JPH02274008A - 固体電子装置、その製造方法、及びそれを利用した装置 - Google Patents
固体電子装置、その製造方法、及びそれを利用した装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体電子装置とくに大電力を伝送する弾性表面
波素子または大振幅の弾性表面波波動が定在波として存
在する弾性表面波共振器の電極、反射器、又は電流密度
の高い電気配線を有する半導体素子または薄膜実装基板
に好適なＡｌ−Ｐｄ合金薄膜を使用した固体電子装置お
よび共の製造方法に関する。
波素子または大振幅の弾性表面波波動が定在波として存
在する弾性表面波共振器の電極、反射器、又は電流密度
の高い電気配線を有する半導体素子または薄膜実装基板
に好適なＡｌ−Ｐｄ合金薄膜を使用した固体電子装置お
よび共の製造方法に関する。
半導体集積回路のＡｌ配線、電極に１０°〜１０°Ａ／
−以上の高密度の電流を流した場合には、エレクトロマ
イグレーションを生じ、突起（ヒロックス）、空隙（ボ
イド）の発生により配線の短絡、あるいは断線がしばし
ば発生する。この原因は、電子の衝突によって粒界でＡ
ｌ原子が拡散により移動するためであると考えられてい
る。この対策として、例えば特開昭４５−１１３３号、
特開昭４９−２２３９７号公報等に開示されているよう
にＡｌにＣｕを添加したＡｌ合金配線電極が考えられて
いる。また、Ｔａ、Ｈｆその他の元素の中間層を挾んだ
Ａｌ配線を用いる場合もある。
−以上の高密度の電流を流した場合には、エレクトロマ
イグレーションを生じ、突起（ヒロックス）、空隙（ボ
イド）の発生により配線の短絡、あるいは断線がしばし
ば発生する。この原因は、電子の衝突によって粒界でＡ
ｌ原子が拡散により移動するためであると考えられてい
る。この対策として、例えば特開昭４５−１１３３号、
特開昭４９−２２３９７号公報等に開示されているよう
にＡｌにＣｕを添加したＡｌ合金配線電極が考えられて
いる。また、Ｔａ、Ｈｆその他の元素の中間層を挾んだ
Ａｌ配線を用いる場合もある。
一方、近年、弾性表面波装置の応用範囲が拡がり、大電
力を伝送する弾性表面波フィルタや、大振幅の表面波波
動が定在波として存在する弾性表面波共振器が用いられ
るようになった。ところが、上記弾性表面波装置におい
て、電子通信学会論文誌、巻Ｊ６７Ｇ、第３号、２７８
〜２８５頁（１９８４年３月）に述べられているように
、上記した半導体集積回路のＡρ配線電極に生じるエレ
クトロマイグレーションによる場合と同様な欠陥が発生
し、大電力を伝送する弾性表面波フィルタでは短絡、断
線による出力停止という故障が頻発し、共振器では共振
周波数の経時変化といった問題が生じていた。
力を伝送する弾性表面波フィルタや、大振幅の表面波波
動が定在波として存在する弾性表面波共振器が用いられ
るようになった。ところが、上記弾性表面波装置におい
て、電子通信学会論文誌、巻Ｊ６７Ｇ、第３号、２７８
〜２８５頁（１９８４年３月）に述べられているように
、上記した半導体集積回路のＡρ配線電極に生じるエレ
クトロマイグレーションによる場合と同様な欠陥が発生
し、大電力を伝送する弾性表面波フィルタでは短絡、断
線による出力停止という故障が頻発し、共振器では共振
周波数の経時変化といった問題が生じていた。
弾性表面波装置における上記欠陥発生のメカニズムは、
上記文献では、 「弾性表面波によって生じる基板表面
の歪が、表面上に形成されたＡｌ電極薄膜に内部応力を
発生させ、応力がしきい値を超えた部分でＡｌ結晶粒界
移動が起こり、ボイド及びヒロックスが生じる。内部応
力による粒界移動は、米国電気電子学会論文誌パーツ・
ハイブリッズ・アンド・パッケージング、巻ＰＨＰ−７
゜３号、１３４〜１３８頁（１９８１年９月）（ＩＥＥ
Ｅ。
上記文献では、 「弾性表面波によって生じる基板表面
