JPH02271532A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02271532A JPH02271532A JP9400989A JP9400989A JPH02271532A JP H02271532 A JPH02271532 A JP H02271532A JP 9400989 A JP9400989 A JP 9400989A JP 9400989 A JP9400989 A JP 9400989A JP H02271532 A JPH02271532 A JP H02271532A
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- insulating film
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特にＡ（を配線層に用い
た半導体装置に関する。
た半導体装置に関する。
従来、半導体装置に金属配線はＡＪ膜、又はＳｉＪ？？
Ｃｕを含んだＡｌ１膜、もしくはＴｉ、Ｗ。
Ｃｕを含んだＡｌ１膜、もしくはＴｉ、Ｗ。
ＭＯ等の高融点金属やその化合物の単層膜で形成され、
電気的接続のために用いられていた。半導体装置の構成
は、第３図に示すように、Ｓｉ基板１上に５ｉ０２から
なるフィールド絶縁膜２と拡散層２、その上に眉間絶縁
膜４、さらにＡ、１２膜５からなる金属配線が形成され
ていて、拡散層２とＡ１膜５が接続されている。そして
、カバー絶縁膜７で覆うものとなっていた。
電気的接続のために用いられていた。半導体装置の構成
は、第３図に示すように、Ｓｉ基板１上に５ｉ０２から
なるフィールド絶縁膜２と拡散層２、その上に眉間絶縁
膜４、さらにＡ、１２膜５からなる金属配線が形成され
ていて、拡散層２とＡ１膜５が接続されている。そして
、カバー絶縁膜７で覆うものとなっていた。
上述した従来の半導体装置の金属配線層に用いられてい
るＡｌ２膜は、機械的強度が小さいため、上層のカバー
絶縁膜との材質の違いによる熱膨張係数の差で生じる機
械的応力により断線するというストレスマイグレーショ
ン現象を起こしやすい。
るＡｌ２膜は、機械的強度が小さいため、上層のカバー
絶縁膜との材質の違いによる熱膨張係数の差で生じる機
械的応力により断線するというストレスマイグレーショ
ン現象を起こしやすい。
本発明の半導体装置は、半導体チップ上にＡｆｆｌ膜／
Ａｌ−Ｍｇ合金膜が前記Ａｌ膜を下層に有して設けられ
た金属配線と、前記金属配線を被覆するカバー絶縁膜と
を含むというものである。
Ａｌ−Ｍｇ合金膜が前記Ａｌ膜を下層に有して設けられ
た金属配線と、前記金属配線を被覆するカバー絶縁膜と
を含むというものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体チップの断面図
である。
である。
この実施例はＳｉ基板１に拡散層２とＳｉＯ□からなる
フィールド絶縁膜３が形成されており、その上にＰＳＧ
（リンケイ酸ガラス）からなる眉間絶縁膜４があり、
ＰＳＧ膜にあけられたコンタクト孔を介して上層のＡＪ
膜５と拡散層２が接続されている。Ａｆ腹膜上ＡＪ−Ｍ
ｇ膜６が形成されていて、カバー４絶縁膜７で覆われて
いる構成となっている。
フィールド絶縁膜３が形成されており、その上にＰＳＧ
（リンケイ酸ガラス）からなる眉間絶縁膜４があり、
ＰＳＧ膜にあけられたコンタクト孔を介して上層のＡＪ
膜５と拡散層２が接続されている。Ａｆ腹膜上ＡＪ−Ｍ
ｇ膜６が形成されていて、カバー４絶縁膜７で覆われて
いる構成となっている。
ここで、金属配線としてＡｆｆｌ−Ｍｇ合金の単層膜を
用いられない理由は拡散層との良好なオーミックコンタ
クトが得られないためである。
用いられない理由は拡散層との良好なオーミックコンタ
クトが得られないためである。
次にこの実施例の製造方法について説明する。
第２図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例の製造方法を
説明するための工程順に配置した半導体チップの断面図
である。
説明するための工程順に配置した半導体チップの断面図
である。
Ｓｉ基板１に５ｉ０２からなるフィールド絶縁膜２を選
択的に形成しく第２図（ａ））、次にヒ素又はボロンを
既知の方法でイオン注入し、拡散層３を形成する（第２
図（ｂ））、そして、ＰＳＧからなる眉間絶縁膜４を基
板全面に形成する（第２図（ｃ））、拡散層３とコンタ
クトをとるために眉間絶縁膜４を選択的にエツチングし
てコンタクト孔を設け、その上に下で述べる金属配線を
形成しく第２図（ｅ））、窒化シリコン膜や、酸化シリ
