないという問題があった。
【０００５】また、大型のヒーターなどによる加熱手段
によって、フローチャネル上流部が加熱されて原料ガス
が分解や反応を起こすために、均質な膜をウェハ上に製
膜することができないという問題があった。
によって、フローチャネル上流部が加熱されて原料ガス
が分解や反応を起こすために、均質な膜をウェハ上に製
膜することができないという問題があった。
【０００６】そこで、本発明は、上記課題を解決し、原
料ガスの流れ具合を各サセプタ毎に細かく制御すること
ができると共に、均質な膜を基板上に製膜することがで
きるマルチチャージ横型気相成長方法及びその装置を提
供することにある。
料ガスの流れ具合を各サセプタ毎に細かく制御すること
ができると共に、均質な膜を基板上に製膜することがで
きるマルチチャージ横型気相成長方法及びその装置を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１の発明は、横型気相成長炉内における基板の
支持手段であるサセプタが多段に設けられたマルチチャ
ージ横型気相成長方法において、上記各サセプタの上面
それぞれに原料ガスを供給するためのフローチャネルを
形成し、その各フローチャネルに上記原料ガスを供給し
て上記基板上に化合物半導体の薄膜結晶を成長させるこ
とを特徴とするマルチチャージ横型気相成長方法であ
る。
に請求項１の発明は、横型気相成長炉内における基板の
支持手段であるサセプタが多段に設けられたマルチチャ
ージ横型気相成長方法において、上記各サセプタの上面
それぞれに原料ガスを供給するためのフローチャネルを
形成し、その各フローチャネルに上記原料ガスを供給し
て上記基板上に化合物半導体の薄膜結晶を成長させるこ
とを特徴とするマルチチャージ横型気相成長方法であ
る。
【０００８】請求項２の発明は、横型気相成長炉内にお
ける基板の支持手段であるサセプタが多段に設けられた
マルチチャージ横型気相成長装置において、上記各サセ
プタの上面それぞれに原料ガスを供給するためのフロー
チャネルを設けたことを特徴とするマルチチャージ横型
気相成長装置である。
ける基板の支持手段であるサセプタが多段に設けられた
マルチチャージ横型気相成長装置において、上記各サセ
プタの上面それぞれに原料ガスを供給するためのフロー
チャネルを設けたことを特徴とするマルチチャージ横型
気相成長装置である。
【０００９】請求項３の発明は、上記各サセプタの下面
それぞれに、上記基板を加熱するための加熱手段を設け
た請求項２記載のマルチチャージ横型気相成長装置であ
る。
それぞれに、上記基板を加熱するための加熱手段を設け
た請求項２記載のマルチチャージ横型気相成長装置であ
る。
【００１０】請求項４の発明は、上記各サセプタ間に、
熱干渉を防ぐべく断熱手段を設けた請求項２記載のマル
チチャージ横型気相成長装置である。
熱干渉を防ぐべく断熱手段を設けた請求項２記載のマル
チチャージ横型気相成長装置である。
【００１１】請求項５の発明は、上記各サセプタを自公
転可能に設けた請求項２記載のマルチチャージ横型気相
成長装置である。
転可能に設けた請求項２記載のマルチチャージ横型気相
成長装置である。
【００１２】以上の構成によれば、各サセプタの上面そ
れぞれに原料ガスを供給するためのフローチャネルを形
成したため、原料ガスの流れ具合を各サセプタ毎に細か
く制御することができると共に、均質な膜を基板上に製
膜することができる。
れぞれに原料ガスを供給するためのフローチャネルを形
成したため、原料ガスの流れ具合を各サセプタ毎に細か
く制御することができると共に、均質な膜を基板上に製
膜することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００１４】本発明のマルチチャージ横型気相成長装置
の縦断面図を図１に示す。
の縦断面図を図１に示す。
【００１５】図１に示すように、横型気相成長炉２内に
偏平形状のダクトであるフローチャネル３が所定の間隔
をあけて水平方向に、かつ、上下方向多段（図中では８
段）に設けられる。各フローチャネル３の下面の一部に
は、基板（ウェハ）４の支持手段である円盤状のサセプ
タ部（サセプタ）５を囲繞すべく円状の穴３ａが形成さ
れている。各サセプタ部５の下面には、単数個または複
数個のヒーター（加熱手段）６が設けられる。さらに、
各ヒーター６の下面には、各フローチャネル３間の熱干
渉を防ぐべく熱遮蔽板７（断熱手段）が設けられる。
偏平形状のダクトであるフローチャネル３が所定の間隔
をあけて水平方向に、かつ、上下方向多段（図中では８