の歪が、表面上に形成されたＡｌ電極薄膜に内部応力を
発生させ、応力がしきい値を超えた部分でＡｌ結晶粒界
移動が起こり、ボイド及びヒロックスが生じる。内部応
力による粒界移動は、米国電気電子学会論文誌パーツ・
ハイブリッズ・アンド・パッケージング、巻ＰＨＰ−７
゜３号、１３４〜１３８頁（１９８１年９月）（ＩＥＥ
Ｅ。
Ｔｒａｎｓ、、”Ｐａｒｔｓ、Ｈｙｂｒｉｄｓ ａｎｄ
Ｐａｃｋａｇｉｎｇ”）に示される集積回路の温度サ
イクルにおける場合と同じメカニズムと考えられる。」
旨を述べている。上記第１の文献では、このようなＡｌ
のマイグレーションによる欠陥対策として、半導体集積
回路で用いられる微量（１〜４ｗｔ％）のＣｕを添加す
る方法を述べ、そのマイグレーション抑圧に対する有効
性を述べている。
Ｐａｃｋａｇｉｎｇ”）に示される集積回路の温度サ
イクルにおける場合と同じメカニズムと考えられる。」
旨を述べている。上記第１の文献では、このようなＡｌ
のマイグレーションによる欠陥対策として、半導体集積
回路で用いられる微量（１〜４ｗｔ％）のＣｕを添加す
る方法を述べ、そのマイグレーション抑圧に対する有効
性を述べている。
上記した従来の対策技術は、耐電力性（耐電流性）、微
細加工に対する適性、量産性のすべての点において充分
に満足できるものではないのが現状である。
細加工に対する適性、量産性のすべての点において充分
に満足できるものではないのが現状である。
例えばＣｕを添加したＡｌ系合金の場合には、第一に、
８００ＭＨｚ程度の高周波弾性表面波素子では、低周波
弾性表面波素子に比べて、表面波歪が大きくなるため、
大電力動作時に、充分な寿命が保証できなくなる問題が
あった。
８００ＭＨｚ程度の高周波弾性表面波素子では、低周波
弾性表面波素子に比べて、表面波歪が大きくなるため、
大電力動作時に、充分な寿命が保証できなくなる問題が
あった。
第二に、膜の硬度が大きくなり易く、ワイヤボンディン
グの歩留が低下するという問題があった。
グの歩留が低下するという問題があった。
第３に、微細電極を高精度に形成する塩素系ガスプラズ
マを用いた反応性スパッタによるドライエツチングを行
った場合、Ｃｕの塩化物の沸点が高いためエツチングが
難しく、オーバエツチングを多く必要とするため、電極
幅が細くなってしまう。また、Ｃｕの塩化物が残留する
ことにより、電極腐食が発生し易い等の問題があった。
マを用いた反応性スパッタによるドライエツチングを行
った場合、Ｃｕの塩化物の沸点が高いためエツチングが
難しく、オーバエツチングを多く必要とするため、電極
幅が細くなってしまう。また、Ｃｕの塩化物が残留する
ことにより、電極腐食が発生し易い等の問題があった。
本発明は、耐電力性、量産性の条件を満足する配線、電
極を有する固体電子装置や其の製造方法を提供すること
にある。
極を有する固体電子装置や其の製造方法を提供すること
にある。
上記課題を解決するために本発明においては、−奨表面
波用圧電性基板、半導体基板、又は、絶縁性配線用基板
の上に形成された電極、電気配線、又はワイヤによる相
互接続用のボンディングパッドの少なくとも一部をＰｄ
を０．１〜０．３ｗｔ％添加したＡｌ合金薄膜で形成す
ることにした。
波用圧電性基板、半導体基板、又は、絶縁性配線用基板
の上に形成された電極、電気配線、又はワイヤによる相
互接続用のボンディングパッドの少なくとも一部をＰｄ
を０．１〜０．３ｗｔ％添加したＡｌ合金薄膜で形成す
ることにした。
Ｐｄを添加したＡｌ系合金薄膜では、高周波で電力を加
えた際の電極指抵抗による発熱効果がＣＵ添加の場合よ
りも抑えられ、弾性表面波応力に基づく劣化の温度上昇
による加速が低減され、大電力伝送用フィルタの耐電力
性向上をもたらしている。またＣｕ添加に比べ、添加量
が少なくて良いため、硬度を小さくでき、ワイヤボンデ
ィングにおける歩留も向上する。
