JPH02269320A - 液晶ディスプレイ欠陥修復装置 - Google Patents

液晶ディスプレイ欠陥修復装置

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JPH02269320A
JPH02269320A JP1083275A JP8327589A JPH02269320A JP H02269320 A JPH02269320 A JP H02269320A JP 1083275 A JP1083275 A JP 1083275A JP 8327589 A JP8327589 A JP 8327589A JP H02269320 A JPH02269320 A JP H02269320A
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飛田 敏男
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谷内 滋
Hidefumi Mifuku
御福 英史
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は液晶ディスプレイ欠陥修復装置に関し、特に
各画素に対応して表示状態制御用の薄膜トランジスタを
有する液晶ディスプレイの表示輝度不良を修復する装置
に関するものである。
〔従来の技術〕 第2図は各画素に対応して表示状態制御用の薄膜トラン
ジスタを有する液晶ディスプレイの断面図である0図に
おいて、1は複数の画素からなる液晶ディスプレイ、1
0は該液晶ディスプレイ1のアレイ基板100上に形成
された薄膜トランジスタ、200はカラーフィルタ21
0をその内面に備えた透明の対向基板、220はカラー
フィルタ210上に取り付けられた透明電極、300は
対向する上記両基板100.200の間に形成されたシ
ール層、400は上記両基板100.200の間に注入
された液晶である。
また第3図は上記薄膜トランジスタ10の詳細な断面構
造を示し、図中、11はガラス等の材料よりなる絶縁性
基板、12は該絶縁性基板11上に形成されたCr等の
材料よりなるゲート電極、13は上記ゲート電極12上
に形成され、SiN。
SiOオ等の材料よりなるゲート絶縁層、14は上記ゲ
ート絶縁層13上に形成され、非晶質シリコンよりなる
半導体層、15.16はそれぞれ該半導体層14上に形
成されたAI、Cr等の材料よりなるソース電極15及
びドレイン電極16.17は全面を覆うよう形成された
S i N、  S i Ox等の絶縁材料よりなる保
護膜である。
次に動作について説明する。
第5図は液晶ディスプレイlに内蔵された薄膜トランジ
スタ10の動作説明図で、図中ソース電極15は液晶4
00とは絶縁され、ドレイン電極16は液晶400と接
触している。
ここでソース電極15とドレイン電極16の間に一定の
直流電圧E、が加えられると、半導体層14の負電荷は
上記ドレイン電極16から上記ソース電極15に流れる
。またソース電極15とゲート電極12の間に可変のゲ
ート電圧E、が加えられても、このゲート電圧E2が小
さい時には上記半導体層14は上記負電荷の流れにほと
んど影響を及ぼさない、上記ゲート電圧E2が大きくな
り閾値電圧E、を越えると、上記半導体層14の負電荷
は上記ゲート電極12の方に引かれ、上記ゲート電圧E
、の増加に伴って上記ゲート電極12と上記ドレイン電
極16の間に流れるドレイン電流I4は急増し、最後は
上記半導体層14の電荷量が一定であるため飽和する。
上述したようにゲート電極12とドレイン電極16の間
を流れるドレイン電流I4と上記ゲート電圧E、の関係
は第12図のようになる。
ここで、液晶ディスプレイ1の対向基板200のカラー
フィルタ210に取り付けられている透明電極220と
上記ゲート電極12との間に加えられている直流電圧(
E鵞+Es )は、上記ゲート電圧E8が小さい時には
そのほとんどが上記薄膜トランジスタ10のゲート絶縁
層13に負担されている。一方上記ゲート電圧E、が閾
値電圧E。
以上に増加すると、上記説明のように上記ゲート電極1
