JPH02274852A - 錫めっきのウィスカ対策方法 - Google Patents
錫めっきのウィスカ対策方法Info
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- JPH02274852A JPH02274852A JP9706089A JP9706089A JPH02274852A JP H02274852 A JPH02274852 A JP H02274852A JP 9706089 A JP9706089 A JP 9706089A JP 9706089 A JP9706089 A JP 9706089A JP H02274852 A JPH02274852 A JP H02274852A
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Landscapes
- Coating With Molten Metal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、錫めっきに際し傷めつき被膜中に発生したウ
ィスカの対策方法に関し、特に、錫めっき工程の直後に
錫めっき皮膜を溶融化する方式の錫めっきのウィスカ対
策方法に関する。
ィスカの対策方法に関し、特に、錫めっき工程の直後に
錫めっき皮膜を溶融化する方式の錫めっきのウィスカ対
策方法に関する。
［従来の技術］
従来、被処理体に鍋めっきを行うと、錫めっき被膜中に
巨大鍋結晶からなるいわゆるウィスカか発生する。この
ウィスカは、めっき特性を悪くすると共に錫めっき被膜
の強度を低くする。
巨大鍋結晶からなるいわゆるウィスカか発生する。この
ウィスカは、めっき特性を悪くすると共に錫めっき被膜
の強度を低くする。
この種のウィスカに対して、従来、ウィスカ発生の一原
因である錫めっき皮膜中の応力を除去或は分散化する対
策か採られていた。即ち、錫めっき工程直後に、錫めっ
き被膜を電気加熱して、錫めっき皮膜中の応力を除去或
は分散化処理を行っていた。
因である錫めっき皮膜中の応力を除去或は分散化する対
策か採られていた。即ち、錫めっき工程直後に、錫めっ
き被膜を電気加熱して、錫めっき皮膜中の応力を除去或
は分散化処理を行っていた。
［発明が解決しようとする課題］
上述した従来の電気加熱方式を採用したウィスカの対策
方法では、錫めっき被膜の熱伝導度が悪い為、編めつき
皮膜を溶融化するのに長時間を要する上、鍋めっき皮膜
を溶融化するのに高温としなければならなかった。
方法では、錫めっき被膜の熱伝導度が悪い為、編めつき
皮膜を溶融化するのに長時間を要する上、鍋めっき皮膜
を溶融化するのに高温としなければならなかった。
従って、かかる従来の電気加熱方式を採用したウィスカ
の対策方法は、自動めっきライン中での／８融化処理と
しては採用困難であった。
の対策方法は、自動めっきライン中での／８融化処理と
しては採用困難であった。
［課題を解決するための手段］
本発明の目的は、上述した従来技術の課題を解決し、低
温で且つ短時間に錫めっき皮膜を溶融化でき、従って、
自動めっきライン中での溶融化処理を可能としたウィス
カの対策方法を提供することである。
温で且つ短時間に錫めっき皮膜を溶融化でき、従って、
自動めっきライン中での溶融化処理を可能としたウィス
カの対策方法を提供することである。
本発明は、上記目的を達成する為、錫めっきに際し鍋め
っき被膜中に発生したウィスカの対策方法において、被
処理体に鍋めっきを行う工程と、そして、錫めっき工程
の直後に、錫めっきを行った被処理体をフッ素系不活性
液体の飽和蒸気相中ノ＼浸漬して、錫めっき皮膜を溶融
化する工程とを含んで構成されてなることを特徴とする
。
っき被膜中に発生したウィスカの対策方法において、被
処理体に鍋めっきを行う工程と、そして、錫めっき工程
の直後に、錫めっきを行った被処理体をフッ素系不活性
液体の飽和蒸気相中ノ＼浸漬して、錫めっき皮膜を溶融
化する工程とを含んで構成されてなることを特徴とする
。
［実施例］
次に、本発明に係る錫めっきのウィスカ対策方法につい
て、図面を参照して説明する。
て、図面を参照して説明する。
第１図は、本発明に係る錫めっきのウィスカ対策方法を
採用した自動錫めつきラインのシステム構成図である。
採用した自動錫めつきラインのシステム構成図である。
第１図に図示されているように、本発明に係る錫めっき
のウィスカ対策方法を採用した自動錫めっきラインは、
前処理工程１と、錫めっき工程２と、溶融化処理工程３
と、そして、後処理工程５とから構成されている。
のウィスカ対策方法を採用した自動錫めっきラインは、
前処理工程１と、錫めっき工程２と、溶融化処理工程３
と、そして、後処理工程５とから構成されている。
前処理工程１では、被処理体の脱脂及び酸洗い洗浄を実
施する。ｆｉＪめっき工程２では、鍋めっき皮膜を形成
する。溶融化処理工程３では、錫めっき工程２で錫めっ
き皮膜を形成した被処理体を、直ちに溶融化処理する。
施する。ｆｉＪめっき工程２では、鍋めっき皮膜を形成
する。溶融化処理工程３では、錫めっき工程２で錫めっ
き皮膜を形成した被処理体を、直ちに溶融化処理する。
即ち、錫めっきされた被処理体を、フッ素系不活性液体
、例えは、住友スリーエム株式会社製のフロリナートＦ
Ｃ７０の飽和蒸気相４中へ数分間浸漬し、錫めっき皮膜
を溶融化処理する。そして、後処理工程５で被処理体の
洗浄を行う。
、例えは、住友スリーエム株式会社製のフロリナートＦ
Ｃ７０の飽和蒸気相４中へ数分間浸漬し、錫めっき皮膜