えた際の電極指抵抗による発熱効果がＣＵ添加の場合よ
りも抑えられ、弾性表面波応力に基づく劣化の温度上昇
による加速が低減され、大電力伝送用フィルタの耐電力
性向上をもたらしている。またＣｕ添加に比べ、添加量
が少なくて良いため、硬度を小さくでき、ワイヤボンデ
ィングにおける歩留も向上する。
しかも組成安定なりＣマグネトロンスパッタ法を適用し
、Ｐｄ添加Ａｌ系合金薄膜で高周波弾性表面波素子の送
受波電極を形成した結果、優れた耐電力性が確認できた
。これはＰｄ添加Ａｌ系合金薄膜では．Ａｌ原子がその
自己拡散を抑えられ、応力に対して動き難くなり、しか
も電極膜の静的応力も小さく、ＳＡＷによる高周波応力
も加えた全応力が小さくなっていることによると考えら
れる。また、Ａ０原子の自己拡散を抑えられるため、電
流によるエレクトロマイグレーションに対する耐性も大
きくなると考えられ、大電力を必要とする電極材料に適
用した結果、優れた耐電力性を得ることが出来た。
、Ｐｄ添加Ａｌ系合金薄膜で高周波弾性表面波素子の送
受波電極を形成した結果、優れた耐電力性が確認できた
。これはＰｄ添加Ａｌ系合金薄膜では．Ａｌ原子がその
自己拡散を抑えられ、応力に対して動き難くなり、しか
も電極膜の静的応力も小さく、ＳＡＷによる高周波応力
も加えた全応力が小さくなっていることによると考えら
れる。また、Ａ０原子の自己拡散を抑えられるため、電
流によるエレクトロマイグレーションに対する耐性も大
きくなると考えられ、大電力を必要とする電極材料に適
用した結果、優れた耐電力性を得ることが出来た。
第１図（ａ）は本発明を弾性表面波共振器に適用した一
実施例の平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）に示すＡ
−Ａ’線断面図を示す。１は弾性表面波基板でＳＴカッ
ト水晶基板を用い、この基板表面上に１組の送受波電極
２．２”が開口１０００μｍ、２８対で互いに弾性表面
波を送受するように設けられており、ボンディングパッ
ド３．３“ と接続されている。ボンディングパッド３
．３゛は、直径２５μｍのＡＡ線、又はＡｕ線のボンデ
ィングワイヤにより、カンパッケージステムの入出力ピ
ン４．４′に電気的に接続されている。また、上記１組
の送受波電極２．２′の両側には、７５０本の金属スト
リップからなる反射器５．５°が設けられ、２開口弾性
表面波共振器を構成している。
実施例の平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）に示すＡ
−Ａ’線断面図を示す。１は弾性表面波基板でＳＴカッ
ト水晶基板を用い、この基板表面上に１組の送受波電極
２．２”が開口１０００μｍ、２８対で互いに弾性表面
波を送受するように設けられており、ボンディングパッ
ド３．３“ と接続されている。ボンディングパッド３
．３゛は、直径２５μｍのＡＡ線、又はＡｕ線のボンデ
ィングワイヤにより、カンパッケージステムの入出力ピ
ン４．４′に電気的に接続されている。また、上記１組
の送受波電極２．２′の両側には、７５０本の金属スト
リップからなる反射器５．５°が設けられ、２開口弾性
表面波共振器を構成している。
上記送受波電極２．２′、反射器５．５゛の膜厚は０．
１ ｐ、 ｍで、共振周波数は６９７ＭＨｚ、５０Ω系
での負荷Ｑ岬４０００となっており、電極材料は０．１
ｗｔ％Ｐｄを添加したＡｌ系合金であり、ＤＣマグネト
ロンスパッタ法により基板１上に蒸着形成された後、ホ
トエツチングによりパターン形成されたものである。な
お、送受波電極２．２′、反射器５．５゛ を形成した
基板１は導電性接着剤６によりＴＯ−５カンパツケージ
ステム７と接着されている。
１ ｐ、 ｍで、共振周波数は６９７ＭＨｚ、５０Ω系
での負荷Ｑ岬４０００となっており、電極材料は０．１
ｗｔ％Ｐｄを添加したＡｌ系合金であり、ＤＣマグネト