2と上記ドレイン電極16の間にドレイン電流■4が流
れ、見掛は上上記ゲート電極12と上記ドレイン電極1
6の間の抵抗が下がるので、上記直流電圧(El +E
3 )は上記透明電極220と上記ドレイン電極16の
間の液晶400に負担されるようになる。その結果、上
記液晶400の分子は上記直流電圧(Ex +Es )
による電界の方向に配向し、透過光あるいは入射光に対
して透明になる。
そして上記ゲート電圧Emが減少すると、上記動作とは
逆になり、液晶400の分子の配向度が減少するので、
透過光あるいは入射光に対して不透明になって行く0以
上のようにして液晶ディスプレイに設けられた多数の薄
膜トランジスタ10のスイッチング作用により、液晶デ
ィスプレイ1の表示状態が制御される。
上記のように動作する液晶ディスプレイ1において、動
作時のゲート電圧14.アレイ基板100や対向基板2
00が他の物質と摩擦することによる静電気帯電あるい
は外部から侵入するサージ電圧等が、上記薄膜トランジ
スタ10のゲート電極12とソース電極15との間に加
わると、半導体層14から正または負の電荷がゲート絶
縁層13に注入され、これがゲート絶縁膜13と半導体
層14との界面付近に存在するゲート絶縁層13中のト
ラップ準位に捕らえられ、この結果上記ゲート絶縁層1
3中に空間電荷が生じる。
この空間電荷の電圧の方向が薄膜トランジスタlOのゲ
ート電圧E!の方向と反対の場合は、第12図に示され
るドレイン電流!、と上記ゲート電圧Etの関係は、上
記空間電荷が存在しない場合、正常状態(曲線b)から
閾値の高い異状状態(曲線a)にドリフトする。この時
、液晶ディスプレイの表示は、例えば正常画素がゲート
電圧E0で最高輝度になっているのに対して、薄膜トラ
ンジスタ10の上記!、−E、関係が曲paにドリフト
した異常画素の輝度は低い状態になっている。
逆に上記空間電荷の電圧の方向が薄膜トランジスタ10
のゲート電圧E2の方向と同じ場合は、闇値は低い方へ
、つまり正常の閾値電圧Eb  (曲線b)から低い閾
値電圧E、(曲線C)にドリフトする。この時、液晶デ
ィスプレイの表示はゲート電圧E0の正常画素と、薄膜
トランジスタ10の上記1.−E、関係が曲線Cにドリ
フトした異常画素とも最高輝度になっているが、例えば
駆動電圧E、をE、まで下げて正常画素の輝度を暗の状
態にしても、上記異常画素は明の状態のままである。
例えば液晶ディスプレイに内蔵される数万〜数十万個の
薄膜トランジスタの闇値電圧のバラツキは液晶ディスプ
レイの画面に線欠陥あるいは点欠陥となって現れる。
上記説明した薄膜トランジスタ10のIt  Ex量関
係ドリフトを抑制するには、例えば文献「日本学術振興
会アモルファス材料第147委員会第15回研究会資料
p12−p15 (昭和62年2月17日)」に述べら
れているように、ゲート絶縁層13を形成す、る際、原
料ガスの組成2例えばN!とNHsとのガス比率を化学
量論的に最適化する方法、あるいは形成温度を従来(2
00℃付近)より高温<300〜360℃)に上げる方
法があり、また薄膜トランジスタ10を形成した後に2
00〜400℃の温度で1〜3時間熱処理することによ
り、閾値電圧ドリフトの均一化を図る方法も一般に実施
されているが、上記従来の方法はいずれもゲート絶縁層
13のトラップ準位を減少させるものである。その他、
1.−E!量関係ドリフトを生じた薄膜トランジスタl
Oに熱エネルギーあるいは光エネルギーを与えてゲート
絶縁層13に存在するトラップ準位に捕らえられている
電荷を放電させる方法等もある。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、薄膜トランジスタ10のIa  Ex量関係
、シフトを抑制する上記のような従来の方法を用いると
、上記薄膜トランジスタIOのゲート絶縁層13に存在
するトラップ準位の数は減少するが、トラップ準位を完
全に無くすことはできず、このため上記薄膜トランジス
タ10に再び外部電界が加わると、上記薄膜トランジス
タにIa  Ex量関係シフトが生じる可能性がある。