段）に設けられる。各フローチャネル３の下面の一部に
は、基板（ウェハ）４の支持手段である円盤状のサセプ
タ部（サセプタ）５を囲繞すべく円状の穴３ａが形成さ
れている。各サセプタ部５の下面には、単数個または複
数個のヒーター（加熱手段）６が設けられる。さらに、
各ヒーター６の下面には、各フローチャネル３間の熱干
渉を防ぐべく熱遮蔽板７（断熱手段）が設けられる。
【００１６】各フローチャネル３の上流側と原料供給装
置とは、原料ガス切り替えバルブを介して供給ダクト８
で接続されており、各フローチャネルの下流側と排気ガ
ス処理装置とは、排気ダクト９で接続されてなる。
置とは、原料ガス切り替えバルブを介して供給ダクト８
で接続されており、各フローチャネルの下流側と排気ガ
ス処理装置とは、排気ダクト９で接続されてなる。
【００１７】次に、図１におけるＡ−Ａ線矢視図を図２
に示す。尚、図１と同様の部材には同じ符号を付してい
る。
に示す。尚、図１と同様の部材には同じ符号を付してい
る。
【００１８】サセプタ部５は、回転自在な公転サセプタ
板１１、固定ギア板１２、公転サセプタ板１１上に回転
自在に設けられた自公転サセプタ板１３、および公転サ
セプタ板１１に回転を導入する公転導入軸１４で構成さ
れる。公転サセプタ板１１および自公転サセプタ板１３
は、例えば、グラファイトからなる。
板１１、固定ギア板１２、公転サセプタ板１１上に回転
自在に設けられた自公転サセプタ板１３、および公転サ
セプタ板１１に回転を導入する公転導入軸１４で構成さ
れる。公転サセプタ板１１および自公転サセプタ板１３
は、例えば、グラファイトからなる。
【００１９】回転自在な公転サセプタ板１１の上面の円
周部には、ギア部１１ａが形成されている。公転サセプ
タ板１１の上面には、同一円心で横型気相成長炉（図示
せず）に固定された固定ギア板１２が設けられており、
固定ギア板１２の円周部には、ギアが形成されている。
また、公転サセプタ板１１の上面には、固定ギア板１２
のギアと噛合すべく円周部にギアが形成された自公転サ
セプタ板１３が所定の間隔をあけて複数枚（図中では４
枚）回転自在に設けられる。この各自公転サセプタ板１
３の上面に、基板（ウェハ）４が複数枚（図中では２
枚）載置される。
周部には、ギア部１１ａが形成されている。公転サセプ
タ板１１の上面には、同一円心で横型気相成長炉（図示
せず）に固定された固定ギア板１２が設けられており、
固定ギア板１２の円周部には、ギアが形成されている。
また、公転サセプタ板１１の上面には、固定ギア板１２
のギアと噛合すべく円周部にギアが形成された自公転サ
セプタ板１３が所定の間隔をあけて複数枚（図中では４
枚）回転自在に設けられる。この各自公転サセプタ板１
３の上面に、基板（ウェハ）４が複数枚（図中では２
枚）載置される。
【００２０】また、公転サセプタ板１１に公転を導入す
べく設けられた公転導入軸１４は、その先端に公転サセ
プタ板１１のギア部１１ａと噛合すべくピニオン部１４
ａを有してなる。
べく設けられた公転導入軸１４は、その先端に公転サセ
プタ板１１のギア部１１ａと噛合すべくピニオン部１４
ａを有してなる。
【００２１】公転導入軸１４の回転（図中では反時計回
り）により、公転導入軸１４のピニオン部１４ａと噛合
した公転サセプタ板１１のギア部１１ａにその回転が伝
達され、公転サセプタ板１１が公転（図中では反時計回
り）する。それによって、公転サセプタ板１１の上面に
回転自在に設けられた自公転サセプタ板１３が公転（図
中では反時計回り）すると共に、固定ギア板１２との噛
合により自転（図中では反時計回り）するようになって
いる。
り）により、公転導入軸１４のピニオン部１４ａと噛合
した公転サセプタ板１１のギア部１１ａにその回転が伝
達され、公転サセプタ板１１が公転（図中では反時計回
り）する。それによって、公転サセプタ板１１の上面に
回転自在に設けられた自公転サセプタ板１３が公転（図
中では反時計回り）すると共に、固定ギア板１２との噛
合により自転（図中では反時計回り）するようになって
いる。
【００２２】次に、本発明のマルチチャージ横型気相成
長方法を述べる。
長方法を述べる。
【００２３】サセプタ部５を８段に設けると共に、サセ
プタ部５を構成する各自公転サセプタ板１３の上面に、
基板（ウェハ）４を２枚ずつ載置する。原料ガス切り替
えバルブを開にすることによって、原料供給装置から供
給ダクト８を介して原料ガスＧM がフローチャネル３に
流入する。
プタ部５を構成する各自公転サセプタ板１３の上面に、
基板（ウェハ）４を２枚ずつ載置する。原料ガス切り替