ロンスパッタ法により基板１上に蒸着形成された後、ホ
トエツチングによりパターン形成されたものである。な
お、送受波電極２．２′、反射器５．５゛ を形成した
基板１は導電性接着剤６によりＴＯ−５カンパツケージ
ステム７と接着されている。
本実施例およびＥＢ（エレクトロンビーム）蒸着法、ま
たはＤＣマグネトロンスパッタ法により形成した各種Ａ
ｌ系合金薄膜の耐電力性を、弾性表面波共振器により評
価し、その結果を第２図以降に示す。
たはＤＣマグネトロンスパッタ法により形成した各種Ａ
ｌ系合金薄膜の耐電力性を、弾性表面波共振器により評
価し、その結果を第２図以降に示す。
第２図は共振器に印加する入力電力と、劣化時間Ｔ Ｆ
（Ｔｉｍｅ ｔｏ Ｆａｉｌｕｒｅ）との関係を示す
ものである。加速劣化試験の条件は周囲温度１２０℃入
力電力１００〜８００ｍＷ、劣化時間ＴＦは、共振周波
数が試験開始点から±５０ＭＨｚ変化した時間をもって
示した。第２図に示すように、本発明のＰｄ添加八へ系
合金薄膜を用いた実施例は０．７ｕｔｔ％Ｃｕ添加ＥＢ
蒸着薄膜に対し、同一劣化時間において約６倍の入力電
極に耐え得ることが判った。
（Ｔｉｍｅ ｔｏ Ｆａｉｌｕｒｅ）との関係を示す
ものである。加速劣化試験の条件は周囲温度１２０℃入
力電力１００〜８００ｍＷ、劣化時間ＴＦは、共振周波
数が試験開始点から±５０ＭＨｚ変化した時間をもって
示した。第２図に示すように、本発明のＰｄ添加八へ系
合金薄膜を用いた実施例は０．７ｕｔｔ％Ｃｕ添加ＥＢ
蒸着薄膜に対し、同一劣化時間において約６倍の入力電
極に耐え得ることが判った。
更に第３図に示す周囲温度と劣化時間ＴＦの関係から、
Ｐｄ添加Ａｌ系合金薄膜は．Ａｌに０．７ｗｔ％Ｃｕを
添加した合金のＥＢ蒸着膜に対し、周囲温度の影響を受
は難いことが容易に理解できる。
Ｐｄ添加Ａｌ系合金薄膜は．Ａｌに０．７ｗｔ％Ｃｕを
添加した合金のＥＢ蒸着膜に対し、周囲温度の影響を受
は難いことが容易に理解できる。
本発明に係るＰｄ添加Ａｌ系合金薄膜の０．１μｍ厚の
膜抵抗率を四端子法により測定した。第４図に示すよう
に、Ｐｄ添加Ａｆｆ系合金薄膜の膜抵抗率はｏ、ｉｗｔ
％Ｐｄにおいて、３．８μΩ−ｃｍであり、従来の０．
７ｔｖｔ％Ｃｕ添加ＥＢ蒸着薄膜より若干低くなってい
る。また、第５図のＡｌ系合金薄膜の粒径と劣化時間の
関係を検討した結果．Ａｌ系合金薄膜を構成する粒子の
大きさが小さくなるに従って劣化時間が延びる傾向にあ
る。共振器による加速劣化試験の結果、入力１００ｍＷ
において純Ａｌスパッタ膜の劣化時間は１時間であり、
加速劣化試験から推測して純Ａｌに対し３００倍の耐電
力性を得るためには、粒径の大きさは０．０５μｍ以下
に抑える必要がある。また、Ｐｄの添加量を増加するこ
とにより、劣化時間は延びる傾向にあるが、膜硬度増加
によるワイヤボンディング不良、フィルタにおいては自
己発熱に伴う劣化を考え、Ｐｄ添加の上限は３．０ｗｔ
％、下限はＰｄ合金の膜組成の制御できる０、１ｗｔ％
とした。
膜抵抗率を四端子法により測定した。第４図に示すよう
に、Ｐｄ添加Ａｆｆ系合金薄膜の膜抵抗率はｏ、ｉｗｔ
％Ｐｄにおいて、３．８μΩ−ｃｍであり、従来の０．
７ｔｖｔ％Ｃｕ添加ＥＢ蒸着薄膜より若干低くなってい
る。また、第５図のＡｌ系合金薄膜の粒径と劣化時間の
関係を検討した結果．Ａｌ系合金薄膜を構成する粒子の
大きさが小さくなるに従って劣化時間が延びる傾向にあ
る。共振器による加速劣化試験の結果、入力１００ｍＷ
において純Ａｌスパッタ膜の劣化時間は１時間であり、
加速劣化試験から推測して純Ａｌに対し３００倍の耐電
力性を得るためには、粒径の大きさは０．０５μｍ以下
に抑える必要がある。また、Ｐｄの添加量を増加するこ
とにより、劣化時間は延びる傾向にあるが、膜硬度増加
によるワイヤボンディング不良、フィルタにおいては自