また1m−Ez量関係シフトを抑制した薄膜トランジス
タlOを用いた液晶ディスプレイ1においても、上記液
晶ディスプレイ1のアレイ基板100や対向基板200
に生じた静電気帯電あるいは外部から侵入したサージ電
圧によって、上記液晶ディスプレイlの表示不良が発生
するという問題点があり、液晶ディスプレイ1の状態で
上記表示不良を修復する必要があった。
しかし液晶ディスプレイlの液晶は熱によって分解しや
すいため、上記液晶ディスプレイ1を高温でアニールす
る方法は用いられない、また、液晶ディスプレイ1の表
示不良を示す画素に対応する薄膜トランジスタlOに光
を照射することにより上記表示不良を修復することは可
能であるが、この際光エネルギーを与えすぎると液晶4
00を分解させたり半導体層14の特性を変化させたり
する危険性があり、逆に上記光エネルギーの供給が不足
すれば上記表示不良の修復を十分に行うことはできない
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、液晶ディスプレイ素子の表示状態制御用薄膜
トランジスタの閾値電圧ドリフトを高精度で補正するこ
とができ、これにより表示不良の液晶ディスプレイ素子
を無(して液晶ディスプレイの欠陥を確実に修復するこ
とができる液晶ディスプレイ欠陥修復装置を得ることを
目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る液晶ディスプレイ欠陥修復装置は、液晶
ディスプレイを駆動する信号を発生する信号発生器と、
その液晶ディスプレイ素子の表示状態制御用の薄膜トラ
ンジスタに光ビームを照射してその閾値電圧ドリフトを
補正する光ビーム照射手段とを備え、上記液晶ディスプ
レイ素子の表示状態を評価し、その評価結果に基づいて
上記光ビーム照射量を制御するようにしたものである。
〔作用〕
この発明においては、液晶ディスプレイ素子の表示状態
を評価し、その評価結果に基づいて薄膜トランジスタへ
の光ビーム照射量を制御して、薄膜トランジスタの闇値
電圧ドリフトを補正し、液晶ディスプレイ素子の表示不
良を修復するようにしたから、薄膜トランジスタの閾値
電圧の均一化を高精度で行うことができ、これにより液
晶ディスプレイの画質及び製造歩留向上を図ることがで
きる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は本発明の一実施例による液晶ディスプレイ欠陥
修復装置のブロック構成図、第4図及び第6図は液晶デ
ィスプレイの欠陥修復原理を説明するための液晶ディス
プレイの等価回路図及び薄膜トランジスタのIa  E
x特性図である。
図において、1は液晶ディスプレイ、2は上記液晶ディ
スプレイ1の駆動信号を発生する信号発生器、3は薄膜
トランジスタ10に光ビーム31を照射する光ビーム照
射手段、4は液晶ディスプレイの表示状態を評価すると
ともにその結果に基づいて上記光ビーム照射手段3の上
記光ビーム31照射量を制御する表示制御手段である。
ここで、薄膜トランジスタ10への光ビーム31照射は
アレイ基板100を介して行われ、光ビーム31として
は直径が5〜100μmに集光されたYAG。
Xe、Ar等のレーザが好ましく用いられる。
次に動作について説明する。
以下第4図を用いて画素P、の薄膜トランジスタ101
の閾値電圧が負の方向にドリフトしている場合の修復処
理を順次説明する。
まず、信号発生器2を用いて液晶ディスプレイ1を所定
の駆動条件で駆動して画像表示を行い、表示制御手段4
により表示輝度の低い欠陥画素Pの位置を自動的に検出
するとともに、異常の無い画素P3の輝度データを上記
表示制御手段4に内蔵される記憶回路(図示せず)に格
納する。
次いで、欠陥画素P、に対応した薄膜トランジスタ10
1のIn−Et特性における閾値電圧のドリフト量を調
べるために表示制御手段4により画素ptの輝度データ
を測定し、信号発生器2からゲート・ライン120を介
して画素P、の薄膜トランジスタ101のゲート電極1
2にゲート信号す、を加え、上記画素P8の輝度データ