えバルブを開にすることによって、原料供給装置から供
給ダクト８を介して原料ガスＧM がフローチャネル３に
流入する。
【００２４】各自公転サセプタ板１３は、各基板４面上
における膜の均質化を図るために自公転可能とする。各
基板４を上面に載置した各自公転サセプタ板１３が自公
転することによって、各基板４に対する原料ガスＧM の
接触が均一になる。この原料ガスが、各自公転サセプタ
板１３の上に載置された各基板４に均一に接触すること
によって、均質な膜が生成する。
における膜の均質化を図るために自公転可能とする。各
基板４を上面に載置した各自公転サセプタ板１３が自公
転することによって、各基板４に対する原料ガスＧM の
接触が均一になる。この原料ガスが、各自公転サセプタ
板１３の上に載置された各基板４に均一に接触すること
によって、均質な膜が生成する。
【００２５】ここで、各サセプタ部５の上面に対応して
設けられた各フローチャネル３によって、各基板４上の
膜の成長状況と照らし合わせながら原料ガスＧM の供給
量を微調整する。また、各サセプタ部５の下面に対応し
て設けられた各ヒーター６によって、各基板４における
温度分布が均一になるように調節する。１枚のサセプタ
部５に対して、複数個のヒーター６で分割して加熱する
ことにより、更なる温度分布の均一化を図ることができ
る。さらに、隣接するヒーター６の熱影響が各フローチ
ャネル３内を流れる原料ガスＧM および各サセプタ部５
に及ぶことを防ぐと共に、ヒーター６による加熱の制御
性を増すために、各サセプタ部５間に熱遮蔽板７を設け
る。
設けられた各フローチャネル３によって、各基板４上の
膜の成長状況と照らし合わせながら原料ガスＧM の供給
量を微調整する。また、各サセプタ部５の下面に対応し
て設けられた各ヒーター６によって、各基板４における
温度分布が均一になるように調節する。１枚のサセプタ
部５に対して、複数個のヒーター６で分割して加熱する
ことにより、更なる温度分布の均一化を図ることができ
る。さらに、隣接するヒーター６の熱影響が各フローチ
ャネル３内を流れる原料ガスＧM および各サセプタ部５
に及ぶことを防ぐと共に、ヒーター６による加熱の制御
性を増すために、各サセプタ部５間に熱遮蔽板７を設け
る。
【００２６】未反応の原料ガスＧM は、排気ダクト９を
介して排気ガス処理装置に集められ、一部を再利用す
る。化学気相成長が完了した基板４は、基板４に対して
平行に差し込まれた搬送用アーム（図示せず）によっ
て、サセプタ部５ごと持ち上げて取り出す。この時、搬
送用アームをサセプタ部５の段数分配置しておくことに
よって、サセプタ部５を一括して取り出すことができ
る。
介して排気ガス処理装置に集められ、一部を再利用す
る。化学気相成長が完了した基板４は、基板４に対して
平行に差し込まれた搬送用アーム（図示せず）によっ
て、サセプタ部５ごと持ち上げて取り出す。この時、搬
送用アームをサセプタ部５の段数分配置しておくことに
よって、サセプタ部５を一括して取り出すことができ
る。
【００２７】本発明においては、各基板４の加熱手段と
してヒーター６による熱伝導を用いたが、加熱手段はこ
れに限定されるものではなく、他に次のような手法が考
えられる。
してヒーター６による熱伝導を用いたが、加熱手段はこ
れに限定されるものではなく、他に次のような手法が考
えられる。
【００２８】（ａ） 赤外線ヒーター等のヒーターによ
る輻射熱で基板を直接加熱する方法。
る輻射熱で基板を直接加熱する方法。
【００２９】（ｂ） サセプタ部に直接通電を行うこと
によって生じる熱の熱伝導で基板を加熱する方法。
によって生じる熱の熱伝導で基板を加熱する方法。
【００３０】（ｃ） サセプタ部に高周波を照射して誘
導電流を生じさせ、それによって生じる熱の熱伝導で基
板を加熱する方法。
導電流を生じさせ、それによって生じる熱の熱伝導で基
板を加熱する方法。
【００３１】（ｄ）基板に直接電流を流して加熱する方
法。
法。
【００３２】（ａ）〜（ｄ）のいずれの方法も加熱手段
として適用可能であるが、本発明の方法および（ａ）の
方法が、装置構成上の柔軟性に富み、かつ、容易であ
る。
として適用可能であるが、本発明の方法および（ａ）の
方法が、装置構成上の柔軟性に富み、かつ、容易であ
る。
【００３３】また、本発明においては、各サセプタ部５
間の断熱手段として熱遮蔽板７を用いたが、断熱手段は
これに限定されるものではない。しかし、断熱手段は加
熱手段による熱伝導と輻射の両方を遮断する必要がある
ため、赤外線を通し難い熱の良導体か、あるいは水冷等
の冷却機構（例えば、フローチャネルの外壁に僅かな隙