己発熱に伴う劣化を考え、Ｐｄ添加の上限は３．０ｗｔ
％、下限はＰｄ合金の膜組成の制御できる０、１ｗｔ％
とした。
Ｐｄ添加Ａｆｆ系合金薄膜の場合、中心周波数″８３５
ＭＨｚのセルラー無線分波器用送信側第１段フィルタに
用いた場合、出力電力４Ｗの条件下で加速劣化試験を行
った所、Ｃｕ添加Ａｌ系合金薄膜に対し約６ｏ倍の耐電
力性を示した。
ＭＨｚのセルラー無線分波器用送信側第１段フィルタに
用いた場合、出力電力４Ｗの条件下で加速劣化試験を行
った所、Ｃｕ添加Ａｌ系合金薄膜に対し約６ｏ倍の耐電
力性を示した。
上記実施例は、金属膜ストリップによる反射器を用いた
２開口共振器、入力から出力電極に大電力を伝送するセ
ルラー無線分波器用弾性表面波装置の場合であるが、本
発明はそれらに限定されることなく、１開口弾性表面波
共振器、その低高周波用弾性表面波装置であっても、そ
の効果に変わりはない。また弾性表面波圧電基板もＳＴ
カット水晶、ＬｉＮｂＯ２、ＬｉＴａ○３等各種基板等
容種基板ト面方位であっても有効で、レーリー波のみな
らず、疑似表面波、５ＳＢＷ、バルク波振動を用いるも
のにも有効である。
２開口共振器、入力から出力電極に大電力を伝送するセ
ルラー無線分波器用弾性表面波装置の場合であるが、本
発明はそれらに限定されることなく、１開口弾性表面波
共振器、その低高周波用弾性表面波装置であっても、そ
の効果に変わりはない。また弾性表面波圧電基板もＳＴ
カット水晶、ＬｉＮｂＯ２、ＬｉＴａ○３等各種基板等
容種基板ト面方位であっても有効で、レーリー波のみな
らず、疑似表面波、５ＳＢＷ、バルク波振動を用いるも
のにも有効である。
上記実施例の固体電子装置は、圧電性基板上に形成した
弾性表面波装置であったが、大電流密度の半導体デバイ
スの配線、薄膜ＩＣの配線、大電力を必要とする各種弾
性表面波フィルタ、小電力でもＳＡＷ振幅が大きく、電
極に大きなＳＡＷ歪、応力を与える共振子を用いたセル
ラー無線システム、ＶＴＲ，ＣＡＴＶ用コンバータ、ポ
ケットベル、自動車無線、コンボルバ−、バルク振動素
子によるＳＳ通信方式（周波数拡散通信方式）に有効で
あり、ＳＡＷ歪、応力等による電極劣化を低減でき、信
頼性が向上する。またＡｌ−Ｐｄ合金を一層のみならず
多層にすることにより、耐電力性の優れた構造となり、
−層耐電力性が向上する。
弾性表面波装置であったが、大電流密度の半導体デバイ
スの配線、薄膜ＩＣの配線、大電力を必要とする各種弾
性表面波フィルタ、小電力でもＳＡＷ振幅が大きく、電
極に大きなＳＡＷ歪、応力を与える共振子を用いたセル
ラー無線システム、ＶＴＲ，ＣＡＴＶ用コンバータ、ポ
ケットベル、自動車無線、コンボルバ−、バルク振動素
子によるＳＳ通信方式（周波数拡散通信方式）に有効で
あり、ＳＡＷ歪、応力等による電極劣化を低減でき、信
頼性が向上する。またＡｌ−Ｐｄ合金を一層のみならず
多層にすることにより、耐電力性の優れた構造となり、
−層耐電力性が向上する。
更に．Ａｌ−Ｐｄ合金に、膜内部応力を緩和するため、
耐クリープ性が優れ、膜応力が比較的小さく、耐エレク
トロマイグレーション性に優れたＬｉ、Ｔｉ、Ｍｇを添
加したＡｌ系三元合金を用いることにより、耐電力性が
向上することは言うまでもない。
耐クリープ性が優れ、膜応力が比較的小さく、耐エレク
トロマイグレーション性に優れたＬｉ、Ｔｉ、Ｍｇを添
加したＡｌ系三元合金を用いることにより、耐電力性が
向上することは言うまでもない。
なお、本発明に係るＰｄ添加Ａｌ系合金薄膜を用いた固
体電子装置をＤＣマグネトロンスパッタ法により電極を
形成したところ、ＥＢ蒸着法に比べ同一寿命において、
約１．２倍の耐電力性を有し、膜組成の制御にも優れて
いることを確認した。膜作成法として抵抗加熱法は簡単
に蒸着できる点で有利であり、ＥＢ蒸着法は抵抗加熱法
に比べ、薄膜材料への不純物の混入、蒸発源材料との反