と比較しながら上記ゲート信号す、を正方向に徐々に変
化させる。
ここで1、第6図の14−Et特性、即ち画素Pt及び
Plに対応した薄膜トランジスタ101及び102のI
a  Ex曲線す及びaから明らかなように、画素P、
とP8の輝度データが等しくなった時点では薄膜トラン
ジスタ101及び102のゲート電極12に印加された
ゲー、ト信号b1とalの差分値Cは薄膜トランジスタ
101及び102の閾値電圧E、及びE、の差、即ち薄
膜トランジスタ101の闇値電圧のドリフト量にほぼ等
しい。
その後、画素P1に対応した薄膜トランジスタ101の
闇値電圧のドリフト1i(E、  Eb)から光ビーム
照射手段3の照射条件、例えばYAGレーザの場合では
レーザ・パワー、バイト・サイズ、Qスイッチ周波数、
加工ピッチ等を決め、上記薄膜トランジスタ101にレ
ーザ・ビーム31を照射して、再度表示制御手段4で画
素P、とP8の輝度データの比較を行う、そしてこのよ
うな手順を繰り返すことにより、液晶ディスプレイ1を
表示した状態で薄膜トランジスタ10の闇値電圧ドリフ
トを効果的に補正、均一化する。
その後、他の欠陥画素に対しても同様の処理を施して閾
値電圧ドリフトの修復を行う。
ここでは、上記レーザ条件の一例として薄膜トランジス
タlOの闇値電圧のドリフト量が一10■の時、レーザ
・パワー0.1μJ/パルス、バイト・サイズ0.3μ
m、Qスイッチ周波数1000H2,レーザ・ビーム径
6.5μm1加工ピツチ2μmが適当であった。
このように本実施例では、液晶ディスプレイlの駆動信
号を発生する信号発生器2及びレーザ・ビーム31を発
生するビーム照射手段3を設け、液晶ディスプレイ1の
表示状態を評価し、この評価結果に基づいて欠陥薄膜ト
ランジスタ101゜他の欠陥薄膜トランジスタ(図示せ
ず)に別々にレーザ・ビーム31照射による闇値補正処
理を施して、薄膜トランジスタの閾値電圧ドリフトを均
一化するようにしたので、液晶ディスプレイに内蔵され
る複数個の薄膜トランジスタの闇値電圧の均一化を個別
にしかも高精度に行うことができ、これにより液晶ディ
スプレイを表示した際の点状または線状の暗部をなくす
ことができ、ディスプレイの画質を大きく向上できると
ともに、歩留り向上に顕著な効果がある。
なお、上記実施例では光ビーム31を、アレイ基板10
0と対向基板200との間に液晶を封止した状態の液晶
ディスプレイに照射する場合につイテ示したが、本発明
の光ビーム照射による闇値電圧ドリフトの修復技術は薄
膜トランジスタを配設しただけの状態のアレイ基板10
0に適用することもでき、つまり所定の検査結果に基づ
いて、このようなアレイ基板100の薄膜トランジスタ
10にその上方から、あるいはアレイ基板100を介し
て薄膜トランジスタ10に上記光ビームを照射すること
により、上記閾値電圧ドリフトの修正を行うことができ
る。この場合、アレイ基板100を所定温度に予熱した
状態で上記薄膜トランジスタ10の閾値電圧ドリフトを
修復することにより、修復時間の短縮を図ることもでき
る。
第11図はこの発明の他の実施例による液晶ディスプレ
イ欠陥修復装置を示す説明図、第7〜第1θ図はその欠
陥修復処理を順に示す説明図である。
第11図において、lはX−Yテーブル5上に固定され
た液晶ディスプレイ、20は駆動電源で、上記液晶ディ
スプレイlを駆動する信号を発生する信号発生器2と上
記液晶ディスプレイ1の表示画面を光らせる透過光を投
光する照明光源7の照明電源201とから構成されてい
る。3は薄膜トランジスタlOのアレイ基板100側か
らゲート絶縁層13に光ビーム31を照射する光ビーム
照射手段である。また4は表示制御手段で、上記液晶デ
ィスプレイlから出る光信号71を受光して各液晶ディ
スプレイ素子の表示輝度を測定し、表示輝度の不良液晶
ディスプレイ素子位置を検出する画像検査装置41と、
上記表示不良の液晶ディスプレイ素子の輝度を基準値と
比較し、その比較結果に基づいて上記光ビーム照射手段
3の光ビーム照射量を制御する制御用コンピュータ9と
から構成されておいる。42は上記X−Yテーブル5を