コン膜からなるカバー絶縁膜７で覆う（第２図（ｆ））
。
択的に形成しく第２図（ａ））、次にヒ素又はボロンを
既知の方法でイオン注入し、拡散層３を形成する（第２
図（ｂ））、そして、ＰＳＧからなる眉間絶縁膜４を基
板全面に形成する（第２図（ｃ））、拡散層３とコンタ
クトをとるために眉間絶縁膜４を選択的にエツチングし
てコンタクト孔を設け、その上に下で述べる金属配線を
形成しく第２図（ｅ））、窒化シリコン膜や、酸化シリ
コン膜からなるカバー絶縁膜７で覆う（第２図（ｆ））
。
金属配線の形成の仕方は２種類の方法を示す。
１つは、Ａ（膜を１μｍの厚さにスパッタ法などの既知
の方法により形成し、次にＭｇを１６０ｋｅＶ、ドーズ
量３Ｘ１０”／ｃｎｆでイオン注入し、１０−６ジユー
ル、波長１．０６μｍのＹＡＧレーザーを１０〜２０ｎ
ｓ当り１０μｍ２の面積に照射すると深さ０．４μｍの
領域まで合金化し、Ａ１膜５とＡｆ−Ｍｇ合金膜６の２
層構造を形成するものである。もう一つはまず厚さ０，
６μｍのＡ１膜を既知の方法により形成し、その上にに
ＡＪ−Ｍｇ合金膜をスパック法等の方法により０．４μ
ｍの厚さに形成し２層構造とするものである。なお、特
性上は後者の方がイオン注入によるダメージをうけない
ので優れている。
の方法により形成し、次にＭｇを１６０ｋｅＶ、ドーズ
量３Ｘ１０”／ｃｎｆでイオン注入し、１０−６ジユー
ル、波長１．０６μｍのＹＡＧレーザーを１０〜２０ｎ
ｓ当り１０μｍ２の面積に照射すると深さ０．４μｍの
領域まで合金化し、Ａ１膜５とＡｆ−Ｍｇ合金膜６の２
層構造を形成するものである。もう一つはまず厚さ０，
６μｍのＡ１膜を既知の方法により形成し、その上にに
ＡＪ−Ｍｇ合金膜をスパック法等の方法により０．４μ
ｍの厚さに形成し２層構造とするものである。なお、特
性上は後者の方がイオン注入によるダメージをうけない
ので優れている。
ＡＪ−Ｍｇ合金膜としてはＭｇを成分として０．５〜１
．５％含むものがよい。
．５％含むものがよい。
以上説明したように本発明は、半導体装置の金属配線を
へ１膜とＡｆ−Ｍｇ合金膜の２層構造で形成しているの
で、Ａ、＆−Ｍｇ合金膜が機械的強度の大きいことから
上層のカバー絶縁膜からの機械′的応力に対する耐性が
向上しストレスマイグレーション現象を防ぐことができ
る効果がある。
へ１膜とＡｆ−Ｍｇ合金膜の２層構造で形成しているの
で、Ａ、＆−Ｍｇ合金膜が機械的強度の大きいことから
上層のカバー絶縁膜からの機械′的応力に対する耐性が
向上しストレスマイグレーション現象を防ぐことができ
る効果がある。
Ｍｇ合金膜、７・・・カバー絶縁膜。
Claims (1)
- 半導体チップ上にＡｌ膜／Ａｌ−Ｍｇ合金膜が前記Ａｌ
膜を下層に有して設けられた金属配線と、前記金属配線
を被覆するカバー絶縁膜とを含むことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9400989A JPH02271532A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9400989A JPH02271532A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02271532A true JPH02271532A (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=14098452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9400989A Pending JPH02271532A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02271532A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5252368A (en) * | 1975-10-24 | 1977-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
-
1989
- 1989-04-12 JP JP9400989A patent/JPH02271532A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5252368A (en) * | 1975-10-24 | 1977-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
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