を溶融化処理する。そして、後処理工程５で被処理体の
洗浄を行う。
本発明においては、フッ素系不活性液体、例えば、住友
スリーエム株式会社製のフロリナートＦＣ７０の飽和蒸
気相４で溶融化処理するが、フッ素系不活性液体自身が
熱伝導性に優れ且つ不活性で表面張力が非、常に低い為
、錫めっき皮膜を低温度で且つ短時間で溶融化できる。
スリーエム株式会社製のフロリナートＦＣ７０の飽和蒸
気相４で溶融化処理するが、フッ素系不活性液体自身が
熱伝導性に優れ且つ不活性で表面張力が非、常に低い為
、錫めっき皮膜を低温度で且つ短時間で溶融化できる。
錫めっき皮膜の溶融化により、錫めっき皮膜中の応力は
除去でき、ウィスカに対する対策が可能となる。
除去でき、ウィスカに対する対策が可能となる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明は、被処理体に錫めっきを
行う工程と、そして、鍋めっき工程の直後に、錫めっき
を行った被処理体をフッ素系不活性液体の飽和蒸気相中
へ浸漬して、錫めっき皮膜を溶融化する工程とを含んで
おり、フッ素系不活性液体自身が熱伝導度性等に優れて
いる為、その飽和蒸気相中で、錫めっき皮膜を低温度で
且つ短時間で溶融化処理できる。
行う工程と、そして、鍋めっき工程の直後に、錫めっき
を行った被処理体をフッ素系不活性液体の飽和蒸気相中
へ浸漬して、錫めっき皮膜を溶融化する工程とを含んで
おり、フッ素系不活性液体自身が熱伝導度性等に優れて
いる為、その飽和蒸気相中で、錫めっき皮膜を低温度で
且つ短時間で溶融化処理できる。
従って、本発明のウィスカ対策方法は、錫めっき皮膜を
容易に自動めっきライン中で溶融化処理できるという優
れた効果を有する。
容易に自動めっきライン中で溶融化処理できるという優
れた効果を有する。
第１図は、本発明に係る錫めっきのウィスカ対策方法を
採用した自動錫めっきラインのシステム構成図である。 １・・・前処理工程 ２・・・錫めっき工程 ３・・・溶融化処理工程 ４・・・フッ素系不活性液体の飽和蒸気相５・・・後処
理工程
採用した自動錫めっきラインのシステム構成図である。 １・・・前処理工程 ２・・・錫めっき工程 ３・・・溶融化処理工程 ４・・・フッ素系不活性液体の飽和蒸気相５・・・後処
理工程
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 錫めっきに際し錫めっき被膜中に発生したウィスカの対
策方法であつて、 被処理体に錫めっきを行う工程と、そして、錫めつき工
程の直後に、錫めっきを行った被処理体をフッ素系不活
性液体の飽和蒸気相中へ浸漬して、錫めっき皮膜を溶融
化する工程と、 を含んで構成されてなることを特徴とする錫めつきのウ
ィスカ対策方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9706089A JPH02274852A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 錫めっきのウィスカ対策方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9706089A JPH02274852A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 錫めっきのウィスカ対策方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02274852A true JPH02274852A (ja) | 1990-11-09 |
Family
ID=14182106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9706089A Pending JPH02274852A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 錫めっきのウィスカ対策方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02274852A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007081235A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012529744A (ja) * | 2009-06-08 | 2012-11-22 | タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション | 導電コーティングの気相リフロー接合のためのシステム及び方法 |
-
1989
- 1989-04-17 JP JP9706089A patent/JPH02274852A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007081235A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012529744A (ja) * | 2009-06-08 | 2012-11-22 | タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション | 導電コーティングの気相リフロー接合のためのシステム及び方法 |
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