駆動するx−Yテーブル駆動装置で、該装置により上記
液晶ディスプレイ1と上記光ビーム照射手段3の相対的
位置を変化させることができるようになっている。
次に、上記のように構成された液晶ディスプレイ欠陥修
復装置による欠陥修復処理を順に説明する。
X−Yテーブル5は第7図に示すように、中央付近に開
口部6を、その周囲に3本のガイドビン11を有してお
り、前面には照明光源7が配置されている。
まず第8図に示すように液晶ディスプレイ1を上記X−
Yテーブル5上に載せ、3本のガイドビン11に沿わせ
て固定する。この時、上記液晶ディスプレイ1はその表
示画面が上記X−Yテーブル5の開口部6の内側を向く
ようにする。そして液晶ディスプレイ1の表示画面には
第4図のようにゲートライン120とドレインライン1
30が縦横に走り基盤目区画を形成しているので、光ビ
ーム照射手段3からの照射光ビーム31の光軸が、液晶
ディスブレ41表示画面の基盤目区画中央の画素に対応
する薄膜トランジスタ10の中央に位置するよう上記光
ビーム照射手段3を配置固定する。
そして第9図に示すように照明電源201により照明光
源7を点灯するとともに、信号発生器2から上記液晶デ
ィスプレイ1の駆動信号をそのレベルを所定の範囲で順
次増加させて上記液晶ディスプレイ1に送る。上記液晶
ディスプレイ1の駆動信号レベルの増加にともなって液
晶400分子の配向度が増して照明光源7からの光が透
過するようになり、上記液晶ディスプレイ1の表示画面
は暗から明に移行し、徐々に輝度を増して行(。
次に第10図に示すように画像検査装置41により上記
液晶ディスプレイ1の各素子の表示輝度を測定し、正常
な輝度を基準値として制御コンピュータ9に記憶する。
その後上記画像検査装置41で上記輝度の基準値に比べ
て低い輝度の液晶ディスプレイ素子または高い輝度の素
子を検出し、上記液晶ディスプレイ1の表示画面の基盤
目区画における番地を認識して上記制御コンピュータ9
に記憶する。また上記制御コンピュータ9からの信号で
X−Yテーブル駆動装置42を駆動して光ビーム照射手
段3の光軸が不良素子の番地に対応する薄膜トランジス
タ10と一致するようにXY子テーブルを移動する。
そして表示不良素子の表示輝度が上記基準値(表示正常
素子の輝度)に比べて低い場合、画像検査装置41で上
記表示不良素子の表示輝度を測定しながら信号発生器2
から上記液晶ディスプレイ1に送る駆動信号レベルを下
げて行き、上記表示不良画素の表示輝度が暗になった所
で上記信号レベルを一定に保つ、また、表示不良素子の
表示輝度が基準値(表示正常素子の輝度)に比べて高い
場合、画像検査装置41で表示正常素子の表示輝度信号
を測定しながら信号発生器2から上記液晶ディスプレイ
1に送る駆動信号レベルを下げて行き、上記表示正常素
子の表示輝度が暗になった所で上記駆動信号レベルを一
定に保つ。
上記表示制御手段4により、上記液晶ディスプレイ1の
駆動信号レベルを一定に保った時の表示正常素子と表示
不良素子の輝度差を求め、その輝度差に基づいて光ビー
ム照射手段3の光ビーム照射条件を決めて、表示不良素
子に対応した薄膜トランジスタ10に光ビーム31を照
射する。再度表示制御手段4で表示正常素子と表示不良
素子の輝度ディスプレイの比較を行う、そしてこのよう
な手順を繰り返すことにより、液晶ディスプレイlを表
示した状態で薄膜トランジスタ10の闇値電圧ドリフト
を効果的に補正、均一化する。
その後、他の複数の表示不良素子に対しても同様の処理
を施して閾値電圧ドリフトの修復を行う。
この実施例装置では、液晶ディスプレイ素子の表示状態
を検出し、表示不良の液晶ディスプレイ素子の闇値と基
準値とを比較し、その比較結果に基づいて、上記光ビー
ム照射手段の上記光ビーム照射量を制御するとともに、
該光ビームの光軸を不良素子の位置に合わせるようにし
たので、複数個の液晶ディスプレイ素子の表示状態の一
評価結果に基づき、次々に欠陥薄膜トランジスタに上記
光ビーム照射による閾値補正処理を施し、液晶ディスプ
レイに内蔵される複数個の薄膜トランジスタの閾値電圧
の均一化を個別にしかも連続的に行うことができる。こ