間をあけて水冷ジャケットを置き、その間をガスでパー
ジしたもの）を有したものが好ましい。
間の断熱手段として熱遮蔽板７を用いたが、断熱手段は
これに限定されるものではない。しかし、断熱手段は加
熱手段による熱伝導と輻射の両方を遮断する必要がある
ため、赤外線を通し難い熱の良導体か、あるいは水冷等
の冷却機構（例えば、フローチャネルの外壁に僅かな隙
間をあけて水冷ジャケットを置き、その間をガスでパー
ジしたもの）を有したものが好ましい。
【００３４】
【実施例】本発明のマルチチャージ横型気相成長装置
に、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてトリメチ
ルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジシラン、およ
びアルシンを用いて、有機金属気相成長法で直径７５ｍ
ｍのＧａＡｓウェハ上にｎ型ＡｌＧａＡｓの薄膜を製膜
した。
に、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてトリメチ
ルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジシラン、およ
びアルシンを用いて、有機金属気相成長法で直径７５ｍ
ｍのＧａＡｓウェハ上にｎ型ＡｌＧａＡｓの薄膜を製膜
した。
【００３５】この時の基板温度は６５０℃、成長圧力は
１０．１ｋＰａで行った。
１０．１ｋＰａで行った。
【００３６】図３に、この時得られた膜のウェハ面内に
おける膜厚ばらつきの度数分布の一例を示す。ここで、
縦軸は度数を、横軸はＧａＡｓウェハ上でのｎ型ＡｌＧ
ａＡｓの膜厚ばらつきを示している。
おける膜厚ばらつきの度数分布の一例を示す。ここで、
縦軸は度数を、横軸はＧａＡｓウェハ上でのｎ型ＡｌＧ
ａＡｓの膜厚ばらつきを示している。
【００３７】図３に示すように、本発明のマルチチャー
ジ横型気相成長装置を用いてＧａＡｓウェハ上に得られ
るｎ型ＡｌＧａＡｓ膜の膜厚ばらつきの度数分布は、
２．０〜２．５（％）の範囲にそのピークが存在し、平
均では２．０４（％）であった。これは、サセプタが一
段の単純な横型気相成長炉における膜厚ばらつき（±２
％弱）とほぼ同等の値である。
ジ横型気相成長装置を用いてＧａＡｓウェハ上に得られ
るｎ型ＡｌＧａＡｓ膜の膜厚ばらつきの度数分布は、
２．０〜２．５（％）の範囲にそのピークが存在し、平
均では２．０４（％）であった。これは、サセプタが一
段の単純な横型気相成長炉における膜厚ばらつき（±２
％弱）とほぼ同等の値である。
【００３８】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、多数枚の
基板（ウェハ）上に、均一に、かつ、同時に化学物半導
体の薄膜結晶を成長させることができるという優れた効
果を発揮する。
基板（ウェハ）上に、均一に、かつ、同時に化学物半導
体の薄膜結晶を成長させることができるという優れた効
果を発揮する。
【図１】本発明のマルチチャージ横型気相成長装置を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線矢視を示す図である。
【図３】本発明のマルチチャージ横型気相成長装置を用
いてＧａＡｓウェハ上に得られるｎ型ＡｌＧａＡｓ膜の
膜厚ばらつきの度数分布の一例を示す図である。
いてＧａＡｓウェハ上に得られるｎ型ＡｌＧａＡｓ膜の
膜厚ばらつきの度数分布の一例を示す図である。
１ マルチチャージ横型気相成長装置 ２ 横型気相成長炉 ３ フローチャネル ４ ウェハ（基板） ５ サセプタ部（サセプタ） ６ ヒーター（加熱手段） ７ 熱遮蔽板（断熱手段） ＧM 原料ガス
Claims (5)
- 【請求項１】 横型気相成長炉内における基板の支持手
段であるサセプタが多段に設けられたマルチチャージ横
型気相成長方法において、上記各サセプタの上面それぞ
れに原料ガスを供給するためのフローチャネルを形成
し、その各フローチャネルに上記原料ガスを供給して上
記基板上に化合物半導体の薄膜結晶を成長させることを
特徴とするマルチチャージ横型気相成長方法。 - 【請求項２】 横型気相成長炉内における基板の支持手
段であるサセプタが多段に設けられたマルチチャージ横
型気相成長装置において、上記各サセプタの上面それぞ
れに原料ガスを供給するためのフローチャネルを設けた
ことを特徴とするマルチチャージ横型気相成長装置。 - 【請求項３】 上記各サセプタの下面それぞれに、上記