応、高融点材料の蒸着が容易な点で優れる。また誘導加
熱法は成膜速度が大きく、組成制御が容易であるために
生産性向上に好都合である。イオンプレーティングは、
蒸発粒子中にかなりのイオンが含まれているため、加速
、集束が可能で、基板に対、する膜付着強度が大きく、
比較的成膜速度が大きいことが生産性の点で有効である
ことが判った。
体電子装置をＤＣマグネトロンスパッタ法により電極を
形成したところ、ＥＢ蒸着法に比べ同一寿命において、
約１．２倍の耐電力性を有し、膜組成の制御にも優れて
いることを確認した。膜作成法として抵抗加熱法は簡単
に蒸着できる点で有利であり、ＥＢ蒸着法は抵抗加熱法
に比べ、薄膜材料への不純物の混入、蒸発源材料との反
応、高融点材料の蒸着が容易な点で優れる。また誘導加
熱法は成膜速度が大きく、組成制御が容易であるために
生産性向上に好都合である。イオンプレーティングは、
蒸発粒子中にかなりのイオンが含まれているため、加速
、集束が可能で、基板に対、する膜付着強度が大きく、
比較的成膜速度が大きいことが生産性の点で有効である
ことが判った。
以上説明したように本発明によれば、ワイヤボンディン
グ、ドライエツチングの際の歩留が高くできるなどプロ
セス上の効果があり、従来のＣｕ添加Ａｌ糸合金のＥＢ
蒸着による電極、配線に比べ、耐電力性が６倍以上の優
れた高信頼性が得られた。
グ、ドライエツチングの際の歩留が高くできるなどプロ
セス上の効果があり、従来のＣｕ添加Ａｌ糸合金のＥＢ
蒸着による電極、配線に比べ、耐電力性が６倍以上の優
れた高信頼性が得られた。
第１図（ａ）は実施例弾性表面波共振器の平面図、第１
図（ｂ）は第１図（ａ）中のＡ−Ａ’線断面図、第２図
は入力電力と劣化時間の関係図、第３図は周囲温度と劣
化時間の関係図、第４図は添加金属濃度と膜抵抗率の関
係図、第５図は粒径と劣化時間の関係図である。 １・・・弾性表面波基板、２．２′・・・送受波電極、
３．３′・・・ボンディングパッド、４．４″・・・入
出力ビン、５．５′・・・弾性表面波反射器。 第１図 （ＯＬ） （ｂ） 入力電力（Ｗ） 第３０ ↓嵐 （Ｋ−′スフ０り 第 牛 図 ント刀Ｕ物刃室−１＜ｕ−ｔｔ匍
図（ｂ）は第１図（ａ）中のＡ−Ａ’線断面図、第２図
は入力電力と劣化時間の関係図、第３図は周囲温度と劣
化時間の関係図、第４図は添加金属濃度と膜抵抗率の関
係図、第５図は粒径と劣化時間の関係図である。 １・・・弾性表面波基板、２．２′・・・送受波電極、
３．３′・・・ボンディングパッド、４．４″・・・入
出力ビン、５．５′・・・弾性表面波反射器。 第１図 （ＯＬ） （ｂ） 入力電力（Ｗ） 第３０ ↓嵐 （Ｋ−′スフ０り 第 牛 図 ント刀Ｕ物刃室−１＜ｕ−ｔｔ匍
Claims (21)
- １．弾性表面波用圧電性基板、半導体基板、又は絶縁性
配線基板の上に形成された電極、配線、又は相互接続用
ボンディングパッドの少なくとも一部が、Ｐｄを０．１
〜３．０ｗｔ％添加したＡｌ合金薄膜よりなることを特
徴とする固体電子装置。 - ２．電極、配線、又はパッドを形成する上記Ａｌ−Ｐｄ
合金薄膜の粒径が０．０５μｍ以下であることを特徴と
する請求項１記載の固体電子装置。 - ３．弾性表面波フィルタとして請求項１記載の固体電子
装置を使用したことを特徴とするセルラー無線分波器。 - ４．弾性表面波共振子として請求項１記載の固体電子装
置を使用したＶＴＲ又はＣＡＴＶ用コンバータ。 - ５．弾性表面波素子または半導体素子に請求項１記載の
固体電子装置を使用したコンボルバ。 - ６．弾性表面波共振子フィルタとして請求項１記載の固
体電子装置を使用した自動車電話。 - ７．請求項１記載の固体電子装置を使用したことを特徴
とするバルク波振動素子。 - ８．弾性表面波共振子フィルタとして請求項１記載の固
体電子装置を使用したポケットベル。 - ９．弾性表面波用圧電性基板、半導体基板、又は絶縁性