れにより欠陥修復時間の短縮が図れる効果がある。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明に係る液晶ディスプレイ欠陥修
復装置によれば、液晶ディスプレイ素子の表示状態を評
価し、その評価結果に基づいた照射量の光ビームを薄膜
トランジスタに照射して、閾値電圧のドリフトを補正す
るようにしたので、液晶ディスプレイに内蔵される薄膜
トランジスタの閾値電圧の均一化を高精度で行うことが
でき、これにより液晶ディスプレイの画質を大きく向上
でき、歩留り向上に顕著な効果がある。
【図面の簡単な説明】 第1図はこの発明の一実施例による液晶ディスプレイ欠
陥修復装置を示すブロック構成図、第2図は薄膜トラン
ジスタで駆動される液晶ディスプレイの断面構造図、第
3図は該薄膜トランジスタの断面構造図、第4図は第2
図の液晶ディスプレイの等価回路図、第5図は薄膜トラ
ンジスタの動作説明図、第6図は本液晶ディスプレイ欠
陥修復装置の動作を説明するための説明図、第7図ない
し第1O図はそれぞれ本発明の他の実施例による液晶デ
ィスプレイ欠陥修復装置を説明するための図、第11図
は該液晶ディスプレイ欠陥修復装置の概略構成図、第1
2図は薄膜トランジスタの闇値ドリフトを説明するため
の説明図である。 図において、1は液晶ディスプレイ、2は信号発生器、
3は光ビーム照射手段、4は表示制御手段、5はX−Y
テーブル、7は照明光源、9は制御用コンピュータ、1
0は薄膜トランジスタ、20は駆動電源、41は画像検
査装置、42はX−Yテーブル駆動装置、201は照明
電源である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)薄膜トランジスタ部を持つ複数の液晶ディスプレ
    イ素子からなる液晶ディスプレイの欠陥修復を行う装置
    であって、 上記各液晶ディスプレイ素子を駆動するディスプレイ駆
    動手段と、 上記液晶ディスプレイの画像表示状態を評価する画像検
    査装置と、 レーザビーム発生器を有し、該評価結果に基づいて、閾
    値がドリフトしている薄膜トランジスタ部へのレーザビ
    ーム照射を、液晶ディスプレイ素子毎に別々に行って該
    薄膜トランジスタの閾値電圧を補正する閾値電圧補正手
    段とを備えたことを特徴とする液晶ディスプレイ欠陥修
    復装置。
  2. (2)表示状態制御用の薄膜トランジスタ内蔵の液晶デ
    ィスプレイ素子からなる液晶ディスプレイの欠陥修復を
    行う装置であって、 上記液晶ディスプレイを駆動する液晶ディスプレイ駆動
    装置と、 上記薄膜トランジスタに光ビームを照射して上記薄膜ト
    ランジスタの閾値電圧を変化させる光ビーム照射手段と
    、 上記液晶ディスプレイ素子の表示状態を評価するととも
    に、該評価結果に基づいて上記光ビーム照射量を制御す
    る評価・制御手段とを備えたことを特徴とする液晶ディ
    スプレイ欠陥修復装置。
  3. (3)表示状態制御用の薄膜トランジスタ内蔵の複数の
    液晶ディスプレイ素子からなる液晶ディスプレイの欠陥
    修復を行う装置であって、 上記液晶ディスプレイを載置する移動自在な載置台と、 上記液晶ディスプレイを駆動するディスプレイ駆動手段
    と、 上記薄膜トランジスタに光ビームを照射して上記薄膜ト
    ランジスタの閾値を変化させる光ビーム照射手段と、 上記液晶ディスプレイ素子の表示状態を検出する表示状
    態検出手段と、 該表示状態検出出力に基づき表示不良の液晶ディスプレ
    イ素子の輝度を基準値と比較し、その比較結果に基づい
    て上記光ビーム照射量を制御する表示制御手段と、 上記表示状態検出出力に基づき上記載置台を移動させて
    液晶ディスプレイと上記光ビーム照射位置との相対的位
    置を調整する位置調整手段とを備えたことを特徴とする
    液晶ディスプレイ欠陥修復装置。
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