基板を加熱するための加熱手段を設けた請求項２記載の
マルチチャージ横型気相成長装置。 - 【請求項４】 上記各サセプタ間に、熱干渉を防ぐべく
断熱手段を設けた請求項２記載のマルチチャージ横型気
相成長装置。 - 【請求項５】 上記各サセプタを自公転可能に設けた請
求項２記載のマルチチャージ横型気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05196796A JP3473251B2 (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | マルチチャージ横型気相成長方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05196796A JP3473251B2 (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | マルチチャージ横型気相成長方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246190A true JPH09246190A (ja) | 1997-09-19 |
| JP3473251B2 JP3473251B2 (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=12901649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05196796A Expired - Fee Related JP3473251B2 (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | マルチチャージ横型気相成長方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3473251B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011114858A1 (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | 住友電気工業株式会社 | 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜の製造装置、サセプター、およびサセプター保持具 |
| US8354623B2 (en) | 2007-12-07 | 2013-01-15 | Tokyo Electron Limited | Treatment apparatus, treatment method, and storage medium |
| JP2014500626A (ja) * | 2010-12-01 | 2014-01-09 | 北京北方▲微▼▲電▼子基地▲設▼▲備▼工▲芸▼研究中心有限▲責▼任公司 | トレイデバイスおよび結晶膜成長装置 |
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1996
- 1996-03-08 JP JP05196796A patent/JP3473251B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US8354623B2 (en) | 2007-12-07 | 2013-01-15 | Tokyo Electron Limited | Treatment apparatus, treatment method, and storage medium |
| WO2011114858A1 (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | 住友電気工業株式会社 | 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜の製造装置、サセプター、およびサセプター保持具 |
| CN102668033A (zh) * | 2010-03-15 | 2012-09-12 | 住友电气工业株式会社 | 半导体薄膜制造方法、半导体薄膜制造装置、基座和基座保持器 |
| JP2014500626A (ja) * | 2010-12-01 | 2014-01-09 | 北京北方▲微▼▲電▼子基地▲設▼▲備▼工▲芸▼研究中心有限▲責▼任公司 | トレイデバイスおよび結晶膜成長装置 |
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