配線基板の上に形成された電極、配線、又は相互接続用
ボンディングパッドの少なくとも一部が、純Ａｌ薄膜ま
たはＡｌ系合金薄膜の上に、Ａｌに０．１〜３．０ｗｔ
％のＰｄを添加した合金薄膜を形成させた二層構造より
なることを特徴とする固体電子装置。 - １０．弾性表面波用圧電性基板、半導体基板、又は絶縁
性配線基板の上に形成された電極、配線、又は相互接続
用ボンディングパッドの少なくとも一部が、Ａｌに０．
１〜３．０ｗｔ％のＰｄを添加した合金薄膜の上に、純
Ａｌ薄膜またはＡｌ系合金薄膜を形成した二層構造より
なることを特徴とする固体電子装置。 - １１．弾性表面波用圧電性基板、半導体基板、又は絶縁
性配線基板の上に形成された電極、配線、又は相互接続
用ボンディングパッドの少なくとも一部が、Ａｌに０．
１〜３．０ｗｔ％のＰｄを添加した合金薄膜と、純Ａｌ
薄膜またはＡｌ系合金薄膜とを、任意に多重に形成した
多層構造よりなることを特徴とする固体電子装置。 - １２．Ａｌ−Ｐｄ合金の代わりに、Ａｌに０．１〜３．
０ｗｔ％のＰｄを添加し更にＬｉを添加した三元合金を
使用した請求項１、９、１０又は１１記載の固体電子装
置。 - １３．Ａｌ−Ｐｄ合金の代わりに、Ａｌに０．１〜３．
０ｗｔ％のＰｄを添加し更にＴｉを添加した三元合金を
使用した請求項１、９、１０又は１１記載の固体電子装
置。 - １４．Ａｌ−Ｐｄ合金の代わりに、Ａｌに０．１〜３．
０ｗｔ％のＰｄを添加し更にＭｇを添加した三元合金を
使用した請求項１、９、１０又は１１記載の固体電子装
置。 - １５．Ａｌ薄膜およびＡｌ合金薄膜をスパッタ法によっ
て形成する請求項１、９、１０，１１、１２、１３又は
１４記載の固体電子装置の製造方法。 - １６．Ａｌ薄膜およびＡｌ合金薄膜をエレクトロンビー
ム蒸着法により形成する請求項１、９、１０、１１，１
２、１３又は１４記載の固体電子装置の製造方法。 - １７．Ａｌ薄膜およびＡｌ合金薄膜を抵抗加熱法により
形成する請求項１、９、１０、１１、１２、１３又は１
４記載の固体電子装置の製造方法。 - １８．Ａｌ薄膜およびＡｌ合金薄膜を誘導加熱法により
形成する請求項１、９、１０、１１、１２、１３又は１
４記載の固体電子装置の製造方法。 - １９．Ａｌ薄膜およびＡｌ合金薄膜をイオン化プレーテ
ィング法により形成する請求項１、９、１０、１１、１
２、１３又は１４記載の固体電子装置の製造方法。 - ２０．Ａｌ薄膜およびＡｌ合金薄膜をＣＶＤ法により形
成する請求項１、９、１０、１１、１２、１３又は１４
記載の固体電子装置の製造方法。 - ２１．Ａｌ合金薄膜を熱拡散法により形成する請求項１
、９、１０、１１、１２、１３又は１４記載の固体電子
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9510189A JPH02274008A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 固体電子装置、その製造方法、及びそれを利用した装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9510189A JPH02274008A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 固体電子装置、その製造方法、及びそれを利用した装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02274008A true JPH02274008A (ja) | 1990-11-08 |
Family
ID=14128486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9510189A Pending JPH02274008A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 固体電子装置、その製造方法、及びそれを利用した装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02274008A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6388361B1 (en) | 1999-10-18 | 2002-05-14 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device and process for manufacturing the same |
| JP2003073810A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60177667A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS60257166A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS61150322A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-09 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPS62163408A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-20 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPS62168411A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 弾性表面波共振子 |
| JPS62171327A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Hitachi Ltd | 弾性表面波分波器モジュールおよび無線機 |
| JPS63278343A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Hitachi Ltd | 固体電子装置 |
| JPS6482644A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Furukawa Electric Co Ltd | Semiconductor device |
-
1989
- 1989-04-17 JP JP9510189A patent/JPH02274008A/ja active Pending
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| US6388361B1 (en) | 1999-10-18 | 2002-05-14 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device and process for manufacturing the same |
| DE10046414B4 (de) * | 1999-10-18 | 2004-04-01 | Fujitsu Ltd., Kawasaki | Verfahren zum Herstellen einer akustischen Oberflächenwellenvorrichtung |
| JP2003073810A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット |
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